專利名稱：：金屬微粒子的制造方法及含該金屬微粒子的金屬膠體溶液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及金屬微粒子及由此所制造的金屬膠體溶液的制造方法。
背景技術(shù)：
：專利文獻1日本特開平11-080647號公報專利文獻2日本特開2000-239853號公報專利文獻3日本特開2006-321948號公報專利文獻4日本特開2004-33901號公報—般來講，金屬納米粒子相對于總原子數(shù)的粒子表面的比例變得非常大，具有與大塊金屬不同的物性。特別是直徑10nm以下的金屬納米粒子具有很高的觸媒功能，熔點降低或在金、銀、銅等場合可以見到其具有在可視光區(qū)域被稱作等離子激元吸收的特定波長的吸收那樣的物性。并且，均勻分散了那樣的金屬粒子的溶液、即所謂金屬膠體溶液，可以有效地利用該特征，被利用在各種的領(lǐng)域。例如，可作為著色劑的利用于涂料等(日本特平開11-080647號公報/專利文獻1)、或可以用于具有金屬光澤的薄膜的制造(日本特開2000-239853號公報/專利文獻2)、或者也可利用于在具有高密度及高精度且高可靠性地形成或印刷芯片零件、等離子體顯示器面板等的電極或電路并使其大幅度精細(xì)化的導(dǎo)電性糊劑中。作為到現(xiàn)在為止的金屬膠體溶液的制造方法，首先，有通過日本特開2006-321948號公報(專利文獻3)所示那樣的批量式的反應(yīng)裝置進行的場合、或通過日本特開2004-33901號公報(專利文獻4)所示那樣的一般的微反應(yīng)器所進行的場合。但是，批量式的方法一般很難進行批量內(nèi)的溫度管理，必然也很難進行均勻的反應(yīng)。并且，作為完全的均勻攪拌所必要的濃度管理也很難管理。而且，由于需要很長的反應(yīng)時間，管理全部的反應(yīng)條件也是極難的作業(yè)。另外，即使在使用一般的微反應(yīng)器的場合微裝置及系統(tǒng)具有一些優(yōu)點，但實際上仍存在很多問題，若微流路直徑變得越窄其壓力損失越與流路直徑的四乘方成反比例，即實際輸送流體的泵必須具有難以達(dá)到的很大的壓力，另外，伴有析出的反應(yīng)的場合，對流路被生成物堵塞的現(xiàn)象或反應(yīng)所生成的泡所引起的微流路的封閉、進而基本上對分子的擴散速度期待其反應(yīng)，對于所有的反應(yīng)也不能說微空間是有效、可適應(yīng)的，現(xiàn)實中有必要以反復(fù)試驗法方式試行反應(yīng)來選擇其具有良好的反應(yīng)。并且，關(guān)于模型放大，雖然可通過增加微反應(yīng)器數(shù)的方法，即數(shù)量提升來解決，但是實際上其層疊可能數(shù)的界限為數(shù)十個，自身容易成為生產(chǎn)制品價值高的產(chǎn)品，而且隨著裝置數(shù)的增加，其故障原因的絕對數(shù)目也會增加，有可能使得在實際上堵塞等問題發(fā)生時要查出其發(fā)生故障地點等變得非常困難。
發(fā)明內(nèi)容針對于上述問題，本發(fā)明提供一種金屬微粒子的制造方法以圖解決上述問題，通4過在可接近或分離地相互對面位置配置且至少有一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面之間形成的薄膜流體中還原金屬化合物，可以自由改變該薄膜中的雷諾數(shù)，可根據(jù)其目的制作單分散的金屬膠體溶液，由其自我排出性而不會產(chǎn)生生成物的堵塞，不需要很大的壓力，并且生產(chǎn)效率也高，所獲得的金屬微粒子的再分散性也良好。本發(fā)明為一種金屬微粒子的制造方法，其特征在于，在可接近或分離的在相互對面位置配置且至少有一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面之間形成的薄膜流體中還原金屬化合物。另外，本發(fā)明的金屬微粒子的制造方法，其中，成為金屬微粒子的金屬是金、銀、釕、銠、鈀、鋨、銥、鉬那樣的貴金屬、或銅、或兩種以上的上述金屬的合金。另外，本發(fā)明的金屬微粒子的制造方法，其中，在可接近或分離的在相互對面位置配置的且至少有一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面之間形成的薄膜流體中，還原金屬化合物，其平均粒子直徑為1200nm。另外，本發(fā)明的金屬微粒子的制造方法，其特征在于，在可接近或分離的在相互對面位置配置的且至少有一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面之間形成的薄膜流體中，均勻攪拌、混合在金屬化合物溶液或含有還原劑的溶液的至少一方中含有分散劑的溶液。另外，本發(fā)明的金屬微粒子的制造方法，其特征在于，所得到的金屬微粒子的粒度分布的CV值為540%。另外，本發(fā)明為上述技術(shù)方案1至7項中的任何一方所記載的金屬微粒子的制造方法，其特征在于，上述還原反應(yīng)具備流體壓力施加機構(gòu)，該流體壓力施加機構(gòu)給被處理流動體施加規(guī)定壓力，第一處理用部、以及能夠相對于該第一處理用部相對接近和分離的第二處理用部至少兩個處理用部，和旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)，該旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)使上述第一處理用部和第二處理用部相對旋轉(zhuǎn)；在上述各處理用部中相互相向的位置上，設(shè)有第一處理用面以及第二處理用面至少兩個處理用面；上述的各處理用面構(gòu)成上述規(guī)定壓力的被處理流動體流過的被密封的流路的一部分；在上述的兩個處理用面之間，均勻混合兩種以上的被處理流動體并使其積極地發(fā)生反應(yīng)，上述兩種以上的被處理流動體中的至少任意一種含有反應(yīng)物；上述第一處理用部和第二處理用部中至少第二處理用部具備受壓面，并且，該受壓面的至少一部分由上述第二處理用面構(gòu)成；該受壓面受到上述流體壓力施加機構(gòu)施加給被處理流動體的壓力而產(chǎn)生使第二處理用面在從第一處理用面分離的方向移動的力；通過上述規(guī)定壓力的被處理流動體在能夠接近和分離且相對旋轉(zhuǎn)的第一處理用面和第二處理用面之間通過，由此，上述被處理流動體一邊形成規(guī)定膜厚的流體膜一邊從兩個處理用面之間通過；進而具備獨立于上述規(guī)定壓力的被處理流動體流過的流路的另外的導(dǎo)入路；上述第一處理用面和第二處理用面的至少任意一方具備至少一個與上述導(dǎo)入路相通的開口部；將從上述導(dǎo)入路輸送來的至少一種被處理流動體導(dǎo)入上述兩個處理用面之間，至少上述的各被處理流動體的任意一方中含有的上述反應(yīng)物與不同于上述被處理流動體的被處理流動體，通過在上述流體膜內(nèi)的均勻攪拌形成的混合能夠達(dá)到所希望的反應(yīng)狀態(tài)。另外，本發(fā)明為上述技術(shù)方案1至8項中的任何一方所記載的金屬微粒子的制造方法，其特征在于，作為上述還原反應(yīng)使用電化學(xué)還原方法，該電化學(xué)還原方法通過由導(dǎo)電性材料制造各處理用面，在上述的各處理用面之間賦予電位差，從而在各處理用面之間進行電子的授受。并且，本發(fā)明的金屬膠體溶液，以含有通過上述制造方法制造的金屬微粒子為特征。本發(fā)明是特征在于在可接近或分離的在相互對面位置配置的且至少有一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面之間形成的薄膜流體中還原金屬化合物的金屬微粒子的制造方法，可獲得平均粒子直徑比根據(jù)通常的反應(yīng)方法所得到的金屬微粒子小、單分散的金屬膠體溶液。并且，本發(fā)明是可連續(xù)性地效率很好地得到金屬微粒子、制造效率也很好、能夠?qū)?yīng)生產(chǎn)的適宜的金屬微粒子的制造方法。并且，也可對應(yīng)于生產(chǎn)量采用一般的規(guī)模放大概念來進行機體的大型化。圖1(A)是表示用于實施本申請發(fā)明的裝置的概念的簡略縱剖視圖，(B)是表示上述裝置的其他實施方式的概念的簡略縱剖視圖，(C)是表示上述裝置的另外的其他實施方式的概念的簡略縱剖視圖，(D)是表示上述裝置的另一其他實施方式的概念的簡略縱剖視圖。圖2(A)(D)分別是表示圖1所示裝置的另外的其他實施方式的概念的簡略縱剖視圖。圖3(A)是圖2(C)所示裝置的主要部分的簡略仰視圖，(B)是上述裝置的其他實施方式的主要部分的簡略仰視圖，(C)是另外的其他實施方式的主要部分的簡略仰視圖，(D)是表示上述裝置的另一其他實施方式的概念的簡略仰視圖，(E)是表示上述裝置的另一其他實施方式的概念的簡略仰視圖，(F)是表示上述裝置的另一其他實施方式的概念的簡略仰視圖。圖4(A)(D)剖視圖。圖5(A)(D)剖視圖。圖6(A)(D)剖視圖。圖7(A)(D)剖視圖。圖8(A)(D)剖視圖。圖9(A)(C)剖視圖。圖10(A)(D)分別是表示圖1所示裝置的另外其他的實施方式的概念的簡略縱剖視圖。圖11(A)及(B)分別表示上述圖1所示裝置的另一其他實施方式的概念的簡略縱剖視圖，(C)為圖1所示裝置的主要部分的簡略仰視圖。圖12(A)是關(guān)于圖1(A)所示裝置的受壓面的、表示其他實施方式的主要部分的簡分別是表示圖1所示裝置的另外的其他實施方式的概念的簡略縱分別是表示圖1所示裝置的另外的其他實施方式的概念的簡略縱分別是表示圖1所示裝置的另外的其他實施方式的概念的簡略縱分別是表示圖1所示裝置的另外的其他實施方式的概念的簡略縱分別是表示圖1所示裝置的另外其他的實施方式的概念的簡略縱分別是表示圖1所示裝置的另外其他的實施方式的概念的簡略縱6略縱剖視圖，(B)是該裝置的另一其他實施方式的主要部分的簡略縱剖視圖。圖13是關(guān)于圖12(A)所示裝置的接觸表面壓力施加機構(gòu)4的、其他實施方式的主要部分的簡略縱剖視圖。圖14是關(guān)于圖12(A)所示裝置上的、設(shè)置了溫度調(diào)節(jié)用封套的、其他實施方式的主要部分的簡略縱剖視圖。圖15是關(guān)于圖12(A)所示裝置的接觸表面壓力施加機構(gòu)4的，其他實施方式的主要部的簡略縱剖視圖。圖16(A)是圖12(A)所示裝置的另一其他實施方式的主要部分的簡略橫剖視圖，(B)(C)(E)(G)是該裝置的另一其他實施方式的主要部分的簡略橫剖視圖，(D)是該裝置的另一其他實施方式的局部的主要部分的簡略縱剖視圖。圖17是圖12(A)所示裝置的另一其他實施方式的主要部的簡略縱剖視圖。圖18(A)是表示用于本申請發(fā)明的實施中的裝置的另一其他實施方式的概念的簡略縱剖視圖，(B)是該裝置的局部的主要部分說明圖。圖19(A)是圖12所示上述裝置的第一處理用構(gòu)件1的俯視圖，(B)是其主要部分的縱剖視圖。圖20(A)是圖12所示裝置的第一及第二處理用構(gòu)件1、2的主要部分的縱剖視圖，(B)是隔開微小間隔的上述第一及第二處理用構(gòu)件1、2的主要部分的縱剖視圖。圖21(A)是上述第一處理用構(gòu)件1的其他實施方式的俯視圖，(B)是其主要部分的簡略縱剖視圖。圖22(A)是上述第一處理用構(gòu)件1的另一其他實施方式的俯視圖，(B)是其主要部分的簡略縱剖視圖。圖23(A)是上述第一處理用構(gòu)件1的另一其他實施方式的俯視圖，(B)是上述第一處理用構(gòu)件1的再另一其他實施方式的俯視圖。圖24(A)(B)(C)分別是關(guān)于處理后的被處理物的分離方法的、表示上述以外的實施方式的說明圖。圖25是說明本申請發(fā)明裝置的概要的縱剖面的概略圖。圖26(A)是圖25所示裝置的第一處理用面的簡略俯視圖，(B)是圖25所示裝置的第一處理用面的主要部分的放大圖。圖27(A)是第二導(dǎo)入通道的剖視圖，(B)是用于說明第二導(dǎo)入通道的處理用面的主要部分的放大圖。圖28(A)及(B)分別是為了說明設(shè)置于處理用構(gòu)件的傾斜面的主要部分放大剖視圖。圖29是用于說明設(shè)置于處理用構(gòu)件的受壓面的圖，(A)是第二處理用構(gòu)件的仰視圖，(B)是主要部分的放大剖視圖。圖30是銀粒子的TEM照片圖31是鉑微粒子的TEM照片。圖32是鉑微粒子的TEM照片。圖33是鉑-鈀合金微粒子的TEM照片。圖34是鉑-鈀合金微粒子的TEM照片。圖35是鎳微粒子的TEM照片。具體實施例方式作為本發(fā)明所使用的在薄膜流體中均勻攪拌和混合的方法，可以利用例如本發(fā)明申請人:所提出的日本特開2004-49957號公報中所記載的同一原理的裝置，上述薄膜流體形成于可接近和分離地相向配置且至少一方可相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面之間。在上述的薄膜中，通過將含有高分子分散劑及金屬化合物的水溶液與還原劑水溶液合流，一邊均勻混合一邊進行金屬化合物的還原反應(yīng)，從而得到金屬微粒子。以下，對適于實施該方法的流體處理裝置進行說明。如圖1(A)所示，該裝置具有相對的第一及第二這二個處理用構(gòu)件10、20，至少其中一方的處理用構(gòu)件旋轉(zhuǎn)。兩處理用構(gòu)件10、20的相向的面分別作為處理用面，在兩處理用面之間進行被處理流體的處理。第一處理用構(gòu)件10具有第一處理用面l，第二處理用構(gòu)件20具有第二處理用面2。兩處理用面1、2連接于被處理流體的流路，構(gòu)成被處理流體的流路的一部分。更詳細(xì)而言，該裝置構(gòu)成至少兩個被處理流體的流路，同時，使各流路合流。S卩，該裝置與第一被處理流體的流路相接，在形成該第一被處理流體的流路的一部分的同時，形成有別于第一被處理流體的第二被處理流體的流路的一部分。并且，該裝置使兩流路合流，在處理用面1、2之間，混合兩流體而進行反應(yīng)。圖1(A)所示的實施方式中，上述各流路是液密(被處理流體為液體的場合)或氣密(被處理流體為氣體的場合)的密閉流路。具體地說明如下，如圖1(A)所示，該裝置具有上述第一處理用構(gòu)件10、上述第二處理用構(gòu)件20、保持第一處理用構(gòu)件10的第一托架11、保持第二處理用構(gòu)件20的第二托架21、接觸表面壓力施加機構(gòu)4、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部、第一導(dǎo)入部dl、第二導(dǎo)入部d2、流體壓力施加機構(gòu)Pl、第二流體供給部p2及殼體3。另外，圖中省略了旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部的圖示。第一處理用構(gòu)件10和第二處理用構(gòu)件20的至少其中任一方可相對于另一方接近和分離，從而使兩處理用面1、2可接近和分離。在本實施方式中，第二處理用構(gòu)件20可相對于第一處理用構(gòu)件10接近和分離。但是，與之相反，也可以是第一處理用構(gòu)件10相對于第二處理用構(gòu)件20接近和分離，或者兩處理用構(gòu)件10、20相互接近和分離。第二處理用構(gòu)件20配置在第一處理用構(gòu)件10的上方，第二處理用構(gòu)件20的朝向下方的面、即下表面，為上述第二處理用面2，第一處理用構(gòu)件10的朝向上方的面、即上面，為上述的第一處理用面l。如圖1(A)所示，在本實施方式中，第一處理用構(gòu)件10及第二處理用構(gòu)件20分別為環(huán)狀體，即圓環(huán)。以下，根據(jù)需要，稱第一處理用構(gòu)件10為第一圓環(huán)IO，稱第二處理用構(gòu)件20為第二圓環(huán)20。在本實施方式中，兩圓環(huán)10、20是金屬制的一個端面被鏡面研磨的構(gòu)件，以該鏡面作為第一處理用面1及第二處理用面2。S卩，第一圓環(huán)10的上端面作為第一處理用面1，被鏡面研磨，第二圓環(huán)20的下端面作為第二處理用面2，被鏡面研磨。至少一方的托架可通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部相對于另一方的托架相對地旋轉(zhuǎn)。圖1(A)的50表示旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部的旋轉(zhuǎn)軸。在旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部中可采用電動機。通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部，可使一方的圓環(huán)的處理用面相對于另一方的圓環(huán)的處理用面相對地旋轉(zhuǎn)。在本實施方式中，第一托架11通過旋轉(zhuǎn)軸50接受來自旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部的驅(qū)動力，相對于第二托架21旋轉(zhuǎn)，這樣，和第一托架10形成一體的第一圓環(huán)10相對于第二圓環(huán)20旋轉(zhuǎn)。在第一圓環(huán)10的內(nèi)側(cè)，旋轉(zhuǎn)軸50以如下方式設(shè)置在第一托架11上，即，俯視時，其中心與圓形的第一圓環(huán)10的中心同心。第一圓環(huán)10的旋轉(zhuǎn)以圓環(huán)10的軸心為中心。雖未圖示，但是，軸心指圓環(huán)10的中心線，是假想線。如上所述，在本實施方式中，第一托架11使第一圓環(huán)10的第一處理用面1朝向上方，并保持第一圓環(huán)IO，第二托架21使第二圓環(huán)20的第二處理用面2朝向下方，并保持第二圓環(huán)20。具體而言，第一及第二托架11、21分別具有凹狀的圓環(huán)收容部。在本實施方式中，第一圓環(huán)11嵌合于第一托架11的圓環(huán)收容部，并且，第一圓環(huán)10固定于圓環(huán)收容部，從而不能從第一托架11的圓環(huán)收容部出沒。SP，上述第一處理用面1從第一托架11露出，面向第二托架21側(cè)。第一圓環(huán)10的材質(zhì)除了金屬以外，還可采用陶瓷、燒結(jié)金屬、耐磨鋼、實施過硬化處理的其他金屬、或者涂敷、包覆、電鍍有硬質(zhì)材料的材料。特別是，因為旋轉(zhuǎn)，最好用輕質(zhì)的原料形成第一處理部10。關(guān)于第二圓環(huán)20的材質(zhì)，也可以采用與第一圓環(huán)IO相同的材質(zhì)。另一方面，第二托架21所具有的圓環(huán)收容部41可出沒地收容第二圓環(huán)20的處理用構(gòu)件2。該第二托架21所具有的圓環(huán)收容部41是收容第二圓環(huán)20的、主要是與處理用面2側(cè)相反側(cè)部位的凹部，在俯視時呈圓形，即形成環(huán)狀的槽。圓環(huán)收容部41的尺寸比第二圓環(huán)20大，與第二圓環(huán)20之間有足夠的間隔，收容第二圓環(huán)20。通過該間隔，在該圓環(huán)收容部41內(nèi)，該第二圓環(huán)20可在環(huán)狀的圓環(huán)收容部41的軸方向以及在與該軸方向交叉的方向位移。換言之，通過該間隔，該第二圓環(huán)20能夠以改變與上述圓環(huán)收容部41的軸方向的平行關(guān)系的方式使圓環(huán)20的中心線相對于圓環(huán)收容部41位移。以下，將第二托架21的被第二圓環(huán)20圍繞的部位稱為中央部分22。對于上述說明，換言之，該第二圓環(huán)20以如下方式收容在圓環(huán)收容部41內(nèi)，即，能夠在圓環(huán)收容部41的推力方向即上述出沒方向位移，另外，能夠在相對于圓環(huán)收容部41的中心偏心的方向位移。并且，第二圓環(huán)20以如下方式被收容，即，相對于圓環(huán)收容部41，在圓環(huán)20的圓周方向的各位置，能夠以從圓環(huán)收容部41出沒的幅度分別不同的方式位移，即，能夠中心振擺。雖然第二圓環(huán)20具有上述三個位移的自由度，即，與圓環(huán)收容部41相對的第二圓環(huán)20的軸方向、偏心方向、中心振擺方向的自由度，但第二圓環(huán)20以不隨第一圓環(huán)10旋轉(zhuǎn)的方式保持在第二托架21上。雖未圖示，但有關(guān)這一點，只要在圓環(huán)收容部41和第二圓環(huán)20上分別相對于圓環(huán)收容部41設(shè)置適當(dāng)?shù)耐怀霾考纯?，從而限制在其圓周方向的旋轉(zhuǎn)。但是，該突出部不得破壞上述三個位移的自由度。上述接觸表面壓力施加機構(gòu)4沿使第一處理用面1和第二處理用面2接近的方向?qū)μ幚碛脴?gòu)件施加力。在本實施方式中，接觸表面壓力施加機構(gòu)4設(shè)置在第二托架21上，將第二圓環(huán)20向第一圓環(huán)10施力。接觸表面壓力施加機構(gòu)4將第二圓環(huán)20的圓周方向的各位置、即處理用面2的各位置均等地向第一圓環(huán)10施力。接觸表面壓力施加機構(gòu)4的具體結(jié)構(gòu)在后面再進行詳細(xì)敘述。如圖1(A)所示，上述殼體3配置在兩圓環(huán)10、20外周面的外側(cè)，收容生成物，該生成物在處理用面1、2間生成并排出到兩圓環(huán)10、20的外側(cè)。如圖1(A)所示，殼體3是收容第一托架10和第二托架20的液密的容器。第二托架20可以作為該殼體的一部分而與殼體3—體地形成。如上所述，不必說形成殼體3的一部分的情況，即使在與殼體3分體地形成的情況下，第二托架21也同樣不可動，從而不會影響兩圓環(huán)10、20間的間隔，即，兩處理用面1、2間的間隔。換言之，第二托架21不會對兩處理用面1、2間的間隔產(chǎn)生影響。在殼體3上，殼體3的外側(cè)設(shè)有用于排出生成物的排出口32。第一導(dǎo)入部dl向兩處理用面1、2間供給第一被處理流動物。上述流體壓力施加機構(gòu)pl直接或間接地與該第一導(dǎo)入部dl連接，對第一被處理流體施加流體壓力。在流體壓力施加機構(gòu)pl中，可采用壓縮機等其他泵。在該實施方式中，第一導(dǎo)入部dl是設(shè)置在第二托架21的上述中央部分22內(nèi)部的流體通道，其一端在第二托架21的俯視為圓形的第二圓環(huán)20的中心位置開口。另外，第一導(dǎo)入部dl的另一端在第二托架21的外部、即殼體3的外部與上述流體壓力施加機構(gòu)pl相第二導(dǎo)入部d2向處理用面用l、2間供給與第一被處理流體反應(yīng)的第二流體。在該實施方式中，第二導(dǎo)入部為設(shè)置在第二圓環(huán)內(nèi)部的流體通道，其一端在第二處理用面2開口，其另一端與第二流體供給部P2相連接。在第二流體供給部p2中，可采用壓縮機等其他泵。通過流體壓力施加機構(gòu)pl加壓的第一被處理流體從第一導(dǎo)入部dl被導(dǎo)入兩圓環(huán)10、20的內(nèi)側(cè)的空間，通過第一處理用面1和第二處理用面2之間，從兩圓環(huán)10、20的外側(cè)穿過。此時，承受第一被處理流體的輸送壓力的第二圓環(huán)20克服接觸表面壓力施加機構(gòu)4的施力，遠(yuǎn)離第一圓環(huán)IO，使兩處理用面之間分開微小的間隔。關(guān)于因兩處理用面1、2的接近和分離而形成的兩處理用面1、2間的間隔，后面再詳細(xì)敘述。在兩處理用面1、2間，從第二導(dǎo)入部d2供給第二被處理流體并與第一被處理流體合流，利用處理用面的旋轉(zhuǎn)促進反應(yīng)。然后，兩流體的反應(yīng)所生成的反應(yīng)生成物從兩處理用面1、2之間排出到兩圓環(huán)10、20的外側(cè)。在圓環(huán)10、20外側(cè)排出的反應(yīng)生成物最終通過殼體的排出口排出到殼體的外部。上述被處理流體的混合及反應(yīng)通過與第二處理用構(gòu)件20相對的第一處理用構(gòu)件10的由驅(qū)動部5所產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)，在第一處理用面1與第二處理用面2進行。在第一及第二處理用面1、2之間，第二導(dǎo)入部d2的開口部m2的下游側(cè)形成反應(yīng)室，該反應(yīng)室使上述第一被處理流體和第二被處理流體反應(yīng)。具體而言，在兩處理用面1、2間，在表示第二圓環(huán)20的底面的圖11(C)中以斜線表示的第二圓環(huán)20直徑的內(nèi)外方向rl上，第二導(dǎo)入部的開口部m2、即第二開口部m2的外側(cè)區(qū)域H具有作為上述處理室、即反應(yīng)室的功能。因此，該反應(yīng)室在兩處理用面1、2間位于第一導(dǎo)入部dl和第二導(dǎo)入部d2的兩開口部ml、m2的下游側(cè)。從第二開口部m2導(dǎo)入至兩處理用面1、2之間的第二被處理流體，在上述形成反應(yīng)室的區(qū)域H內(nèi)，與從第一開口部ml經(jīng)過圓環(huán)內(nèi)側(cè)的空間的導(dǎo)入至兩處理用面1、2之間的第一被處理流體混合，兩被處理流體反應(yīng)。流體通過流體壓力施加機構(gòu)pl而受到輸送壓力，并在兩處理用面1、2間的微小間隔中朝著圓環(huán)的外側(cè)移動，但是，由于第一圓環(huán)IO旋轉(zhuǎn)，所以，在上述反應(yīng)區(qū)域H內(nèi)，被混合的流體并不是在圓環(huán)直徑的內(nèi)外方向上從內(nèi)側(cè)向外側(cè)直線地移動，而是在俯視處理用面的狀態(tài)下，以圓環(huán)的旋轉(zhuǎn)軸為中心，螺旋狀地從圓環(huán)的內(nèi)側(cè)向外側(cè)移動。這樣，在進行混合反應(yīng)的區(qū)域H，通過螺旋狀地從圓環(huán)的內(nèi)側(cè)向外側(cè)移動，從而可以確保在兩處理用面1、2之間的微小間隔中具有充分反應(yīng)所需要的區(qū)間，并可促進其均勻的反應(yīng)。另外，反應(yīng)產(chǎn)生的生成物在上述微小的第一及第二處理用面1、2間形成均質(zhì)的反應(yīng)物，特別是在結(jié)晶或析出的情況下形成微粒。至少，在上述流體壓力施加機構(gòu)pl負(fù)荷的輸送壓力、上述接觸表面壓力施加機構(gòu)4的作用力、以及圓環(huán)的旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力的均衡的基礎(chǔ)上，可使兩處理用面1、2間的間隔均衡并成為優(yōu)選的微小間隔，并且，承受流體壓力施加機構(gòu)pl負(fù)荷的輸送壓力及圓環(huán)的旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力的被處理流體，螺旋狀地在上述處理用面1、2間的微小間隔中移動，促進反應(yīng)。上述反應(yīng)通過流體壓力施加機構(gòu)pl所負(fù)荷的輸送壓力及圓環(huán)的旋轉(zhuǎn)而強制地進行。即，利用處理用面1、2，一邊強制地均勻混合，一邊引起反應(yīng)，上述處理用面1、2可接近和分離的相互相對設(shè)置，并且至少有一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)。所以，特別是，通過流體壓力施加機構(gòu)pl所負(fù)荷的輸送壓力的調(diào)整及圓環(huán)的旋轉(zhuǎn)速度、即圓環(huán)的轉(zhuǎn)速的調(diào)整這種比較容易控制的方法，可控制反應(yīng)的生成物的結(jié)晶或析出。這樣，該處理裝置通過輸送壓力及離心力的調(diào)整，進行影響生成物的大小的處理用面1、2間的間隔的控制，并且，在影響生成物的均勻生成的上述反應(yīng)區(qū)域H內(nèi)的移動距離的控制方面極為優(yōu)異。另外，上述的反應(yīng)處理的生成物并不局限于析出的物質(zhì)，也包括液體。再者，旋轉(zhuǎn)軸50并不限于垂直配置，也可以配置在水平方向，也可傾斜的配置。處理中，圖示為兩處理用面1、2間的微小間隔內(nèi)進行反應(yīng)的情況，實質(zhì)上可以排除重力的影響。圖1(A)中所表示的第一導(dǎo)入部dl表示如下機構(gòu)，即，在第二托架21中，與第二圓環(huán)20的軸心一致，朝上下鉛直延伸的機構(gòu)。但是，第一導(dǎo)入部dl并不僅限于與第二圓環(huán)20的軸心一致的機構(gòu)，只要是能夠向兩圓環(huán)10、20所圍成的空間供給第一被處理流體的機構(gòu)即可，也可以設(shè)置在第二托架21的中央部分22的其他位置，另外，也可以是非垂直的傾斜的延伸的裝置。圖12(A)表示上述裝置的更優(yōu)選的實施方式。如圖所示，第二處理用構(gòu)件20具有上述第二處理用面2，并且具有受壓面23，該受壓面23位于第二處理用面2的內(nèi)側(cè)并與該第二處理用面2鄰接。以下，該受壓面23又稱為分離用調(diào)整面23。如圖所示，該分離用調(diào)整面23為傾斜面。如前所述，在第二托架21的底部、即下部，形成圓環(huán)收容部41，該圓環(huán)收容部41內(nèi)收容有第二處理用構(gòu)件20。另外，雖沒有圖示，通過旋轉(zhuǎn)阻止裝置，使第二處理用構(gòu)件20相對于第二托架21不旋轉(zhuǎn)地被收容。上述第二處理用面2從第二托架21中露出。在該實施方式中，處理用面1、2間的、第一處理用構(gòu)件10及第二處理用構(gòu)件20的內(nèi)側(cè)為被處理物的流入部，第一處理用構(gòu)件10及第二處理用構(gòu)件20的外側(cè)為被處理物的流出部。上述接觸表面壓力施加機構(gòu)4推壓第二處理用面2，使其相對于第一處理用面1處于壓接或接近的狀態(tài)，通過該接觸表面壓力與流體壓力等使兩處理用面1、2間分離的力的平衡，產(chǎn)生上述預(yù)定膜厚的流體膜。換言之，通過上述力的平衡，兩處理用面1、2間的間隔保持為預(yù)定的微小間隔。具體而言，在該實施方式中，接觸表面壓力施加機構(gòu)4由以下部分構(gòu)成上述圓環(huán)收容部41;發(fā)條收容部42，該發(fā)條收容部42設(shè)置在圓環(huán)收容部41的內(nèi)部即圓環(huán)收容部41的最深處；彈簧43;以及，空氣導(dǎo)入部44。但是，接觸表面壓力施加機構(gòu)4也可只具有上述圓環(huán)收容部41、上述發(fā)條收容部42、彈簧43以及空氣導(dǎo)入部44中的至少任意一個。圓環(huán)收容部41與第二處理用構(gòu)件20間隙配合，從而圓環(huán)收容部41內(nèi)的第二處理用構(gòu)件20的位置或深或淺地位移，即可上下位移。上述彈簧43的一端與發(fā)條收容部42的內(nèi)部抵接，彈簧43的另一端與圓環(huán)收容部41內(nèi)的第二處理用構(gòu)件20的前部即上部抵接。在圖1中，彈簧43雖僅顯示l個，但是優(yōu)選通過多個彈簧43來推壓第二處理用構(gòu)件20的各個部分。即，通過增加彈簧43的數(shù)目，可以賦予第二處理用構(gòu)件20更加均等的推壓力。所以，優(yōu)選第二托架21為安裝數(shù)個至數(shù)十個彈簧43的復(fù)合型。在該實施方式中，還可通過上述空氣導(dǎo)入部44從其它地方向圓環(huán)收容部41內(nèi)導(dǎo)入空氣。通過這樣的空氣的導(dǎo)入，將圓環(huán)收容部41與第二處理用構(gòu)件20之間作為加壓室，將彈簧43與空氣壓力一起作為推壓力施加于第二處理用構(gòu)件20上。因此，通過調(diào)整從空氣導(dǎo)入部44導(dǎo)入的空氣壓力，可調(diào)整運轉(zhuǎn)中第二處理用面2相對于第一處理用面1的接觸表面壓力。并且，代替利用空氣壓力的空氣導(dǎo)入部44，也可利用通過油壓等其他的流體壓力產(chǎn)生推壓力的機構(gòu)。接觸表面壓力施加機構(gòu)4除了供給并調(diào)節(jié)上述推壓力即接觸表面壓力的一部分之外，還兼作位移調(diào)整機構(gòu)和緩沖機構(gòu)。詳細(xì)而言，接觸表面壓力施加機構(gòu)4作為位移調(diào)整機構(gòu)，通過空氣壓的調(diào)整而追隨啟動時及運轉(zhuǎn)中軸方向的伸展或磨耗所引起的軸向位移，可維持初期的推壓力。另外，如上所述，接觸表面壓力施加機構(gòu)4由于采用可位移地保持第二處理用構(gòu)件20的浮動機構(gòu)，也具有作為微振動及旋轉(zhuǎn)定位的緩沖機構(gòu)的功能。接著，關(guān)于采用上述結(jié)構(gòu)的處理裝置的使用狀態(tài)，根據(jù)圖1(A)進行說明。首先，第一被處理流體承受來自流體壓力施加機構(gòu)pi的輸送壓力，通過第一導(dǎo)入部dl導(dǎo)入密閉殼體的內(nèi)部空間。另一方面，通過由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部所產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)軸50的旋轉(zhuǎn)，第一處理用構(gòu)件10旋轉(zhuǎn)。由此，使第一處理用面1與第二處理用面2在保持微小間隔的狀態(tài)下相對地旋轉(zhuǎn)。第一被處理流體在保持微小間隔的兩處理用面1、2間形成流體膜，從第二導(dǎo)入部d2導(dǎo)入的第二被處理流體在兩處理用面1、2間與該流體膜合流，同樣構(gòu)成流體膜的一部分。通過該合流，第一及第二被處理流體混合，兩流體發(fā)生反應(yīng)，并促進均勻反應(yīng)，形成其反應(yīng)生成物。由此，在伴有析出的情況下，可較均勻地形成微小粒子，即使在不伴有析出的情況下，仍可實現(xiàn)均勻的反應(yīng)。另外，析出的反應(yīng)生成物由于第一處理用面1的旋轉(zhuǎn)而在其與第二處理用面2間受到剪切，有時會被進一步微小化。在此，通過將第一處理用面1與第二處理用面2的間隔調(diào)整為1ym至lmm、特別是1ym至10ym的微小間隔，從而能夠?qū)崿F(xiàn)均勻的反應(yīng)，同時，可生成數(shù)nm單位的超微粒子。生成物從兩處理用面1、2間排出，通過殼體3的排出口33排出到殼體外部。排出后的生成物通過周知的減壓裝置在真空或減壓后的環(huán)境內(nèi)形成霧狀，在碰到環(huán)境內(nèi)的其他部分后成為流體流下，可以作為除氣后的液態(tài)物被回收。此外，在該實施方式中，處理裝置雖具有殼體，但也可以不設(shè)置這樣的殼體。例如，可以設(shè)置除氣用的減壓槽，即真空槽，并在其內(nèi)部配置處理裝置。在該情況下，在處理裝置上當(dāng)然不具有上述排出口。如上所述，可將第一處理用面1與第二處理用面2的間隔調(diào)整為機械的間隔設(shè)定不可能達(dá)到的ym單位的微小間隔，其結(jié)構(gòu)說明如下。第一處理用面1與第二處理用面2可相對地接近和分離，并且相對地旋轉(zhuǎn)。在該例中，第一處理用面l旋轉(zhuǎn)，第二處理用面2在軸方向滑動，相對于第一處理用面l接近和分離。因此，在該例中，第二處理用面2的軸方向位置通過力的平衡，即上述的接觸表面壓力與分離力的平衡，設(shè)定為ym單位的精度，從而進行處理用面1、2間的微小間隔的設(shè)定。如圖12(A)所示，作為接觸表面壓力，可以舉出以下例子在接觸表面壓力施加機構(gòu)4中，從空氣導(dǎo)入部44施加的空氣壓、即施加正壓情況下的該壓力；以及，彈簧43的推壓力。此外，在圖1315所示的實施方式中，為避免圖面的繁雜，省略了第二導(dǎo)入部d2的描繪。關(guān)于這一點，也可以看成是未設(shè)置第二導(dǎo)入部d2的位置的剖面。另外，圖中，U表示上方，S表示下方。另一方面，作為分離力，可以舉出以下例子作用在分離側(cè)的受壓面、即第二處理用面2及分離用調(diào)整面23上的流體壓力；第一處理用構(gòu)件l的旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力；以及，對空氣導(dǎo)入部44施加負(fù)壓的情況下的該負(fù)壓。再者，在對裝置進行清洗時，通過增大施加于上述空氣導(dǎo)入部44的負(fù)壓，可加大兩處理用面1、2的分離，可容易地進行清洗。并且，通過這些力的平衡，使第二處理用面2穩(wěn)定地處于相對于第一處理用面1隔開預(yù)定的微小間隔的位置，從而實現(xiàn)Pm單位精度的設(shè)定。對分離力進一步詳細(xì)地說明如下。首先，關(guān)于流體壓力，密封流路中的第二處理用構(gòu)件20承受來自于流體壓力施加機構(gòu)P的被處理流體的送入壓力，即流體壓力。此時，與流路中的第一處理用面相對的面、即第二處理用面2和分離用調(diào)整面23成為分離側(cè)的受壓面，流體壓力作用在該受壓面上，產(chǎn)生因流體壓所引起的分離力。其次，關(guān)于離心力，如果第一處理用構(gòu)件10高速旋轉(zhuǎn)，則離心力作用于流體，該離心力的一部分成為分離力，該分離力作用在兩處理用面1、2相互遠(yuǎn)離的方向上。此外，當(dāng)從上述空氣導(dǎo)入部44向第二處理用構(gòu)件20施加負(fù)壓時，該負(fù)壓作為分離力起作用。以上，在本申請發(fā)明的說明中，將使第一與第二處理用面1、2相互分離的力作為分離力進行說明，并非將上述表示的力從分離力中排除。如上所述，在密封的被處理流體的流路中，經(jīng)由處理用面1、2間的被處理流體，形成分離力與接觸表面壓力施加機構(gòu)4所賦予的接觸表面壓力達(dá)到平衡的狀態(tài)，從而，在兩處理用面1、2間實現(xiàn)均勻反應(yīng)，同時，形成適合進行微小反應(yīng)生成物的結(jié)晶或析出的流體膜。這樣，該裝置通過在兩處理用面1、2間強制地介入流體膜，可維持兩處理用面1、2之間的間隔為以往的機械的裝置中不可能實現(xiàn)的微小間隔，從而實現(xiàn)高精度地生成作為反應(yīng)生成物的微粒子。換言之，處理用面1、2間的流體膜的膜厚通過上述分離力與接觸表面壓力的調(diào)整而調(diào)整至預(yù)定的厚度，能夠?qū)崿F(xiàn)所需的均勻反應(yīng)并進行微小的生成物的生成處理。所以，在要形成小的流體膜厚度的情況下，只要調(diào)整接觸表面壓力或分離力，從而使接觸表面壓力相對于分離力增大即可，相反地，在要形成大的流體膜厚度的情況下，只要調(diào)整接觸表面壓力或分離力，從而使分離力相對于接觸表面壓力增大即可。在增加接觸表面壓力的情況下，在接觸表面壓力施加機構(gòu)4中，從空氣導(dǎo)入部44賦予空氣壓、即正壓，或者，將彈簧43變更為推壓力大的彈簧或增加其個數(shù)即可。在增加分離力的情況下，可以增加流體壓力施加機構(gòu)pl的送入壓力，或者增加第二處理用面2、分離用調(diào)整面23的面積，除此之外，還可以調(diào)整第二處理用構(gòu)件20的旋轉(zhuǎn)從而增大離心力，或者減低來自空氣導(dǎo)入部44的壓力?；蛘?，可以賦予負(fù)壓。彈簧43是作為在伸長方向產(chǎn)生推壓力的推力發(fā)條，但是，也可以是作為在收縮方向產(chǎn)生力的拉力發(fā)條，可形成接觸表面壓力施加機構(gòu)4的結(jié)構(gòu)的一部分或全部。在減小分離力的情況下，可以減少流體壓力施加機構(gòu)pl的送入壓力，或者減少第二處理用面2或分離用調(diào)整面23的面積，除此之外，還可以調(diào)整第二處理用構(gòu)件20的旋轉(zhuǎn)從而減少離心力，或者增大來自空氣導(dǎo)入部44的壓力?；蛘咭部梢再x予負(fù)壓。另外，作為接觸表面壓力以及分離力的增加減少的要素，除上述以外，還可加入粘度等被處理流體的特性，這樣的被處理流體的特性的調(diào)整也可作為上述要素的調(diào)整來進行。再者，分離力之中，作用于分離側(cè)的受壓面即第二處理用面2以及分離用調(diào)整面23上的流體壓力可理解為構(gòu)成機械密封的開啟的力。在機械密封中，第二處理用構(gòu)件20相當(dāng)于密封環(huán)，在對該第二處理用構(gòu)件20施加流體壓力的情況下，當(dāng)作用使第二處理用構(gòu)件20與第一處理用構(gòu)件IO分離的力作用時，該力為開啟力。更詳細(xì)而言，如上述的第一實施方式那樣，當(dāng)在第二處理用構(gòu)件20中僅設(shè)置分離側(cè)的受壓面、即第二處理用面2以及分離用調(diào)整面23的情況下，送入壓力的全部構(gòu)成開啟力。并且，當(dāng)在第二處理用構(gòu)件20的背面?zhèn)纫苍O(shè)置受壓面時，具體而言，在后述的圖12(B)及圖17的情況下，在送入壓力之中，作為分離力作用的力與作為接觸表面壓力作用的力的差形成開啟力。在此，使用圖12(B)對第二處理用構(gòu)件20的其他實施方式進行說明。如圖12(B)所示，在從該第二處理用構(gòu)件20的圓環(huán)收容部41露出的部位并且在內(nèi)周面?zhèn)龋O(shè)置面向第二處理用面2的相反側(cè)即上方側(cè)的接近用調(diào)整面24。即，在該實施方式中，接觸表面壓力施加機構(gòu)4由圓環(huán)收容部41、空氣導(dǎo)入部44以及上述接近用調(diào)整面24構(gòu)成。但是，接觸表面壓力施加機構(gòu)4也可以只具備上述圓環(huán)收容部41、上述發(fā)條收容部42、彈簧43、空氣導(dǎo)入部44以及上述接近用調(diào)整面24中的至少任意一個。該接近用調(diào)整面24承受施加在被處理流體上的預(yù)定的壓力，產(chǎn)生使第二處理用面2朝與第一處理用面1接近的方向移動的力，作為接近用接觸表面壓力施加機構(gòu)4的一部分，擔(dān)當(dāng)接觸表面壓力的供給側(cè)的作用。另一方面，第二處理用面2與上述的分離用調(diào)整面23承受施加在被處理流體上的預(yù)定的壓力，產(chǎn)生使第二處理用面2朝與第一處理用面1分離的方向移動的力，擔(dān)當(dāng)分離力的一部分的供給側(cè)的作用。接近用調(diào)整面24、第二處理用面2以及分離用調(diào)整面23均為承受上述被處理流體的輸送壓力的受壓面，根據(jù)其方向，實現(xiàn)產(chǎn)生上述接觸表面壓力與產(chǎn)生分離力的不同的作用。接近用調(diào)整面24的投影面積Al與合計面積A2的面積比Al/A2稱為平衡比K，對上述的開啟力的調(diào)整非常重要，其中，接近用調(diào)整面24的投影面積A1是在與處理用面的接近、分離的方向、即第二圓環(huán)20的出沒方向正交的假想平面上投影的接近用調(diào)整面24的投影面積，合計面積A2是在該假想平面上投影的第二處理用構(gòu)件20的第二處理用面2及分離側(cè)受壓面23的投影面積的合計面積。接近用調(diào)整面24的前端與分離側(cè)受壓面23的前端一同被限定在環(huán)狀的第二調(diào)整用部20的內(nèi)周面25即前端線Ll上。因此，通過決定接近用調(diào)整面24的基端線L2的位置，可進行平衡比的調(diào)整。S卩，在該實施方式中，在利用被處理用流體的送出壓力作為開啟力的情況下，通過使第二處理用面2以及分離用調(diào)整面23的合計投影面積大于接近用調(diào)整面24的投影面積，可產(chǎn)生與其面積比率相對應(yīng)的開啟力。對于上述開啟力，變更上述平衡線，即變更接近用調(diào)整面24的面積A1，由此，能夠通過被處理流體的壓力、即流體壓力進行調(diào)整?；瑒用鎸嶋H表面壓力P、即接觸表面壓力中的流體壓力所產(chǎn)生的表面壓力可用下式計算。P=P1X(K-k)+Ps式中，Pl表示被處理流體的壓力、即流體壓力，K表示上述平衡比，k表示開啟力系數(shù)，Ps表示彈簧及背壓力。通過該平衡線的調(diào)整來調(diào)整滑動面實際表面壓力P，由此使處理用面1、2間形成所希望的微小間隔量，形成被處理流體所產(chǎn)生的流體膜，使生成物變微小，進行均勻的反應(yīng)處理。通常，如果兩處理用面1、2間流體膜的厚度變小，則可使生成物更微小。相反，如果流體膜的厚度變大，處理變得粗糙，單位時間的處理量增加。所以，通過上述滑動面實際表面壓力P的調(diào)整，能夠調(diào)整兩處理用面1、2間的間隔，可以在實現(xiàn)所期望的均勻反應(yīng)的同時獲得微小的生成物。以下，稱滑動面實際表面壓力P為表面壓力P。歸納該關(guān)系，在上述生成物較粗的情況下，可以減小平衡比，減小表面壓力P，增大間隔，增大上述膜厚。相反，在上述生成物較小的情況下，可以增大平衡比，增大表面壓力P，減小上述間隔，減小上述膜厚。這樣，作為接觸表面壓力施加機構(gòu)4的一部分，形成接近用調(diào)整面24，通過其平衡線的位置，可以實施接觸表面壓力的調(diào)整，即可調(diào)整處理用面之間的間隔。在上述間隔的調(diào)整中，如上所述，還可以考慮通過改變上述彈簧43的推壓力及空氣導(dǎo)入部44的空氣壓力來進行。并且，流體壓力即被處理流體的輸送壓力的調(diào)整、及成為離心力的調(diào)整的第一處理用構(gòu)件10即第一托架11的旋轉(zhuǎn)的調(diào)整，也是重要的調(diào)整要素。如上所述，該裝置以如下方式構(gòu)成，即，對于第二處理用構(gòu)件20及相對于第二處理用構(gòu)件20旋轉(zhuǎn)的第一處理用構(gòu)件10，通過取得被處理流體的送入壓力、該旋轉(zhuǎn)離心力以及接觸表面壓力的壓力平衡，在兩處理用面上形成預(yù)定的流體膜。并且，圓環(huán)的至少一方為浮動構(gòu)造，從而吸收芯振動等的定位，排除接觸所引起的磨耗等的危險性。該圖12(B)的實施方式中，對于具備上述調(diào)整用面以外的結(jié)構(gòu)，與圖1(A)所示的實施方式一樣。另外，在圖12(B)所示的實施方式中，如圖17所示，可以不設(shè)置上述分離側(cè)受壓面23地加以實施。如圖12(B)或圖17所示的實施方式那樣，在設(shè)置接近用調(diào)整面24的情況下，通過使接近用調(diào)整面24的面積A1大于上述面積A2，從而不產(chǎn)生開啟力，相反，施加在被處理流體上的預(yù)定的壓力全部作為接觸表面壓力而起作用。也可進行這樣的設(shè)定，在該情況下，通過增大其他的分離力，可使兩處理用面1、2均衡。通過上述的面積比決定了作用在使第二處理用面2從第一處理用面1分離方向的力，該力作為從流體所受到的力的合力。上述實施方式中，如上所述，彈簧43為了對滑動面即處理用面賦予均勻的應(yīng)力，安裝個數(shù)越多越好。但是，該彈簧43也可如圖13所示那樣，采用單巻型彈簧。其為如圖所示的、中心與環(huán)狀的第二處理用構(gòu)件20同心的一個螺旋式彈簧。第二處理用構(gòu)件20與第二托架21之間以成為氣密的方式密封，該密封可采用眾所周知的機構(gòu)。如圖14所示，第二托架21中設(shè)有溫度調(diào)整用封套46，該溫度調(diào)整用封套46冷卻或加熱第二處理用構(gòu)件20，可調(diào)節(jié)其溫度。并且，圖14的3表示上述的殼體，在該殼體3中，也設(shè)有同樣目的的溫度調(diào)節(jié)用封套35。第二托架21的溫度調(diào)節(jié)用封套46是水循環(huán)用空間，該水循環(huán)用空間形成于在第二托架21內(nèi)的圓環(huán)收容部41的側(cè)面，并與連通至第二托架21外部的通道47、48相連接。16通道47、48的其中一方向溫度調(diào)整用封套46導(dǎo)入冷卻或加熱用的介質(zhì)，其中另一方排出該介質(zhì)。另外，殼體3的溫度調(diào)整用封套35是通過加熱用水或冷卻水的通道，其通過設(shè)置在覆蓋殼體3的外周的覆蓋部34而設(shè)置在殼體3的外周面與該覆蓋部34之間。在該實施方式中，第二托架21及殼體3具備上述溫度調(diào)整用封套，但是，第一托架11中也可設(shè)置這樣的封套。作為接觸表面壓力施加機構(gòu)4的一部分，除上述以外，也可設(shè)置如圖15所示的汽缸機構(gòu)7。該汽缸機構(gòu)7具有汽缸空間部70，該汽缸空間部70設(shè)置在第二托架21內(nèi)；連接部71，該連接部71連接汽缸空間部70與圓環(huán)收容部41;活塞體72，該活塞體72收容在汽缸空間部70內(nèi)且通過連接部71與第二處理用構(gòu)件20相連接；第一噴嘴73，該第一噴嘴73與汽缸空間部70的上部相連接；第二噴嘴74，該第二噴嘴74位于汽缸空間部70的下部；推壓體75，該推壓體75為介于汽缸空間部70上部與活塞體72之間的發(fā)條等?；钊w72可在汽缸空間部70內(nèi)上下滑動，通過活塞體72的該滑動，第二處理用構(gòu)件20上下滑動，從而可變更第一處理用面1與第二處理用面2之間的間隔。雖未圖示，具體而言，將壓縮機等壓力源與第一噴嘴73相連接，通過從第一噴嘴73向汽缸空間部70內(nèi)的活塞體72的上方施加空氣壓力，即正壓，使活塞體72向下方滑動，從而，第二處理用構(gòu)件20可使第一與第二處理用面1、2間的間隔變窄。另外，雖未圖示，將壓縮機等壓力源與第二噴嘴74相連接，通過從第二噴嘴74向汽缸空間部70內(nèi)的活塞體72的下方施加空氣壓力，即正壓，使活塞體72向上方滑動，從而可使第二處理用構(gòu)件20朝著放大第一與第二處理用面1、2間的間隔的方向即打開的方向移動。這樣，利用從噴嘴73、74獲得的空氣壓，可調(diào)整接觸表面壓力。即使圓環(huán)收容部41內(nèi)的第二處理用構(gòu)件20的上部與圓環(huán)收容部41的最上部之間有足夠的空間，通過與汽缸空間部70的最上部70a抵接地設(shè)定活塞體72，該汽缸空間部70的最上部70a也限定了兩處理用面1、2間的間隔的寬度的上限。即，活塞體72與汽缸空間部70的最上部70a作為抑制兩處理用面1、2分離的分離抑制部而發(fā)揮作用，換言之，作為限制兩處理用面1、2間的間隔的最大分開量的機構(gòu)發(fā)揮作用。另外，即使兩處理用面1、2彼此未抵接，通過與汽缸空間部70的最下部70b抵接地設(shè)定活塞體72，該汽缸空間部70的最下部70b限定了兩處理用面1、2間的間隔寬度的下限。即，活塞體72與汽缸空間部70的最下部70b作為抑制兩處理用面1、2接近的接近抑制部而發(fā)揮作用，更換言之，作為限制兩處理用面1、2間的間隔的最小分開量的機構(gòu)而發(fā)揮作用。這樣，一邊限定上述間隔的最大及最小的分開量，一邊可通過上述噴嘴73、74的空氣壓來調(diào)整汽缸體7與汽缸空間部70的最上部70a的間隔zl，換言之，調(diào)整汽缸體7與汽缸空間部70的最下部70b的間隔z2。噴嘴73、74可以與另一個壓力源連接，也可以通過切換或轉(zhuǎn)接連接于一個壓力源。并且，壓力源可以是供給正壓或供給負(fù)壓的任一種裝置。在真空等負(fù)壓源與噴嘴73、74相連接的情況下，形成與上述動作相反的動作。取代上述的其他接觸表面壓力施加機構(gòu)4或者作為上述的接觸表面壓力施加機構(gòu)4的一部分，設(shè)置這樣的汽缸機構(gòu)7，根據(jù)被處理流體的粘度及其特性，進行與噴嘴73、74相連接的壓力源的壓力及間隔zl、z2的設(shè)定，使流體液膜的厚度達(dá)到所期望的值，施以剪切力，實現(xiàn)均勻的反應(yīng)，可生成微小的粒子。特別是，通過這樣的汽缸機構(gòu)7，可以在清洗及蒸汽滅菌等時候進行滑動部的強制開閉，可提高清洗及滅菌的可靠性。如圖16(A)(C)所示，可以在第一處理用構(gòu)件10的第一處理用面1上形成槽狀凹部13...13，該槽狀凹部13...13從第一處理用構(gòu)件10的中心側(cè)朝向外側(cè)延伸，即在徑向上延伸。在該情況下，如圖16(A)所示，凹部13...13可作為在第一處理用面1上彎曲或螺旋狀延伸的部分來實施，如圖16(B)所示，也可以實施為各個凹部13彎曲為L字型的槽，并且，如圖16(C)所示，凹部13...13也可實施為呈直線放射狀延伸的槽。另外，如圖16(D)所示，優(yōu)選圖16(A)(C)的凹部13以成為朝向第一處理用面1的中心側(cè)逐漸加深的凹部的方式傾斜而形成。并且，槽狀的凹部13除了可以是連續(xù)的槽之外，也可是間斷的槽。通過形成這樣的凹部13，具有應(yīng)對被處理流體的排出量的增加或發(fā)熱量的減少、空蝕控制以及流體軸承等效果。在上述圖16所示的各實施方式中，凹部13雖然形成在第一處理用面1上，但也可實施為形成在第二處理用面2上，并且，也可實施為形成在第一及第二處理用面1、2雙方上。在處理用面上未設(shè)置上述凹部13或錐度的情況下，或者，在使它們偏置于處理用面的一部分的情況下，處理用面1、2的表面粗糙度對被處理流體施加的影響比形成上述凹部13的裝置大。所以，在這樣的情況下，如果要使被處理流體的粒子變小，就必須降低表面粗糙度，即形成光滑的面。特別是，在以均勻反應(yīng)為目的的情況下，對于其處理用面的表面粗糙度，在以實現(xiàn)均勻的反應(yīng)并獲得微粒子為目的的情況下，前述鏡面、即施加了鏡面加工的面有利于實現(xiàn)微小的單分散的反應(yīng)物的結(jié)晶或析出。在圖13至圖17所示的實施方式中，特別明示以外的結(jié)構(gòu)與圖1(A)或圖11(C)所示實施方式相同。另外，在上述各實施方式中，殼體內(nèi)全部密封，但是，除此以外，也可實施為，僅第一處理用構(gòu)件10及第二處理用構(gòu)件20的內(nèi)側(cè)被密封，其外側(cè)開放。即，直到通過第一處理用面1及第二處理用面2之間為止，流路被密封，被處理流體承受全部輸送壓力，但是，在通過后，流路被打開，處理后的被處理流體不承受輸送壓力。在流體壓力施加機構(gòu)pl中，作為加壓裝置，如上所述，優(yōu)選使用壓縮機實施，但是，只要能一直對被處理流體施加預(yù)定的壓力，也可使用其他的裝置實施。例如，可以通過如下裝置實施，即，利用被處理流體的自重，一直對被處理流體施加一定的壓力的裝置。概括上述各實施方式中的處理裝置，其特征為，對被處理流體施加預(yù)定的壓力，在承受該預(yù)定壓力的被處理流體所流動的被密封的流體流路中，連接第一處理用面1及第二處理用面2至少2個可接近和分離的處理用面，施加使兩處理用面1、2接近的接觸表面壓力，通過使第一處理用面1與第二處理用面2相對地旋轉(zhuǎn)，利用被處理流體產(chǎn)生機械密封中用于密封的流體膜，與機械密封相反(不是將流體膜用于密封)，使該流體膜從第一處理用面1及第二處理用面2之間漏出，在兩面1、2間成為膜的被處理流體間，實現(xiàn)反應(yīng)處理并回18收。通過上述劃時代的方法，可將兩處理用面1、2間的間隔調(diào)整為1y至lmm，尤其是可進行1lOii的調(diào)整。在上述實施方式中，裝置內(nèi)構(gòu)成被密封的流體的流路，利用在處理裝置的(第一被處理流體的)導(dǎo)入部側(cè)設(shè)置的流體壓力施加機構(gòu)P，對被處理流體加壓。另外，也可以不用這樣的流體壓力施加機構(gòu)p進行加壓，而是通過被處理流體的流路被打開的裝置來實施。圖18至圖20表示這樣的處理裝置的一個實施方式。另外，在該實施方式中，示例有作為處理裝置的、具有除氣功能的裝置，即，具有從作為處理物而生成的物質(zhì)中除去液體，最終僅確保作為目的的固體(結(jié)晶)的機能的裝置。圖18(A)為處理裝置的簡略縱剖視圖，圖18(B)是其局部放大剖視圖。圖19是備有圖18所示的處理裝置的第一處理用構(gòu)件1的俯視圖。圖20是上述處理裝置的第一及第二處理用構(gòu)件1、2的主要部分的局部縱剖視圖。該圖18至圖20中所示的裝置如上所述，在大氣壓下，投入作為處理對象的流體，即被處理流體或搬送這樣處理對象物的流體。另外，圖18(B)及圖20中，為避免圖面的繁雜，省略了第二導(dǎo)入部d2的描畫(也可看成剖面處于不設(shè)有第二導(dǎo)入部d2位置)。如圖18(A)所示，該處理裝置具備反應(yīng)裝置G及減壓泵Q。該反應(yīng)裝置G具備作為旋轉(zhuǎn)構(gòu)件的第一處理用構(gòu)件101;保持該處理用構(gòu)件101的第一托架111;作為相對于殼體被固定的構(gòu)件的第二處理用構(gòu)件102;固定該第二處理用構(gòu)件102的第二托架121;施力機構(gòu)103;動壓發(fā)生機構(gòu)104(圖19(A));使第一處理用構(gòu)件101與第一托架111一同旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動部；殼體106;供給(投入)第一被處理流體的第一導(dǎo)入部dl;向減壓泵Q排出流體的排出部108。關(guān)于驅(qū)動部省略其圖示。上述第一處理用構(gòu)件101及第二處理用構(gòu)件102分別是具有挖空圓柱中心的形狀的環(huán)狀體。兩處理用構(gòu)件101U02是分別把兩處理用構(gòu)件101U02所呈圓柱的一個底面作為處理用面110、120的構(gòu)件。上述處理用面110、120具有被鏡面研磨的平坦部。在該實施方式中，第二處理用構(gòu)件102的處理用面120是整個面都實施了鏡面研磨的平坦面。另外，雖然使第一處理用構(gòu)件101的處理用面110的整個面成為與第二處理用構(gòu)件102相同的平坦面，但是，如圖19(A)所示，在平坦面中，有多個溝槽112...112。該溝槽112...112以第一處理用構(gòu)件IOI所呈圓柱的中心為中心側(cè)，向圓柱的外周方向放射狀地延伸。有關(guān)上述第一及第二處理用構(gòu)件101、102的處理用面110、120的鏡面研磨，優(yōu)選表面粗糙度為RaO.011.0iim。更優(yōu)選該鏡面研磨達(dá)到RaO.030.3ym。有關(guān)處理用構(gòu)件101U02的材質(zhì)，采用硬質(zhì)且可以鏡面研磨的材料。有關(guān)處理用構(gòu)件101U02的該硬度，優(yōu)選為至少維式硬度1500以上。并且，優(yōu)選采用線膨脹系數(shù)小的原料或熱傳導(dǎo)高的原料。這是由于，在處理時產(chǎn)生熱量的部分與其他部分之間，如果膨脹率的差較大，就會發(fā)生變形，從而影響適當(dāng)間隔的確保。作為上述處理用構(gòu)件101U02的原料，尤其優(yōu)選采用以下物質(zhì)等SIC即碳化硅，其維式硬度為20002500;表面以DLC即類鉆碳涂層的SIC，其中類鉆碳的維式硬度為30004000;WC即碳化鎢，其維式硬度為1800;表面施加了DLC涂層的WC、ZrB2或以BTC、B4C為代表的硼系陶瓷，維式硬度為40005000。圖18所示的殼體106雖省略了底部的圖示，但是為有底的筒狀體，上方被上述第二托架121覆蓋。第二托架121在其下表面固定上述第二處理用構(gòu)件102，在其上方設(shè)有上述導(dǎo)入部dl。導(dǎo)入部dl備有料斗170，該料斗170用于從外部投入流體或被處理物。雖未圖示，上述的驅(qū)動部具備電動機等動力源以及從該動力源接受動力供給而旋轉(zhuǎn)的軸50。如圖18(A)所示，軸50配置于殼體106的內(nèi)部朝上下延伸。并且，軸50的上端部設(shè)有上述第一托架111。第一托架111是保持第一處理用構(gòu)件101的裝置，通過設(shè)置在上述軸50上，使第一處理用構(gòu)件101的處理用面110與第二處理用構(gòu)件102的處理用面120相對應(yīng)。第一托架111為圓柱狀體，在其上表面中央固定有第一處理用構(gòu)件101。第一處理用構(gòu)件101與第一托架111成為一體地被固定，相對于第一托架111不改變其位置。另一方面，在第二托架121的上表面中央形成有收容第二處理用構(gòu)件102的收容凹部124。上述收容凹部124具有環(huán)狀的橫剖面。第二處理用構(gòu)件102以與收容凹部124同心的方式收容在圓柱狀的收容凹部124內(nèi)。該收容凹部124的結(jié)構(gòu)與圖1(A)所示的實施方式相同(第一處理用構(gòu)件101對應(yīng)第一圓環(huán)IO，第一托架111對應(yīng)第一托架ll，第二處理用構(gòu)件102對應(yīng)第二圓環(huán)20，第二托架121對應(yīng)第二托架21)。并且，該第二托架121具備上述施力機構(gòu)103。優(yōu)選施力機構(gòu)103使用彈簧等彈性體。施力機構(gòu)103與圖1(A)的接觸表面壓力施加機構(gòu)4對應(yīng)，采用同樣結(jié)構(gòu)。S卩，施力機構(gòu)103推壓與第二處理用構(gòu)件102的處理用面120相反側(cè)的面、即底面，對位于第一處理用構(gòu)件101偵U、即下方的第二處理用構(gòu)件102的各位置均等地施力。另一方面，收容凹部124的內(nèi)徑大于第二處理用構(gòu)件102的外徑，由此，當(dāng)如上所述同心地配置時，在第二處理用構(gòu)件102的外周面102b與收容凹部124的內(nèi)周面之間，如圖18(B)所示那樣，設(shè)定間隔tl。同樣，在第二處理用構(gòu)件102的內(nèi)周面102a與收容凹部124的中心部分22的外周面之間，如圖18(B)所示那樣，設(shè)定間隔t2。上述間隔tl、t2分別用于吸收振動及偏心舉動，其大小以如下方式設(shè)定，S卩，大于等于能夠確保動作的尺寸并且可以形成密封。例如，在第一處理用構(gòu)件IOI的直徑為100mm至400mm的情況下，優(yōu)選該間隔tl、t2分別為0.050.3mm。第一托架111被一體地固定在軸50上，與軸50—起旋轉(zhuǎn)。另外，雖未圖示，利用制動器，第二處理用構(gòu)件102不會相對于第二托架121旋轉(zhuǎn)。但是，在兩處理用面110U20間，為了確保處理所必需的0.110微米的間隔，即如圖20(B)所示的微小間隔t，在收容凹部124的底面、即頂部以及面向第二處理用構(gòu)件102的頂部124a的面、即上面之間，設(shè)有間隔t3。對于該間隔t3，與上述間隔一起，考慮軸150振動及伸長而設(shè)定。如上所述，通過間隔tlt3的設(shè)定，第一處理用構(gòu)件101不僅在相對于第二處理用構(gòu)件102接近和分離的方向上可變，其處理用面110的中心及朝向即方向zl、z2也為可變。S卩，在該實施方式中，施力機構(gòu)103和上述間隔tlt3構(gòu)成浮動機構(gòu)，通過該浮動機構(gòu)，至少第二處理用構(gòu)件102的中心及傾斜可以在從數(shù)微米至數(shù)毫米左右的很小量的范圍內(nèi)變動。由此，吸收旋轉(zhuǎn)軸的芯振動、軸膨脹、第一處理用構(gòu)件101的面振動和振動。對第一處理用構(gòu)件IOI的研磨用面110所備有的上述溝槽112，進一步詳細(xì)地說明如下。溝槽112的后端到達(dá)第一處理用構(gòu)件101的內(nèi)周面101a，其前端朝著第一處理用構(gòu)件101的外側(cè)y即外周面?zhèn)妊由?。該溝?12如圖19(A)所示，其橫截面積從環(huán)狀的第一處理用構(gòu)件101的中心x側(cè)朝著第一處理用構(gòu)件101的外側(cè)y即外周面?zhèn)戎饾u減少。溝槽112的左右兩側(cè)面112a、112b的間隔wl從第一處理用構(gòu)件101的中心x側(cè)朝著第一處理用構(gòu)件101的外側(cè)y即外周面?zhèn)戎饾u減小。并且，溝槽112的深度w2如圖19(B)所示，從第一處理用構(gòu)件IOI的中心x側(cè)朝著第一處理用構(gòu)件lOl的外側(cè)y即外周面?zhèn)戎饾u減小。即，溝槽112的底112c從第一處理用構(gòu)件101的中心x側(cè)朝著第一處理用構(gòu)件101的外側(cè)y即外周面?zhèn)戎饾u變淺。這樣，溝槽112的寬度及深度都朝著外側(cè)y即外周面?zhèn)戎饾u減小，從而使其橫截面積朝著外側(cè)y逐漸減小。并且，溝槽112的前端即y側(cè)成為終點。即，溝槽112的前端即y側(cè)不到達(dá)第一處理用構(gòu)件101的外周面101b，在溝槽112的前端與外周面101b之間，隔著外側(cè)平坦面113。該外側(cè)平坦面113為處理用面110的一部分。在該圖19所示的實施方式中，上述溝槽112的左右兩側(cè)面112a、112b及底112c構(gòu)成流路限制部。該流路限制部、第一處理用構(gòu)件101的溝槽112周圍的平坦部以及第二處理用構(gòu)件102的平坦部構(gòu)成動壓發(fā)生機構(gòu)104。但是，也可僅對溝槽112的寬度及深度的其中任一方采用上述結(jié)構(gòu)，減小其截面積。上述的動壓發(fā)生機構(gòu)104通過在第一處理用構(gòu)件101旋轉(zhuǎn)時穿過兩處理用構(gòu)件101、102間的流體，在兩處理用構(gòu)件101、102間可確保所希望的微小間隔，在使兩處理用構(gòu)件101、102分離的方向上產(chǎn)生作用力。通過上述動壓的發(fā)生，可在兩處理用面110、120間產(chǎn)生O.110iim的微小間隔。這樣的微小間隔，雖可以根據(jù)處理的對象進行調(diào)整選擇，但是，優(yōu)選16iim，更優(yōu)選12iim。在該裝置中，通過上述微小間隔，可以實現(xiàn)以往不可能的均勻反應(yīng)，并生成微粒子。溝槽112...112能夠以如下方式實施，S卩，筆直地從中心x側(cè)朝向外側(cè)y延伸。但是，在該實施方式中，如圖19(A)所示，對于第一處理用構(gòu)件IOI的旋轉(zhuǎn)方向r，溝槽112的中心x側(cè)以比溝槽112的外側(cè)y先行的方式、即位于前方的方式彎曲，使溝槽112延伸。通過上述溝槽112...112彎曲地延伸，可更有效地通過動壓發(fā)生機構(gòu)104產(chǎn)生分離力。下面，對該裝置的動作進行說明。從料斗17投入的、通過第一導(dǎo)入部dl的第一被處理流體R通過環(huán)狀的第二處理用構(gòu)件102的中空部，受到第一處理用構(gòu)件101的旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力作用的流體進入兩處理用構(gòu)件101、102之間，在旋轉(zhuǎn)的第一處理用構(gòu)件101的處理用面110與第二處理用構(gòu)件102的處理用面120之間，進行均勻的反應(yīng)及微小粒子的生成處理，隨后，來到兩處理用構(gòu)件101U02的外側(cè)，通過排出部108排出至減壓泵Q側(cè)。以下，根據(jù)需要將第一被處理流體R僅稱為流體R。在上述中，進入到環(huán)狀第二處理用構(gòu)件102的中空部的流體R如圖20(A)所示，首先，進入旋轉(zhuǎn)的第一處理用構(gòu)件101的溝槽112。另一方面，被鏡面研磨的、作為平坦部的兩處理用面110U20即使通過空氣或氮氣等氣體也維持其氣密性。所以，即使受到旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力的作用，在該狀態(tài)下，流體也不能夠從溝槽112進入由施力機構(gòu)103壓合的兩處理用面110、120之間。但是，流體R與作為流路限制部而形成的溝槽112的上述兩側(cè)面112a、112b及底112c慢慢地碰撞，產(chǎn)生作用于使分離兩處理用面110、120分離的方向上的動壓。如圖20(B)所示，由此，流體R從溝槽112滲出到平坦面上，可確保兩處理用面110、120間的微小間隔t即間隙。另外，在上述鏡面研磨后的平坦面間，進行均勻的反應(yīng)及微小粒子的生成處理。并且，上述溝槽112的彎曲更為切實地對流體作用離心力，更有效地產(chǎn)生上述的動壓。如上所述，該處理裝置通過動壓與施力機構(gòu)103所產(chǎn)生的施力力的平衡，能夠在兩鏡面即處理用面110、120之間確保微小且均勻的間隔即間隙。而且，通過上述結(jié)構(gòu)，該微小間隔可形成為1Pm以下的超微小間隔。另外，通過采用上述浮動機構(gòu)，處理用面110U20間的定位的自動調(diào)整成為可能，對于因旋轉(zhuǎn)及發(fā)熱所引起的各部分的物理變形，能夠抑制處理用面110U20間的各個位置的間隔的偏差，可維持該各個位置的上述微小間隔。再者，在上述實施方式中，浮動機構(gòu)是僅在第二托架121上設(shè)置的機構(gòu)。除此以外，還可以取代第二托架121，在第一托架111上也設(shè)置浮動機構(gòu)，或者在第一托架111與第二托架121上都設(shè)置浮動機構(gòu)。圖21至圖23表示上述的溝槽112的其他實施方式。如圖21(A)(B)所示，溝槽112作為流路限制部的一部分，可在其前端具備平坦的壁面112d。并且，在該圖14所示的實施方式中，在底112c上，在第一壁面112d與內(nèi)周面101a之間設(shè)有臺階112e，該臺階112e也構(gòu)成流路限制部的一部分。如圖22(A)(B)所示，溝槽112可實施為，具有多個分叉的枝部112f...112f，各枝部112f通過縮小其寬度而具有流路限制部。在圖14及圖15的實施方式中，特別是對于沒有示出的結(jié)構(gòu)，與圖1(A)、圖ll(C)、圖18至圖20中所示的實施方式相同。并且，在上述各實施方式中，對于溝槽112的寬度及深度的至少其中一方，從第一處理用構(gòu)件101的內(nèi)側(cè)朝向外側(cè)，逐漸減小其尺寸，由此構(gòu)成流路限制部。此外，如圖23(A)及圖23(B)所示，通過不變化溝槽112的寬度及深度在溝槽112中設(shè)置終端面112f，該溝槽112的終端面112f也可以形成流路限制部。如圖19、圖21及圖22表示的實施方式所示，動壓產(chǎn)生以如下方式進行，即，通過溝槽112的寬度及深度如前述那樣變化，使溝槽112的底及兩側(cè)面成為傾斜面，由此，該傾斜面成為相對于流體的受壓部，產(chǎn)生動壓。另一方面，在圖23(A)(B)所示實施方式中，溝槽112的終端面成為相對于流體的受壓部，產(chǎn)生動壓。另外，在該圖23(A)(B)所示的情況下，也可同時使溝槽112的寬度及深度的至少其中一方的尺寸逐漸減小。再者，關(guān)于溝槽112的結(jié)構(gòu)，并不限定于上述圖19、圖21至圖23所示的結(jié)構(gòu)，也可實施為具有其他形狀的流路限制部的結(jié)構(gòu)。22例如，在圖19、圖21至圖23所示結(jié)構(gòu)中，溝槽112并不穿透到第一處理用構(gòu)件101的外側(cè)。即，在第一處理用構(gòu)件101的外周面與溝槽112之間，存在外側(cè)平坦面113。但是，并不限定于上述實施方式，只要能產(chǎn)生上述的動壓，溝槽112也可到達(dá)第一處理用構(gòu)件101的外周面?zhèn)?。例如，在圖23(B)所示的第一處理用構(gòu)件101的情況下，如虛線所示，可實施為，使剖面面積小于溝槽112的其他部位的部分形成于外側(cè)平坦面113上。另外，如上所述，以從內(nèi)側(cè)向外側(cè)逐漸減小截面積的方式形成溝槽112，使溝槽112的到達(dá)第一處理用構(gòu)件101外周的部分(終端)形成最小截面積即可(未圖示)。但是，為有效地產(chǎn)生動壓，如圖19、圖21至圖23所示，優(yōu)選溝槽112不穿透第一處理用構(gòu)件101的外周面?zhèn)?。在此，對上述圖18至圖23所示的各種實施方式進行總結(jié)。該處理裝置使具有平坦處理用面的旋轉(zhuǎn)構(gòu)件與同樣具有平坦處理用面的固定構(gòu)件的平坦處理用面同心地相對，在旋轉(zhuǎn)構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)下，一邊從固定構(gòu)件各自的開口部供給被反應(yīng)原料，一邊從兩構(gòu)件的相對的平面處理用面之間進行反應(yīng)處理，在該處理裝置中，不是機械地調(diào)整間隔，而是在旋轉(zhuǎn)構(gòu)件中設(shè)置增壓機構(gòu)，能夠通過其產(chǎn)生的壓力來保持間隔，并且形成機械的間隔調(diào)整所不可能達(dá)到的16iim的微小間隔，使生成粒子的微小化能力及反應(yīng)的均勻化能力得到顯著提高。S卩，在該處理裝置中，旋轉(zhuǎn)構(gòu)件與固定構(gòu)件在其外周部具有平坦處理用面，該平坦處理用面具有面上的密封機能，能夠提供高速旋轉(zhuǎn)式處理裝置，該高速旋轉(zhuǎn)式處理裝置產(chǎn)生流體靜力學(xué)的力即流體靜力、流體動力學(xué)的力即流體動力、或者空氣靜力學(xué)_空氣動力學(xué)的力。上述的力使上述密封面之間產(chǎn)生微小的間隔，并可提供具有如下功能的反應(yīng)處理裝置，即，非接觸、機械安全、高度微小化及反應(yīng)均勻化。能形成該微小間隔的要因，一個是旋轉(zhuǎn)構(gòu)件的轉(zhuǎn)速，另一個是被處理物(流體)的投入側(cè)與排出側(cè)的壓力差。在投入側(cè)設(shè)置壓力施加機構(gòu)的情況下，在投入側(cè)未設(shè)置壓力施加機構(gòu)的情況即在大氣壓下投入被處理物(流體)的情況下，由于無壓力差，必須只依靠旋轉(zhuǎn)構(gòu)件的轉(zhuǎn)速來產(chǎn)生密封面間的分離。這就是為人熟知的流體動力學(xué)的力或空氣動力學(xué)的力。在圖18(A)所示的裝置中，雖表示為將減壓泵Q連接在上述反應(yīng)裝置G的排出部，但也可如前面所述那樣實施為，不設(shè)置殼體106，且不設(shè)置減壓泵Q，而是如圖24(A)所示，將處理裝置作為減壓用的容器T，在該容器T中配設(shè)反應(yīng)裝置G。在該情況下，通過使容器T內(nèi)減壓至真空或接近真空的狀態(tài)，反應(yīng)裝置G中生成的被處理物成霧狀地噴射到容器T內(nèi)，通過回收碰到容器T的內(nèi)壁而流下的被處理物，或，回收相對于上述流下的被處理物作為氣體(蒸汽)被分離的、充滿容器T上部的物質(zhì)，可獲得處理后的目的物。另外，在使用減壓泵Q的情況下，如圖24(B)所示，處理裝置G經(jīng)由減壓泵Q連接氣密的容器T，在該容器T內(nèi)，處理后的被處理物形成霧狀，可進行目的物的分離或抽出。此外，如圖24(C)所示，減壓泵Q直接連接于處理裝置G，在該容器T內(nèi)，連接減壓泵Q以及與減壓泵Q分開的流體R的排出部，可進行目的物的分離。在該情況下，對于氣化部，液體R(液狀部)被減壓泵Q吸引聚集，通過排出部排出，從而不從汽化部排出。在上述各實施方式中，示出了如下裝置，S卩，將第一及第二兩種被處理流體分別從第二托架21、121及第二圓環(huán)20、102導(dǎo)入，使之混合并反應(yīng)的裝置。下面，對被處理流體向裝置導(dǎo)入的其他實施方式按順序進行說明。如圖1(B)所示，可實施為，在圖1(A)所示的處理裝置中，設(shè)置第三導(dǎo)入部d3，將第三被處理流體導(dǎo)入兩處理用面1、2之間，使其與第二被處理流體同樣地與第一被處理流體混合并反應(yīng)。第三導(dǎo)入部d3向處理用面1、2供給與第一被處理流體混合的第三流體。在該實施方式中，第三導(dǎo)入部d3是設(shè)在第二圓環(huán)20內(nèi)部的流體通道，其一端在第二處理用面2上開口，其另一端連接第三流體供給部P3。在第三流體供給部p3中，可采用壓縮機、其他的泵。第三導(dǎo)入部d3在第二處理用面2上的開口部與第二導(dǎo)入部d2的開口部相比位于第一處理用面1的旋轉(zhuǎn)中心的外側(cè)。即，在第二處理用面2上，第三導(dǎo)入部d3的開口部較第二導(dǎo)入部d2的開口部位于下游側(cè)。在第三導(dǎo)入部d3的開口部與第二導(dǎo)入部d2的開口之間，在第二圓環(huán)20的直徑的內(nèi)外方向上隔開間隔。該圖1(B)所示的裝置中，第三導(dǎo)入部d3以外的構(gòu)成與圖1(A)所示的實施方式相同。并且，在該圖1(B)及下面說明的圖1(C)、圖1(D)、圖2圖11中，為避免圖面的繁雜，省略了殼體3。并且，在圖9(B)(C)、圖10、圖11(A)(B)中，描繪了殼體3的一部分。另外，如圖1(C)所示，可實施為，在圖1(B)所示處理裝置中，設(shè)置第四導(dǎo)入部d4，將第四被處理流體導(dǎo)入兩處理用面1、2之間，使其與第二及第三被處理流體同樣地與第一被處理流體混合并反應(yīng)。第四導(dǎo)入部d4向處理用面1、2供給與第一被處理流體混合的第四流體。在該實施方式中，第四導(dǎo)入部d4是設(shè)在第二圓環(huán)20內(nèi)部的流體通道，其一端在第二處理用面2上開口，其另一端連接第四流體供給部p4。在第四流體供給部p4中，可采用壓縮機、其他的泵。第四導(dǎo)入部d4在第二處理用面2上的開口部較第三導(dǎo)入部d3開口部位于第一處理用面l的旋轉(zhuǎn)中心的外側(cè)。即，在第二處理用面2上，第四導(dǎo)入部d4的開口部較第三導(dǎo)入部d3的開口部位于下游側(cè)。對于圖1(C)所示裝置的第四導(dǎo)入部d4以外的結(jié)構(gòu)，與圖1(B)所示的實施方式相同。并且，雖未圖示，也可實施為，另外設(shè)置第五導(dǎo)入部、第六導(dǎo)入部等五個以上的導(dǎo)入部，分別使五種以上的被處理流體混合并反應(yīng)。另外，如圖1(D)所示，可實施為，在圖1(A)的裝置中，將設(shè)置在第二托架21上的第一導(dǎo)入部dl與第二導(dǎo)入部d2同樣地設(shè)置在第二處理用面2上，以取代將其設(shè)置在第二托架21上。在該情況下，在第二處理用面2上，第一導(dǎo)入部dl的開口部也較第二導(dǎo)入部d2位于旋轉(zhuǎn)的中心側(cè)即上游側(cè)。在上述圖1(D)所示的裝置中，第二導(dǎo)入部d2的開口部與第三導(dǎo)入部d3的開口部一起配置在第二圓環(huán)20的第二處理用面2上。但是，導(dǎo)入部的開口部并不限于上述相對于處理用面進行的配置。特別是，可實施為，如圖2(A)所示，將第二導(dǎo)入部d2的開口部設(shè)置在第二圓環(huán)20的內(nèi)周面的、與第二處理用面鄰接的位置。在該圖2(A)所示的裝置中，第三導(dǎo)入部d3的開口部雖與圖1(B)所示裝置同樣地配置在第二處理用面2上，但是，也可通過將第二導(dǎo)入部d2的開口部配置在上述第二處理用面2的內(nèi)側(cè)，即與第二處理用面2鄰接的位置，從而將第二被處理流體直接導(dǎo)入到處理用面上。如上所述，通過將第一導(dǎo)入部dl的開口部設(shè)置在第二托架21上，將第二導(dǎo)入部d2的開口部配置在第二處理用面2的內(nèi)側(cè)，即與第二處理用面2鄰接的位置(在該情況下，設(shè)置上述第三導(dǎo)入部d3不是必須的)，從而，特別是在使多個被處理流體反應(yīng)的情況下，能夠?qū)牡谝粚?dǎo)入部dl導(dǎo)入的被處理流體與從第二導(dǎo)入部d2導(dǎo)入的被處理流體在不反應(yīng)的狀態(tài)下導(dǎo)入兩處理用面1、2之間，并且可使兩者在兩處理用面1、2間初次發(fā)生反應(yīng)。因此，上述結(jié)構(gòu)特別適合于使用反應(yīng)性高的被處理流體的情況。再者，上述的"鄰接"并不僅限于以下情況，S卩，將第二導(dǎo)入部d2的開口部如圖2(A)所示地以與第二圓環(huán)20的內(nèi)側(cè)側(cè)面接觸的方式設(shè)置。從第二圓環(huán)20至第二導(dǎo)入部d2的開口部為止的距離為以下程度即可，即，在多個的被處理流體被導(dǎo)入兩處理用面1、2之間以往，不被完全混合或反應(yīng)的程度，例如，也可以設(shè)置在接近第二托架21的第二圓環(huán)20的位置。并且，也可以將第二導(dǎo)入部d2的開口部設(shè)置在第一圓環(huán)10或第一托架11側(cè)。另外，在上述的圖1(B)所示的裝置中，在第三導(dǎo)入部d3的開口部與第二導(dǎo)入部d2的開口之間，在第二圓環(huán)20的直徑的內(nèi)外方向隔開間隔，但也可實施為，如圖2(A)所示，不設(shè)置上述間隔，將第二及第三被處理流體導(dǎo)入兩處理用面1、2間，立刻使兩流體合流。根據(jù)處理的對象選擇上述圖2(A)所示裝置即可。另外，在上述的圖1(D)所示的裝置中，第一導(dǎo)入部dl的開口部與第二導(dǎo)入部d2的開口之間，在第二圓環(huán)20直徑的內(nèi)外方向隔開了間隔，但也可實施為，不設(shè)置該間隔，而將第一及第二被處理流體導(dǎo)入兩處理用面1、2間，立刻使兩流體合流。根據(jù)處理的對象選擇這樣的開口部的配置即可。在上述的圖1(B)及圖1(C)所示實施方式中，在第二處理用面2上，將第三導(dǎo)入部d3的開口部配置在第二導(dǎo)入部d2的開口部的下游側(cè)，換言之，在第二圓環(huán)20的直徑的內(nèi)外方向上，配置在第二導(dǎo)入部d2的開口部的外側(cè)。此外，如圖2(C)及圖3(A)所示，可實施為，在第二處理用面2上，將第三導(dǎo)入部d3的開口部配置于在第二圓環(huán)20的周方向r0上與第二導(dǎo)入部d2開口部不同的位置。在圖3中，ml表示第一導(dǎo)入部dl的開口部即第一開口部，m2表示第二導(dǎo)入部d2的開口部即第二開口部，m3表示第三導(dǎo)入部d3的開口部(第三開口部)，rl為圓環(huán)直徑的內(nèi)外方向。并且，第一導(dǎo)入部dl設(shè)置在第二圓環(huán)上的情況也可實施為，如圖2(D)所示，在第二處理用面2上，將第一導(dǎo)入部dl的開口部配置于在第二圓環(huán)20的周方向與第二導(dǎo)入部d2的開口部不同的位置。在上述圖2(B)所示的裝置中，在第二圓環(huán)20的處理用面2上，兩個導(dǎo)入部的開口部被配置在周方向r0的不同位置，但是，也可實施為，如圖3(B)所示，在圓環(huán)的周方向r0的不同位置配置3個導(dǎo)入部的開口部，或如圖3(C)所示，在圓環(huán)的周方向rO的不同位置配置4個導(dǎo)入部的開口部。另外，在圖3(B)(C)中，m4表示第四導(dǎo)入部的開口部，在圖3(C)中，m5表示第五導(dǎo)入部的開口部。并且，雖未圖示，也可實施為，在圓環(huán)的周方向rO的不同位置配置五個以上的導(dǎo)入部的開口部。在上述圖2(B)(D)以及圖3(A)(C)所示的裝置中，第二導(dǎo)入部至第五導(dǎo)入部分別可導(dǎo)入不同的被處理流體，即第二、第三、第四、第五被處理流體。另一方面，可實施為，從第二第五的開口部m2m5，將全部同類的、即第二被處理流體導(dǎo)入處理用面之間。雖未圖示，在該情況下，可實施為，第二導(dǎo)入部至第五導(dǎo)入部在圓環(huán)內(nèi)部連通，并連接到一個流體供給部，即第二流體供給部P2。另外，可以通過組合以下裝置來實施，S卩，在圓環(huán)的周方向rO的不同位置設(shè)置多個導(dǎo)入部的開口部的裝置，以及，在圓環(huán)直徑方向即直徑的內(nèi)外方向rl的不同位置設(shè)置多個導(dǎo)入部的開口部的裝置。例如，如圖3(D)所示，在第二處理用面2上設(shè)有八個導(dǎo)入部的開口部m2m9，其中的四個m2m5設(shè)置在圓環(huán)的周方向r0的不同位置并且設(shè)置在直徑方向rl上的相同位置，其他四個m5m8設(shè)置在圓環(huán)的周方向r0的不同位置并且設(shè)置在直徑方向rl上的相同位置。并且，該其他的開口部m5m8在直徑方向r上配置在上述四個開口部m2m5的直徑方向的外側(cè)。并且，該外側(cè)的開口部雖可分別設(shè)置于在圓環(huán)的圓周方向rO上與內(nèi)側(cè)的開口部相同的位置，但是，考慮圓環(huán)的旋轉(zhuǎn)，也可實施為，如圖3(D)所示，設(shè)置在圓環(huán)的周方向rO的不同位置。另外，在該情況下，開口部可為圖3(D)所示的配置及數(shù)量。例如，如圖3(E)所示，也可將徑方向外側(cè)的開口部配置在多邊形的頂點位置，即該情況下的四邊形的頂點位置，將徑方向內(nèi)側(cè)的開口部配置在該多邊形的邊上。當(dāng)然，也可采用其他的配置。另外，在第一開口部ml以外的開口部都將第二被處理流體導(dǎo)入處理用面之間的情況下，可以實施為，各導(dǎo)入第二被處理流體的該開口部不是在處理用面的周方向r0上散布，而是如圖3(F)所示，在周方向r0上形成連續(xù)的開口部。再者，根據(jù)處理的對象，如圖4(A)所示，可實施為，在圖1(A)所示的裝置中，將設(shè)置在第二圓環(huán)20上的第二導(dǎo)入部d2與第一導(dǎo)入部dl同樣地設(shè)置在第二托架21的中央部分22。在該情況下，相對于位于第二圓環(huán)20的中心的第一導(dǎo)入部dl的開口部，第二導(dǎo)入部d2的開口部位于其外側(cè)，并隔開間隔。并且，如圖4(B)所示，可實施為，在圖4(A)所示的裝置中，將第三導(dǎo)入部d3設(shè)置于第二圓環(huán)20。如圖4(C)所示，可實施為，在圖3(A)所示的裝置中，第一導(dǎo)入部dl的開口部與第二導(dǎo)入部d2的開口部之間不設(shè)置間隔，將第二及第三被處理流體導(dǎo)入第二圓環(huán)20內(nèi)側(cè)的空間后，立即使兩流體合流。另外，根據(jù)處理的對象，可實施為，如圖4(D)所示，在圖3(A)所示的裝置中，和第二導(dǎo)入部d2相同，第三導(dǎo)入部d3也設(shè)置在第二托架21上。雖未圖示，但是，也可實施為，在第二托架21上設(shè)置四個以上的導(dǎo)入部。并且，根據(jù)處理的對象，如圖5(A)所示，可實施為，在圖4(D)所示的裝置中，在第二圓環(huán)20上設(shè)置第四導(dǎo)入部d4，將第四被處理流體導(dǎo)入兩處理用面1、2之間。如圖5(B)所示，可實施為，在圖1(A)所示的裝置中，將第二導(dǎo)入部d2設(shè)置于第一圓環(huán)IO，在第一處理用面1上備有第二導(dǎo)入部d2的開口部。如圖5(C)所示，可實施為，在圖5(B)所示的裝置中，第一圓環(huán)10上設(shè)有第三導(dǎo)入部d3，在第一處理用面1上，第三導(dǎo)入部d3的開口部配置在與第二導(dǎo)入部d2的開口部在第一圓環(huán)10的周方向上不同的位置。如圖5(D)所示，可實施為，在圖5(B)所示的裝置中，取代在第二托架21上設(shè)置第一導(dǎo)入部dl，在第二圓環(huán)20上設(shè)置第一導(dǎo)入部dl，在第二處理用面2上配置第一導(dǎo)入部dl的開口部。在該情況下，第一及第二導(dǎo)入部dl、d2的兩開口部在圓環(huán)直徑的內(nèi)外方向上配26置在相同位置。另外，如圖6(A)所示，也可實施為，在圖1(A)所示的裝置中，第三導(dǎo)入部d3設(shè)置于第一圓環(huán)IO，第三導(dǎo)入部d3的開口部設(shè)置在第一處理用面1上。在該情況下，第二及第三導(dǎo)入部d2、d3的兩開口部在圓環(huán)直徑的內(nèi)外方向上配置在相同位置。但是，也可以將上述兩開口部在圓環(huán)的直徑的內(nèi)外方向上配置于不同的位置。圖5(C)所示的裝置中，雖然在第一圓環(huán)10的直徑的內(nèi)外方向上設(shè)置在相同的位置，同時在第一圓環(huán)IO的周方向即旋轉(zhuǎn)方向上設(shè)置在不同的位置，但是，也可實施為，在該裝置中，如圖6(B)所示，將第二及第三導(dǎo)入部d2、d3的兩開口部在第一圓環(huán)10的直徑的內(nèi)外方向上設(shè)置在不同的位置。在該情況下，可實施為，如圖6(B)所示，在第二及第三導(dǎo)入部d2、d3的兩開口部之間，在第一圓環(huán)10的直徑的內(nèi)外方向上預(yù)先隔開間隔，另夕卜，雖未圖示，也可實施為，不隔開該間隔，立即使第二被處理流體與第三被處理流體合流。另外，可實施為，如圖6(C)所示，取代在第二托架21上設(shè)置第一導(dǎo)入部dl，而是與第二導(dǎo)入部d2—起，將第一導(dǎo)入部dl設(shè)置在第一圓環(huán)10上。在該情況下，在第一處理用面1中，第一導(dǎo)入部dl的開口部設(shè)置在第二導(dǎo)入部d2的開口部的上游側(cè)(第一圓環(huán)11的直徑的內(nèi)外方向的內(nèi)側(cè))。在第一導(dǎo)入部dl的開口部與第二導(dǎo)入部d2的開口部之間，在第一圓環(huán)11的直徑的內(nèi)外方向上預(yù)先隔開間隔。但是，雖未圖示，也可不隔開該間隔地實施。另外，可實施為，如圖6(D)所示，在圖6(C)所示裝置的第一處理用面1中，在第一圓環(huán)10的周方向的不同位置，分別配置第一導(dǎo)入部dl及第二導(dǎo)入部d2的開口部。另外，雖未圖示，在圖6(C)(D)所示的實施方式中，可實施為，在第一圓環(huán)10上設(shè)置3個以上的導(dǎo)入部，在第二處理用面2上的周方向的不同位置，或者，在圓環(huán)直徑的內(nèi)外方向的不同位置，配置各開口部。例如，也可在第一處理用面1中采用第二處理用面2中所采用的圖3(B)圖3(F)所示開口部的配置。如圖7(A)所示，可實施為，在圖1(A)所示的裝置中，取代在第二圓環(huán)20上設(shè)置第二導(dǎo)入部d2，在第一托架11上設(shè)置第二導(dǎo)入部。在該情況下，在被第一托架11上面的第一圓環(huán)IO所包圍的部位中，優(yōu)選在第一圓環(huán)10的旋轉(zhuǎn)的中心軸的中心配置第二導(dǎo)入部d2的開口部。如圖7(B)所示，在圖7(A)所示的實施方式中，可將第三導(dǎo)入部d3設(shè)置于第二圓環(huán)20，將第三導(dǎo)入部d3的開口部配置在第二處理用面2上。另外，如圖7(C)所示，可實施為，取代在第二托架21上設(shè)置第一導(dǎo)入部dl，在第一托架11上設(shè)置第一導(dǎo)入部dl。在該情況下，在被第一托架11上面的第一圓環(huán)10所包圍的部位中，優(yōu)選在第一圓環(huán)10的旋轉(zhuǎn)的中心軸上配置第一導(dǎo)入部dl的開口部。另外，在該情況下，如圖所示，可將第二導(dǎo)入部d2設(shè)置于第一圓環(huán)10，將其開口部配置在第一處理用面1上。另外，雖未圖示，在該情況下，可將第二導(dǎo)入部d2設(shè)置于第二圓環(huán)20，在第二處理用面2上配置其開口部。并且，如圖7(D)所示，可實施為，將圖7(C)所示的第二導(dǎo)入部d2與第一導(dǎo)入部dl一起設(shè)置在第一托架11上。在該情況下，在被第一托架11上面的第一圓環(huán)io所包圍的部位中，配置第二導(dǎo)入部d2的開口部。另外，在該情況下，在圖7(C)中，也可把第二圓環(huán)20上設(shè)置的第二導(dǎo)入部d2作為第三導(dǎo)入部d3。在上述圖1圖7所示的各實施方式中，第一托架11及第一圓環(huán)10相對于第二托架21及第二圓環(huán)20旋轉(zhuǎn)。此外，如圖8(A)所示，可實施為，在圖1(A)所示的裝置中，在第二托架2上設(shè)置接受來自旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部的旋轉(zhuǎn)力而旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸51，使第二托架21在與第一托架11相反的方向上旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部也可以與使第一托架11的旋轉(zhuǎn)軸50旋轉(zhuǎn)的裝置分開設(shè)置，或者作為如下裝置實施，即，該裝置通過齒輪等動力傳遞機構(gòu)，從使第一托架11的旋轉(zhuǎn)軸50旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動部接受動力。在該情況下，第二托架2與上述殼體分體地形成，并與第一托架11同樣地可旋轉(zhuǎn)地收容在該殼體內(nèi)。并且，如圖8(B)所示，可實施為，在圖8(A)所示的裝置中，與圖7(B)的裝置同樣，在第一托架11上設(shè)置第二導(dǎo)入部d2，以取代在第二圓環(huán)20上設(shè)置第二導(dǎo)入部d2。另外，雖未圖示，也可實施為，圖8(B)所示的裝置中，在第二托架21上設(shè)置第二導(dǎo)入部d2，以取代在第一托架11上設(shè)置第二導(dǎo)入部d2。在該情況下，第二導(dǎo)入部d2與圖7(A)的裝置相同。如圖8(C)所示，也可實施為，在圖8(B)所示的裝置中，在第二圓環(huán)20上設(shè)置第三導(dǎo)入部d3，將該導(dǎo)入部d3的開口部設(shè)置在第二處理用面2上。并且，如圖8(D)所示，也可實施為，不使第一托架11旋轉(zhuǎn)，僅旋轉(zhuǎn)第二托架21。雖未圖示，也可實施為，在圖1(B)圖7所示的裝置中，第二托架21與第一托架11都旋轉(zhuǎn)，或僅第二托架21單獨旋轉(zhuǎn)。如圖9(A)所示，第二處理用構(gòu)件20為圓環(huán)，第一處理用構(gòu)件10不是圓環(huán)，而是與其他的實施方式的第一托架11同樣的、直接具有旋轉(zhuǎn)軸50并旋轉(zhuǎn)的構(gòu)件。在該情況下，將第一處理用構(gòu)件IO的上表面作為第一處理用面l，該處理用面不是環(huán)狀，即不具備中空部分，形成一樣的平坦面。并且，在圖9(A)所示的裝置中，與圖1(A)的裝置同樣，第二圓環(huán)20上設(shè)有第二導(dǎo)入部d2，其開口部配置在第二處理用面2上。如圖9(B)所示，可實施為，在圖9(A)所示的裝置中，第二托架21與殼體3獨立，在殼體3與該第二托架21之間，設(shè)置接觸表面壓力施加機構(gòu)4，該接觸表面壓力施加機構(gòu)4是使第二托架21向設(shè)有第二圓環(huán)20的第一處理用構(gòu)件10接近和分離的彈性體等。在該情況下，如圖9(C)所示，第二處理用構(gòu)件20不形成圓環(huán)，作為相當(dāng)于上述第二托架21的構(gòu)件，可將該構(gòu)件的下表面作為第二處理用面2。并且，如圖10(A)所示，可實施為，在圖9(C)所示的裝置中，第一處理用構(gòu)件10也不形成圓環(huán)，與圖9(A)(B)所示裝置一樣，在其他的實施方式中，將相當(dāng)于第一托架11的部位作為第一處理用構(gòu)件IO，將其上表面作為第一處理用面1。在上述各實施方式中，至少第一被處理流體是從第一處理用構(gòu)件10與第二處理用構(gòu)件20即第一圓環(huán)10與第二圓環(huán)20的中心部供給的，通過利用其他的被處理流體所進行的處理，即混合及反應(yīng)后，被排出至其直徑的內(nèi)外方向的外側(cè)。此外，如圖10(B)所示，也可實施為，從第一圓環(huán)10及第二圓環(huán)20的外側(cè)朝向內(nèi)側(cè)供給第一被處理流體。在該情況下，如圖所示，以殼體3密封第一托架11及第二托架21的外側(cè)，將第一導(dǎo)入部dl直接設(shè)置于該殼體3，在殼體的內(nèi)側(cè)，該導(dǎo)入部的開口部配置在與兩圓環(huán)10、20的對接位置相對應(yīng)的部位。并且，圖1(A)的裝置中，在設(shè)有第一導(dǎo)入部dl的位置，即成為第一托架11的圓環(huán)1的中心的位置，設(shè)有排出部36。另外，夾著托架的旋轉(zhuǎn)的中心軸，在殼體的該開口部的相反側(cè)配置第二導(dǎo)入部d2的開口部。但是，第二導(dǎo)入部d2的開口部與第一導(dǎo)入部dl的開口部相同，只要是在殼體的內(nèi)側(cè)并且配置在與兩圓環(huán)10、20的對接位置相對應(yīng)的部位即可，而不限定為上述那樣的形成在第一導(dǎo)入部dl的開口部的相反側(cè)。預(yù)先設(shè)置處理后的生成物的排出部36。在該情況下，兩圓環(huán)10、20的直徑的外側(cè)成為上游側(cè)，兩圓環(huán)10、20的內(nèi)側(cè)成為下游側(cè)。如圖10(C)所示，可實施為，在圖10(B)所示的裝置中，改變設(shè)置于殼體3的側(cè)部的第二導(dǎo)入部d2的位置，將其設(shè)置于第一圓環(huán)ll，并將其開口部配置在第一處理用面1上。在該情況下，如圖10(D)所示，可實施為，第一處理用構(gòu)件10不形成圓環(huán)，與圖9(B)、圖9(C)及圖10(A)所示裝置相同，在其他的實施方式中，將相當(dāng)于第一托架11的部位作為第一處理用構(gòu)件10，將其上表面作為第一處理用面1，并且，將第二導(dǎo)入部d2設(shè)置于該第一處理用構(gòu)件10內(nèi)，將其開口部設(shè)置在第一處理用面1上。如圖11(A)所示，可實施為，在圖10(D)所示的裝置中，第二處理用構(gòu)件20不形成圓環(huán)，在其他的實施方式中，將相當(dāng)于第二托架21的構(gòu)件作為第二處理用構(gòu)件20，將其下表面作為第二處理用面2。而且，可以實施為，將第二處理用構(gòu)件20作為與殼體3獨立的構(gòu)件，在殼體3與第二處理用構(gòu)件20之間，與圖9(C)(D)以及圖10(A)所示裝置相同，設(shè)有接觸表面壓力施加機構(gòu)4。另外，如圖11(B)所示，也可實施為，將圖11(A)所示裝置的第二導(dǎo)入部d2作為第三導(dǎo)入部d3，另外設(shè)置第二導(dǎo)入部d2。在該情況下，在第二處理用面2中，將第二導(dǎo)入部d2的開口部相比第三導(dǎo)入部d3的開口部配置在上游側(cè)。上述圖4所示的各裝置、圖5(A)、圖7(A)(B)(D)、圖8(B)(C)所示裝置是其他被處理流體在到達(dá)處理用面1、2間之前與第一被處理流體合流的裝置，不適合結(jié)晶及析出的反應(yīng)快速的物質(zhì)。但是，對于反應(yīng)速度慢的物質(zhì)則可采用這樣的裝置。關(guān)于適合本申請所涉及的方法發(fā)明的實施的處理裝置，歸納如下。如上所述，該處理裝置具有流體壓力施加機構(gòu)，該流體壓力施加機構(gòu)對被處理流體施加預(yù)定壓力；第一處理用構(gòu)件10和第二處理用構(gòu)件20至少2個處理用構(gòu)件，該第一處理用構(gòu)件10設(shè)置在該預(yù)定壓力的被處理流體流動的被密封的流體流路中，該第二處理用構(gòu)件20相對于第一處理部10能夠相對地接近和分離；該第一處理用面1及第二處理用面2至少2個處理用面，第一處理用面1及第二處理用面2至少2個處理用面在上述處理用構(gòu)件10、20中設(shè)置在相互面對的位置；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)，該旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)使第一處理用構(gòu)件10與第二處理用構(gòu)件20相對地旋轉(zhuǎn)；在兩處理用面1、2間，進行至少2種被處理流體的混合及反應(yīng)的處理。在第一處理用構(gòu)件10和第二處理用構(gòu)件20中，至少第二處理用構(gòu)件20具有受壓面，并且該受壓面的至少一部分由第二處理用面2構(gòu)成，受壓面承受流體壓力施加機構(gòu)賦予被處理流體的至少一方的壓力，在第二處理用面2從第一處理用面1分離的方向上，產(chǎn)生使其移動的力。而且，在該裝置中，在可接近和分離且相對地旋轉(zhuǎn)的第一處理用面1與第二處理用面2之間，流過受上述壓力作用的被處理流體，由此，各被處理流體一邊形成預(yù)定膜厚的流體膜一邊通過兩處理用面1、2之間，從而，在該被處理流體間產(chǎn)生所希望的反應(yīng)。另外，在該處理裝置中，優(yōu)選采用具備緩沖機構(gòu)的裝置，該緩沖機構(gòu)調(diào)整第一處理用面1及第二處理用面2的至少一方的微振動或定位。另外，在該處理裝置中，優(yōu)選采用具備位移調(diào)整機構(gòu)的結(jié)構(gòu)，該位移調(diào)整機構(gòu)調(diào)整第一處理用面1及第二處理用面2的一方或雙方的、由磨耗等導(dǎo)致的軸方向的位移，可維持兩處理用面1、2間的流體膜的膜厚。并且，在該處理裝置中，作為上述的流體壓力施加機構(gòu)，可采用對被處理流體施加一定的送入壓力的壓縮機等加壓裝置。而且，上述加壓裝置采用能進行送入壓力的增減的調(diào)整的裝置。該加壓裝置需能將設(shè)定的壓力保持一定，但是，作為調(diào)整處理用面之間的間隔的參數(shù)，也有必要能進行調(diào)整。另外，在該處理裝置中，可以采用具有分離抑制部的結(jié)構(gòu)，該分離抑制部規(guī)定上述第一處理用面1與第二處理用面2之間的最大間隔，抑制最大間隔以上的兩處理用面1、2分離。此外，在該處理裝置中，可以采用具有接近抑制部的結(jié)構(gòu)，接近抑制部規(guī)定上述第一處理用面1與第二處理用面2之間的最小間隔，抑制最小間隔以下的兩處理用面1、2的接近。并且，在該處理裝置中，可以采用以下結(jié)構(gòu)，S卩，第一處理用面1與第二處理用面2雙方朝著相互相反的方向旋轉(zhuǎn)。另外，在該處理裝置中，可以采用具有溫度調(diào)整用的封套的結(jié)構(gòu)，該溫度調(diào)整用的封套調(diào)整上述第一處理用面1與第二處理用面2的一方或雙方的溫度。此外，在該處理裝置中，優(yōu)選采用以下結(jié)構(gòu)，S卩，上述第一處理用面1與第二處理用面2的一方或雙方的至少一部分進行了鏡面加工。在該處理裝置中，可以采用以下結(jié)構(gòu)，S卩，上述第一處理用面1與第二處理用面2的一方或雙方具有凹部。并且，在該處理裝置中，優(yōu)選采用以下結(jié)構(gòu)，S卩，作為使一方的被處理流體反應(yīng)的另一方的被處理流體的供給手段，具有與一方的被處理流體的通道獨立的另外的導(dǎo)入路，在上述第一處理用面1與第二處理用面2的至少任意一方上，具有與上述另外的導(dǎo)入路相通的開口部，可以將從該另外的導(dǎo)入路送來的另一方的被處理流體導(dǎo)入上述一方的被處理流體。另外，實施本申請發(fā)明的處理裝置具有流體壓力施加機構(gòu)，該流體壓力施加機構(gòu)對被處理流體施加預(yù)定的壓力；第一處理用面1及第二處理用面2至少兩個可相對的接近和分離的處理用面，第一處理用面1及第二處理用面2與該預(yù)定壓力的被處理流體流動的被密封的流體流路連接；接觸表面壓力施加機構(gòu)，該接觸表面壓力施加機構(gòu)對兩處理用面1、2施加接觸表面壓力；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)，該旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)使第一處理用面l及第二處理用面2相對旋轉(zhuǎn)；由于具有上述結(jié)構(gòu)，在兩處理用面1、2之間，進行至少兩種的被處理流體的反應(yīng)處理，實施本申請發(fā)明的處理裝置可以采用以下結(jié)構(gòu)，即，在被施加接觸表面壓力的同時相對旋轉(zhuǎn)的第一處理用面1及第二處理用面2之間，流過從流體壓力施加機構(gòu)施加壓力的至少一種被處理流體，并且，通過流過另一種被處理流體，從流體壓力施加機構(gòu)被施加壓力的上述l種被處理流體一邊形成預(yù)定膜厚的流體膜，一邊通過兩處理用面1、2之間，此時，該另一種被處理流體被混合，在被處理流體間，發(fā)生所希望的反應(yīng)。該接觸表面壓力施加機構(gòu)可以構(gòu)成上述裝置的調(diào)整微振動及定位的緩沖機構(gòu)或位移調(diào)整機構(gòu)。并且，作為實施本申請發(fā)明的處理裝置，可以采用以下裝置，S卩，該裝置具有第一導(dǎo)入部，該第一導(dǎo)入部將反應(yīng)的2種被處理流體中的至少一方的被處理流體導(dǎo)入該裝置；流體壓力施加機構(gòu)P，該流體壓力施加機構(gòu)P連接于第一導(dǎo)入部并向該一方的被處理流體施加壓力；第二導(dǎo)入部，該第二導(dǎo)入部將反應(yīng)的2種被處理流體中的至少其他一方的被處理流體導(dǎo)入該裝置；至少2個處理用構(gòu)件，該至少2個處理用構(gòu)件為設(shè)置于該一方的被處理流體流動的被密封的流體流路的第一處理用構(gòu)件10和相對于第一處理用構(gòu)件10可相對接近和分離的第二處理用構(gòu)件；第一處理用面1及第二處理用面2至少2個處理用面，第一處理用面1及第二處理用面2在這些處理用構(gòu)件10、20中設(shè)置在相互相向的位置；托架21，該托架21以第二處理用面2露出的方式收容第二處理用構(gòu)件20;旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)，該旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)使第一處理用構(gòu)件10與第二處理用構(gòu)件20相對旋轉(zhuǎn)；接觸表面壓力施加機構(gòu)4，該接觸表面壓力施加機構(gòu)4推壓第二處理用面2，使第二處理用面2相對于第一處理用面1處于壓接或接近的狀態(tài)；在兩處理用面1、2之間，進行被處理流體間的反應(yīng)處理，上述托架21是不可動體，在具有上述第一導(dǎo)入部的開口部的同時，對處理用面1、2間的間隔施加影響，第一處理用構(gòu)件10與第二導(dǎo)入部20的至少一方具有上述第二導(dǎo)入部的開口部，第二處理用構(gòu)件20為環(huán)狀體，第二處理用面2相對于托架21滑動，與第一處理用面1接近和分離，第二處理用構(gòu)件20具有受壓面，受壓面受到流體壓力施加機構(gòu)p施加于被處理流體的壓力的作用，在使第二處理用面2從第一處理用面1分離的方向上產(chǎn)生使其移動的力，上述受壓面的至少一部分由第二處理用面2構(gòu)成，在可接近和分離且相對旋轉(zhuǎn)的第一處理用面1與第二處理用面2之間，被施加了壓力的一方的被處理流體通過，同時，通過將另外一方的被處理流體供給到兩處理用面1、2之間，兩被處理流體一邊形成預(yù)定膜厚的流體膜一邊從兩處理用面1、2間通過，通過中的被處理流體混合，從而促進被處理流體間的所希望的反應(yīng)，通過接觸表面壓力施加機構(gòu)4的接觸表面壓力與流體壓力施加機構(gòu)p所施加的流體壓力的使兩處理用面1、2之間分離的力的平衡，在兩處理用面1、2間保持產(chǎn)生上述預(yù)定膜厚的流體膜的微小間隔。該處理裝置也可實施為，第二導(dǎo)入部也與連接于第一導(dǎo)入部一樣地連接于另外的流體壓力施加機構(gòu)，從而被加壓。并且，也可實施為，從第二導(dǎo)入部導(dǎo)入的被處理流體不是被另外的流體壓力施加機構(gòu)加壓，而是被第二導(dǎo)入部中產(chǎn)生的負(fù)壓吸引并供給到兩處理用面1、2間，上述負(fù)壓是由第一導(dǎo)入部所導(dǎo)入的被處理流體的流體壓力所產(chǎn)生的。并且，也可實施為，該另一方的被處理流體在第二導(dǎo)入部內(nèi)通過其自重移動，即從上方流向下方，從而被供給至處理用面1、2之間。如上所述，不僅限于將第一導(dǎo)入部的開口部設(shè)置在第二托架上，也可將第一導(dǎo)入部的該開口部設(shè)置在第一托架上，上述第一導(dǎo)入部的開口部成為一方的被處理流體的向裝置內(nèi)的供給口。另外，也可實施為，將第一導(dǎo)入部的該開口部形成在兩處理用面的至少一方。但是，在以下情況下，即，根據(jù)反應(yīng)，有必要從第一導(dǎo)入部供給必須先導(dǎo)入處理用面1、2間的被處理流體的情況下，形成另一方的被處理流體的裝置內(nèi)的供給口的第二導(dǎo)入部的開口部無論位于哪一個處理用面，相比上述第一導(dǎo)入部的開口部都必須配置在下游側(cè)的位置。并且，作為用于實施本申請發(fā)明的處理裝置，可采用以下的裝置。該處理裝置具有多個的導(dǎo)入部，該多個的導(dǎo)入部分別導(dǎo)入反應(yīng)的2種以上的被處理流體；流體壓力施加機構(gòu)P，該流體壓力施加機構(gòu)對該2種以上的被處理流體的至少一種施加壓力；至少2個處理用構(gòu)件，該至少2個處理用構(gòu)件是設(shè)置在該被處理流體流動的被密封的流體流路中的第一處理用構(gòu)件10與可相對于第一處理用構(gòu)件IO接近和分離的第二處理用構(gòu)件20;第一處理用面1及第二處理用面2至少2個處理用面1、2，該第一處理用面1及第二處理用面2設(shè)置在這些處理用構(gòu)件10、20中相互面對的位置；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)，該旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)使第一處理用構(gòu)件10與第二處理用構(gòu)件20相對旋轉(zhuǎn)；在兩處理用面1、2間，進行被處理流體間的反應(yīng)處理，在第一處理用構(gòu)件10與第二處理用構(gòu)件20中，至少第二處理用構(gòu)件20具有受壓面，并且，該受壓面的至少一部分由第二處理用面2構(gòu)成，受壓面受到流體壓力施加機構(gòu)施加于被處理流體的壓力，在使第二處理用面2從第一處理用面1分離方向上產(chǎn)生使其移動的力，并且，第二處理用構(gòu)件20具有朝向與第二處理用面2相反側(cè)的接近用調(diào)整面24，接近用調(diào)整方面24受到施加在被處理流體上的預(yù)定的壓力，在使第二處理用面2向第一處理用面1接近的方向上產(chǎn)生使其移動的力，通過上述接近用調(diào)整面24的接近和分離方向的投影面積與上述受壓面的接近和分離方向的投影面積的面積比，決定第二處理用面2相對于第一處理用面1向分離方向移動的力，該力作為從被處理流體所受到的全壓力的合力，被賦予了壓力的被處理流體在可接近和分離且相對旋轉(zhuǎn)的第一處理用面l與第二處理用面2之間通過，在該被處理流體中反應(yīng)的其他被處理流體在兩處理用面之間混合，混合的被處理流體一邊形成預(yù)定膜厚的流體膜一邊通過兩處理用面1、2之間，從而在通過處理用面之間的過程中獲得希望的反應(yīng)生成物。另外，對本申請發(fā)明的處理方法歸納如下。該處理方法為賦予第一被處理流體預(yù)定的壓力，將第一處理用面1及第二處理用面2至少2個可相對接近和分離的處理用面連接于接受上述預(yù)定壓力的被處理流體所流動且被密封的流體流路，施加使兩處理用面1、2接近的接觸表面壓力，使第一處理用面1與第二處理用面2相對地旋轉(zhuǎn)，且將被處理流體導(dǎo)入該處理用面1、2之間，通過與上述分開的流路，將與該被處理流體反應(yīng)的第二被處理流體導(dǎo)入上述處理用面1、2之間，使兩被處理流體反應(yīng)，至少將施加于第一被處理流體的上述預(yù)定的壓力作為使兩處理用面1、2分離的分離力，通過使該分離力與上述接觸表面壓力經(jīng)由處理用面1、2間的被處理流體達(dá)到平衡，從而在兩處理用面1、2之間維持預(yù)定的微小間隔，被處理流體成為預(yù)定厚度的流體膜并通過兩處理用面1、2之間，在該通過過程中均勻地進行兩被處理流體的反應(yīng)，在伴有析出的反應(yīng)的情況下，可結(jié)晶或析出希望的反應(yīng)生成物。以下，對本申請發(fā)明的其他實施方式進行說明。圖25是在可接近和分離的、至少一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面之間使反應(yīng)物反應(yīng)的反應(yīng)裝置的簡略化剖視圖。圖26的(A)為圖25所示裝置的第一處理用面的簡略化俯視圖，(B)為圖25所示裝置的處理用面的主要部分的放大圖。圖27的(A)為第二導(dǎo)入通道的剖視圖，(B)是用于說明第二導(dǎo)入通道的處理用面的主要部分的放大圖。在圖25中，U表示上方，S表示下方。圖26(A)、圖27(B)中，R表示旋轉(zhuǎn)方向。在圖27(B)中，C表示離心力的方向(半徑方向)。該裝置使用至少兩種流體，其中至少一種流體含有至少一種反應(yīng)物，在可接近和分離的相互面對地配設(shè)并且至少一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面之間，使上述各流體合流并形成薄膜流體，在該薄膜流體中使上述反應(yīng)物反應(yīng)。如圖25所示，該裝置具有第一托架11、在第一托架11上方配置的第二托架21、流體壓力施加機構(gòu)P、及接觸表面壓力施加機構(gòu)。接觸表面壓力施加機構(gòu)由彈簧43及空氣導(dǎo)入部44構(gòu)成。在第一托架11上設(shè)有第一處理用構(gòu)件10及旋轉(zhuǎn)軸50。第一處理用構(gòu)件10是稱為配合環(huán)的環(huán)狀體，具有被鏡面加工的第一處理用面1。旋轉(zhuǎn)軸50以螺栓等固定件81固定在第一托架11的中心，其后端與電動機等旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置82(旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu))連接，將旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置82的驅(qū)動力傳遞給第一托架ll，從而使該第一托架11旋轉(zhuǎn)。第一處理用構(gòu)件10與上述第一托架11一體地旋轉(zhuǎn)。在第一托架11的上部，設(shè)有可以收容第一處理用構(gòu)件10的收容部，通過嵌入該收容部內(nèi)，第一處理用構(gòu)件10安裝在第一托架11上。并且，第一處理用構(gòu)件10通過止轉(zhuǎn)銷83固定，從而不相對于第一托架11旋轉(zhuǎn)。但是，也可以取代止轉(zhuǎn)銷83，以熱壓配合等方法固定，從而使其不旋轉(zhuǎn)。上述第一處理用面1從第一托架11露出，朝向第二托架21。第一處理用面的材質(zhì)采用陶瓷或燒成金屬；耐磨鋼；對其他金屬實施了硬化處理的材料；或者，涂敷、包覆、電鍍有硬質(zhì)材料的材料。在第二托架21上設(shè)有第二處理用構(gòu)件20;從處理用構(gòu)件內(nèi)側(cè)導(dǎo)入流體的第一導(dǎo)入部dl;作為接觸表面壓力施加機構(gòu)的彈簧43;以及，空氣導(dǎo)入部44。第二處理用構(gòu)件20是稱為壓縮環(huán)的環(huán)狀體，具有被鏡面加工過的第二處理用面2以及受壓面23(以下稱其為分離用調(diào)整面23)，該受壓面23位于第二處理用面2的內(nèi)側(cè)并與該第二處理用面2鄰接。如圖所示，該分離用調(diào)整面23為傾斜面。對第二處理用面2所施加的鏡面加工采用與第一處理用面1相同的方法。另外，第二處理用構(gòu)件20的材質(zhì)采用與第一處理用構(gòu)件10相同的材質(zhì)。分離用調(diào)整面23與環(huán)狀的第二處理用構(gòu)件20的內(nèi)周面25鄰接。在第二托架21的底部(下部)，形成圓環(huán)收容部41，O形圓環(huán)與第二處理用構(gòu)件20同時被收容在該圓環(huán)收容部41內(nèi)。并且，通過止轉(zhuǎn)銷84，第二處理用構(gòu)件20相對于第二托架21不旋轉(zhuǎn)地被收容。上述第二處理用面2從第二托架21露出。在該狀態(tài)下，第二處理用面2與第一處理用構(gòu)件10的第一處理用面1面對。該第二托架21所具有的圓環(huán)收容部41是收容第二圓環(huán)20的、主要是處理用面2側(cè)的相反側(cè)的部位的凹部，在俯視時，為形成環(huán)狀的溝槽。圓環(huán)收容部41以大于第二圓環(huán)20的尺寸的方式形成，在其與第二圓環(huán)20之間具有充分的間隔，收容第二圓環(huán)20。通過該間隔，該第二處理用構(gòu)件20以能夠在收容部41的軸向以及在與該軸向交叉的方向位移的方式收容在該圓環(huán)收容部41內(nèi)。并且，該第二處理用構(gòu)件20以能夠以如下方式位移的方式被收容，即，相對于圓環(huán)收容部41，使第二處理用構(gòu)件20的中心線(軸方向)與上述圓環(huán)收容部41的軸方向不平行。至少在第二托架21的圓環(huán)收容部41中設(shè)有作為處理用構(gòu)件施力部的彈簧43。彈簧43將第二處理用構(gòu)件20朝著第一處理用構(gòu)件10施力。并且，作為其他的施力方法，也可使用空氣導(dǎo)入部44等供給空氣壓或其他流體壓力的加壓機構(gòu)，將第二托架21保持的第二處理用構(gòu)件20朝著接近第一處理用構(gòu)件10的方向施力。彈簧43及空氣導(dǎo)入部44等接觸表面壓力施加機構(gòu)將第二處理用構(gòu)件20的周方向的各位置(處理用面的各位置)均等地朝著第一處理用構(gòu)件10施力。在該第二托架21的中央設(shè)有上述第一導(dǎo)入部dl，從第一導(dǎo)入部dl朝著處理用構(gòu)件外周側(cè)被壓送的流體首先被導(dǎo)入以下空間內(nèi)，即，該第二托架21保持的第二處理用構(gòu)件20、第一處理用構(gòu)件10及保持該第一處理用構(gòu)件10的第一托架11所圍的空間內(nèi)。并且，在使第二處理用構(gòu)件20克服施力部的施力而從第一處理用構(gòu)件10分離的方向上，在第二處理用構(gòu)件20中設(shè)置的受壓面23上，受到來自流體壓力施加機構(gòu)P所產(chǎn)生的上述流體的輸送壓力(供給壓力)。在其他位置，為簡略說明，雖僅對受壓面23加以說明，但是，正確而言，如圖29(A)(B)所示，與上述受壓面23—起，在與后述溝槽狀凹部13的第二處理用構(gòu)件20相對應(yīng)的軸方向投影面中，將未設(shè)有上述受壓面23的部分23X也作為受壓面，受到流體壓力施加機構(gòu)P所產(chǎn)生的上述流體的輸送壓力(供給壓力)。也可實施為，不設(shè)置上述受壓面23。在該情況下，如圖26(A)所示，也可使用通過第一處理用面1旋轉(zhuǎn)而獲得的處理用面之間的被處理流體的導(dǎo)入效果(微泵效果)，上述第一處理用面1具有溝槽狀凹部13，該溝槽狀凹部13具有接觸表面壓力施加機構(gòu)的功能。這里的微泵效果是指，通過第一處理用面1的旋轉(zhuǎn)，凹部內(nèi)的流體具有速度地向凹部的外周方向前端前進，接著，送入凹部13的前端的流體另外受到來自凹部13的內(nèi)周方向的壓力，最終形成使處理用面分離的方向上的壓力，同時具有將流體導(dǎo)入處理用面之間的效果。并且，即使在不旋轉(zhuǎn)的情況下，設(shè)置于第一處理用面1的凹部13內(nèi)的流體所受壓力最終作用在第二處理用面2上，該第二處理用面2作為作用于分離側(cè)的受壓面。對于設(shè)置于處理用面的凹部13，可對應(yīng)于含有反應(yīng)物及生成物的流體的物理性能實施其深度、相對于處理用面在水平方向的總面積、條數(shù)、及形狀。并且，可實施為，將上述受壓面23與上述凹部13—同設(shè)置在一個裝置內(nèi)。該凹部13的深度是1iim50iim，優(yōu)選為3ym至20ym，并且為設(shè)置在上述處理用面上的凹部，相對于處理用面在水平方向的總面積占處理用面整體為5%50%，優(yōu)選為15%25%，并且，設(shè)置在上述處理用面上的凹部的條數(shù)為350條，優(yōu)選為824條，形狀為在處理用面上的彎曲或螺旋狀延伸的形狀，或者為呈L字形彎折的形狀，并且，其深度具有坡度，從高粘度區(qū)域到低粘度區(qū)域，即使在利用微泵效果導(dǎo)入的流體含有固體的情況下，也可將流體穩(wěn)定地導(dǎo)入處理用面之間。并且，在導(dǎo)入側(cè)即處理用面內(nèi)側(cè)，設(shè)置在處理用面上的各凹部可以彼此連接，也可以彼此斷開。如上所述，受壓面23為傾斜面。該傾斜面(受壓面23)以如下方式形成，即，以被處理流體的流動方向為基準(zhǔn)的上游側(cè)端部的、與設(shè)有凹部13的處理用構(gòu)件的處理用面相對的軸方向的距離，比下游側(cè)端部的同一距離大。而且，優(yōu)選該傾斜面的以被處理流體的流動方向為基準(zhǔn)的下游側(cè)端部設(shè)置在上述凹部13的軸方向投影面上。具體來說，如圖28(A)所示，使上述傾斜面(受壓面23)的下游側(cè)端部60設(shè)置在上述凹部13的軸方向投影面上。優(yōu)選上述傾斜面相對于第二處理用面2的角度e1在0.r至85°的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在IO。至55°的范圍內(nèi)，進一步優(yōu)選在15。至45°的范圍內(nèi)。該角度9l可根據(jù)被處理物處理前的特性予以適當(dāng)變更。并且，上述傾斜面的下游側(cè)端部60設(shè)置在以下區(qū)域內(nèi)，即，從向下游側(cè)與第一處理用面1上設(shè)置的凹部13的上游側(cè)端部13-b34離開0.01mm的位置開始，到向上游側(cè)與下游側(cè)端部13-c離開0.5mm的位置為止的區(qū)域內(nèi)。更優(yōu)選的是，設(shè)置在以下區(qū)域內(nèi)，即，從向下游側(cè)與上游側(cè)端部13-b離開0.05mm的位置開始，到向上游側(cè)與下游側(cè)端部13-c離開l.Omm的位置為止的區(qū)域內(nèi)。與上述傾斜面的角度相同，對于該下游側(cè)端部60的位置，可對應(yīng)被處理物的特性予以適當(dāng)變更。并且，如圖28(B)所示，傾斜面(受壓面23)可實施為弧形面。由此，可更均勻地進行被處理物的導(dǎo)入。凹部13除如上述那樣連接之外，也可實施為間斷的形式。在間斷的情況下，間斷的凹部13的、第一處理用面1的最內(nèi)周側(cè)的上游側(cè)端部形成上述13-b;同樣，第一處理用面1的最外周側(cè)的上游側(cè)端部形成上述13-c。另外，雖然在上述說明中將凹部13形成在第一處理用面1上，將受壓面23形成在第二處理用面2上，但是，相反地，也可實施為，將凹部13形成在第二處理用面2上，將受壓面23形成在第一處理用面1上。另外，通過將凹部13形成在第一處理用面1與第二處理用面2兩方，并將凹部13與受壓面23交替地設(shè)置在各處理用面1、2的周方向上，從而，第一處理用面1上形成的凹部13與第二處理用面2上形成的受壓面23能夠相向，同時，第一處理用面1上形成的受壓面23與第二處理用面2上形成的凹部13能夠相向。在處理用面中，也可實施與凹部13不同的溝槽。具體的例子為，如圖16(F)及圖16(G)所示，在較凹部13的徑向外側(cè)(圖16(F))或徑向內(nèi)側(cè)(圖16(G))，可實施放射狀延伸的新的凹部14。其有利于想延長在處理用面之間的停留時間的情況，以及處理高粘稠物的流體的情況。再者，關(guān)于與凹部13不同的溝槽，并不對形狀、面積、條數(shù)、深度作特別限定。可根據(jù)目的實施該溝槽。在上述第二處理用構(gòu)件20中，與被導(dǎo)入上述處理用面的流體的流路相獨立，形成具有通至處理用面之間的開口部d20的第二導(dǎo)入部d2。具體而言，第二導(dǎo)入部d2如圖27(A)所示，從上述第二處理用面2的開口部d20開始的導(dǎo)入方向相對于第二處理用面2以預(yù)定的仰角(91)傾斜。該仰角(91)被設(shè)定為大于0度小于90度，并且，在反應(yīng)速度為迅速反應(yīng)的情況下，優(yōu)選設(shè)置為1度以上45度以下。另外，如圖27(B)所示，從上述第二處理用面2的開口部d20開始的導(dǎo)入方向在沿上述第二處理用面2的平面內(nèi)具有方向性。該第二流體的導(dǎo)入方向的處理用面的半徑方向的成分為從中心遠(yuǎn)離的外方向，并且，與旋轉(zhuǎn)的處理用面之間的流體的旋轉(zhuǎn)方向相對的成分為正向。換言之，以通過開口部d20的半徑方向、即外方向的線段作為基準(zhǔn)線g，從該基準(zhǔn)線g向旋轉(zhuǎn)方向R具有預(yù)定的角度(92)。該仰角(91)被設(shè)定為大于0度小于90度，并且，在反應(yīng)速度快的反應(yīng)的情況下，優(yōu)選設(shè)置為l度以上45度以下。另外，角度(92)也設(shè)定為大于0度小于90度，朝向圖27(B)的網(wǎng)線部分，從開口部d20排出。并且，在反應(yīng)速度快的反應(yīng)的情況下，優(yōu)選該角度(92)設(shè)定為較小角度，在反應(yīng)速度慢的反應(yīng)的情況下，優(yōu)選該角度(92)設(shè)定為較大角度。另外，該角度可根據(jù)流體的種類、反應(yīng)速度、粘度、處理用面的旋轉(zhuǎn)速度等各種條件變更實施。開口部d20的口徑優(yōu)選為0.2iim3000iim，更優(yōu)選為10iim1000iim。并且，開口部d20口徑較大時，第二導(dǎo)入部d2的直徑為0.2iim3000iim，最優(yōu)選為10ym1000iim，實質(zhì)上，在開口部d20的直徑不影響流體的流動的情況下，第二導(dǎo)入部d2的直徑設(shè)置在該范圍內(nèi)即可。另外，在要求直線傳播性的情況下，及要求擴散性的情況下，優(yōu)選使開口部d20的形狀等變化，可根據(jù)流體的種類、反應(yīng)速度、粘度、處理用面的旋轉(zhuǎn)速度等各種條件變更實施。并且，上述另外的流路的開口部d20可設(shè)置在以下點的外徑側(cè)，即，利用設(shè)置在第一處理用面1的凹部的微泵效果導(dǎo)入時的流動方向變換為在處理用面之間形成的螺旋狀層流的流動方向的點。即，圖26(B)中，優(yōu)選從第一處理用面l上設(shè)置的凹部的處理用面徑向最外側(cè)開始的、向徑向外側(cè)的距離n為0.5mm以上。并且，在對相同流體設(shè)置多個開口部的情況下，優(yōu)選設(shè)置在同心圓上。另外，在對不同流體設(shè)置多個開口部的情況下，優(yōu)選設(shè)置在半徑不同的同心圓上。如以(1)A+B—C(2)C+D—E的順序進行反應(yīng)，有效地使A+B+C—F這樣本來不應(yīng)該同時反應(yīng)的反應(yīng)及反應(yīng)物不接觸，從而有效地避免反應(yīng)不進行的問題。另外，可實施為，將上述處理用構(gòu)件浸入流體中，將在上述處理用面之間反應(yīng)得到的流體直接投入到處理用構(gòu)件外部的液體或空氣以外的氣體中。并且，也可將超聲波能施加在剛剛從處理用面之間或處理用面排出的被處理物上。接著，為了在上述第一處理用面1與第二處理用面2之間，即在處理用面之間產(chǎn)生溫度差，第一處理用構(gòu)件10及第二處理用構(gòu)件20的至少其中之一設(shè)置調(diào)溫機構(gòu)(溫度調(diào)節(jié)機構(gòu))Jl、J2，下面對此進行說明。雖然該調(diào)溫機構(gòu)沒有特別的限定，但是，在以冷卻為目的的情況下，將冷卻部設(shè)置于處理用構(gòu)件10、20。具體而言，將作為調(diào)溫用介質(zhì)的冰水或各種冷媒所通過的配管或者珀爾帖元件等能夠電氣或化學(xué)地進行冷卻作用的冷卻元件安裝于處理用構(gòu)件10、20。在以加熱為目的的情況下，在處理用構(gòu)件10、20中設(shè)有加熱部。具體而言，將作為調(diào)溫用介質(zhì)的蒸汽或各種熱媒所通過的配管或電氣加熱器等能夠電氣或化學(xué)地進行加熱作用的發(fā)熱元件安裝于處理用構(gòu)件10、20。另外，也可在圓環(huán)收容部設(shè)置可與處理用構(gòu)件直接接觸的新的調(diào)溫用介質(zhì)用的收容部。由此，利用處理用構(gòu)件的熱傳導(dǎo)，可以進行處理用面的調(diào)溫。并且，將冷卻元件或發(fā)熱元件埋入處理用構(gòu)件10、20中并通電，或埋入冷熱媒通過用通道并使調(diào)溫用介質(zhì)(冷熱媒)通過該通道，從而能夠從內(nèi)側(cè)對處理用面進行調(diào)溫。而且，圖25所示的調(diào)溫機構(gòu)Jl、J2為其一例，是設(shè)置在各處理用構(gòu)件10、20內(nèi)部的調(diào)溫用介質(zhì)通過的配管(封套)。利用上述調(diào)溫機構(gòu)J1、J2，使一方的處理用面的溫度高于另一方的處理用面溫度，在處理用面之間產(chǎn)生溫度差。例如，第一處理用構(gòu)件IO以上述任意的方法加溫至6(TC，第二處理用構(gòu)件20以上述任意的方法加溫至15°C。此時，導(dǎo)入處理用面之間的流體的溫度從第一處理用面1朝向第二處理用面2從6(TC變化至15°C。即，該處理用面之間的流體產(chǎn)生溫度梯度。而且，處理用面之間的流體由于該溫度梯度開始對流，產(chǎn)生相對于處理用面垂直的方向的流動。并且，上述"垂直的方向的流動"是指流動的方向成分中，至少含有垂直上述處理用面的成分。即使在第一處理用面1或第二處理用面2旋轉(zhuǎn)的情況下，由于相對于該處理用面36垂直的方向的流動持續(xù)，因此，可對處理用面旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的處理用面之間的螺旋狀層流的流動附加垂直方向的流動。該處理用面之間的溫度差可實施為1°C40(TC，優(yōu)選為5°CIO(TC。而且，本裝置的旋轉(zhuǎn)軸50并不限定為鉛直地配置。例如，也可為傾斜地配置。在處理中，通過在兩處理用面1、2間形成的流體的薄膜，實質(zhì)上可排除重力的影響。如圖25(A)所示，第一導(dǎo)入部dl在第二托架21中與第二圓環(huán)20的軸心一致，并上下垂直地延伸。但是，第一導(dǎo)入部dl并不限于與第二圓環(huán)20的軸心一致，只要能向兩圓環(huán)10、20所圍空間供給第一被處理流體，在第二托架21的中央部分22中，也可設(shè)置在上述軸心以外的位置，并且，也可為非鉛直而是斜向延伸。無論在哪個配置角度的情況下，通過處理用面之間的溫度梯度，可產(chǎn)生相對于處理用面垂直的流動。上述處理用面之間的流體的溫度梯度中，如果該溫度梯度小，則僅對流體進行熱傳導(dǎo)，但是，溫度梯度一旦超過某臨界值，流體中會產(chǎn)生所謂的貝納德對流現(xiàn)象。在處理用面之間的距離為L、重力加速度為g、流體的體積熱膨脹率為P、流體的動粘度系數(shù)為v、流體的溫度傳導(dǎo)率為a、處理用面之間的溫度差為AT時，該現(xiàn)象被以下式定義的作為無量綱數(shù)的瑞利數(shù)Ra所支配。Ra=L3gPAT/(av)開始產(chǎn)生貝納德對流的臨界瑞利數(shù)根據(jù)處理用面與被處理物流體的分界面的性質(zhì)而不同，但大約為1700。大于該臨界值時產(chǎn)生貝納德對流。并且，當(dāng)該瑞利數(shù)Ra滿足大于1(T附近的值的條件時，流體為紊流狀態(tài)。S卩，通過調(diào)節(jié)該處理用面之間的溫度差A(yù)T或處理用面的距離L，并且以使瑞利數(shù)Ra為1700以上的方式調(diào)節(jié)本裝置，可在處理用面之間產(chǎn)生相對于處理用面垂直的方向的流動，可實施上述反應(yīng)操作。但是，上述貝納德對流在110iim左右的處理用面之間的距離中不容易產(chǎn)生。嚴(yán)密來說，上述瑞利數(shù)適用于lOym以下的間隔中的流體，當(dāng)研究貝納德對流的發(fā)生條件時，如果為水，則其溫度差必須為數(shù)千t:以上，現(xiàn)實中很難實現(xiàn)。貝納德對流是由流體的溫度梯度的密度差所形成的對流，即與重力相關(guān)的對流。10ym以下的處理用面之間為微重力場的可能性高，在這樣的場合，浮力對流被抑制。即，在該裝置中現(xiàn)實地產(chǎn)生貝納德對流的場合是處理用面之間的距離超過10iim的場合。當(dāng)處理用面之間的距離為l10iim左右時，并非通過密度差產(chǎn)生對流，而是通過溫度梯度所產(chǎn)生的流體的表面張力差來產(chǎn)生對流。這樣的對流為馬蘭哥尼對流，在處理用面之間的距離為L、流體的動粘度系數(shù)為v、流體的溫度傳導(dǎo)率為a、處理用面之間的溫度差為AT、流體的密度為P、表面張力的溫度系數(shù)(表面張力的溫度梯度)為o時，被以下式定義的無量綱數(shù)的馬蘭哥尼數(shù)Ma所支配。Ma=oAT*L/(Pva)開始產(chǎn)生馬蘭哥尼對流的臨界馬蘭哥尼數(shù)為80左右，大于該臨界值時則產(chǎn)生馬蘭哥尼對流。即，通過調(diào)節(jié)該處理用面之間的溫度差A(yù)T或處理用面的距離L，并且以使馬蘭哥尼數(shù)Ma為80以上的方式調(diào)節(jié)本裝置，即使在10i！m以下的微小流路中，也能夠在處理用面之間相對于處理用面產(chǎn)生垂直方向的流動，可實施上述反應(yīng)操作。瑞利數(shù)Ra的計算使用以下的公式。公式137<formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula>L:處理用面之間的距離[m]，13:體積熱膨脹率[1/K]，g:重力加速度[m/S2]v:動粘度系數(shù)[m7s]，a:溫度傳導(dǎo)率[(m7s)]，AT:處理用面之間的溫度差P:密度[kg/m3]，Cp:定壓比熱[J/kgK]，k:熱傳導(dǎo)率[W/mK]1\:處理用面的高溫側(cè)的溫度[K]，T。處理用面的低溫側(cè)的溫度[K]在以開始產(chǎn)生貝納德對流時的瑞利數(shù)為臨界瑞利數(shù)Ra。的情況下，此時的溫度差可以如下方式求得。公式2馬蘭哥尼數(shù)Ra的計算使用以下的公式。公式3<formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula>L:處理用面之間的距離[m]，v:動粘度系數(shù)[m7s]，a:溫度傳導(dǎo)率[(m2/S)]AT:處理用面之間的溫度差[K]，P:密度[kg/m3]，Cp:定壓比熱[J/kgK]k:熱傳導(dǎo)率[W/mK]，ot:表面張力溫度系數(shù)[N/mK]1\:處理用面的高溫側(cè)的溫度[K]，T。處理用面的低溫側(cè)的溫度[K]在開始產(chǎn)生馬蘭哥尼對流時的馬蘭哥尼數(shù)為臨界馬蘭哥尼數(shù)Ma。的情況下，此時的溫度差A(yù)T^可以如下方式求得。公式4可相互接近和分離的相向配置的、至少一方可相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面1、2的材質(zhì)并不作特別的限制，可通過以下材料制成，即，陶瓷、燒結(jié)金屬、耐磨鋼，以及施加過硬化處理的其他金屬、或涂敷、包覆、電鍍有硬質(zhì)材料的材料。本發(fā)明的可相互接近和分離的相向配置的、至少一方可相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面1、2之間的距離為0.lym100iim，特別優(yōu)選為110iim。以下，對本發(fā)明的金屬化合物的還原反應(yīng)進行更詳細(xì)地說明。在如圖1(A)所示裝置的可接近或分離地相互對向配設(shè)且至少一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面1、2之間，一邊強制地均勻混合一邊發(fā)生該反應(yīng)。首先，從作為第一流路的第一導(dǎo)入部dl，將作為第一流體含有高分子分散劑及作為反應(yīng)物的金屬化合物的水溶液，導(dǎo)入可接近和分離且相互相向配置的至少一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面1、2之間，在該處理用面之間生成第一流體膜。然后，從作為另一個流路的第二導(dǎo)入部d2，將作為第二流體的還原劑水溶液，直接導(dǎo)入在上述處理用面1、2之間所生成的上述第一流體膜中。如上所述，在通過流體的供給壓力與施加在旋轉(zhuǎn)處理用面之間的壓力的壓力平衡而固定了距離的處理用面1、2之間，第一流體與第二流體合流，在薄膜中一邊均勻混合一邊進行還原反應(yīng)。并且，含有被還原了的金屬微粒子的金屬膠體溶液從裝置被排出。并且，因為只要在處理用面1、2之間進行上述反應(yīng)即可，與上述相反，也可從第一導(dǎo)入部dl導(dǎo)入第二流體，從第二導(dǎo)入部d2導(dǎo)入第一流題。即，各溶媒中所謂第一、第二的表現(xiàn)，只不過是為了表示復(fù)數(shù)存在的溶媒的第n種進行識別的記號而已，也能存在第三以上的溶媒。所獲得的金屬微粒子的粒子直徑、或金屬膠體溶液的單分散度的控制，可通過改變處理用面1、2之間的距離、以及薄膜流體的流速或原料濃度來調(diào)節(jié)。利用本發(fā)明所得到的金屬微粒子具有高結(jié)晶性且再分散性也良好，其平均粒子直徑為1200nm，金屬微粒子的粒度分布的CV值為540%，最好為1020%。本發(fā)明的金屬微粒子的制造方法中所使用的金屬化合物中所含有的、成為上述金屬微粒子的金屬元素雖不作特別限定，但最好為貴金屬或銅。貴金屬也不特別限定，例如可為金、銀、釕、銠、鈀、鋨、銥、鉬等。其中最好為金、銀、鉬、鈀。并且，關(guān)于鐵、鎳、鉻、錳、鋁、鉬、鈮、鉭等化學(xué)周期表中表示的單體、常溫狀態(tài)下顯示金屬物性的元素，也可使用于上述制造方法。上述金屬化合物也不作特別限定，例如可列舉四氯金(III)酸四水合物(氯化金酸)、亞硫酸金、金酸鉀、硝酸銀、醋酸銀、過氯酸銀(IV)、六氯鉑(IV)、酸六水合物(氯化鉑酸)、氯化鉑酸鉀、氯化銅(ii)二水合物、醋酸銅(ii)一水合物、硫酸銅(n)、氯化鈀(ii)二水合物、三氯化銠(III)三水合物等。這些金屬化合物可以使用一種或者兩種以上并用。作為上述溶媒，只要其能溶解上述金屬化合物，也不作特別限定，例如可列舉水、有機溶媒等。上述有機溶媒也不作特別限定，例如可列舉乙醇、乙二醇等的碳元素14的酒精、丙酮等酮類，醋酸乙基等酯類。作為上述溶媒可使用一種或兩種以上。上述溶媒為水與有機溶媒的混合物的場合，作為上述有機溶媒最好為水可溶性的溶媒，例如列舉丙酮、甲醇、乙醇、乙二醇等。本發(fā)明中，從上述金屬化合物的溶解性這一點來看，最好為水、酒精以及水與酒精的混合溶液。作為在本發(fā)明中使用的還原劑，雖然通過在液相的反應(yīng)系中還原金屬元素的離子39可使金屬微粒子析出的各種還原劑都能使用，但是，在后述的分散劑存在的條件下，通過在可接近或分離地相互對向配置且至少一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面之間形成的薄膜流體中使金屬化合物與還原劑進行還原反應(yīng)，不必給予很大的熱能，可將來自金屬化合物的金屬離子還原為金屬。上述強制超薄膜旋轉(zhuǎn)式均勻混合反應(yīng)法中的還原反應(yīng)，通過設(shè)定導(dǎo)入流體的溫度以及對處理用面直接進行溫度調(diào)節(jié)，可控制反應(yīng)溫度。作為還原劑，可舉例硼氫化鈉、次亞磷酸鈉、肼、過渡金屬元素的離子(三價的鈦離子、二價的鈷離子等)或甲醇、乙醇、2-丙醇等酒精、或抗壞血酸等，另外，也可為乙二醇、谷胱甘肽、有機酸類(檸檬酸、蘋果酸、酒石酸等)、還原性糖類(葡萄糖、半乳糖、甘露糖、果糖、蔗糖、麥芽糖、棉子糖、木蘇糖等)、以及糖酒精類或山梨糖醇等。另外，作為還原劑也可使用胺類，作為關(guān)聯(lián)的胺類例如有丙胺、丁胺、己胺、二乙胺、二丙基胺、二甲基乙二胺、二甲胺、三乙胺、乙二胺、N，N，N'，N'-四甲基乙二胺、1，3-丙二胺、&&^，N'-四甲基-l，3-丙二胺、三亞乙基四胺、四乙基五胺等脂肪族胺、哌啶、N-哌可啉、哌嗪、N，N'-二甲基哌嗪、妣咯烷、N-甲基四氫吡咯、嗎啉等脂肪環(huán)式胺、苯胺、^甲苯胺、N，N-二甲苯胺、甲苯胺、茴香胺、氨基苯乙醚等芳香族胺、芐胺、N-甲基芐胺、N，N-芐基二甲胺、苯乙胺、間苯二甲胺、N，N，N'，N'-四甲基間苯二甲胺等芳烷胺等。另外，作為上述胺，例如也可為甲基胺乙醇、二甲基胺乙醇、三乙醇胺、乙醇胺、二乙醇胺、甲基二乙醇胺、三異丙醇胺、2-(3-氨丙基)乙醇、丁醇胺、正己醇胺、二甲氨基丙醇等烷醇胺。這些還原劑中，以烷醇胺為佳，最好為二甲基乙醇胺。作為分散劑，只要其在對溶液有良好的溶解性的同時，可將析出的金屬微粒子在溶液中良好地分散，各種分散劑都可以使用。作為上述分散劑，雖可使用各種分散及，但例如列舉聚乙烯亞胺、聚乙烯吡咯烷酮等胺類系的分散劑、或聚丙烯酸、羧甲基纖維素等的分子中具有碳酸基的烴系高分子分散劑、poval(聚乙烯醇)、或是在一分子中具有聚乙烯亞胺部分和聚乙烯氧化物部分的共聚物等的具有極性基的高分子分散劑。并且，其分子量最好為100000以下。另外，也可使用市販的分散劑。作為上述市販的分散劑，可舉例為Solsperse20000、Solsperse24000、Solsperse26000、Solsperse27000、Solsperse28000、Solsperse41090(以上為Avecia公司制品)、Disperbyk160、Disperbyk161、Disperbyk162、Disperbyk163、Disperbyk166、Disperbyk170、Disperbyk180、Disperbyk181、Disperbyk182、Disperbyk183、Disperbyk184、Disperbyk190、Disperbyk191、Disperbyk192、Disperbyk2000、Disperbyk2001(以上為BYKChemie公司制品)、聚合物100、Polymerl20、聚合物150、聚合物400、聚合物401、聚合物402、聚合物403、聚合物450、聚合物451、聚合物452、聚合物453、EFKA-46、EFKA-47、EFKA-48、EFKA-49、EFKA-1501、EFKA_1502、EFKA_4540、EFKA-4550(以上為EFKAChemical公司制品)、FLOWLENDOPA-158、FLOWLENDOPA-22、FLOWLENDOPA-17、FLOWLENG_700、FLOWLENTG-720W、FLOWLEN-730W、FL0WLEN-740W、FL0WLEN-745W(以上為共榮社化學(xué)公司制品)、AJISPERPA111、AJISPERPB711、AJISPERPB811、AJISPERPB821、AJISPERPW911(以上為味之素公司制品)、JONCRYL678、J0NCRYL679、J0NCRYL62(以上為JohnsonPolymer公司制品)等。這些市販的分散劑可以單獨使用，也可以兩種以上并用。該分散劑由于是用于使上述那樣析出了的金屬微粒子在溶液中良好地分散的物40質(zhì)，所以可將其與上述的第一流體和第二流體的任一流體混合。另外，如下所述，可將只含有分散劑的水溶液導(dǎo)入可接近或分離的互相對向配設(shè)且至少一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面1、2之間，在薄膜中可與上述第一流體與第二流體雙方混合。如上所述，除第一導(dǎo)入部dl、第二導(dǎo)入部d2以外，也可在處理裝置上設(shè)置第三導(dǎo)入部d3。該場合，例如從各導(dǎo)入部，可將含有高分子分散劑的水溶液、含有金屬化合物的水溶液、還原劑水溶液分別導(dǎo)入至處理裝置中。這樣，可分別管理各溶液的濃度或壓力，能更精密控制生成金屬微粒子的反應(yīng)。在設(shè)置了第四以上的導(dǎo)入部的場合，也同樣可以這樣細(xì)分化導(dǎo)入到處理裝置的流體。再者，作為本發(fā)明的還原反應(yīng)，除了上述以外，也是用電化學(xué)的還原方法，以導(dǎo)電性材料制成各處理用面，在上述的各處理用面之間附加電位差，在各處理用面間進行電子的授受。實施例以下，舉出實施例對本發(fā)明進行更詳細(xì)地說明，但是，本發(fā)明并不只限于這些實施例。并且，在以下的實施例中，所謂"從中央"的意思為，前述的圖1(A)所示處理裝置的"從第一導(dǎo)入部dl"，第一流體是指前述的第一被處理流動體，第二流體是指上述的圖1(A)所示處理裝置的"從第二導(dǎo)入部d2"導(dǎo)入的前述的第二被處理流動體。如圖1(A)所示，使用在可接近或分離地互相對向配置且至少一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面1、2之間所形成的薄膜流體中均勻地攪拌并混合的反應(yīng)裝置，使含有金屬化合物的水溶液在薄膜中與分散劑及還原劑的水溶液合流，在薄膜中一邊均勻地混合一邊進行析出反應(yīng)。(實施例1)從中央作為第一流體將10%肼水溶液，以供給壓力/背壓力=0.02MPa/0.OlMPa、轉(zhuǎn)速1000rpm、送液溫度80°C的條件進行送液，同時作為第二流體將之前用氨水將pH值調(diào)制為12的20%硝酸銀/2%聚乙烯吡咯烷酮(分子量20000)水溶液，以10ml/min導(dǎo)入處理用面1、2之間。具有黃色的等離子體激元吸收的水系的銀膠體溶液從處理用面1、2之間被排出。并且，即使將被排出的溶液保存在玻璃性容器中，也不會在容器壁面形成銀的膜，不會出現(xiàn)銀鏡反應(yīng)。其次，將獲得的銀膠體溶液離心分離，反復(fù)操作除去比銀微粒子輕的雜質(zhì)，接著，用純水洗凈后，使用應(yīng)用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品的商品名microtracUPA150)測定所獲得的銀微粒子的粒度分布，其結(jié)果，平均粒子直徑為4.4nm，其粒度分布的CV值為13%。并且，該銀粒子的收獲率為95%。(實施例2)—邊從中央作為第一流體將10%肼水溶液，以供給壓力/背壓力=0.10MPa/0.01MPa、轉(zhuǎn)速2000rpm、送液溫度8(TC進行送液，一邊作為第二流體將之前用氨水將pH值調(diào)制為12的20%硝酸銀/2%聚乙烯吡咯烷酮(分子量20000)水溶液，以10m1/min導(dǎo)入處理用面1、2之間。具有黃色的等離子體激元吸收的水系的銀膠體溶液從處理用面1、2之間被排出。并且，即使將被排出的溶液保存在玻璃性容器中，也不會在容器壁面形。其次，將獲得的銀膠體溶液離心分離，反復(fù)操作除去比銀微粒子輕的雜質(zhì)，接著，用純水洗凈后，所獲得的銀微粒子的粒度分布，使用應(yīng)用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品的商品名microtracUPA150)測定，其結(jié)果，平均粒子直徑為8.8nm，其粒度分布的CV值為18%。并且，該銀粒子的收獲率為91%。獲得的銀粒子的TEM照片表示在圖30中。通過對粒子進行干涉紋觀測，確認(rèn)其為高結(jié)晶性的粒子。(實施例3)從中央作為第一流體將10%二甲氨基乙醇(DMAE)水溶液以供給壓力/背壓力=0.02MPa/0.02MPa、轉(zhuǎn)速1000rpm、送液溫度8(TC進行送液，通過作為第二流體將之前用氨水將pH值調(diào)制為12的20%硝酸銀/2%BYK-190(BYKChemie公司制品)水溶液，以10m1/min導(dǎo)入處理用面1、2之間。具有黃色的等離子體激元吸收的水系的銀膠體溶液從處理用面1、2之間被排出。并且，即使將被排出的溶液保存在玻璃性容器中，也不會在容器壁面形成銀的膜，不會出現(xiàn)銀鏡反應(yīng)。其次，將獲得的銀膠體溶液離心分離，反復(fù)操作除去比銀微粒子輕的雜質(zhì)，接著，用純水洗凈后，所獲得的銀微粒子的粒度分布，使用應(yīng)用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品的商品名microtracUPA150)測定為，平均粒子直徑為8.lnm，其粒度分布的CV值為15X。并且，該銀粒子的收獲率為82%。(實施例4)從中央作為第一流體將10%DMAE水溶液，以供給壓力/背壓力=0.02MPa/0.01MPa、轉(zhuǎn)速1000rpm、送液溫度8(TC進行送液，通過作為第二流體將之前用氨水將pH調(diào)制為12的20%硝酸銀/2%BYK-190(BYKChemie公司制品)水溶液，以10m1/min導(dǎo)入處理用面1、2之間。具有黃色的等離子體激元吸收的水系的銀膠體溶液從處理用面1、2之間被排出。并且，即使將被排出的溶液保存在玻璃性容器中，也不會在容器壁面形成銀的膜，不會出現(xiàn)銀鏡反應(yīng)。其次，將獲得的銀膠體溶液離心分離，反復(fù)操作除去比銀微粒子輕的雜質(zhì)，接著，用純水洗凈后，所獲得的銀微粒子的粒度分布，使用應(yīng)用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品的商品名microtracUPA150)測定為，平均粒子直徑為9.7nm，其粒度分布的CV值為25%。并且，該銀粒子的收獲率為88%。(實施例5)—邊從中央作為將第一流體的10%肼水溶液，以供給壓力/背壓力=0.02MPa/0.01MPa、轉(zhuǎn)速1000rpm、送液溫度8(TC進行送液，一邊作為第二流體將之前用氨水調(diào)制成pH值為12的20%硝酸銀/18%硝酸銅/2%BYK-190(BYKChemie公司制品)水溶液，以10ml/min導(dǎo)入處理用面1、2之間。水系的銀、銅或銀銅合金的膠體溶液從處理用面1、2之間被排出。并且，即使將被排出的溶液保存在玻璃性容器中，也不會在容器壁面形成銀的膜，不會出現(xiàn)銀鏡反應(yīng)。其次，將獲得的金屬膠體溶液離心分離，反復(fù)操作除去比微粒子輕的雜質(zhì)，接著，用純水洗凈后，所獲得的微粒子的粒度分布，使用應(yīng)用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品的商品名microtracUPA150)測定為，平均粒子直徑為8.3nm，其粒度分布的CV值為13X。并且，銀離子與銅離子的配合比率(原子數(shù)比)為10:9。而且，該42銀、銅或銀銅合金粒子的收獲率為94%。(實施例6)—邊從中央作為第一流體將10%DMAE水溶液，以供給壓力/背壓力=0.02MPa/0.02MPa、轉(zhuǎn)速1000rpm、送液溫度8(TC進行送液，一邊作為第二流體將之前用氨水調(diào)制成pH值為12的20%硝酸銀/18%硝酸銅/2%BYK-190(BYKChemie公司制品)水溶液，以10ml/min導(dǎo)入處理用面1、2之間。水系的銀、銅或銀銅合金的膠體溶液從處理用面1、2之間被排出。并且，即使將被排出的溶液保存在玻璃性容器中，也不會在容器壁面形成銀的膜，不會出現(xiàn)銀鏡反應(yīng)。其次，將獲得的金屬膠體溶液離心分離，反復(fù)操作除去比微粒子輕的雜質(zhì)，接著，用純水洗凈后，所獲得的微粒子的粒度分布，使用應(yīng)用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品的商品名microtracUPA150)測定為，平均粒子直徑為9.9nm，其粒度分布的CV值為15X。并且，銀離子與銅離子的配合比率(原子數(shù)比)為10:9。而且，該銀、銅或銀銅合金粒子的收獲率為90%。(比較例1)—邊將10X肼水溶液20g在燒杯內(nèi)以溶液溫度8(TC、轉(zhuǎn)速300rpm攪拌，一邊將之前用氨水調(diào)制成pH值為12的20%硝酸銀/2%聚乙烯吡咯烷酮(分子量20000)水溶液20g投入。得到水系的銀膠體溶液。但是，當(dāng)將所得到的溶液保存在玻璃性容器中時，會在容器壁面形成銀的膜，出現(xiàn)銀鏡反應(yīng)。其次，將獲得的銀膠體溶液離心分離，反復(fù)操作除去比微粒子輕的雜質(zhì)，接著，用純水洗凈后，所獲得的銀微粒子的粒度分布，使用應(yīng)用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品的商品名microtracUPA150)測定為，平均粒子直徑為230nm，其粒度分布的CV值為120%。(比較例2)—邊將10%DMAE水溶液20g在燒杯內(nèi)以溶液溫度8(TC、轉(zhuǎn)速300rpm攪拌，一邊將之前用氨水調(diào)制成pH值為12的20%硝酸銀/18%硝酸銅/2%BYK-190(BYKChemie公司制品)水溶液20g投入。得到水系的銀、銅或銀銅合金膠體溶液。但是，當(dāng)將所得到的溶液保存在玻璃性容器中時，會在容器壁面形成銀以及銅的膜。其次，將獲得的金屬膠體溶液離心分離，反復(fù)操作除去比微粒子輕的雜質(zhì)，接著，用純水洗凈后，所獲得的微粒子的粒度分布，使用應(yīng)用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品的商品名microtracUPA150)測定為，平均粒子直徑為300nm，其粒度分布的CV值為140X。并且，銀離子與銅離子的配合比率(原子數(shù)比)為10:3。而且，該銀、銅或銀銅合金粒子的收獲率為9%。上述結(jié)果表示在表1中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>(實施例7)—邊從中央將作為第一流體的氫化硼鈉/BYK-190/0.1NNaOH水溶液，以供給壓力/背壓力=0.05MPa/0.OlMPa，轉(zhuǎn)速1140rpm，送液溫度45°C的條件送液，一邊將作為第二流體的氯鉑(IV)酸六水合物/BYK-190/1.ONH2S04水溶液，以6ml/min流量導(dǎo)入處理用面1、2之間。水系的鉑膠體溶液從處理用面1、2之間被排出。將獲得的鉑膠體溶液，以IOO萬GX10分鐘的條件離心分離，反復(fù)操作除去比鉑微粒子輕的雜質(zhì)，接著，用純水洗凈后，所獲得的微粒子的粒度分布，使用應(yīng)用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品的商品名microtracUPA150)測定為，平均粒子直徑為4.2nm。并且，將該鉑膠體溶液，使用透析管除去BYK-190、氫化硼鈉等后，干燥而得到鉑微粒子粉體。再將該粉體投入離子交換水中，用高速攪拌式分散機(商品名ClearMix，M技術(shù)株式會社制)攪拌而再分散，再次得到鉑膠體溶液，其平均粒子直徑與剛從處理用面間排出時相同，平均粒子直徑為4.2nm。并且，將得到的鉑微粒子粉體在甲苯中再分散的場合，平均粒子直徑也同樣為4.2nm。得到的鉑微粒子的TEM照片如圖31及圖32所示。(實施例8)—邊從中央將作為第一流體的氫化硼鈉/BYK-190/0.1NNaOH水溶液，以供給壓力/背壓力=0.OlMPa/0.005MPa，轉(zhuǎn)速600rpm，送液溫度55°C的條件送液，一邊將作為第二流體的四氯化鉑/醋酸鈀/BYK-190/丙酮/乙醇溶液，以8ml/min流量導(dǎo)入處理用面1、2之間。水系的鉑-鈀合金膠體溶液從處理用面l、2之間被排出。將獲得的鉑-鈀合金膠體溶液，以100萬GX10分鐘的條件離心分離，反復(fù)操作除去比鉑_鈀合金微粒子輕的雜質(zhì)，接著，用純水洗凈后，所獲得的鉑-鈀合金微粒子的粒度分布，使用應(yīng)用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品的商品名microtracUPA150)測定為，平均粒子直徑為5.lnm。并且，將該鉑-鈀合金膠體溶液，使用透析管除去BYK-190、氫化硼鈉等后，干燥而得到鉑-鈀合金微粒子粉體。再將該粉體投入離子交換水中，用高速攪拌式分散機(商品名ClearMix，M技術(shù)株式會社制)攪拌而再分散，再次得到鉑_鈀合金膠體溶液，其平均粒子直徑與剛從處理用面間排出時相同，平均粒子直徑為5.lnm。并且，將得到的鉑-鈀合金微粒子粉體在甲苯中再分散的場合，平均粒子直徑也同樣為5.lnm。所得鉑-鈀合金微粒子的TEM照片如圖33及圖34所示。TEM-EDX分析的表面分析結(jié)果為，鉬(Pt)和鈀(Pd)的比是Pt:Pd=73:27(mol%)。ICP發(fā)光分析的結(jié)果為，鉬(Pt)和鈀(Pd)的比是Pt:Pd=77:23(mol%)。從以上結(jié)果證實，獲得的微粒子為鉑_鈀的合金粒子。(實施例9)—邊從中央將作為第一流體的肼/BYK-190水溶液，以供給壓力/背壓力=0.04MPa/0.03MPa，轉(zhuǎn)速290rpm，送液溫度85°C的條件送液，一邊將作為第二流體的硝酸銅，二水合物水溶液，以10ml/min流量導(dǎo)入處理用面1、2之間。水系的銅微粒子溶液從處理用面1、2之間被排出。并且，即使將被排出的溶液保存在玻璃性的容器中，在容器壁面也不會形成銅膜。將獲得的銅膠體溶液，以IOO萬GXIO分鐘的條件離心分離，反復(fù)操作除去比銅微粒子輕的雜質(zhì)。接著，用純水洗凈后，所獲得的銅微粒子的粒度分布，使用應(yīng)用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品的商品名microtracUPA150)測定為，平均粒子直徑為4.4nm。并且，將該銅粒子分散物，使用透析管除去BYK-190、肼等后，干燥而得到銅微粒子粉體。再將該粉體投入離子交換水中，用高速攪拌式分散機(商品名ClearMix，M技術(shù)株式會社制)攪拌，再次得到銅粒子分散物，其平均粒子直徑與剛從處理用面間排出時相同，平均粒子直徑為4.4nm。(實施例10)—邊從中央將作為第一流體的5.5%肼/2.75%DisperbykBYK-190水溶液，以供給壓力/背壓力=0.02MPa/0.05MPa，轉(zhuǎn)速1000rpm，送液溫度25°C的條件送液，一邊將作為第二流體的35%硫酸鎳六水合物/2.77%DisperbykBYK-190水溶液，以2ml/min流量導(dǎo)入處理用面1、2之間。水系的鎳微粒子溶液從處理用面1、2之間被排出。并且，制作水溶液的水是進行了氮起泡及脫氧處理的離子交換水。其次，將獲得的鎳膠體溶液，使用超離心機(BECKMANCOULTER公司制品，OptimaMAX-XPUltracentrifuge)，以400000GX20分鐘的條件離心分離，反復(fù)操作除去比鎳微粒子輕的雜質(zhì)。接著，用純水洗凈后，所獲得的鎳微粒子的粒度分布，使用應(yīng)用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品的商品名microtracUPA-EX150)測定為，平均粒子直徑為4.2nm。將獲得的鎳微粒子分散液凍結(jié)干燥，得到鎳微粒子粉體，將該鎳微粒子粉體通過X射線回折裝置(PANalytivacl公司制造的全自動多目的X射線曲折裝置，X'PertPROMPD)解析，其結(jié)果，判明所獲得的鎳微粒子為非結(jié)晶。也就是說，本申請發(fā)明，既可以制造像上述實施例2那樣的高結(jié)晶性的金屬微粒子，也可以制造像該實施例10那樣的非結(jié)晶的金屬微粒子。將上述得到的鎳非結(jié)晶微粒子粉狀體在甲苯中混合，用超聲波洗凈機再分散。粒度分布測定結(jié)果，平均粒子直徑為4.lnm，證實了所獲得的鎳非結(jié)晶微粒子具有良好的再分散性。所獲得的鎳微粒子的TEM照片如圖35所示。(比較例3)—邊將氫化硼鈉/BYK-190/0.1NNaOH水溶液100g，在燒杯內(nèi)以溶液溫度45°C，轉(zhuǎn)速300rpm攪拌，一邊將六氯鉑(IV)酸六水合物/BYK-190/1.ONH2S04水溶液20g投入。得到鉑膠體溶液。將獲得的鉑膠體溶液離心分離，反復(fù)操作除去比鉑微粒子輕的雜質(zhì)。接著，用純水洗凈后，所獲得的鉑微粒子的粒度分布，使用應(yīng)用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品的商品名microtracUPA150)測定為，平均粒子直徑為645nm。并且，將該鉑粒子溶液，使用透析管除去BYK-190，氫化硼鈉等后，干燥而得到鉑微粒子粉體。再將該粉體投入離子交換水中，用高速攪拌式分散機(商品名ClearMix，M技術(shù)株式會社制)攪拌，再次得到鉑粒子膠體溶液，其平均粒子直徑比從燒杯中剛得到的大，平均粒子直徑為335nm。(比較例4)—邊將氫化硼鈉/BYK-190/0.1NNaOH水溶液100g，在燒杯內(nèi)以溶液溫度55°C，轉(zhuǎn)速300rpm攪拌，一邊將四氯化鉑/醋酸鈀/BYK-190/丙酮/乙醇溶液20g投入。得到鉑_鈀合金膠體溶液。將獲得的鉑_鈀合金膠體溶液離心分離，反復(fù)操作除去比鉑_鈀合金微粒子輕的雜質(zhì)。接著，用純水洗凈后，所獲得的鉑-鈀合金微粒子的粒度分布，使用應(yīng)用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品的商品名microtracUPA150)測定為，平均粒子直徑為756nm。并且，將該鉑-鈀合金膠體溶液，使用透析管除去BYK_190、氫化硼鈉等后，干燥而得到鉑-鈀合金微粒子粉體。再將該粉體投入離子交換水中，用高速攪拌式分散機(商品名ClearMix，M技術(shù)株式會社制)攪拌，再次得到鉑_鈀合金膠體溶液，其平均粒子直徑比從燒杯中剛得到的大，平均粒子直徑為881nm。(比較例5)—邊將肼/BYK-190水溶液100g，在燒杯內(nèi)以溶液溫度85°C，轉(zhuǎn)速300rpm攪拌，一邊將硝酸銅，二水合物水溶液20g投入。得到銅膠體溶液。將獲得的銅膠體溶液離心分離，反復(fù)操作除去比銅微粒子輕的雜質(zhì)。接著，用純水洗凈后，所獲得的銅微粒子的粒度分布，使用應(yīng)用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品的商品名microtracUPA150)測定為，平均粒子直徑為756nm。并且，將該鉑_鈀合金膠體溶液，使用透析管除去BYK-190、肼等后，干燥而得到銅微粒子粉體。再將該粉體投入離子交換水中，用高速攪拌式分散機(商品名ClearMix，M技術(shù)株式會社制)攪拌，再次得到銅膠體溶液，其平均粒子直徑比從燒杯中剛得到的大，平均粒子直徑為944nm。從以上事實判明，使用在可接近或分離地互相對向配設(shè)且至少一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面間形成的薄膜流體中均勻攪拌和混合的反應(yīng)裝置所獲得的金屬粒子為納米尺寸的微粒子，而且具有良好的再分散性。(比較例6)—邊將5.5%肼/2.75%DisperbykBYK-190水溶液100g，在燒杯內(nèi)以溶液溫度25。C，轉(zhuǎn)速300rpm攪拌，一邊將35%硫酸鎳六水合物/2.77%DisperbykBYK-190水溶液lml投入。得到水系的鎳膠體溶液。其次，將獲得的鎳膠體溶液，使用超離心機(BECKMANCOULTER公司制品，OptimaMAX-XPUltracentrifuge)，以400000GX20分鐘的條件離心分離，反復(fù)操作除去比鎳微粒子輕的雜質(zhì)。接著，用純水洗凈后，所獲得的鎳微粒子的粒度分布，使用應(yīng)用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝公司制品的商品名microtracUPA-EX150)測定為，平均粒子直徑為199.2nm。將上述得到的鎳微粒子分散液凍結(jié)干燥，得到鎳微粒子粉體，將該鎳微粒子粉體在甲苯中混合，用超聲波洗凈機再分散。粒度分布測定結(jié)果，其平均粒子直徑比從燒杯中剛得到的大，平均粒子直徑為311.6nm。權(quán)利要求一種金屬微粒子的制造方法，其特征在于，在形成于以能夠接近和分離的方式相互相向地配設(shè)且至少一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面之間的薄膜流體中，還原金屬化合物。2.如權(quán)利要求1所述的金屬微粒子的制造方法，其特征在于，成為上述金屬微粒子的金屬是金、銀、釕、銠、鈀、鋨、銥、鉑那樣的貴金屬、或銅、或兩種以上的上述金屬的合金。3.如權(quán)利要求1所述的金屬微粒子的制造方法，其特征在于，在形成于以能夠接近和分離的方式相互相向地配設(shè)且至少一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面之間的薄膜流體中，還原金屬化合物，平均粒子直徑為1200nm。4.如權(quán)利要求1所述的金屬微粒子的制造方法，其特征在于，在形成于以能夠接近和分離的方式相互相向地配設(shè)且至少一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面之間的薄膜流體中，將含有分散劑的溶液均勻地攪拌并混合到金屬化合物溶液或含有還原劑的溶液的至少一方中。5.如權(quán)利要求1至4中的任何一項所述的金屬微粒子的制造方法，其特征在于，所得的金屬微粒子的粒度分布的CV值為540%，優(yōu)選為1020%。6.如權(quán)利要求1至5中的任何一項所述的金屬微粒子的制造方法，其特征在于，上述還原反應(yīng)具備流體壓力施加機構(gòu)，該流體壓力施加機構(gòu)對被處理流動體施加規(guī)定壓力，第一處理用部、以及能夠相對于該第一處理用部相對接近和分離的第二處理用部至少兩個處理用部，禾口旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)，該旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)使上述第一處理用部和第二處理用部相對旋轉(zhuǎn)；在上述各處理用部中相互相向的位置上，設(shè)有第一處理用面以及第二處理用面至少兩個處理用面；上述的各處理用面構(gòu)成上述規(guī)定壓力的被處理流動體流過的被密封的流路的一部分；在上述的兩個處理用面之間，均勻混合兩種以上的被處理流動體并使其積極地發(fā)生反應(yīng)，上述兩種以上的被處理流動體中的至少任意一種含有反應(yīng)物；上述第一處理用部和第二處理用部中至少第二處理用部具備受壓面，并且，該受壓面的至少一部分由上述第二處理用面構(gòu)成；該受壓面受到上述流體壓力施加機構(gòu)施加給被處理流動體的壓力而產(chǎn)生使第二處理用面在從第一處理用面分離的方向移動的力；通過上述規(guī)定壓力的被處理流動體在能夠接近和分離且相對旋轉(zhuǎn)的第一處理用面和第二處理用面之間通過，上述被處理流動體一邊形成規(guī)定膜厚的流體膜一邊從兩個處理用面之間通過；進而具備獨立于上述規(guī)定壓力的被處理流動體流過的流路的另外的導(dǎo)入路；上述第一處理用面和第二處理用面的至少任意一方具備至少一個與上述導(dǎo)入路相通的開口部；將從上述導(dǎo)入路輸送來的至少一種被處理流動體導(dǎo)入上述兩個處理用面之間，至少上述的各被處理流動體的任意一方中含有的上述反應(yīng)物與不同于上述被處理流動體的被處理流動體，通過在上述流體膜內(nèi)的均勻攪拌形成的混合能夠達(dá)到所希望的反應(yīng)狀態(tài)。7.如權(quán)利要求1至6中的任何一項所述的金屬微粒子的制造方法，其特征在于，作為上述還原反應(yīng)使用電化學(xué)還原方法，該電化學(xué)還原方法通過由導(dǎo)電性材料制造各處理用面，在上述的各處理用面之間賦予電位差，從而在各處理用面之間進行電子的授受。8.—種金屬膠體溶液，該金屬膠體溶液含有通過權(quán)利要求1至7中的任何一項所述的金屬微粒子的制造方法所制造的金屬微粒子。全文摘要本發(fā)明使用在可接近和分離地相互相向配置的且至少一方相對于另一方旋轉(zhuǎn)的處理用面之間形成的薄膜流體中均勻攪拌和混合的反應(yīng)裝置，通過使含有高分子分散劑及金屬化合物的水溶液在上述薄膜中與還原劑水溶液合流，在薄膜中一邊均勻地混合一邊進行還原反應(yīng)，從而獲得金屬微粒子。文檔編號B22F9/24GK101790430SQ20088010416公開日2010年7月28日申請日期2008年7月4日優(yōu)先權(quán)日2007年7月6日發(fā)明者榎村真一申請人:M技術(shù)株式會社