專利名稱：硅片單面漂浮腐蝕裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種用于硅片單面大面積均勻腐蝕的裝置。
背景技術(shù)：
硅片單面腐蝕是研制各種微型傳感器、微執(zhí)行器和微機(jī)械結(jié)構(gòu)，特別涉及SOI硅片背體
硅腐蝕的關(guān)鍵工藝之一。目前的硅片單面腐蝕一般是通過(guò)在需要保護(hù)的硅片背面生長(zhǎng)上一層
如氧化硅膜、氮化硅膜和金屬膜等作為保護(hù)膜，腐蝕完后使用化學(xué)試劑把保護(hù)膜去掉；或者 是直接在硅片上涂覆一層光刻膠或黑膠作為保護(hù)，腐蝕完后使用溶劑把保護(hù)膠溶解去掉等。 這些方法都存在以下幾個(gè)問(wèn)題(1)涂敷或生長(zhǎng)保護(hù)膜，即增加了工藝流程，也增加了工藝 成本。(2)涂敷或生長(zhǎng)保護(hù)膜，需要用到昂貴的微機(jī)電加工設(shè)備。(3)涂敷或生長(zhǎng)的保護(hù)膜 的抗腐蝕性能有限，特別是對(duì)400多微米厚以上的硅腐蝕時(shí)，由于長(zhǎng)達(dá)10多個(gè)小時(shí)的腐蝕， 因此需要生長(zhǎng)很厚或者多層保護(hù)膜來(lái)做保護(hù)，即增加了工藝流程，也增加了工藝成本。(4) 去掉保護(hù)膜時(shí)，化學(xué)試劑或溶劑對(duì)背面結(jié)構(gòu)層有時(shí)會(huì)造成損傷，影響到芯片質(zhì)量。(5)去掉 保護(hù)膜時(shí)，由于需要使用到化學(xué)試劑或溶劑，即增加了工藝成本，也會(huì)造成環(huán)境污染。 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的旨在提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便，不用涂敷或生長(zhǎng)保護(hù)膜就可實(shí)現(xiàn) 硅片單面大面積均勻腐蝕的硅片單面漂浮腐蝕裝置。
本實(shí)用新型設(shè)有漂浮體、真空吸附件和密封墊圈，漂浮體為中空桶形體，漂浮體底部設(shè) 有開(kāi)口，漂浮體頂部設(shè)有槽口；真空吸附件設(shè)有真空吸盤(pán)和帶有彈力的拉桿，拉桿頂部設(shè)一 掛鉤，真空吸盤(pán)的底部面積小于漂浮體底部開(kāi)口面積，真空吸附件嵌設(shè)與漂浮體內(nèi)，掛鉤固 定在漂浮體頂部的槽口上，密封墊圈位于漂浮體底部。
漂浮體頂部所設(shè)的槽口最好為橢圓形槽口。密封墊圈的大小和形狀與漂浮體底部相同。 使用時(shí)，真空吸盤(pán)穿過(guò)漂浮體底部的開(kāi)口把硅片和密封墊圈牢牢吸在漂浮體底部，真空 吸盤(pán)上部的掛鉤固定在漂浮體頂部的槽口上，整個(gè)裝置在腐蝕過(guò)程中飄浮在腐蝕液表面。由 于腐蝕過(guò)程中密封墊圈把硅片的一面與腐蝕液完全隔離，只有需要腐蝕的一面與腐蝕液充分 接觸，同時(shí)反應(yīng)過(guò)程中恒溫腐蝕液的攪動(dòng)使反應(yīng)產(chǎn)生的氣體從硅片邊緣及時(shí)排掉，因而可實(shí) 現(xiàn)硅片單面大面積均勻腐蝕。本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于加工和使用方便等優(yōu)點(diǎn)。由于使用過(guò)程中，硅片的保護(hù)面不用涂敷或生長(zhǎng)保護(hù)膜，因此即不用用到昂貴的加工設(shè)備，同時(shí) 也減少了后續(xù)去除保護(hù)膜的工序，既省時(shí)，又降低成本，同時(shí)又環(huán)保。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的漂浮體對(duì)稱剖面圖。 圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例的密封墊圈對(duì)稱剖面圖。 圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例的真空吸附件對(duì)稱剖面圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。
如圖1 4所示，硅片單面漂浮腐蝕裝置包括漂浮體l、真空吸附件2和密封墊圈3，漂 浮體l為一中空幾何體(參見(jiàn)圖2)，底部設(shè)有一開(kāi)口 11，頂部設(shè)有一槽口 12;參見(jiàn)圖4，真 空吸附件包括真空吸盤(pán)21和帶有彈力的拉桿22，拉桿22頂部設(shè)一掛鉤23，真空吸盤(pán)21的 底部面積小于漂浮體底部開(kāi)口面積。密封墊圈3的形狀同漂浮體底部(參見(jiàn)圖3)。真空吸盤(pán) 21穿過(guò)漂浮體底部的開(kāi)口 11把硅片5需要保護(hù)的一面和密封墊圈3牢牢吸在漂浮體底部， 利用帶有彈力的拉桿22頂部的掛鉤23固定在漂浮體頂部的槽口 12上，然后把整個(gè)裝置放入 恒溫帶有磁力攪拌機(jī)的腐蝕槽4內(nèi)，整個(gè)裝置在腐蝕過(guò)程中飄浮在腐蝕液表面。
權(quán)利要求1. 硅片單面漂浮腐蝕裝置，其特征在于設(shè)有漂浮體、真空吸附件和密封墊圈，漂浮體為 中空桶形體，漂浮體底部設(shè)有開(kāi)口，漂浮體頂部設(shè)有槽口；真空吸附件設(shè)有真空吸盤(pán)和帶有 彈力的拉桿，拉桿頂部設(shè)一掛鉤，真空吸盤(pán)的底部面積小于漂浮體底部開(kāi)口面積，真空吸附 件嵌設(shè)與漂浮體內(nèi)，掛鉤固定在漂浮體頂部的槽口上，密封墊圈位于漂浮體底部。
2. 如權(quán)利要求1所述的硅片單面漂浮腐蝕裝置，其特征在于漂浮體頂部所設(shè)的槽口為橢 圓形槽口。
專利摘要硅片單面漂浮腐蝕裝置，涉及一種用于硅片單面大面積均勻腐蝕的裝置。提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便，不用涂敷或生長(zhǎng)保護(hù)膜就可實(shí)現(xiàn)硅片單面大面積均勻腐蝕的硅片單面漂浮腐蝕裝置。設(shè)有漂浮體、真空吸附件和密封墊圈，漂浮體為中空桶形體，漂浮體底部設(shè)有開(kāi)口，漂浮體頂部設(shè)有槽口；真空吸附件設(shè)有真空吸盤(pán)和帶有彈力的拉桿，拉桿頂部設(shè)一掛鉤，真空吸盤(pán)的底部面積小于漂浮體底部開(kāi)口面積，真空吸附件嵌設(shè)與漂浮體內(nèi)，掛鉤固定在漂浮體頂部的槽口上，密封墊圈位于漂浮體底部。
文檔編號(hào)C23F1/10GK201154988SQ20072000935
公開(kāi)日2008年11月26日 申請(qǐng)日期2007年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月29日
發(fā)明者張玉龍, 李燕飛 申請(qǐng)人:廈門大學(xué)