專利名稱：形成含二氧化硅的層的原子層沉積方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及形成含二氧化硅的層的原子層沉積方法。
背景技術(shù)：
在集成電路的制造中的半導(dǎo)體加工包括向半導(dǎo)體襯底上進行層的沉積。示例的方法包括化學(xué)氣相沉積(CVD)和原子層沉積(ALD)。CVD和ALD可以在室中進行，該室保留有在晶片支架或基座上的單個襯底。也可以采用多襯底室。典型地向在該室中的蓮蓬頭提供一種或多種前體氣體，所述的蓮蓬頭用來向襯底的外表面上基本上均勻地提供反應(yīng)氣體。在襯底上面的適宜層的沉積中前體反應(yīng)或相反顯示?？梢圆捎没虿徊捎玫入x子體強化。如果采用等離子體強化，可以直接在該室中或遠離該室產(chǎn)生和保持等離子體。
一種在半導(dǎo)體制造中通常采用的絕緣或介電材料是二氧化硅。
發(fā)明概述本發(fā)明包括形成含二氧化硅的層的原子層沉積方法。在一個實施中，在沉積室中定位襯底。在對于向襯底上化學(xué)吸附含硅的第一物種單層有效的條件下，向該室中流入三甲基硅烷并且向該室中流入第一惰性氣體。第一惰性氣體在第一速率下流動。在形成第一物種單層后，在對于氧化劑與化學(xué)吸附的第一物種反應(yīng)和在襯底上形成含二氧化硅的單層有效的條件下，向該室中流入氧化劑并且向該室中流入第二惰性氣體。第二惰性氣體在低于第一速率的第二速率下流動。依次重復(fù)所述的a)三甲基硅烷和第一惰性氣體的流動和b)氧化劑和第二惰性氣體的流動，從而有效地在襯底上形成含二氧化硅的層。
在一個實施中，一種在襯底上形成含二氧化硅的層的原子層沉積方法包括在沉積室中定位襯底。在對于向襯底上化學(xué)吸附含硅的第一物種單層有效的條件下，向該室中流入三甲基硅烷。在形成第一物種單層后，在對于氧化劑與化學(xué)吸附的第一物種反應(yīng)和在襯底上形成含二氧化硅的單層有效的條件下，向該室中流入氧化劑。向該室中流入氧化劑的流動速率至少為2000sccm。依次重復(fù)所述的三甲基硅烷流動和氧化劑的流動，從而有效地在襯底上形成含二氧化硅的層。
關(guān)注其它的實施和方面。


以下參考下面的附圖來描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方案。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一個方面使用的沉積室的示意圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明一個方面加工的襯底的剖面示意圖。
圖3是圖2的襯底在圖2所示的步驟之后的加工步驟下的視圖。
優(yōu)選實施方案詳述本發(fā)明包括在襯底例如半導(dǎo)體襯底上形成含二氧化硅的層的原子層沉積方法。在本文件的上下文中，將術(shù)語“半導(dǎo)體襯底”或“半導(dǎo)體的襯底”限定為表示包含半導(dǎo)體材料的任何構(gòu)造，包括但不限于，塊狀半導(dǎo)體材料如半導(dǎo)體晶片(單獨地，或以包含在其上的其它材料的組件形式)，和半導(dǎo)體材料層(單獨地，或以包含其它材料的組件形式)。術(shù)語“襯底”是指任何支撐性結(jié)構(gòu)體，包括但不限于，上面所述的半導(dǎo)體襯底。雖然本發(fā)明涉及形成含二氧化硅的層的ALD方法，但是本發(fā)明不排除作為由不同于ALD的方法形成的含二氧化硅的層的一部分而形成的這類層。例如并且僅作為實例，本發(fā)明的方法關(guān)注在由CVD沉積的含二氧化硅的層上形成含二氧化硅的層的ALD方法，和/或在根據(jù)本發(fā)明的方面由ALD形成的含二氧化硅的層上通過CVD沉積的含二氧化硅的層。換言之，本發(fā)明還包括在襯底上形成復(fù)合材料或均勻的含二氧化硅的層中將本發(fā)明的方法方面與CVD方法相結(jié)合。
ALD有時也稱作原子層外延、原子層加工等。在典型目的在于在襯底上形成非常薄的層的情況下，ALD是適宜的。ALD包括將初始襯底暴露于第一化學(xué)物種，以完成該物種向襯底上的化學(xué)吸附。理論上，化學(xué)吸附在整個暴露的初始襯底上形成單層，所述的單層是均勻地單原子或分子厚的。換言之，優(yōu)選形成飽和的單層。但是，化學(xué)吸附可以不，并且典型地不發(fā)生在襯底的所有部分上，所以典型地最初形成不連續(xù)的單層。然而，這種不完全的單層在本文件的上下文中仍然是單層，并且是由本領(lǐng)域的技術(shù)人員所認(rèn)可的。只不過，在許多申請中，基本上飽和的單層可以是適宜的。基本上飽和的單層是這樣的層，其將仍然得到顯示對于這樣的層所需要的質(zhì)量和/或性質(zhì)的沉積層。
在暴露于第一物種之后，典型地將其從襯底上清除出去，并且提供第二化學(xué)物種，以化學(xué)吸附在第一物種的第一單層上。然后清除第二物種，并且在第二物種單層與第一物種接觸的情況下重復(fù)所述的步驟。在某些情況下，兩種單層可以具有相同的物種。此外，剛好如對于第一和第二物種所述，可以依次地化學(xué)吸附和清除第三或以上的物種。此外，可以將第一、第二和第三物種中的一種或多種與惰性氣體混合，以加速在反應(yīng)室中的壓力飽和，或為了其它目的。
清除可以包括各種技術(shù)，包括但不限于，使襯底和/或單層與載氣接觸，和/或?qū)毫档椭恋陀诔练e壓力，以降低與襯底和/或化學(xué)吸附的物種接觸的物種的濃度。載氣包括N2、Ar、He、Ne、Kr、Xe等?？梢蕴娲那宄ㄊ挂r底和/或單層與任何物質(zhì)接觸，所述的物質(zhì)允許化學(xué)吸附副產(chǎn)物以進行脫附，并且降低物種的濃度，從而準(zhǔn)備引入另一物種。可以根據(jù)本領(lǐng)域的技術(shù)人員所知、用實驗方法確定清除的適宜量?？梢砸来螌⑶宄龝r間縮短至得到膜生長速率提高的清除時間。膜生長速率的提高可以是改變?yōu)榉?ALD方法體系的指示，并且可以用來建立清除時限。
通常將ALD描述為受自身約束的方法，原因在于在可以化學(xué)吸附第一物種的襯底上存在有限數(shù)量的位置。第二物種可以僅與第一物種結(jié)合，并且也可以是受自身約束的。一旦在襯底上的有限數(shù)量的位置全部與第一物種結(jié)合時，第一物種通常不會與已經(jīng)與襯底結(jié)合的其它第一物種結(jié)合。但是，可以改變在ALD中的工藝條件，以促進這種結(jié)合和使ALD為不受自身約束的。因此，ALD還可以包括在通過物種堆疊的同時，不同于單層的物種形成，從而形成多于一個原子或分子厚的層。還應(yīng)當(dāng)注意的是，在ALD期間可以發(fā)生局部的化學(xué)反應(yīng)(例如，引入的反應(yīng)物分子可以代替來自現(xiàn)有表面的分子，而不是在襯底上形成單層)。就發(fā)生這種化學(xué)反應(yīng)的程度而言，這通常被限定在表面的最上面的單層內(nèi)。
在通常使用的溫度和壓力的范圍內(nèi)，并且根據(jù)所建立的用于達到全部ALD層(每次一個單層)的適宜形成的清除標(biāo)準(zhǔn)，可以發(fā)生ALD。即使如此，根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的標(biāo)準(zhǔn)，ALD條件可以極大地取決于特殊的前體、層的組成、沉積裝置和其它因素。保持溫度、壓力和清除的常規(guī)條件使不需要的反應(yīng)最小化，所述的反應(yīng)可以影響單層的形成和得到的全部ALD層的質(zhì)量。因此，在常規(guī)溫度和壓力范圍之外的操作可能存在形成缺陷單層的危險。
化學(xué)氣相沉積(CVD)的通用技術(shù)包括各種更具體的方法，包括但不限于等離子體強化的CVD等。通常將CVD用來非選擇性地在襯底上形成完全的、沉積材料。典型CVD方法的一個特征是在沉積室中多物種的同時存在，所述的物種一起反應(yīng)形成沉積材料。這種條件是與常規(guī)的ALD的清除標(biāo)準(zhǔn)相反的，在常規(guī)ALD中，襯底與單一沉積物種接觸，該物種化學(xué)吸附至襯底上，或化學(xué)吸附至在襯底上的預(yù)先沉積的物種上。ALD方法體系可以提供這種類型的同時接觸的許多物種，或在使得發(fā)生ALD化學(xué)吸附而不是CVD反應(yīng)的條件下同時接觸的許多物種。代替一起反應(yīng)的是，物種可以化學(xué)吸附至襯底上，或化學(xué)吸附至預(yù)先沉積的物種上，從而提供后來的物種可以接著化學(xué)吸附其上以形成所需要材料的完全層的表面。
在多數(shù)CVD條件下，沉積的發(fā)生極大地依賴于下面的襯底的組成或表面性質(zhì)。相反，ALD中的化學(xué)吸附速率可能受到襯底或化學(xué)吸附的物種的組成、晶體結(jié)構(gòu)和其它性質(zhì)的影響。
僅作為實例，根據(jù)本發(fā)明的方面在襯底上形成含二氧化硅的層的示例性方法參考圖1-3來描述。所形成的層可以包含二氧化硅，基本上由二氧化硅組成，或由二氧化硅組成。圖1示意性地顯示沉積室10，在該室中，已經(jīng)安置了襯底12，例如半導(dǎo)體襯底13。示意性顯示的沉積室10具有原料流A、B和C。當(dāng)然可以提供更多或更少的前體原料流。此外，在進料至室10中之前，原料流可以合并或混合。當(dāng)然，在室10中還可以提供蓮蓬頭或其它分布裝置(未顯示)。示例性的真空控制下降/排出管線16從室10中延伸，用于從襯底排放未反應(yīng)的氣體和副產(chǎn)物，并且用于控制室壓力。沉積條件可以包括前體中的至少一種或全部的等離子體產(chǎn)生，或沒有任何一種前體的等離子體產(chǎn)生。此外，任何這樣的等離子體產(chǎn)生可以在沉積室10內(nèi)和/或遠離該室。
在一個實施中，在對于向襯底上化學(xué)吸附含硅的第一物種單層有效的條件下，向該室中流入三甲基硅烷并且向該室中流入第一惰性氣體。圖2描繪的是示例性的第一物種單層20，其包含結(jié)合至/與襯底13結(jié)合的硅和一個或多個剩余的甲基。示例性的第一惰性氣體包括氦氣。當(dāng)然，第一惰性氣體還可以構(gòu)成惰性氣體的混合物。僅作為實例，示例性的優(yōu)選壓力條件包括1托至400托。示例的優(yōu)選溫度范圍(例如借助于溫度控制的夾盤)包括20℃至1000℃的任何溫度。
惰性氣體是在某個第一速率下流動的，由繼續(xù)討論可知，其相對于本發(fā)明一個方面的重要性是固有的。本發(fā)明在內(nèi)容積為5200cm3的反應(yīng)器/室中實施的。三甲基硅烷的流動速率為175sccm，氦氣的流動速率為8000sccm，時間2秒。反應(yīng)器壓力為100托，并且夾盤溫度為125℃。
在形成第一物種單層之后，在對于氧化劑與化學(xué)吸附的第一物種反應(yīng)和在襯底上形成含二氧化硅的單層有效的條件下，向該室中流入氧化劑并且向該室中流入第二惰性氣體。在一個實施中，第二惰性氣體在低于第一速率的第二速率下流動。僅作為實例，圖2描繪的是含二氧化硅的單層25，所述的二氧化硅是通過用氧化劑的氧原子代替或取代圖2中的甲基而形成的。
優(yōu)選地，在向該室中流入氧化劑之前，該反應(yīng)器清除了未粘附的三甲基硅烷。在一個示例性的實施中，這是通過下面的方法發(fā)生的停止三甲基硅烷向該室的流動的同時，向該室流入第一惰性氣體，所述的周期對于將三甲基硅烷從該室中清除出去是有效的。這種惰性氣體的流動同時清除三甲基硅烷可以在初始化學(xué)吸附過程中的惰性氣體流動的相同第一速率下，或在不同的速率下進行。
第一和第二惰性氣體可以相同或不同。此外，氧化劑的流動可以使在該室內(nèi)沒有等離子體，可以包含在該室中的等離子體，和/或在進料至該室前由遙遠的等離子體活化或激發(fā)。
優(yōu)選惰性氣體在氧化劑流動時的第二速率不超過在三甲基硅烷流動期間第一惰性氣體向該室中流入的第一速率的50％，并且更優(yōu)選不超過第一速率的40％。進一步優(yōu)選地，第二速率至少為第一速率的25％，更優(yōu)選至少為第一速率的30％，并且再更優(yōu)選至少為第一速率的35％。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)通過利用三甲基硅烷與低于第一惰性氣體流的第一速率的第二速率惰性氣體流的ALD形成含二氧化硅的層可以導(dǎo)致更完全/連續(xù)的二氧化硅的單層形成。例如，量化在襯底上形成的單層的飽和程度的一個典型方法是參考在相應(yīng)的反應(yīng)性前體流的單個循環(huán)之后單層的平均厚度。預(yù)期向襯底上形成的二氧化硅100％飽和的單層的厚度為約3埃至4埃。典型的現(xiàn)有技術(shù)二氧化硅ALD方法達到越過襯底的平均厚度僅約1?；蚋。砻髟谝r底上的三分之一(1/3)或更低的平均覆蓋率。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選的方面和實施，形成含二氧化硅的各單層至至少2埃的平均厚度，更優(yōu)選至至少3埃的厚度。
在一個優(yōu)選實施中，所述的三甲基硅烷的流動時間為某個第一周期，且氧化劑的流動時間為長于第一周期的某個第二周期。在一個優(yōu)選的實施中，第二周期至少是第一時期的兩倍長。在一個優(yōu)選的實施中，第二時期長于2.5秒，而第一時期不長于2.5秒。僅作為實例，示例性的三甲基硅烷的流動周期為1至5秒，其中2秒是具體優(yōu)選的實例。還是僅作為實例，優(yōu)選的氧化劑流動周期為1秒至10秒，其中5秒是具體優(yōu)選的實例。
在氧化劑流動期間的條件，例如溫度和壓力可以與在三甲基硅烷流動期間的條件相同或不同，并且例如，如上所提供的。在一個示例性的實施實例中，氧化劑包括12體積％的O3和88體積％的O2的組合，其以5000sccm的合并速率流動。惰性氣體是以3000sccm流動的氦氣，該速率是在三甲基硅烷流動期間惰性氣體的流速的37.5體積％。襯底或夾盤的溫度為125℃，并且反應(yīng)器的內(nèi)壓保持在約100托。這種加工持續(xù)5秒。當(dāng)然可以使用任何備選的氧化劑，不管是現(xiàn)有的或仍待開發(fā)的。僅作為實例，實例包括氧自由基、H2O、H2O2、NO、N2O等。
依次重復(fù)三甲基硅烷與第一惰性氣體流動，以及氧化劑與第二惰性氣體流動，從而有效地在襯底上形成含二氧化硅的層，例如圖1中所示的層30。
在一個優(yōu)選的實施方案中，優(yōu)選在用氧化劑形成含二氧化硅的單層后，發(fā)生該室的清除。在一個優(yōu)選的實施中，這種清除是通過停止氧化劑向該室的流入而向該室溫中流入第二惰性氣體以有效地將氧化劑從該室中清除出去而發(fā)生的。惰性氣體流動的一個示例性優(yōu)選的同期為1至10秒的任何時間，其中5秒是一個具體的實例。當(dāng)然，在第一速率下清除三甲基硅烷時的第一惰性氣體的流動周期可以與在清除氧化劑時第二惰性氣體的流動周期相同或不同。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，并且獨立于如上所述的，本發(fā)明關(guān)注在襯底上形成含二氧化硅的層的ALD方法，該方法包括在對于向襯底上化學(xué)吸附含硅的第一物種單層有效的條件下，向該室中流入三甲基硅烷。在三甲基硅烷流動期間，惰性氣體可以流入該室，也可以不流入。無論如何，在形成第一物種單層之后，在對于氧化劑與化學(xué)吸附的第一物種反應(yīng)和在襯底上形成含二氧化硅的單層有效的條件下，向該室中流入氧化劑。在氧化劑流動期間，惰性氣體可以流入該室，也可以不流入。向該室中流入的氧化劑的速率至少為2000sccm，優(yōu)選速率至少為3000sccm，更優(yōu)選速率至少為4000sccm，并且最優(yōu)選速率至少為5000sccm。依次重復(fù)這種三甲基硅烷和氧化劑的流動，從而有效地在襯底上形成含二氧化硅的層。
應(yīng)當(dāng)理解的是，現(xiàn)有技術(shù)在二氧化硅的ALD方法期間向室中的氧化劑流速明顯低于2000sccm，特別是低于1000sccm。提供如其中所述的并且獨立于反應(yīng)器體積的提高的氧化劑速率，可以在襯底上形成二氧化硅更完全或飽和的單層，并且或許獨立于上述關(guān)于第一實施方案所述的特性。但是無論如何，進一步優(yōu)選的加工是根據(jù)本發(fā)明這個后面實施的優(yōu)選方面的上面所述第一實施方案中每一個的加工。
權(quán)利要求
1.一種在襯底上形成含二氧化硅的層的原子層沉積方法，該方法包括在沉積室中定位襯底；在對于向襯底上化學(xué)吸附含硅的第一物種單層有效的條件下，向所述室中流入三甲基硅烷并且向所述室中流入第一惰性氣體，第一惰性氣體在第一速率下流動；在形成第一物種單層后，在對于氧化劑與化學(xué)吸附的第一物種反應(yīng)和在襯底上形成含二氧化硅的單層有效的條件下，向所述室中流入氧化劑并且向所述室中流入第二惰性氣體；第二惰性氣體在低于第一速率的第二速率下流動；和依次重復(fù)所述的a)三甲基硅烷和第一惰性氣體的流動和b)氧化劑和第二惰性氣體的流動，從而有效地在襯底上形成含二氧化硅的層。
2.權(quán)利要求1所述的方法，其中第二速率不超過第一速率的50％。
3.權(quán)利要求1所述的方法，其中第二速率不超過第一速率的40％。
4.權(quán)利要求1所述的方法，其中第二速率是第一速率的25％至50％。
5.權(quán)利要求1所述的方法，其中第二速率是第一速率的25％至40％。
6.權(quán)利要求1所述的方法，其中第二速率是第一速率的30％至40％。
7.權(quán)利要求1所述的方法，其中第二速率是第一速率的35％至40％。
8.權(quán)利要求1所述的方法，其中第一和第二惰性氣體相同。
9.權(quán)利要求1所述的方法，其中第一和第二惰性氣體不同。
10.權(quán)利要求1所述的方法，其中形成的各含二氧化硅的單層的平均厚度至少為2埃。
11.權(quán)利要求1所述的方法，其中形成的各含二氧化硅的單層的平均厚度至少為3埃。
12.權(quán)利要求1所述的方法，其中向反應(yīng)器流入的氧化劑的速率至少為2000sccm。
13.權(quán)利要求1所述的方法，其中向反應(yīng)器流入的氧化劑的速率至少為3000sccm。
14.權(quán)利要求1所述的方法，其中向反應(yīng)器流入的氧化劑的速率至少為4000sccm。
15.權(quán)利要求1所述的方法，其中向反應(yīng)器流入的氧化劑的速率至少為5000sccm。
16.權(quán)利要求1所述的方法，其中氧化劑的流動使在所述室內(nèi)沒有等離子體。
17.權(quán)利要求1所述的方法，其中第二速率是第一速率的35％至40％，形成的各含二氧化硅的單層的平均厚度至少為3埃，并且向反應(yīng)器流入的氧化劑的速率至少為2000sccm。
18.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述三甲基硅烷流動的時間為第一周期并且所述氧化劑流動的時間為第二周期，并且第二周期長于第一周期。
19.權(quán)利要求18所述的方法，其中第二周期至少是第一周期的兩倍長。
20.權(quán)利要求18所述的方法，其中第二周期長于2.5秒，而第一周期不長于2.5秒。
21.一種在襯底上形成含二氧化硅的層的原子層沉積方法，該方法包括在沉積室中定位襯底；(a)在對于向襯底上化學(xué)吸附含硅的第一物種單層有效的條件下，向所述室中流入三甲基硅烷并且向所述室中流入惰性氣體，所述惰性氣體在第一速率下流動；(b)在形成第一物種單層后，停止三甲基硅烷向所述室中的流動，同時向所述室中流入惰性氣體，從而有效地將三甲基硅烷從所述室中清除出去；(c)在將三甲基硅烷從所述室中清除出去之后，在對于氧化劑與化學(xué)吸附的第一物種反應(yīng)和在襯底上形成含二氧化硅的單層有效的條件下，向所述室中流入氧化劑并且向所述室中流入惰性氣體；在氧化劑流動期間的惰性氣體在低于第一速率的第二速率下流動；(d)在形成含二氧化硅的單層之后，停止氧化劑向所述室中的流動，同時向所述室中流入惰性氣體，從而有效地將氧化劑從所述室中清除出去；和依次重復(fù)所述的(a)-(d)的流動，從而有效地在襯底上形成含二氧化硅的層。
22.權(quán)利要求21所述的方法，其中在清除三甲基硅烷時，惰性氣體在第一速率流動。
23.權(quán)利要求21所述的方法，其中在清除氧化劑時，惰性氣體在第一速率流動。
24.權(quán)利要求21所述的方法，其中在清除三甲基硅烷時，惰性氣體在第一速率流動；并且在清除氧化劑時，惰性氣體在第一速率流動。
25.權(quán)利要求21所述的方法，其中形成的各含二氧化硅的單層的平均厚度至少為2埃。
26.權(quán)利要求21所述的方法，其中形成的各含二氧化硅的單層的平均厚度至少為3埃。
27.權(quán)利要求21所述的方法，其中第二速率不超過第一速率的50％。
28.權(quán)利要求21所述的方法，其中第二速率不超過第一速率的40％。
29.權(quán)利要求21所述的方法，其中第二速率是第一速率的25％至40％。
30.權(quán)利要求21所述的方法，其中第二速率是第一速率的30％至40％。
31.權(quán)利要求21所述的方法，其中第二速率是第一速率的35％至40％。
32.權(quán)利要求21所述的方法，其中向反應(yīng)器流入的氧化劑的速率至少為2000sccm。
33.權(quán)利要求21所述的方法，其中第二速率是第一速率的35％至40％，形成的各含二氧化硅的單層的平均厚度至少為3埃，并且向反應(yīng)器流入的氧化劑的速率至少為2000sccm。
34.權(quán)利要求21所述的方法，其中氧化劑的流動使在所述室內(nèi)沒有等離子體。
35.權(quán)利要求21所述的方法，其中(a)的流動時間為第一周期，而(c)的流動時間為第二周期，所述的第二周期長于第一周期。
36.權(quán)利要求35所述的方法，其中第二周期至少是第一周期的兩倍長。
37.權(quán)利要求35所述的方法，其中第二周期長于2.5秒，而第一周期不長于2.5秒。
38.一種在襯底上形成含二氧化硅的層的原子層沉積方法，該方法包括在沉積室中定位襯底；在對于向襯底上化學(xué)吸附含硅的第一物種單層有效的條件下，向所述室中流入三甲基硅烷；在形成第一物種單層后，在對于氧化劑與化學(xué)吸附的第一物種反應(yīng)和在襯底上形成含二氧化硅的單層有效的條件下，向所述室中流入氧化劑；向所述室中流入氧化劑的流動速率至少為2000sccm；和依次重復(fù)所述的三甲基硅烷流動和氧化劑的流動，從而有效地在襯底上形成含二氧化硅的層。
39.權(quán)利要求38所述的方法，其中向所述室中流入的氧化劑的速率至少為3000sccm。
40.權(quán)利要求38所述的方法，其中向所述室中流入的氧化劑的速率至少為4000sccm。
41.權(quán)利要求38所述的方法，其中向所述室中流入的氧化劑的速率至少為5000sccm。
42.權(quán)利要求38所述的方法，其中所述的氧化劑是O3和O2的混合物。
43.權(quán)利要求38所述的方法，其中氧化劑的流動使在所述室內(nèi)沒有等離子體。
44.權(quán)利要求38所述的方法，其中所述的氧化劑是O3和O2的混合物，并且使在所述室內(nèi)沒有等離子體。
45.權(quán)利要求38所述的方法，其中形成的各含二氧化硅的單層的平均厚度至少為2埃。
46.權(quán)利要求38所述的方法，其中形成的各含二氧化硅的單層的平均厚度至少為3埃。
47.權(quán)利要求38所述的方法，其中所述三甲基硅烷流動的時間為第一周期并且所述氧化劑流動的時間為第二周期，并且第二周期長于第一周期。
48.權(quán)利要求47所述的方法，其中第二周期至少是第一周期的兩倍長。
49.權(quán)利要求47所述的方法，其中第二周期長于2.5秒，而第一周期不長于2.5秒。
全文摘要
在沉積室中定位襯底。在對于向襯底上化學(xué)吸附含硅的第一物種單層有效的條件下，向該室中流入三甲基硅烷并且向該室中流入第一惰性氣體。第一惰性氣體在第一速率下流動。在形成第一物種單層后，在對于氧化劑與化學(xué)吸附的第一物種反應(yīng)和在襯底上形成含二氧化硅的單層有效的條件下，向該室中流入氧化劑并且向該室中流入第二惰性氣體。第二惰性氣體在低于第一速率的第二速率下流動。依次重復(fù)所述的a)三甲基硅烷和第一惰性氣體的流動和b)氧化劑和第二惰性氣體的流動，從而有效地在襯底上形成含二氧化硅的層。關(guān)注其它的實施和方面。
文檔編號C23C16/455GK1856592SQ200480027215
公開日2006年11月1日 申請日期2004年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月23日
發(fā)明者李麗, 李偉民, G·S·桑德霍 申請人:微米技術(shù)有限公司