專利名稱：拋光墊的制作方法
拋光墊
背景技術(shù)：
化學-機械拋光(〃 CMP")工藝用于制造微電子器件以在半導體晶片、場發(fā)射顯 示器及許多其它微電子基板上形成平坦表面。例如，半導體器件的制造一般包括形成各種 工藝層、對這些層的部分進行選擇性移除或圖案化、及在半導體基板表面上方沉積額外的 工藝層以形成半導體晶片。舉例來說，這些工藝層可包括絕緣層、柵極氧化物層、導電層、及 金屬或玻璃的層等。在晶片工藝的某些步驟中通常期望工藝層的最上部表面為平面的(即 平坦的)，以用于沉積后續(xù)的層。CMP用于工藝層的平坦化，其中，將沉積的材料(如導電材 料或絕緣材料)拋光以使晶片平坦化而用于后續(xù)的工藝步驟。 在典型CMP工藝中，晶片倒置安裝于CMP工具的載體上。通過力，將該載體及該晶 片朝著拋光墊向下推動。使載體及晶片在位于該CMP工具的拋光臺上的旋轉(zhuǎn)著的拋光墊上 方旋轉(zhuǎn)。拋光組合物(也稱作拋光漿料) 一般在拋光過程期間加入到旋轉(zhuǎn)著的晶片和旋轉(zhuǎn) 著的拋光墊之間。該拋光組合物通常含有與最上部晶片層的部分相互作用或溶解最上部晶 片層的部分的化學物質(zhì)，以及以物理方式移除所述層的部分的研磨材料。晶片及拋光墊可 以相同方向或相反方向旋轉(zhuǎn)，對于正在進行的特定拋光過程，無論哪一種旋轉(zhuǎn)方式均是合 乎需要的。該載體還可橫跨拋光臺上的拋光墊振蕩。 在拋光晶片的表面時，對拋光過程進行原位監(jiān)測通常是有利的。 一種對拋光過 程進行原位監(jiān)測的方法包括使用具有孔洞或窗的拋光墊。該孔洞或窗提供光可通過的入 口，以容許在拋光過程期間檢查晶片表面。具有孔洞及窗的拋光墊為已知的，并且已被用 來拋光基板(如半導體器件的表面)。例如，美國專利5605760號提供了具有由固態(tài)均勻 聚合物形成的透明窗的墊，其不具有吸收或輸送漿料的固有能力。美國專利5433651號公 開了一種拋光墊，其中，該墊的一部分已被移除以提供光可通過的孔洞。美國專利5893796 和5964643號公開了移除拋光墊的一部分以提供孔洞，并且將透明聚氨酯或石英栓置于該 孔洞中以提供透明窗，或移除拋光墊的襯里的一部分以給該墊提供半透明性。美國專利 6171181和6387312號公開了一種具有透明區(qū)域的拋光墊，該區(qū)域是通過以快的冷卻速度 使可流動材料(如聚氨酯)固化而形成的。 在化學機械拋光期間經(jīng)常遇到的問題是拋光組合物和所得拋光碎屑具有積聚在 拋光墊窗口處的傾向。所述積聚的拋光組合物和拋光碎屑可阻礙光經(jīng)由該窗口的傳輸，從 而降低該光學終點檢測方法的靈敏度。 雖然有若干上述拋光墊適合于它們所預期的目的，但仍然需要其它提供有效平坦 化以及有效光學終點檢測的拋光墊，在基板的化學機械拋光中更是如此。此外，需要具有令 人滿意的性能(如拋光效率、漿料在整個拋光墊上的流動及在拋光墊內(nèi)的流動、對腐蝕性 蝕刻劑的耐受性、和/或拋光均勻性)的拋光墊。最后，需要可使用相對低成本的方法制造 并在使用之前需要很少修整或不需要修整的拋光墊。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種拋光墊，其包括(a)具有拋光表面的拋光層，該拋光表面包括
3(1)設(shè)置在該拋光層內(nèi)且距該拋光表面具有可測量深度的多個凹槽，及(2)不具有凹槽的 阻擋區(qū)(barrier region);和(b)設(shè)置在該阻擋區(qū)內(nèi)并被該阻擋區(qū)圍繞的透明窗。本發(fā)明 進一步提供一種拋光基板的方法，該方法包括(i)提供待拋光的工件，(ii)使該工件與本 發(fā)明的拋光墊接觸，和(iii)以拋光系統(tǒng)磨除該工件表面的至少一部分以拋光該工件。


圖1為說明本發(fā)明拋光墊的示意性頂視圖，所述拋光墊具有包括帶有連續(xù)凹槽 (40)和不連續(xù)凹槽(50)的拋光表面(12)的拋光層(10);以及設(shè)置在基本上不具有凹槽的 阻擋區(qū)(20)內(nèi)的基本透明的窗(15)。 圖2為描繪本發(fā)明拋光墊的不完整的、部分橫截面透視圖，所述拋光墊具有包括 拋光表面(12)的拋光層(IO)，所述拋光表面(12)具有設(shè)置在該拋光層(10)內(nèi)且距該拋光 表面具有可測量深度的連續(xù)凹槽(40)和不連續(xù)凹槽(50);以及設(shè)置在基本上不具有凹槽 的阻擋區(qū)(20)內(nèi)的基本透明的窗(15)。 圖3為描繪本發(fā)明拋光墊的不完整的、部分橫截面透視圖，所述拋光墊具有包括 拋光表面(12)的拋光層(IO)，所述拋光表面(12)具有設(shè)置在該拋光層內(nèi)且距該拋光表面 具有可測量深度的連續(xù)凹槽(40)和不連續(xù)凹槽(50);以及設(shè)置在基本上不具有凹槽的阻 擋區(qū)(20)內(nèi)的基本透明的窗(15)，其中，該不連續(xù)凹槽的深度從最大值轉(zhuǎn)變?yōu)樵诰o鄰該阻 擋區(qū)(20)處的零。 圖4為描繪具有拋光層(10)和子層(sub-layer) (30)的本發(fā)明拋光墊的不完整 的、部分橫截面透視圖，其中，該子層具有基本上與該透明窗(15)對準的孔洞(35)。
具體實施例方式
本發(fā)明涉及包括拋光層和透明窗的化學-機械拋光墊。該拋光層具有包括(a)設(shè) 置在該拋光層內(nèi)的多個凹槽及(b)不具有凹槽的阻擋區(qū)的拋光表面。該透明窗設(shè)置在該阻 擋區(qū)內(nèi)并被該阻擋區(qū)圍繞。雖然不希望受任何特定理論的限制，但相信，基本上不具有凹槽 且圍繞透明窗的阻擋區(qū)的存在將減少保留在該透明窗之上或之內(nèi)的拋光組合物的量。
拋光墊可具有任何適宜的尺寸。通常，拋光墊可為圓形(當用于旋轉(zhuǎn)拋光工具中 時)或被制造成環(huán)狀的線型帶(當用于線型拋光工具中時)。優(yōu)選地，拋光墊為圓形。
圖l描繪了本發(fā)明的圓形拋光墊，其包括包含拋光表面(12)、連續(xù)凹槽(40)和 不連續(xù)凹槽(50)的拋光層(10);以及設(shè)置在基本上不具有凹槽的阻擋區(qū)(20)內(nèi)的透明窗 (15)。 設(shè)置在拋光層內(nèi)的凹槽促進拋光組合物在拋光墊表面上的橫向輸送。所述凹槽可 為任何合適的圖案。例如，凹槽可為傾斜凹槽、圓形凹槽、同心凹槽、螺旋形凹槽、放射狀凹 槽、或XY交叉陰影線圖案的形式。拋光墊可具有兩種或更多種不同的凹槽圖案。例如，拋 光墊可具有同心凹槽和放射狀凹槽的組合、或者同心凹槽和XY交叉陰影線凹槽的組合。優(yōu) 選地，凹槽為同心凹槽。 就在拋光墊表面上的連通性來說，凹槽可以是連續(xù)的?；蛘?，在拋光墊表面上，凹 槽可以是不連續(xù)的，其中，每個不連續(xù)的凹槽均具有第一端和第二端。在一個實施方式中， 如圖l所描繪的，一部分凹槽(即，一個或多個凹槽)是連續(xù)凹槽(40)，且一部分凹槽(即，一個或多個凹槽)是不連續(xù)凹槽(50)。 如圖2所描繪的，每個凹槽均具有距該拋光表面可測量的深度。所述深度可為任何適宜的深度。例如，該深度可為lmm或更小、0. 8mm或更小、0. 6mm或更小、0. 5mm或更小、0. 4mm或更小、0. 3mm或更小、0. 2mm或更小、或0. lmm或更小。每個連續(xù)凹槽和/或不連續(xù)凹槽的深度可為恒定的或可沿著凹槽的長度或圓周而改變。在一個實施方式中，如圖3所示，不連續(xù)凹槽(50)的深度從最大深度轉(zhuǎn)變?yōu)榱?，即，所述凹槽在所述不連續(xù)凹槽的至少一端朝向拋光表面(12)逐漸消失。優(yōu)選地，所述深度的轉(zhuǎn)變是逐漸進行的，即，所述深度的轉(zhuǎn)變在約0. 5mm或更長、lmm或更長、約2mm或更長、約3mm或更長、約4mm或更長、或約5mm或更長的長度范圍內(nèi)逐漸進行。在一個實施方式中，在緊鄰阻擋區(qū)處，發(fā)生深度從最大深度向零的轉(zhuǎn)變。 拋光墊進一步包括基本上不具有凹槽或合乎需要地完全不具有凹槽的阻擋區(qū)。在一個實施方式中，如圖l所示，阻擋區(qū)(20)設(shè)置在同心、不連續(xù)凹槽(50)的第一端和第二端之間。 所述阻擋區(qū)可具有任何適宜的尺寸和任何適宜的形狀。該阻擋區(qū)的周邊(由相鄰的連續(xù)和/或不連續(xù)凹槽所界定)可為任何適宜的形狀(例如，圓形、橢圓形、正方形、長方形、三角形等)。當阻擋區(qū)為橢圓形或長方形時，阻擋區(qū)通常具有約2cm或更大(例如，約3cm或更大、約4cm或更大、約5cm或更大、約6cm或更大、約7cm或更大、約8cm或更大、約9cm或更大、約10cm或更大、約11cm或更大、或約12cm或更大)的長直徑軸或長度、以及約lcm或更大(例如，約2cm或更大、約3cm或更大、約4cm或更大、約5cm或更大、約6cm或更大、約7cm或更大、或約8cm或更大)的短直徑軸或?qū)挾?。當阻擋區(qū)為圓形或正方形時，阻擋區(qū)的周邊通常具有約2cm或更大(例如，約3cm或更大、約4cm或更大、約5cm或更大、約6cm或更大、約7cm或更大、約8cm或更大、約9cm或更大、或約10cm或更大)的直徑或?qū)挾取?如圖1所描繪的，透明窗(15)設(shè)置在阻擋區(qū)(20)內(nèi)并被該阻擋區(qū)圍繞。透明窗可對稱地或不對稱地設(shè)置在阻擋區(qū)內(nèi)。 透明窗具有在阻擋區(qū)內(nèi)界定該透明窗的周邊。透明窗的周邊上的每一點都具有距連續(xù)和/或不連續(xù)凹槽的最短距離L，從而提供一系列自透明窗的周邊至凹槽的最短距離
或間隔(即山丄2、L3...)。這一系列最短距離中的最小值In)和最大值(L隨)可為任何
適宜的長度。例如，Lmin可為約O. 5cm或更大(例如，約lcm或更大、約1. 5cm或更大、約2cm或更大、約3cm或更大、或約4cm或更大)。此外，或者可選擇地，Lmin可為10cm或更小(例如，約8cm或更小、約7cm或更小、約6cm或更小、約5cm或更小、或約4cm或更小)。Lmax可獨立地為約O. 5cm或更大(例如，約lcm或更大、約1. 5cm或更大、約2cm或更大、約3cm或更大、或約4cm或更大)。此外，或者可選擇地，Lmax可獨立地為10cm或更小(例如，約8cm或更小、約7cm或更小、約6cm或更小、約5cm或更小、或約4cm或更小)。相對于連續(xù)凹槽
和不連續(xù)凹槽，L^和L^可獨立地相同或不同。此外，這一系列最短距離！^、1^、L3等不必
相同，從而使得在透明窗和凹槽之間存在均勻間隔。 透明窗可具有任何適宜的尺寸(例如，長度、寬度、直徑和厚度)以及任何適宜的形狀(例如，圓形、橢圓形、正方形、長方形、三角形等)。當透明窗為橢圓形或長方形時，透明窗通常具有約lcm或更大(例如，約2cm或更大、約3cm或更大、約4cm或更大、約5cm、約
56cm或更大、約7cm或更大、或約8cm或更大)的長直徑軸或長度、以及約0. 5cm或更大(例 如，約lcm或更大、約1. 5cm或更大、約2cm或更大、約3cm或更大、或約4cm或更大)的短 直徑軸或?qū)挾取．斖该鞔盀閳A形或正方形時，透明窗通常具有約lcm或更大(例如，約2cm 或更大、約3cm或更大、約4cm或更大、或約5cm或更大)的直徑或?qū)挾取?
透明窗(15)包括光學透射材料。透明窗的存在使得拋光墊能夠與原位CMP過程監(jiān) 測技術(shù)一起使用。通常，在約190nm 約10000nm(例如，約190nm 約3500nm、約200nm 約1000nm、或約200nm 約780nm)的一個或多個波長處，所述光學透射材料具有至少約 10%或更高(例如，約20%或更高、約30%或更高、或約40%或更高)的光透射率。所述光 學透射材料可為任何適宜的材料，其中的許多是本領(lǐng)域已知的。所述光學透射材料可與該 拋光墊其余部分中的材料相同或不同。例如，所述光學透射材料可由插入到拋光墊的孔洞 內(nèi)的基于玻璃或聚合物的栓組成，或者，所述光學透射材料可包括與該拋光墊其余部分中 所用聚合物材料相同的聚合物材料。 透明窗可通過任何適宜的方法固定在拋光墊上。例如，可通過使用粘合劑，將透 明窗固定于拋光墊上。期望地，將透明窗固定在拋光層上且無需使用粘合劑(例如通過焊 接)。類似地，透明窗可具有任何適宜的結(jié)構(gòu)(例如，結(jié)晶度)、密度、和孔隙率。例如，透明 窗可為實心的或多孔的(例如，具有小于l微米的平均孔徑的微孔或納米孔)。優(yōu)選地，透 明窗為實心或接近實心的(例如，具有約3%或更小的空隙體積)。 如圖2所描繪的，透明窗(15)可與拋光層的拋光表面(12)齊平，S卩，最高窗表面
基本上與拋光表面共平面。或者，所述透明窗可從拋光層的拋光表面凹進去。 拋光層可單獨或任選地作為多層層疊拋光墊的一層。例如，如圖4所示，透明窗
(15)以及包括拋光表面(12)、基本上不具有凹槽的阻擋區(qū)(20)、連續(xù)凹槽(40)和不連續(xù)凹
槽(50)的拋光層(10)可與基本上與拋光層共同延伸的子層(30)組合使用。在一些實施
方式中，子層(30)包括基本上與拋光層的透明窗(15)對準的孔洞(35)。 拋光墊的拋光層、阻擋區(qū)、透明窗及子層可包含任何適宜的材料，這些材料可相同
或不同。期望地，拋光墊的拋光層、阻擋區(qū)、透明窗及子層各自獨立地包含聚合物樹脂。所
述聚合物樹脂可為任何適宜的聚合物樹脂。通常，所述聚合物樹脂選自熱塑性彈性體、熱固
性聚合物、聚氨酯(如熱塑性聚氨酯)、聚烯烴(如熱塑性聚烯烴)、聚碳酸酯、聚乙烯醇、尼
龍、彈性體橡膠、彈性聚乙烯、聚四氟乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚芳酰胺、聚
亞芳基、聚丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、它們的共聚物、以及它們的混合物。優(yōu)
選地，所述聚合物樹脂為聚氨酯、更優(yōu)選為熱塑性聚氨酯。所述拋光層、阻擋區(qū)、透明窗及子
層可包含不同的聚合物樹脂。例如，拋光層可包含多孔熱固性聚氨酯，子層可包含閉孔的多
孔聚氨酯泡沫體，且透明窗可包含固態(tài)熱塑性聚氨酯。 拋光層與子層通常具有不同的化學性質(zhì)(如聚合物組成)和/或物理性質(zhì)(如 多孔性、可壓縮性、透明度及硬度)。例如，拋光層與子層可獨立地為閉孔的(如多孔泡沫 體)、開孔的(如燒結(jié)材料)、或?qū)嵭牡?如從實心聚合物片材切下的)。優(yōu)選地，拋光層具 有比子層小的可壓縮性。拋光層和子層可由任何適宜的方法形成，其中的許多是本領(lǐng)域已 知的。適宜的方法包括鑄造、切割、反應(yīng)注射成型、注射吹塑、壓縮成型、燒結(jié)、熱成型、和將 多孔聚合物壓制成所需的拋光墊形狀。如果需要的話，還可在使多孔聚合物成型之前、期間 或之后，向所述多孔聚合物中加入其它拋光墊要素。例如，可通過本領(lǐng)域通常已知的各種方法施加背襯材料、鉆孔、或提供表面紋理(例如，凹槽、溝道)。 任選地，拋光層進一步包含有機或無機顆粒。例如，所述有機或無機顆?？蛇x自金 屬氧化物顆粒(例如，二氧化硅顆粒、氧化鋁顆粒、二氧化鈰顆粒)、金剛石顆粒、玻璃纖維、 碳纖維、玻璃珠、鋁硅酸鹽、層狀硅酸鹽(例如，云母顆粒)、交聯(lián)聚合物顆粒(例如，聚苯乙 烯顆粒)、水溶性顆粒、吸水顆粒、中空顆粒、它們的組合等。所述顆?？删哂腥魏芜m宜的尺 寸。例如，所述顆粒可具有約lnm 約10微米(例如，約20nm 約5微米)的平均顆粒直 徑。在該拋光墊本體內(nèi)的顆粒量可為任何適宜的量，例如，約1重量％ 約95重量％，以該 拋光墊本體的總重量計。 本發(fā)明的拋光墊尤其適于與化學機械拋光(CMP)裝置一起使用。通常，所述裝置 包括壓板，其在使用時處于運動中且具有由軌道、線性或圓周運動導致的速度；本發(fā)明的 拋光墊，其與該壓板相接觸并且在運動時與該壓板一起移動；以及載體，其固持待通過與該 拋光墊的表面接觸且相對于該拋光墊的表面移動而進行拋光的工件。所述工件的拋光通過 如下進行將工件放置成與拋光墊接觸，然后使拋光墊相對于該工件移動(其間通常具有 拋光組合物)，以便磨除該工件的至少一部分以拋光該工件。所述拋光組合物可為任何適 宜的拋光組合物。拋光組合物通常包含液體載體(例如，含水載體)、pH調(diào)整劑及研磨劑。 根據(jù)正被拋光的工件的類型，拋光組合物任選地進一步包含氧化劑、有機酸、絡(luò)合劑、PH緩 沖劑、表面活性劑、緩蝕劑、消泡劑等。所述CMP裝置可為任何適宜的CMP裝置，其中的許多 是本領(lǐng)域已知的。本發(fā)明的拋光墊還可與線性拋光工具一起使用。 期望地，該CMP裝置進一步包含原位拋光終點檢測系統(tǒng)，其中的許多是本領(lǐng)域已 知的。通過分析從工件表面反射的光或其它輻射來檢測及監(jiān)控拋光過程的技術(shù)是本領(lǐng)域 已知的。這樣的方法描述于例如美國專利5196353、美國專利5433651 、美國專利5609511、 美國專利5643046、美國專利5658183、美國專利5730642、美國專利5838447、美國專利 5872633、美國專利5893796、美國專利5949927及美國專利5964643中。期望地，對于正被 拋光的工件的拋光過程的進展的檢測或監(jiān)控使得能夠確定拋光終點，即，確定何時終止對 特定工件的拋光過程。 本發(fā)明的拋光墊適用于拋光多種類型的工件(例如，基板或晶片)及工件材料的 方法中。例如，該拋光墊可用于拋光包括記憶存儲器件、玻璃基板、存儲器或硬磁盤、金屬 (例如，貴金屬)、磁頭、層間介電(ILD)層、聚合物膜、低及高介電常數(shù)薄膜、鐵電體、微機 電系統(tǒng)(MEMS)、半導體晶片、場發(fā)射顯示器、及其他微電子基板，尤其是包含絕緣層(例如， 金屬氧化物、氮化硅或低介電材料)和/或含金屬的層(例如，銅、鉭、鎢、鋁、鎳、鈦、鉬、釕、 銠、銥、它們的合金、以及它們的混合物)的微電子基板。術(shù)語"存儲器或硬磁盤"是指任何 用于保存電磁形式信息的磁盤、硬盤、硬磁盤、或存儲磁盤。存儲器或硬磁盤一般具有包含 鎳-磷的表面，但該表面可包含任何其它適宜的材料。適宜的金屬氧化物絕緣層包括，例 如，氧化鋁、二氧化硅、二氧化鈦、二氧化鈰、氧化鋯、氧化鍺、氧化鎂、以及它們的組合。此 外，所述工件可包含任何適宜的金屬復合材料，可基本上由任何適宜的金屬復合材料組成， 或可由任何適宜的金屬復合材料組成。適宜的金屬復合材料包括，例如，金屬氮化物(例 如，氮化鉭、氮化鈦及氮化鎢)、金屬碳化物(例如，碳化硅及碳化鎢)、鎳_磷、鋁_硼硅酸 鹽、硼硅酸鹽玻璃、磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、硅/鍺合金、及硅/鍺/ 碳合金。所述工件還可包含任何適宜的半導體基體材料(base material)，可基本上由任何適宜的半導體基體材料組成，或可由任何適宜的半導體基體材料組成。適宜的半導體基體 材料包括單晶硅、多晶硅、非晶硅、絕緣體上硅(silicon-on-insulator)、及砷化鎵。
將本文中引用的所有參考文獻(包括出版物、專利申請和專利)在此引入作為參 考，其參考程度如同各參考文獻被單獨和具體說明以引入作為參考并且各參考文獻在本文 中全部闡述一般。 在描述本發(fā)明的范圍(特別是所附權(quán)利要求的范圍)中使用術(shù)語"一個"和"一 種"和"該"以及類似的指示物應(yīng)理解為包括單數(shù)和復數(shù)，除非本文中另有說明或上下文明 顯矛盾。術(shù)語"包含"、"具有"、"包括"、和"含有"應(yīng)理解為開放式術(shù)語(即，意味著"包括， 但不限于")，除非另有說明。本文中數(shù)值范圍的列舉僅僅用作單獨提及落在該范圍內(nèi)的每 個獨立值的簡寫方法，除非本文中另有說明，并且在說明書中引入每個獨立值，就如同其在 這里被單獨列舉一樣。本文描述的所有方法可以任何適宜的順序進行，除非本文另有說明 或與上下文明顯矛盾。本文中提供的任何和所有實例、或示例性語言(如，"例如")的使用 僅用來更好地說明本發(fā)明，而不是對本發(fā)明的范圍加以限定，除非另有說明。說明書中沒有 語言應(yīng)被理解為是在將任何非要求保護的要素表明為是本發(fā)明的實踐所必需的。
本文中描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，包括本發(fā)明人已知的進行本發(fā)明的最佳模 式。通過閱讀上述說明書，那些優(yōu)選實施方式的變化對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說將變 得明晰。本發(fā)明人希望技術(shù)人員適當?shù)夭捎眠@種變化，且本發(fā)明人希望本發(fā)明用不同于本 文具體描述的方式進行實踐。因此，本發(fā)明包括適用法律所允許的、所附權(quán)利要求書中所列 舉的主題的所有修改和等價物。此外，在其所有可能變化中的上述要素的任意組合包括在 本發(fā)明中，除非本文另有說明或與上下文明顯矛盾。
8
權(quán)利要求
一種拋光墊，其包括(a)具有拋光表面的拋光層，其中該拋光表面包括(1)設(shè)置在該拋光層內(nèi)且距該拋光表面具有可測量深度的多個凹槽，及(2)不具有凹槽的阻擋區(qū)，和(b)設(shè)置在該阻擋區(qū)內(nèi)并被該阻擋區(qū)圍繞的透明窗。
2. 權(quán)利要求l的拋光墊，其中該深度從最大值轉(zhuǎn)變?yōu)樵诰o鄰該阻擋區(qū)處的零。
3. 權(quán)利要求2的拋光墊，其中該深度的轉(zhuǎn)變是逐漸進行的。
4. 權(quán)利要求3的拋光墊，其中該拋光墊為圓形且該凹槽為同心的。
5. 權(quán)利要求4的拋光墊，其中所述同心凹槽中的一個或多個為不連續(xù)的且具有第一端 和第二端，且其中該阻擋區(qū)設(shè)置在該第一端和第二端之間。
6. 權(quán)利要求l的拋光墊，其中該透明窗具有與該拋光表面基本上共面的最高窗表面。
7. 權(quán)利要求l的拋光墊，其中該拋光層包括聚氨酯。
8. 權(quán)利要求l的拋光墊，其中該透明窗包括熱塑性聚氨酯。
9. 權(quán)利要求l的拋光墊，其中該拋光墊進一步包括子層。
10. —種拋光基板的方法，其包括(i) 提供待拋光的工件，(ii) 使該工件與權(quán)利要求1的拋光墊接觸，禾口(iii) 以該拋光墊磨除該工件表面的至少一部分以拋光該工件。
11. 權(quán)利要求10的方法，其中該方法進一步包括原位檢測拋光終點。
12. 權(quán)利要求10的方法，其中該工件與位于該工件和該拋光墊之間的化學機械拋光組 合物接觸。
13. 權(quán)利要求10的方法，其中該深度從最大值轉(zhuǎn)變?yōu)樵诰o鄰該阻擋區(qū)處的零。
14. 權(quán)利要求13的方法，其中該深度的轉(zhuǎn)變是逐漸進行的。
15. 權(quán)利要求14的方法，其中該拋光墊為圓形且該凹槽為同心的。
16. 權(quán)利要求15的方法，其中所述同心凹槽中的一個或多個為不連續(xù)的且具有第一端 和第二端，且其中該阻擋區(qū)設(shè)置在該第一端和第二端之間。
17. 權(quán)利要求10的方法，其中該透明窗具有與該拋光表面基本上共面的最高窗表面。
18. 權(quán)利要求IO的方法，其中該拋光層包括聚氨酯。
19. 權(quán)利要求10的方法，其中該透明窗包括熱塑性聚氨酯。
20. 權(quán)利要求10的方法，其中該拋光墊進一步包括子層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種拋光墊，其包括具有拋光表面的拋光層，所述拋光表面包括設(shè)置在該拋光層內(nèi)且距該拋光表面具有可測量深度的多個凹槽及不具有凹槽的阻擋區(qū)；以及設(shè)置在該阻擋區(qū)內(nèi)并被該阻擋區(qū)圍繞的透明窗。
文檔編號B24B37/00GK101778701SQ200880102761
公開日2010年7月14日 申請日期2008年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月16日
發(fā)明者凱利·紐厄爾 申請人:卡伯特微電子公司