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      納米/微米復(fù)合晶粒結(jié)構(gòu)的CoSb的制作方法

      文檔序號(hào):3400771閱讀:306來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:納米/微米復(fù)合晶粒結(jié)構(gòu)的CoSb的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種納米/微米復(fù)合晶粒結(jié)構(gòu)的CoSb3熱電材料及其制備方法,屬于熱電材料的制造技術(shù)領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      熱電材料是利用塞貝克(Seebeck)效應(yīng)和佩爾帝(Peltier)效應(yīng)將熱能和電能相互轉(zhuǎn)換的新型功能材料,是高技術(shù)新能源領(lǐng)域的關(guān)鍵材料,在熱電發(fā)電和熱電制冷方面具有廣闊的應(yīng)用前景。熱電材料的性能通常用無(wú)量綱優(yōu)值ZT來(lái)表征ZT=(α2σ/κ)T,式中,α是Seebeck系數(shù),σ是電導(dǎo)率,κ是熱導(dǎo)率,T是溫度。良好的熱電材料應(yīng)具有高的ZT值。
      在眾多的熱電材料體系中,CoSb3作為一種具有潛在高性能的新型熱電材料,受到國(guó)內(nèi)外的廣泛關(guān)注。但該材料目前存在制備工藝復(fù)雜、熱導(dǎo)率高,從而導(dǎo)致其ZT值較低,不能滿足實(shí)用要求。因此如何降低CoSb3材料的熱導(dǎo)率,提高其熱電性能已成為國(guó)內(nèi)外研究的重點(diǎn)。在已有的技術(shù)中,如日本專利公開(kāi)公報(bào)1996年186492A號(hào)和楊君友公開(kāi)的專利CN14229669A中,CoSb3材料的制備多采用機(jī)械合金化(MA)、固相反應(yīng)法和熔融法,這些方法不僅反應(yīng)周期長(zhǎng),工序復(fù)雜,而且晶粒大小很難調(diào)控。在我們的前期工作中,已采用SPS技術(shù)成功合成了具有單一微米和納米晶粒結(jié)構(gòu)的CoSb3熱電材料(ZL 02 1 56680.1),性能測(cè)試表明,微米晶粒的CoSb3材料熱導(dǎo)率高,而納米晶粒的CoSb3材料雖然具有很低的熱導(dǎo)率,但同時(shí)電導(dǎo)率也出現(xiàn)大幅度下降,使其在300-800K溫度范圍內(nèi)的ZT最大值只有0.057。為了提高CoSb3材料的ZT值,必須使其在保證低熱導(dǎo)率的同時(shí),具有高的Seebeck系數(shù)和電導(dǎo)率,為此本發(fā)明提出了一種納米/微米復(fù)合晶粒結(jié)構(gòu)的CoSb3熱電材料及其制備方法,目前尚未見(jiàn)報(bào)導(dǎo)。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),提供一種制備時(shí)間短、工藝簡(jiǎn)單、成本低的快速制備方法,以獲得具有納米/微米復(fù)合晶粒結(jié)構(gòu)的CoSb3致密塊體熱電材料。
      本發(fā)明提供的納米/微米復(fù)合晶粒結(jié)構(gòu)的CoSb3熱電材料制備方法,其特征在于以80-100nm金屬鈷和20-40μm銻單質(zhì)元素粉末為原料,按CoSb3化合物的化學(xué)式稱重配料,在氬氣保護(hù)下,粉末研磨混合,然后進(jìn)行放電等離子燒結(jié)(SPS)原位反應(yīng)合成,壓力30-50MPa,升溫速率120-150℃/min,溫度450-550℃,保溫時(shí)間3-5min,氣氛為真空。
      所制備的熱電材料具有納米/微米復(fù)合晶粒結(jié)構(gòu),其中納米晶粒尺度約為100nm,微米晶粒尺度為1-3μm,材料的相對(duì)致密度大于93.0%。該材料在700K取得最大ZT值0.34。


      圖1CoSb3熱電材料的TEM照片;圖2CoSb3熱電材料的熱導(dǎo)率κ與晶粒尺寸及溫度T的關(guān)系;圖3CoSb3熱電材料的電導(dǎo)率σ與晶粒尺寸及溫度T的關(guān)系;圖4CoSb3熱電材料的Seebeck系數(shù)α與晶粒尺寸及溫度T的關(guān)系;圖5CoSb3熱電材料的ZT值與晶粒尺寸及溫度T的關(guān)系具體實(shí)施方式
      例1以金屬鈷(80nm)和銻(20μm)單質(zhì)元素粉末為原料,按CoSb3化合物的化學(xué)式稱重配料,在氬氣保護(hù)下,粉末研磨混合后裝入石墨模具中進(jìn)行SPS原位反應(yīng)合成。燒結(jié)條件為壓力30MPa,升溫速率120℃/min,溫度450℃,保溫時(shí)間3min。獲得具有納米/微米復(fù)合晶粒結(jié)構(gòu)的CoSb3致密塊體材料,其組織結(jié)構(gòu)如圖1所示,相對(duì)致密度為93.0%。該材料在700K取得最大ZT值0.34。
      例2以金屬鈷(100nm)和銻(40μm)單質(zhì)元素粉末為原料,按CoSb3化合物的化學(xué)式稱重配料,在氬氣保護(hù)下,粉末研磨混合后裝入石墨模具中進(jìn)行SPS原位反應(yīng)合成。燒結(jié)條件為壓力40MPa,升溫速率130℃/min,溫度500℃,保溫時(shí)間4min。獲得具有納米/微米復(fù)合晶粒結(jié)構(gòu)的CoSb3致密塊體材料,相對(duì)致密度為95.3%。該材料在700K取得最大ZT值0.34。
      例3以金屬鈷(90nm)和銻(30μm)單質(zhì)元素粉末為原料,按CoSb3化合物的化學(xué)式稱重配料,在氬氣保護(hù)下,粉末研磨混合后裝入石墨模具中進(jìn)行SPS原位反應(yīng)合成。燒結(jié)條件為壓力50MPa,升溫速率150℃/min,溫度550℃,保溫時(shí)間5min。獲得具有納米/微米復(fù)合晶粒結(jié)構(gòu)的CoSb3致密塊體材料,相對(duì)致密度為97.0%,熱電性能測(cè)試結(jié)果如圖2-5所示。該材料在700K取得最大ZT值0.34。
      權(quán)利要求
      1.一種納米/微米復(fù)合晶粒結(jié)構(gòu)的CoSb3熱電材料制備方法,其特征在于以80-100nm金屬鈷和20-40μm銻單質(zhì)元素粉末為原料,按CoSb3化合物的化學(xué)式稱重配料,在氬氣保護(hù)下,粉末研磨混合,然后進(jìn)行放電等離子燒結(jié)(SPS)原位反應(yīng)合成,壓力30-50MPa,升溫速率120-150℃/min,溫度450-550℃,保溫時(shí)間3-5min,氣氛為真空。
      全文摘要
      本發(fā)明屬于熱電材料的制造技術(shù)領(lǐng)域?,F(xiàn)有微米晶粒的CoSb
      文檔編號(hào)B22F9/04GK1786229SQ20051011753
      公開(kāi)日2006年6月14日 申請(qǐng)日期2005年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月4日
      發(fā)明者張久興, 張忻, 路清梅, 劉丹敏 申請(qǐng)人:北京工業(yè)大學(xué)
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