專利名稱：載板、用載板進行沉積處理方法及等離子體沉積處理設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及等離子體沉積技術，更具體地涉及用于基片沉積處理的載板、使用該 載板對基片進行沉積處理的方法以及具有該載板的等離子體沉積處理設備。
背景技術：
等離子體增強化學沉積(PECVD)是一種被廣泛應用于半導體及太陽能電池片領 域的鍍膜方法，常見腔室結構如圖1所示。待鍍膜的晶片(wafer，晶圓)放置在載板表面， 載板經(jīng)過預熱腔102的紅外燈管預熱，傳入工藝腔104，自工藝腔104的腔室上部通入工藝 氣體，在上電極與載板之間放電，產(chǎn)生等離子體，晶片表面沉積上一定厚度的所需薄膜，工 藝完畢后，載板傳入冷卻腔106，冷卻到一定溫度后被傳出冷卻腔106。考慮到工藝鍍膜的邊緣效應要求，載板202的面積一般大于晶片204的實際使用 面積，如圖2所示，因此在載板202的四周會有部分的空白區(qū)域206，該表面由于并未放置產(chǎn) 品晶片204，長時間暴露于等離子體鍍膜環(huán)境后，表面沉積幾十到幾百個微米的薄膜，當受 到外界環(huán)境擾動，如在劇烈的溫度變化條件下，薄膜會暴起，迸濺到晶片204的表面，形成 斑點或懸浮狀顆粒，如圖3a所示。與圖3b中示出的載板不存在薄膜暴起的情況相比，可以 明顯看出放置于薄膜暴起載板上面的晶片在工藝鍍膜后表面會出現(xiàn)顆粒。上述說明雖然以等離子體增強化學沉積過程中對晶片進行沉積處理為例進行說 明，但是，本領域技術人員應當理解，在其他形式的對基片進行沉積處理的工藝中會遇到同 樣的問題。當前，為了解決薄膜暴起而導致的加工后晶片表面顆粒問題，主要采用如下兩種 方法。第一，對載板進行定期的化學清洗，使用HF酸浸泡方式除去表面沉積的薄膜，例 如SiNx薄膜。采用這樣的方法盡管能夠適當避免薄膜暴起帶來的表面顆粒污染，但是該方 法帶來的主要問題在于1.載板由于清洗而無法使用，需要額外準備備用的載板來繼續(xù)進行生產(chǎn)；2.長期地使用化學酸液浸泡載板，造成載板表面損傷，縮短載板的使用壽命；3.化學清洗的殘留液附著于載板表面，高溫下造成晶片表面的污染，進而影響晶 片的質(zhì)量，而對于太陽能電池片來說，就直接會影響到太陽能電池的性能。第二種方法是，對載板表面進行粗化處理，來提高載體表面的粗糙度，以此來提高 載板表面對薄膜的抓附力，從而減少薄膜暴起導致的顆粒迸濺的機會。但是這種方法同樣 存在以下問題1.當載板的空白區(qū)域沉積的薄膜厚度較大時，仍舊會發(fā)生顆粒的迸濺；2.表面粗化處理對載板的表面產(chǎn)生一定的機械損傷，會影響其使用壽命。因此，為了解決上述存在的技術問題，需要一種既能夠解決載板的空白區(qū)域的薄 膜暴起導致的顆粒危害的問題，同時又能夠不影響載板的使用壽命，減少更換載板導致的 損失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用于進行基片沉積處理的載板，其能夠解決現(xiàn)有技術中 載板的空白區(qū)域的薄膜暴起導致的顆粒危害的問題，同時還能保證不影響載板的使用壽 命。本發(fā)明的另一目的是提供一種使用本發(fā)明提出的載板進行基片沉積處理的方法。本發(fā) 明的又一目的是提供一種包括上述載板的等離子體沉積處理設備。為了解決上述技術問題至少之一，本發(fā)明提出了一種用于進行基片沉積處理的載 板，包括一個或多個假片，可拆卸地布置在所述載板上沒有布置基片的空白區(qū)域中。在上述技術方案中，優(yōu)選地，該假片選自包括硅片、石墨以及C-C復合材料的組。在上述技術方案中，優(yōu)選地，當假片由硅片制成時，假片通過陶瓷柱或凹槽固定方 式可拆卸地布置在載板上，其中凹槽設置在載板的空白區(qū)域。在上述技術方案中，優(yōu)選地，假片的厚度為700 μ m至1000 μ m。本領域技術人員應 當理解，假片的厚度可以相同也可以不同，只要不影響工藝處理即可，這里給出的數(shù)值范圍 并不用于對本發(fā)明的保護范圍構成不當限定。假片的厚度同樣可以采用其它的數(shù)值或者數(shù) 值范圍，只要能夠實現(xiàn)本發(fā)明的目的和效果，均應當落入本發(fā)明的保護范圍。在上述技術方案中，優(yōu)選地，當假片由石墨或C-C復合材料制成時，假片通過凹槽 固定方式可拆卸地設置在載板上，其中凹槽設置在所述載板的空白區(qū)域。在上述技術方案中，優(yōu)選地，凹槽的深度為3mm至4mm。在上述技術方案中，優(yōu)選地，假片經(jīng)過粗化處理。應當理解，粗化處理例如可以包 括噴砂處理或化學溶液處理，采用噴砂處理時表面粗糙度可以達到Ra = 6 μ m-8 μ m。在上述技術方案中，優(yōu)選地，假片的形狀可根據(jù)所述空白區(qū)域的形狀和大小進行調(diào)節(jié)。本發(fā)明還提供了一種等離子體沉積處理設備，具有反應腔室，還包括如上所述的 載板。本發(fā)明還提供了一種使用載板對基片進行沉積處理的方法，包括步驟602，將基 片布置在載板上；步驟604，將一個或多個假片可拆卸地布置在載板上沒有布置基片的空 白區(qū)域中；以及步驟606，在基片和載板上進行沉積處理。在上述技術方案中，優(yōu)選地，該方法進一步包括在預定的沉積時間后，更換一個 或多個假片。應當理解，不同的處理工藝，預定的沉積時間不同，該預定沉積時間與假片的 厚度無關，而與假片上沉積的膜的厚度相關，一般而言，10至20個小時更換假片是適宜的。在上述技術方案中，優(yōu)選地，該方法進一步包括清洗更換下來的一個或多個假 片，供重復使用。在上述技術方案中，優(yōu)選地，在步驟604中，在載板的空白區(qū)域設置凹槽，通過凹 槽固定方式將假片可拆卸地布置在載板上的空白區(qū)域中。在上述技術方案中，優(yōu)選地，在步驟604中，當假片由硅片制成時，通過陶瓷柱固 定方式將假片可拆卸地布置在載板上的空白區(qū)域中。在上述技術方案中，優(yōu)選地，該方法還包括以下處理在將一個或多個假片布置在 空白區(qū)域中之前，對一個或多個假片進行粗化處理。在上述技術方案中，優(yōu)選地，預定的沉積時間為一個或多個假片的表面保持未迸濺狀態(tài)的時間。本領域技術人員應當理解，這里提到的一個或多個假片的表面保持未迸濺狀態(tài)的 含義在于由于假片暴露于等離子體鍍膜環(huán)境后，表面沉積幾十到幾百個微米的薄膜，當受 到外界環(huán)境擾動，如劇烈的溫度變化條件下，薄膜暴起，迸濺到晶圓表面，形成斑點或懸浮 狀顆粒，在假片的表面發(fā)生迸濺之前的狀態(tài)就是未迸濺狀態(tài)。與上面背景技術部分所提到的載板相比，本發(fā)明所提出的載板在載板沒有布置基 片的空白區(qū)域中可拆卸地布置假片，對空白區(qū)域進行了遮蔽保護，在一定的沉積時間之后， 可以只更換假片，保持載板的空白區(qū)域薄膜處于非迸濺狀態(tài)，而無需頻繁清洗載板，從而延 長整體載板的清洗周期，提高了載板的使用壽命，同時因為假片可以重復利用，所以與更換 整體載板相比也相對更加經(jīng)濟。同理，本發(fā)明提供的使用本發(fā)明提出的載板進行等離子體 沉積處理的方法也具有同樣的技術效果，在此不再贅述。


圖1示出了平板式PECVD系統(tǒng)結構圖；圖2示出了 PECVD載板結構示意圖；圖3a和圖3b分別是載板存在薄膜暴起和不存在薄膜暴起時晶片表面的情況示意 圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的PECVD載板的結構示意圖；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的PECVD載板的結構示意圖；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的使用PECVD載板進行沉積處理的方法的流 程圖；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的使用PECVD載板進行沉積處理的方法的 流程圖；以及圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的再一實施例的使用PECVD載板進行沉積處理的方法的流 程圖。
具體實施例方式為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點，下面結合附圖和具體實 施方式對本發(fā)明進行進一步的詳細描述。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可 以采用其他不同于在此描述的其他方式來實施，因此，本發(fā)明并不限于下面公開的具體實 施例的限制。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的PECVD載板的結構示意圖。如圖4所示， 在PECVD載板400上布置有待鍍膜基片402，在沒有布置待鍍膜基片402的空白區(qū)域中布置 了多個不同形狀的假片404，用于覆蓋空白區(qū)域。這些假片404可以選自包括硅片、石墨以 及C-C復合材料的組。其中，當假片404由硅片制成時，假片的厚度可以在700 μ m至1000 μ m的范圍內(nèi)， 可以使用與固定待鍍膜基片(在此，本領域的技術人員應該理解，待鍍膜基片可以包括半 導體晶圓或太陽能電池片等)一樣的方式被固定在載板上，例如，包括但不限于，通過陶瓷柱或凹槽固定方式可拆卸地布置在載板上。其中在使用凹槽固定方式時，事先將凹槽設置 在載板的空白區(qū)域中。另外，在不影響整板工藝均勻性的前提下，硅片的厚度可以適當增 加，以提高其機械強度，進而增加假片的重復使用率，節(jié)約成本。其中，當假片由石墨或C-C復合材料制成時，假片可以通過凹槽固定方式可拆卸 地設置在載板上，凹槽同樣也事先設置在載板的空白區(qū)域中。優(yōu)選地，凹槽的深度為3mm至 4mm ο優(yōu)選地，假片經(jīng)過粗化處理，以提高其表面粗糙度，從而提高載板表面對薄膜的抓 附力，進而減少更換載板的頻率，提高生產(chǎn)效率。粗化處理舉例而言可包括噴砂處理或化學溶液處理，采用噴砂處理時表面粗糙度 可以達至丨J Ra = 6μ -8μπ 0圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的PECVD載板的結構示意圖。如圖5所示，圖 5示出的載板的結構與圖4所示的載板的結構類似，不同之處在于，假片的形狀和布置方式 與圖4不同。在圖5中，假片的形狀更具有通用性。以上圖4和圖5的載板結構都是示例 性的，本領域的技術人員應該理解，假片的形狀可以根據(jù)空白區(qū)域的形狀和大小進行調(diào)節(jié)。 圖5所示的其他載板的結構與圖4中的相同，在此不再贅述。根據(jù)本發(fā)明的用于等離子體沉積處理的載板因為具有布置在沒有設置待鍍膜基 片的空白區(qū)域中的假片，所以解決了現(xiàn)有技術中存在的頻繁更換載板、以及頻繁對載板進 行酸清洗而導致的載板壽命減少、表面粗化處理對載板壽命的影響、以及酸洗殘留液體對 待鍍膜基片的影響等問題，不但延長了載板的使用壽命，延長了載板的清洗維護周期，降低 了成本，同時延長了機臺的可用時間，并且減少了顆粒問題導致的不合格產(chǎn)品的出現(xiàn)。以下將參考圖6至圖8描述使用根據(jù)本發(fā)明的載板進行等離子體沉積處理的方 法。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的使用PECVD載板進行沉積處理的方法的流 程圖。該方法包括步驟602，將基片布置在載板上；步驟604，將一個或多個假片可拆卸 地布置在載板上沒有布置基片的空白區(qū)域中；以及步驟606，在基片和載板上進行沉積處理。優(yōu)選地，該方法進一步包括在預定的沉積時間后，更換一個或多個假片。優(yōu)選地，該方法進一步包括清洗更換下來的一個或多個假片，供重復使用。在上述技術方案中，優(yōu)選地，在步驟604中，在載板的空白區(qū)域設置凹槽，通過凹 槽固定方式將假片可拆卸地布置在載板上的空白區(qū)域中。在上述技術方案中，優(yōu)選地，在步驟604中，當假片由硅片制成時，通過陶瓷柱固 定方式將假片可拆卸地布置在載板上的空白區(qū)域中。在上述技術方案中，優(yōu)選地，該方法還包括以下處理在將一個或多個假片布置在 空白區(qū)域中之前，對一個或多個假片進行粗化處理。在上述技術方案中，優(yōu)選地，預定的沉積時間為一個或多個假片的表面保持未迸 濺狀態(tài)的時間。本領域技術人員應當理解，這里提到的一個或多個假片的表面保持未迸濺狀態(tài)的 含義在于由于假片暴露于等離子體鍍膜環(huán)境后，表面沉積幾十到幾百個微米的薄膜，當受到外界環(huán)境擾動，如劇烈的溫度變化條件下，薄膜暴起，迸濺到晶圓表面，形成斑點或懸浮 狀顆粒，在假片的表面發(fā)生迸濺之前的狀態(tài)就是未迸濺狀態(tài)。圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的使用PECVD載板進行沉積處理的方法的 流程圖。在該實施例中，使用硅片作為假片。如圖7所示，在步驟702，將基片布置在載板 上；在步驟704，將厚度為700μπι至IOOOym的多個硅片(假片)可拆卸地布置在載板上 沒有布置基片的空白區(qū)域中，在此應該理解，在不影響整板工藝均勻性的前提下，硅片的厚 度可以適當提高，以提高機械強度；以及步驟706，進行沉積工藝，在基片和載板上進行沉 積處理，應該理解在此所提及的沉積處理為本領域技術人員公知的沉積處理。舉例而言，這 里的沉積處理可以包括對氮化硅減反射膜的沉積處理，沉積氣體包括硅烷、氮氣和氨氣的 混合氣體。本領域技術人員應當理解，在步驟704中，多個硅片的厚度可以相同也可以不同， 只要不影響工藝處理即可，這里給出的數(shù)值范圍并不用于對本發(fā)明的保護范圍構成不當限 定。硅片的厚度同樣可以采用其它的數(shù)值或者數(shù)值范圍，只要能夠實現(xiàn)本發(fā)明的目的和效 果，均應當落入本發(fā)明的保護范圍。進一步地，該方法還包括步驟708，在預定的沉積時間后，更換一個或多個假片。進一步地，預定的沉積時間為一個或多個假片的表面保持未迸濺狀態(tài)的時間。舉 例而言，假片上沉積的膜的厚度達到50 μ m左右時就需要更換假片，這通常在10至20小時
左右ο本領域技術人員應當理解，這里提到的一個或多個假片的表面保持未迸濺狀態(tài)的 含義在于由于假片暴露于等離子體鍍膜環(huán)境后，表面沉積幾十到幾百個微米的薄膜，當受 到外界環(huán)境擾動，如劇烈的溫度變化條件下，薄膜暴起，迸濺到晶圓表面，形成斑點或懸浮 狀顆粒，在假片的表面發(fā)生迸濺之前的狀態(tài)就是保持未迸濺狀態(tài)。進一步地，該方法還包括清洗更換下來的一個或多個假片，供重復使用。其中，在步驟704中，可拆卸地布置這些硅片(假片)的方式可以與將待鍍膜基片 固定至載板的方式相同，例如，通過可以在載板的空白區(qū)域設置凹槽，通過凹槽固定方式將 假片可拆卸地布置在載板上的空白區(qū)域中，凹槽的深度可以在3mm至4mm的深度內(nèi)；或者通 過陶瓷柱固定方式將假片可拆卸地布置在載板上的空白區(qū)域中。進一步地，該方法還包括以下處理在將一個或多個假片布置在空白區(qū)域中之前， 對一個或多個假片進行粗化處理，以提高假片的抓附力，以便減少更換假片的頻率，從而節(jié) 約成本。圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的再一實施例的使用PECVD載板進行沉積處理的方法的 流程圖。在該實施例中，假片由石墨或C-C復合材料制成。如圖8所示，在步驟802，將基 片布置在載板上；在步驟804，在載板的沒有布置待鍍膜基片的空白區(qū)域設置3mm-4mm的凹 槽，將多個假片嵌入在凹槽中，從而可拆卸地布置在載板上沒有布置基片的空白區(qū)域中；以 及步驟806，進行沉積工藝，在基片和載板上進行沉積處理，應該理解在此所提及的沉積處 理為本領域技術人員公知的沉積處理。舉例而言，這里的沉積處理可以包括對氮化硅減反 射膜的沉積處理，沉積氣體包括硅烷、氮氣和氨氣的混合氣體。應當理解，本發(fā)明并不局限 于此，根據(jù)本發(fā)明的方法適用于任何采用載板的沉積處理工藝。進一步地，該方法還包括步
7驟808，在預定的沉積時間后，更換一個或多個假片。應當理解，不同的處理工藝，預定的沉 積時間不同，該預定沉積時間與假片的厚度無關，而與假片上沉積的膜的厚度相關，一般而 言，10至20個小時更換假片是適宜的。進一步地，預定的沉積時間為一個或多個假片的表面保持未迸濺狀態(tài)的時間。本 領域技術人員應當理解，這里提到的一個或多個假片的表面保持未迸濺狀態(tài)的含義在于 由于假片暴露于等離子體鍍膜環(huán)境后，表面沉積幾十到幾百個微米的薄膜，當受到外界環(huán) 境擾動，如劇烈的溫度變化條件下，薄膜暴起，迸濺到晶圓表面，形成斑點或懸浮狀顆粒，在 假片的表面發(fā)生迸濺之前的狀態(tài)就是未迸濺狀態(tài)。進一步地，該方法還包括清洗更換下來的一個或多個假片，供重復使用。進一步地，該方法還包括以下處理在將一個或多個假片布置在空白區(qū)域中之前， 對一個或多個假片進行粗化處理，以提高假片的抓附力，以便減少更換假片的頻率，從而節(jié) 約成本。另外，該粗化處理可以與對載板整體的粗化處理一起進行。粗化處理舉例而言可包 括噴砂處理或化學溶液處理，采用噴砂處理時表面粗糙度可以達到Ra = 6 μ m-8 μ m。噴砂 處理的原理是采用壓縮空氣為動力，以形成高速噴射束將噴料(銅礦砂、石英砂、金剛砂、 鐵砂、海南砂)高速噴射到需要處理的假片表面，使假片表面的外表面的外表或形狀發(fā)生 變化，使假片的表面獲得一定粗糙度，改善假片表面的機械性能，增強了假片的表面對薄膜 的抓附力。應當理解，這里給出的基片可以是晶片，對該基片的沉積處理可以是等離子體化 學氣相沉積。這些并不構成對本發(fā)明的不當限定，需要說明的是，只要采用載板的沉積處理 工藝，均可以采用本發(fā)明。本發(fā)明還提供了一種等離子體沉積處理設備，具有反應腔室，還包括根據(jù)本發(fā)明 的載板。其結構與圖1基本類似，不同的是，根據(jù)本發(fā)明的等離子體沉積處理設備采用了根 據(jù)本發(fā)明的載板。根據(jù)本發(fā)明的使用PECVD載板進行沉積處理的方法，同樣因為具有布置在沒有 設置待鍍膜基片的空白區(qū)域中的假片，所以不僅對載板的空白區(qū)域進行了遮蓋保護，同時 解決了現(xiàn)有技術中存在的頻繁更換載板、以及頻繁對載板進行酸清洗而導致的載板壽命縮 短、表面粗化處理對載板壽命的影響、以及酸洗殘留液體對待鍍膜基片的影響等問題，不但 延長了載板的使用壽命，延長了載板的清洗維護周期，降低了成本，同時延長了機臺的可用 時間，并且減少了顆粒問題導致的不合格產(chǎn)品的出現(xiàn)概率。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技 術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修 改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權利要求
一種用于進行基片沉積處理的載板，其特征在于，包括一個或多個假片，可拆卸地布置在所述載板上沒有布置基片的空白區(qū)域中。
2.根據(jù)權利要求1所述的載板，其特征在于，所述假片選自包括硅片、石墨以及C-C復 合材料的組。
3.根據(jù)權利要求2所述的載板，其特征在于，當所述假片由所述硅片制成時，所述假片 通過陶瓷柱或凹槽固定方式可拆卸地布置在所述載板上，所述凹槽設置在所述載板的所述 空白區(qū)域。
4.根據(jù)權利要求3所述的載板，其特征在于，所述假片的厚度為700μπι至ΙΟΟΟμπι。
5.根據(jù)權利要求2所述的載板，其特征在于，當所述假片由所述石墨或C-C復合材料制 成時，所述假片通過凹槽固定方式可拆卸地設置在所述載板上，所述凹槽設置在所述載板 的所述空白區(qū)域。
6.根據(jù)權利要求5所述的載板，其特征在于，所述凹槽的深度為3mm至4mm。
7.根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的載板，其特征在于，所述假片經(jīng)過粗化處理。
8.根據(jù)權利要求7所述的載板，其特征在于，所述假片的形狀可根據(jù)所述空白區(qū)域的 形狀和大小進行調(diào)節(jié)。
9.一種使用載板對基片進行沉積處理的方法，其特征在于，所述方法包括步驟602，將基片布置在所述載板上；步驟604，將所述一個或多個假片可拆卸地布置在所述載板上沒有布置基片的空白區(qū) 域中；以及步驟606，在所述基片和所述載板上進行沉積處理。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于，進一步包括在預定的沉積時間后，更換 所述一個或多個假片。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其特征在于，進一步包括清洗更換下來的所述一個或多個假片，供重復使用。
12.根據(jù)權利要求9至11中任一項所述的方法，其特征在于，在所述步驟604中，在所 述載板的空白區(qū)域設置凹槽，通過凹槽固定方式將所述假片可拆卸地布置在所述載板的空 白區(qū)域中。
13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其特征在于，在所述步驟604中，當所述假片由硅片 制成時，通過陶瓷柱固定方式將所述假片可拆卸地布置在所述載板的空白區(qū)域中。
14.根據(jù)權利要求9至11中任一項所述的方法，其特征在于，還包括以下處理在將所述一個或多個假片布置在所述空白區(qū)域中之前，對所述一個或多個假片進行粗 化處理。
15.根據(jù)權利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述預定的沉積時間為所述一個 或多個假片的表面保持未進濺狀態(tài)的時間。
16.一種等離子體沉積處理設備，具有反應腔室，其特征在于，還包括權利要求1至8中 任一項所述的載板。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種進行基片沉積處理的載板，包括一個或多個假片，可拆卸地布置在所述載板上沒有布置基片的空白區(qū)域中。根據(jù)本發(fā)明提供的用于等離子體沉積處理的載板，能夠解決現(xiàn)有技術中載板的空白區(qū)域的薄膜暴起導致的顆粒危害的問題，同時還能保證不影響載板的使用壽命。本發(fā)明提出了一種等離子體沉積處理設備，具有反應腔室，包括如上所述的載板。本發(fā)明還提出了一種使用載板對基片進行沉積處理的方法。該方法能夠避免經(jīng)常更換載板，延長了載板的使用壽命，從而降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號C23C16/458GK101949008SQ20101022510
公開日2011年1月19日 申請日期2010年7月2日 優(yōu)先權日2010年7月2日
發(fā)明者賈士亮 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司