專利名稱：高純度錫或錫合金及高純度錫的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在半導體制造裝置的制造等中使用的、錫的α射線量減少的高純度錫或錫合金以及高純度錫的制造方法。
背景技術：
一般而言，錫是半導體制造中使用的材料，特別是焊料的主要原料。制造半導體 時，焊料在半導體芯片與襯底的接合、把IC或LSI等Si芯片焊接或者密封到引線框或陶瓷 封裝上時、TAB(帶式自動焊接)或倒裝芯片制造時的凸起形成、半導體用布線材料等中使用。目前的半導體裝置由于高密度化及高容量化，因此受到來自半導體芯片附近材料 的α射線的影響，導致軟錯誤發(fā)生的危險增多。因此，要求前述焊料及錫的高純度化，另 夕卜，需要α射線少的材料。關于以減少來自錫的α射線為目的的技術，公開了幾項。以下對其進行介紹。下述專利文獻1中，記載了將錫與α射線量為lOcph/cm2以下的鉛合金化后，進 行除去錫中所含鉛的精煉處理的低α射線錫的制造方法。該技術的目的是通過添加高純度的Pb稀釋錫中的21°Pb，從而減少α射線量。但 是，此時，在添加到錫中后，需要必須進一步除去Pb的復雜工序，另外，雖然在錫精煉3年后 α射線量顯示為大大降低的值，但是也可以理解為經過3年才能使用該α射線量下降的 錫，因此不能說是產業(yè)上有效的方法。下述專利文獻2中，記載了如果在Sn-Pb合金焊料中添加10至5000ppm選自Na、 Sr、K、Cr、Nb、Mn、V、Ta、Si、Zr和Ba的材料，則放射線α粒子的計數(shù)降至0. 5cph/cm2以下。但是，即使通過添加這樣的材料，放射線α粒子的計數(shù)也只能降低到0. 015cph/ cm2的水平，達不到作為目前的半導體裝置用材料能夠期待的水平。另外，問題還在于，使用堿金屬元素、過渡金屬元素、重金屬元素等不優(yōu)選混入半 導體中的元素作為添加材料。因此，如果作為半導體裝置組裝用材料，則只能說是水平低的 材料。下述專利文獻3中，記載了使從焊料極細線釋放的放射線α粒子的計數(shù)為 0. 5cph/cm2以下，作為半導體裝置等的連接布線使用。但是，這種程度的放射線α粒子的 計數(shù)水平，達不到作為目前的半導體裝置用材料能夠期待的水平。下述專利文獻4中，記載了使用高度精制硫酸、高度精制鹽酸等純度高的硫酸和 鹽酸制作電解液，并且使用高純度的錫作為陰極進行電解，由此得到鉛濃度低、鉛的α射 線計數(shù)為0.005cph/cm2以下的高純度錫。如果不考慮成本，使用高純度的原材料(試劑)， 則當然能夠得到高純度的材料，但是，即便如此，專利文獻4的實施例所示的析出錫的最低α射線計數(shù)為0. 002cph/cm2，盡管成本很高，但是也達不到能夠期待的水平。下述專利文獻5中，記載了向添加了粗金屬錫的加熱水溶液中添加硝酸使偏錫酸沉降，將其過濾并洗滌，洗滌后的偏錫酸用鹽酸或氫氟酸溶解，將該溶解液作為電解液，通 過電解沉積得到5N以上的金屬錫的方法。雖然該技術模糊地描述了可以應用于半導體裝 置，但是對于放射性元素U、Th及放射線α粒子的計數(shù)的限制沒有特別提及，對于這些限制 而言，可以說是低水平的。下述專利文獻6中，公開了使構成焊料合金的Sn中所含的Pb量減少，使用Bi、Sb、 Ag或Zn作為合金材料的技術。但是，對于從根本上解決此時即便盡可能地減少Pb也必然 混入的Pb所引起的放射線α粒子計數(shù)問題的方法，沒有特別公開。下述專利文獻7中，公開了使用高度精制硫酸試劑電解而制造的品位為99. 99% 以上、放射線α粒子的計數(shù)為0.03cph/cm2以下的錫。此時，如果不考慮成本，使用高純度 的原材料(試劑)，則當然可以得到高純度的材料，但是即便如此，專利文獻7的實施例所示 的析出錫的最低α射線計數(shù)為0.003cph/cm2，盡管成本高，但是達不到能夠期待的水平。下述專利文獻8中，記載了具有4N以上的品位、放射性同位素低于50ppm、放射線 α粒子的計數(shù)為0. 5cph/cm2以下的半導體裝置用釬料用鉛。另外。下述專利文獻9中，記 載了品位為99. 95%以上、放射性同位素低于30ppm、放射線α粒子的計數(shù)為0. 2cph/cm2以 下的半導體裝置用釬料用錫。上述專利文獻8和9的放射線α粒子計數(shù)的容許量均比較寬松，也都存在作為目 前的半導體裝置用材料達不到能夠期待的水平的問題。專利文獻10中公開了純度99. 999% (5Ν)的Sn的例子，但是該Sn是用于隔震結 構體用金屬插塞材料，因此對于放射性元素U、Th及放射線α粒子計數(shù)的限制完全沒有記 載，這樣的材料不能作為半導體裝置組裝用材料使用。另外，在專利文獻11中，公開了利用石墨或活性炭的粉末從被大量的锝(Tc)、鈾、 釷污染的鎳中除去锝的方法。其理由是，如果想通過電解精煉法除去锝，則其會伴隨鎳在陰 極上共沉積，因此不能分離。即，不能通過電解精煉法除去鎳中所含的放射性物質锝。專利 文獻11的技術是被锝污染的鎳所特有的問題，不能應用于其它物質。另外，該技術作為處理對人體有害的產業(yè)廢棄物的高純度化技術，不過是低水平 的技術，達不到作為半導體裝置用材料的水平。專利文獻1 日本專利第3528532號公報專利文獻2 日本專利第3227851號公報專利文獻3 日本專利第2913908號公報專利文獻4 日本專利第2754030號公報專利文獻5 日本特開平11-343590號公報專利文獻6 日本特開平9-260427號公報專利文獻7 日本特開平1-283398號公報專利文獻8 日本特開昭62-47955號公報專利文獻9 日本特開昭62-1478號公報專利文獻10 日本特開2001-82538號公報專利文獻11 日本特開7-280998號公報

發(fā)明內容
目前的半導體裝置由于高密度化及高容量化，因此受到來自半導體芯片附近材料的α射線的影響，導致軟錯誤發(fā)生的危險增多。特別是對靠近半導體裝置使用的焊料或者 錫的高純度化的要求強烈，另外，需要α射線少的材料，因此，本發(fā)明的目的是提供能夠應 對這些問題的使錫的α射線量減少的高純度錫或錫合金以及高純度錫的制造方法。為了解決上述問題，本發(fā)明的高純度錫或錫合金，其特征在于，純度為5Ν以上(條 件是，0、C、N、H、S、P的氣體成分除外)，其中放射性元素U和Th各自的含量為5ppb以下， 釋放放射線α粒子的Pb和Bi各自的含量為Ippm以下，可以盡量地排除α射線對半導體 芯片的影響(另外，本發(fā)明使用的％、？ 111、？ 13全部表示重量(Wt))。本發(fā)明的高純度錫或錫合金最后通過熔解和鑄造、以及根據(jù)需要進行軋制和切割 來制造，因此該高純度錫的α射線計數(shù)優(yōu)選為O.OOlcph/cm2以下，本發(fā)明的高純度錫或錫 合金可以實現(xiàn)這一點。本發(fā)明中，高純度錫的制造特別重要，作為該高純度錫的制造方法，用酸、例如硫 酸使原料錫浸出后，將該浸出液作為電解液，使雜質的吸附材料懸浮于該電解液中，使用原 料錫陽極進行電解精煉，由此，可以得到純度為5N以上(條件是，O、C、N、H、S、P的氣體成 分除外)，其中放射性元素U和Th各自的含量為5ppb以下，釋放放射線α粒子的Pb和Bi 各自的含量為Ippm以下的高純度錫。Pb和Bi都與Sn電位接近，因此存在難以除去的問題，但是，通過本發(fā)明的方法，可 以實現(xiàn)有效除去。作為前述懸浮于電解液中的吸附材料，可以使用氧化鈦、氧化鋁、氧化錫等氧化 物，活性炭，碳等。另外，將通過上述電解精煉得到的高純度錫在250 500°C下進行熔解鑄造，使該 鑄造的錠經過6個月以上之后，α射線計數(shù)為O.OOlcph/cm2。鑄造Sn時，存在氡的侵入、 釙的蒸發(fā)，因此難以嚴格地測定Sn中實際的雜質或α射線量。因此，使其經過6個月以上 而穩(wěn)定是必要的。S卩，換言之，在本發(fā)明中，可以說通過經過6個月以上而使α射線計數(shù)穩(wěn)定在 0. 001cph/cm2 以下。作為高純度錫合金的添加成分(合金成分)，可以列舉銀、銅、鋅等，但是不特別限 于這些元素。另外，通常添加量設定在0.1至20重量％，也不限于該量。同樣地，需要使用 高純度的材料。發(fā)明效果本發(fā)明的高純度錫或錫合金，純度為5N以上(條件是，O、C、N、H、S、P的氣體成分 除外)，其中放射性元素U和Th各自的含量為5ppb以下，釋放放射線α粒子的Pb和Bi各 自的含量為Ippm以下，可以盡量地排除α射線對半導體芯片的影響。而且，本發(fā)明的高純度錫或錫合金最后通過熔解鑄造進行制造，具有的優(yōu)良效果 是具有該錫的鑄造組織的高純度錫的α射線計數(shù)可以設定為O.OOlcph/cm2以下。由此， 可以顯著減少半導體裝置由于α射線的影響而導致的軟錯誤的發(fā)生。
具體實施例方式作為原料錫，通常使用市售的2N至3N水平的錫。但是，原料錫不必限定于這樣的市售品。將該原料錫用酸浸出，將該浸出液作為電解液。使用的酸優(yōu)選鹽酸、硫酸等。另外，陽極使用2N至4N水平的錫。然后，在電解溫度10°C至80°C、電流密度0. 1 至50A/dm2的條件下進行電解。在電解液中，使氧化鈦、氧化鋁、氧化錫等氧化物、活性炭、碳懸浮，以吸附雜質。這 對于Pb和Bi的除去特別有效。通過以上電解后的純化，可以使放射性元素U和Th各自的含量為5ppb以下，并且 釋放放射線α粒子的Pb和Bi各自的含量為Ippm以下。這樣，Pb量和Bi量、以及U和Th 含量的下降，特別是通過電解條件和懸浮物實現(xiàn)的。將這樣析出的電解錫在250°C至500°C的條件下熔解鑄造，制成錫錠。該溫度范圍 對于除去Po等放射性元素是有效的。如果溫度低于250°C且剛剛在熔點之上，則難以鑄造， 如果超過500°C，則產生Sn的蒸發(fā)，因此不優(yōu)選。因此，在上述溫度范圍內進行熔解鑄造。將該鑄造后的錫錠在惰性氣體環(huán)境中或者真空減壓下保存6個月。考查經過該6 個月后的α射線量時，α射線計數(shù)減少，可以使其為O.OOlcph/cm2以下。錫合金的情況也同樣，選擇特別是放射性元素U和Th各自的含量、釋放放射線α 粒子的Pb和Bi各自的含量滿足本發(fā)明條件的高純度材料作為添加元素的材料并進行合金 化，以得到本發(fā)明的錫合金。制造工序也與上述制造錫錠的情況相同。這樣得到的本發(fā)明的高純度錫或錫合金，具有的優(yōu)良效果是可以顯著減少半導 體裝置由于α射線的影響導致的軟錯誤的產生。實施例以下，通過實施例說明本發(fā)明。但是，本實施例僅僅是一個例子，本發(fā)明不限于此。 艮口，本發(fā)明包含在本發(fā)明技術思想范圍內的實施例以外的所有方式或者變形。(實施例1)用硫酸浸出原料錫，將該浸出液作為電解液。另外，陽極使用3Ν水平的Sn。在電 解溫度20°C、電流密度ΙΑ/dm2的條件下進行電解。原料錫的分析值如表1所示。另外，在電解液中，加入氧化鈦(TiO2) 50g/L使其懸浮。通過以上電解后的純化， Pb量變?yōu)?. 7ppm、Bi量變?yōu)?. lppm。另外，U和Th各自的含量變?yōu)?lt; 5ppb。如此，關于 Pb量和Bi量以及U、Th含量的減少，雜質Pb和Bi的減少是通過吸附到懸浮的氧化鈦上而 實現(xiàn)的，另外，雜質U和Th的減少是通過電解實現(xiàn)的。將該析出的電解錫在260°C的溫度下熔解鑄造，制成錫錠。將該鑄造后的錫錠在氬 氣環(huán)境中保存6個月?？疾榻涍^該6個月后的α射線量，結果α射線計數(shù)變?yōu)?. 0007cph/ cm2。純化后的錫的分析值同樣示于表1中。所得錫是滿足放射性元素U和Th各自的含量為5ppb以下、釋放放射線α粒子的 Pb和Bi各自的含量為Ippm以下、并且α射線計數(shù)為0. OOlcph/cm2以下的本發(fā)明目標的 錫材料。由此，可以得到適合制造半導體裝置的高純度錫材料。表 1 各元素量重量ppm (但是，對于U和Th為重量ppb)，α射線量Cph/cm2(實施例2)用硫酸浸出原料錫，將該浸出液作為電解液。另外，陽極使用與實施例1同樣的3N 水平的Sn。在電解溫度25°C、電流密度3A/dm2的條件下進行電解。另外，在電解液中，加入活性炭10g/L使其懸浮。通過以上電解后的純化，Pb量變 為0. lppm、Bi量變?yōu)?. 05ppm。另外，U和Th各自的含量變?yōu)?lt; 5ppb。如此，關于Pb量和 Bi量以及U、Th含量的減少，雜質Pb和Bi的減少是通過吸附到懸浮的活性炭上而實現(xiàn)的， 另外，雜質U和Th的減少是通過電解實現(xiàn)的。將該析出的電解錫在500°C的溫度下熔解鑄造，制成錫錠。將該鑄造后的錫錠 在氮氣環(huán)境中保存10個月?？疾榻涍^該10個月后的α射線量，結果α射線計數(shù)變?yōu)?0.0005cph/cm2。純化后的錫的分析值同樣示于表1中。
所得錫是滿足放射性元素U和Th各自的含量為5ppb以下、釋放放射線α粒子的Pb和Bi各自的含量為Ippm以下、并且α射線計數(shù)為0. OOlcph/cm2以下的本發(fā)明目標的 錫材料。由此，可以得到適合制造半導體裝置的高純度錫材料。(實施例3)用鹽酸浸出原料錫，將該浸出液作為電解液。另外，陽極使用與實施例1同樣的3N 水平的Sn。在電解溫度50°C、電流密度ΙΟΑ/dm2的條件下進行電解。另外，在電解液中，加入炭40g/L使其懸浮。通過以上電解后的純化，Pb量變?yōu)?0. 9ppm、Bi量變?yōu)?. 3ppm。另外，U和Th各自的含量變?yōu)?lt; 5ppb。如此，關于Pb量和Bi 量以及U、Th含量的減少，雜質Pb和Bi的減少是通過吸附到懸浮的碳上而實現(xiàn)的，另外，雜 質U和Th的減少是通過電解實現(xiàn)的。將該析出的電解錫在350°C的溫度下熔解鑄造，制成錫錠。將該鑄造后的錫錠在真 空中保存20個月?？疾榻涍^該20個月后的α射線量，結果α射線計數(shù)變?yōu)?. 0009cph/ cm2。純化后的錫的分析值同樣示于表1中。所得錫是滿足放射性元素U和Th各自的含量為5ppb以下、釋放放射線α粒子的 Pb和Bi各自的含量為Ippm以下、并且α射線計數(shù)為0. OOlcph/cm2以下的本發(fā)明目標的 錫材料。由此，可以得到適合制造半導體裝置的高純度錫材料。(實施例4)用鹽酸浸出原料錫，將該浸出液作為電解液。另外，陽極使用與實施例1同樣的3N 水平的Sn。在電解溫度40°C、電流密度15A/dm2的條件下進行電解。另外，在電解液中，加入氧化錫50g/L使其懸浮。通過以上電解后的純化，Pb量變 為0. 06ppm、Bi量變?yōu)?. Olppm。另外，U和Th各自的含量變?yōu)?lt; 5ppb。如此，關于Pb量 和Bi量以及U、Th含量的減少，雜質Pb和Bi的減少是通過吸附到懸浮的氧化錫上而實現(xiàn) 的，另外，雜質U和Th的減少是通過電解實現(xiàn)的。將該析出的電解錫在400°C的溫度下熔解鑄造，制成錫錠。將該鑄造后的錫錠在干 燥器中保存50個月?？疾榻涍^該50個月后的α射線量，結果α射線計數(shù)變?yōu)?. 0005cph/ cm2。純化后的錫的分析值同樣示于表1中。所得錫是滿足放射性元素U和Th各自的含量為5ppb以下、釋放放射線α粒子的 Pb和Bi各自的含量為Ippm以下、并且α射線計數(shù)為0. OOlcph/cm2以下的本發(fā)明目標的 錫材料。由此，可以得到適合制造半導體裝置的高純度錫材料。(比較例1)用硫酸浸出原料錫，將該浸出液作為電解液。另外，陽極使用與實施例1同樣的3N 水平的Sn。在與實施例1相同的條件下，即在電解溫度25°C、電流密度3A/dm2的條件下進 行電解。另外，在電解液中，不加入懸浮材料。通過以上電解后的純化，Pb量變?yōu)?00ppm、 Bi量變?yōu)?0ppm。另外，U和Th各自的含量變?yōu)镺.Olppb和0.006ppb。這是與原料沒有大 的差異的雜質水平。將該析出的電解錫在240°C的溫度下熔解鑄造，制成錫錠。將該鑄造后的錫錠在氬 氣環(huán)境中保存6個月?？疾榻涍^該6個月后的α射線量，結果α射線計數(shù)變?yōu)?. Ocph/ cm2。純化后的錫的分析值同樣示于表1中。
所得錫不能達到放射性元素U和Th各自的含量為5ppb以下、釋放放射線α粒子的Pb和Bi各自的含量為Ippm以下、并且α射線計數(shù)為0. OOlcph/cm2以下的本發(fā)明的目 標。由此，不適合半導體裝置的制造。(實施例5)(由0.5% Cu-3% Ag-余量Sn構成的錫合金)準備實施例1中制造的高純度錫。本實施例的錫合金的添加元素為通過電解使 市售的銀和銅高純度化而得到5N5-Ag和6N-Cu。將這些添加元素添加到前述高純度錫中， 在惰性氣體環(huán)境中、在260°C的溫度下熔解鑄造，制作由0. 5% Cu-3% Ag-余量Sn構成的 Sn-Cu-Ag合金錠。將該鑄造后的錫錠在氬氣環(huán)境中保存6個月?？疾榻涍^該6個月后的α射線量， 結果α射線計數(shù)變?yōu)?.0007cph/cm2。錫合金的分析值示于表2中。所得錫合金是滿足放射性元素U和Th各自的含量為5ppb以下、釋放放射線α粒 子的Pb和Bi各自的含量為Ippm以下、并且α射線計數(shù)為0. OOlcph/cm2以下的本發(fā)明目 標的錫材料。由此，可以得到適合制造半導體裝置的高純度錫材料。(實施例6)(由3·5% Ag-余量Sn構成的錫合金)準備實施例1中制造的高純度錫。本實施例的錫合金的添加元素Ag為，通過硝酸 將市售的銀溶解，向其中添加HCl使AgCl析出，進一步將其進行氫還原而得到5N-Ag的高 純度Ag。將該添加元素添加到前述高純度錫中，在惰性氣體環(huán)境中、在260°C的溫度下熔解 鑄造，制作由3. 5% Ag-余量Sn構成的Sn-Ag合金錠。將該鑄造后的錫錠在氬氣環(huán)境中保存6個月?？疾榻涍^該6個月后的α射線量， 結果α射線計數(shù)變?yōu)?.0005cph/cm2。錫合金的分析值示于表2中。所得錫合金是滿足放射性元素U和Th各自的含量為5ppb以下、釋放放射線α粒 子的Pb和Bi各自的含量為Ippm以下、并且α射線計數(shù)為0. OOlcph/cm2以下的本發(fā)明目 標的錫材料。由此，可以得到適合制造半導體裝置的高純度錫材料。(實施例7)(由9%Zn-余量Sn構成的錫合金)準備實施例1中制造的高純度錫。本實施例的錫合金的添加元素為通過電解使市 售的銀和鋅高純度化而得到6N-Zn。將該添加元素添加到前述高純度錫中，在惰性氣體環(huán)境 中、在260°C的溫度下熔解鑄造，制作由9% Zn-余量Sn構成的Sn-Zn合金錠。將該鑄造后的錫錠在氬氣環(huán)境中保存6個月?？疾榻涍^該6個月后的α射線量， 結果α射線計數(shù)變?yōu)?.0008cph/cm2。錫合金的分析值示于表2中。所得錫合金是滿足放射性元素U和Th各自的含量為5ppb以下、釋放放射線α粒 子的Pb和Bi各自的含量為Ippm以下、并且α射線計數(shù)為0. OOlcph/cm2以下的本發(fā)明目 標的錫材料。由此，可以得到適合制造半導體裝置的高純度錫材料。(比較例2)(由0.5% Cu-3% Ag-余量Sn構成的錫合金)準備實施例1中制造的高純度錫。本實施例的錫合金的添加元素，使用市售的3N 水平的銀和銅。將這些添加元素添加到前述高純度錫中，在惰性氣體環(huán)境中、在260°C的溫度下熔解鑄造，制作由0. 5% Cu-3% Ag-余量Sn構成的Sn-Cu-Ag合金錠。將該鑄造后的錫錠在氬氣環(huán)境中保存6個月?？疾榻涍^該6個月后的α射線量，結果α射線計數(shù)變?yōu)?. lcph/cm2。錫合金的分析值示于表2中。所得錫合金不能達到放射性元素U和Th各自的含量為5ppb以下、釋放放射線α 粒子的Pb和Bi各自的含量為Ippm以下、并且α射線計數(shù)為0. OOlcph/cm2以下的本發(fā)明 的目標。由此，不適合半導體裝置的制造。(比較例3)(由3.5%Ag-余量Sn構成的錫合金)準備實施例1中制造的高純度錫。本實施例的錫合金的添加元素Ag是市售的3N 水平的Ag。將該添加元素添加到前述高純度錫中，在惰性氣體環(huán)境中、在260°C的溫度下熔 解鑄造，制作由3. 5% Ag-余量Sn構成的Sn-Ag合金錠。將該鑄造后的錫錠在氬氣環(huán)境中保存6個月?？疾榻涍^該6個月后的α射線量， 結果α射線計數(shù)變?yōu)?.03cph/cm2。錫合金的分析值示于表2中。所得錫合金不能達到放射性元素U和Th各自的含量為5ppb以下、釋放放射線α 粒子的Pb和Bi各自的含量為Ippm以下、并且α射線計數(shù)為0. OOlcph/cm2以下的本發(fā)明 的目標。由此，不適合半導體裝置的制造。(比較例4)(由9%Zn-余量Sn構成的錫合金)準備實施例1中制造的高純度錫。本實施例的錫合金的添加元素，使用市售的3N 水平的銀及鋅。將該添加元素添加到前述高純度錫中，在惰性氣體環(huán)境中、在260°C溫度下 熔解鑄造，制作由9% Zn-余量Sn構成的Sn-Zn合金錠。將該鑄造后的錫錠在氬氣環(huán)境中保存6個月?？疾榻涍^該6個月后的α射線量， 結果α射線計數(shù)變?yōu)?.5cph/cm2。錫合金的分析值示于表2中。所得錫合金不能達到放射性元素U和Th各自的含量為5ppb以下、釋放放射線α 粒子的Pb和Bi各自的含量為Ippm以下、并且α射線計數(shù)為0. OOlcph/cm2以下的本發(fā)明 的目標。由此，不適合半導體裝置的制造。表2 各元素量重量ppm(但是，對于U和Th為重量ppb)，α射線量Cph/cm2產業(yè)實 用性如上所述，本發(fā)明可以使得純度為5N以上(條件是，0、C、N、H、S、P的氣體成分除 外)，其中放射性元素U和Th各自的含量為5ppb以下，釋放放射線α粒子的Pb和Bi各自 的含量為Ippm以下，并且具有該錫的鑄造組織的高純度錫的α射線計數(shù)為O.OOlcph/cm2 以下，因此可以盡量地排除α射線對半導體芯片的影響。因此，可以顯著減少半導體裝置 由于α射線的影響而導致的軟錯誤的發(fā)生，故而作為焊料等使用錫的地方的材料有用。
權利要求
一種高純度錫，其中，U和Th各自的含量為5ppb以下，Pb和Bi各自的含量為1ppm以下，并且除O、C、N、H、S、P的氣體成分外的純度為5N以上。
2.權利要求1所述的高純度錫，其中，高純度錫的α射線計數(shù)為O.OOlcph/cm2以下。
3.一種錫合金，其中，包含高純度錫，所述高純度錫中U和Th各自的含量為5ppb以下， Pb和Bi各自的含量為Ippm以下，并且除0、C、N、H、S、P的氣體成分外的純度為5N以上。
全文摘要
一種高純度錫或錫合金，其中，U和Th各自的含量為5ppb以下，Pb和Bi各自的含量為1ppm以下，并且純度為5N以上(條件是，O、C、N、H、S、P的氣體成分除外)。一種高純度錫或錫合金，其中，具有鑄造組織的高純度錫的α射線計數(shù)為0.001cph/cm2以下。目前的半導體裝置由于高密度化及高容量化，因此受到來自半導體芯片附近材料的α射線的影響，導致軟錯誤發(fā)生的危險增多。特別是對靠近半導體裝置使用的焊料或者錫的高純度化的要求強烈，另外，需要α射線少的材料，因此，本發(fā)明的目的是提供能夠應對這些問題的使錫的α射線量減少的高純度錫或錫合金以及高純度錫的制造方法。
文檔編號C22C13/00GK101880893SQ20101021774
公開日2010年11月10日 申請日期2006年6月14日 優(yōu)先權日2005年7月1日
發(fā)明者新藤裕一朗, 竹本幸一 申請人:日礦金屬株式會社