專利名稱：導(dǎo)電膜及其制備設(shè)備及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及導(dǎo)電膜、在基片上制備導(dǎo)電膜的方法、以及該方法所使用的設(shè)備。
背景技術(shù)：
在PCB板的制造工藝中，一般采用化學(xué)沉銅的方式在有機(jī)基片上沉積上一層種子銅，然后在此基礎(chǔ)上通過(guò)圖形轉(zhuǎn)移、電鍍的方法生長(zhǎng)出線路層和通孔級(jí)聯(lián)層，通過(guò)該線路層可以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電，所述的線路層屬于導(dǎo)電膜的一種。在實(shí)現(xiàn)上述導(dǎo)電膜制備過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題首先，隨著布線密度的不斷提高，線路(即導(dǎo)電膜)寬度越來(lái)越窄，對(duì)線路與有機(jī)基片之間的附著力水平要求的程度越來(lái)越高，而目前用于PCB制造的絕大部分通用基片材料，使用傳統(tǒng)的化學(xué)沉銅方式在其表面所制備的導(dǎo)電膜的附著力水平已無(wú)法滿足這一要求。其次，使用傳統(tǒng)的化學(xué)沉銅工藝，其在實(shí)施沉銅之前須對(duì)基材表面進(jìn)行嚴(yán)格的粗化處理，而在此種較大粗糙度表面上制備出的線路層，在傳輸高頻信號(hào)過(guò)程中會(huì)帶來(lái)較高的能量損耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種導(dǎo)電膜及其制備設(shè)備及方法，增加導(dǎo)電膜與基片之間的附著力，減少高頻信號(hào)傳輸?shù)哪芰繐p耗。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種導(dǎo)電膜的制備設(shè)備，包括依次連接的上載緩沖密封室、離子束刻蝕密封室和磁控濺射鍍膜密封室，并且在相鄰兩個(gè)密封室之間采用門閥進(jìn)行密封隔離；真空泵系統(tǒng)，用于對(duì)密封室抽真空；其中，所述上載緩沖密封室對(duì)經(jīng)過(guò)清洗和烘干后的基片進(jìn)行真空狀態(tài)下的除氣；所述離子束刻蝕密封室利用離子束對(duì)除氣后的基片進(jìn)行離子束刻蝕；所述磁控濺射鍍膜密封室利用磁控濺射靶在經(jīng)過(guò)離子束刻蝕后的基片上鍍制活性原子金屬層，并利用磁控濺射靶在所述活性原子金屬層上鍍制導(dǎo)電金屬層。一種導(dǎo)電膜的制備方法，所述制備方法采用的制備設(shè)備包括依次連接的上載緩沖密封室、離子束刻蝕密封室和磁控濺射鍍膜密封室，并且在相鄰兩個(gè)密封室之間采用門閥進(jìn)行密封隔離；所述制備設(shè)備還包括分別對(duì)密封室抽真空的真空泵系統(tǒng)；所述制備方法包括對(duì)基片進(jìn)行清洗和烘干；在上載緩沖密封室內(nèi)對(duì)經(jīng)過(guò)清洗和烘干后的基片進(jìn)行真空狀態(tài)下的除氣；
在離子束刻蝕密封室內(nèi)對(duì)除氣后的基片進(jìn)行離子束刻蝕，以清潔和活化所述基片表面；在磁控濺射鍍膜密封室內(nèi)利用磁控濺射靶在經(jīng)過(guò)離子束刻蝕后的基片上鍍制活性原子金屬層；在磁控濺射鍍膜密封室內(nèi)利用磁控濺射靶在基片上鍍有活性原子金屬層的區(qū)域鍍制導(dǎo)電金屬層。 一種導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的方法制備而成。本發(fā)明實(shí)施例提供的導(dǎo)電膜及其制備設(shè)備及方法，在上載緩沖密封室內(nèi)進(jìn)行加熱除氣后可以將基片上附著的一些易揮發(fā)性雜質(zhì)清理的更為干凈，之后再通過(guò)離子束進(jìn)行刻蝕，并且在刻蝕之后在磁控濺射鍍膜密封室內(nèi)利用磁控濺射方式進(jìn)行導(dǎo)電層的鍍制。利用磁控濺射鍍導(dǎo)電金屬層的時(shí)候需要先鍍制一層活性原子金屬層，然后再活性原子金屬層上鍍制一層導(dǎo)電金屬層，這種方式可以保證導(dǎo)電金屬層的與基片之間的附著力較高，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中化學(xué)沉銅來(lái)制作導(dǎo)電膜而言，本發(fā)明實(shí)施例提供的導(dǎo)電膜的制備方法和設(shè)備能夠增加導(dǎo)電膜與基片之間的附著力。并且本發(fā)明實(shí)施例相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中直接對(duì)基片進(jìn)行粗化處理的方式而言，本發(fā)明實(shí)施例中不需要進(jìn)行粗化處理，使得導(dǎo)電膜不會(huì)出現(xiàn)粗糙現(xiàn)象，從而可以減少高頻信號(hào)傳輸?shù)哪芰繐p耗。另外，現(xiàn)有技術(shù)中化學(xué)沉銅工藝過(guò)程中的廢水排放到環(huán)境中，造成嚴(yán)重的環(huán)境污染，會(huì)危害到人類的生存與健康；采用本發(fā)明實(shí)施例后不會(huì)產(chǎn)生廢水，不產(chǎn)生環(huán)境污染問題。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例1中一種導(dǎo)電膜的制備設(shè)備原理圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例1中另一種導(dǎo)電膜的制備設(shè)備原理圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例2中一種導(dǎo)電膜的制備方法的流程圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例2中另一種導(dǎo)電膜的制備方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例提供一種導(dǎo)電膜的制備方法和設(shè)備，該設(shè)備包括依次連接的上載緩沖密封室、離子束刻蝕密封室和磁控濺射鍍膜密封室，并且在相鄰兩個(gè)密封室之間采用門閥進(jìn)行密封隔離；所述設(shè)備還包括分別對(duì)密封室抽真空的真空泵系統(tǒng)。在使用時(shí)，先通過(guò)上載緩沖密封室內(nèi)對(duì)經(jīng)過(guò)清洗和烘干后的基片進(jìn)行真空狀態(tài)下的除氣，然后將基片轉(zhuǎn)移至離子束刻蝕密封室，利用離子束對(duì)加熱除氣后的基片進(jìn)行離子束刻蝕，最后將基片轉(zhuǎn)移至磁控濺射鍍膜密封室，在磁控濺射鍍膜密封室內(nèi)利用磁控濺射靶在經(jīng)過(guò)離子束刻蝕后的基片上鍍制活性原子金屬層，并利用磁控濺射靶在所述活性原子金屬層上鍍制導(dǎo)電金屬層。
本發(fā)明實(shí)施例中利用磁控濺射鍍導(dǎo)電金屬層的之前先鍍制一層活性原子金屬層， 然后在活性原子金屬層上鍍制一層導(dǎo)電金屬層，這種方式可以保證導(dǎo)電金屬層的與基片之間的附著力較高，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中化學(xué)沉銅來(lái)制作導(dǎo)電膜而言，本發(fā)明實(shí)施例提供的導(dǎo)電膜的制備方法和設(shè)備能夠增加導(dǎo)電膜與基片之間的附著力。并且本發(fā)明實(shí)施例相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中直接對(duì)基片進(jìn)行粗化處理的方式而言，本發(fā)明實(shí)施例中不需要進(jìn)行粗化處理，使得導(dǎo)電膜不會(huì)出現(xiàn)粗糙現(xiàn)象，從而可以減少高頻信號(hào)傳輸?shù)哪芰繐p耗。另外，現(xiàn)有技術(shù)中化學(xué)沉銅工藝過(guò)程中的廢水排放到環(huán)境中，造成嚴(yán)重的環(huán)境污染，會(huì)危害到人類的生存與健康；采用本發(fā)明實(shí)施例后不會(huì)產(chǎn)生廢水，不產(chǎn)生環(huán)境污染問題。下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例1 在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，活性原子金屬層可以為鈦膜層、或鉻膜層等原子序數(shù)較小的金屬， 而導(dǎo)電金屬層則可以選擇導(dǎo)電性較好的金屬，如銅膜層或銀膜層。在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，考慮到成本因素，一般活性原子金屬層選擇鈦膜層。導(dǎo)電金屬層選擇銅膜層。下面以鍍制鈦膜層和銅膜層為例進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明實(shí)施例提供一種導(dǎo)電膜的制備設(shè)備，如圖1所示，所述設(shè)備包括依次連接的上載緩沖密封室10、離子束刻蝕密封室20和磁控濺射鍍膜密封室30，并且在相鄰兩個(gè)密封室之間采用門閥01、31)進(jìn)行密封隔離；為了在制備導(dǎo)電膜的過(guò)程對(duì)各個(gè)密封室抽真空，本發(fā)明實(shí)施例中所述設(shè)備還包括真空泵系統(tǒng)(圖中未示出)，通過(guò)該真空泵系統(tǒng)可以分別對(duì)各個(gè)密封室進(jìn)行抽真空。為了能夠進(jìn)行磁控濺射鍍膜，需要將基片上的雜質(zhì)盡量清除，本發(fā)明實(shí)施例除了需要對(duì)基片進(jìn)行清洗和烘干外，還需要在上載緩沖密封室10進(jìn)行進(jìn)一步的除氣。為了加快除氣的過(guò)程，優(yōu)選地，本發(fā)明實(shí)施例中上載緩沖密封室10內(nèi)設(shè)有加熱裝置，通過(guò)該加熱裝置可以對(duì)經(jīng)過(guò)清洗和烘干后的基片進(jìn)行真空狀態(tài)下的加熱除氣。一般而言，本發(fā)明實(shí)施例中的加熱裝置可以采用但不限于紅外熱輻射加熱體(例如板)。本發(fā)明實(shí)施例中的離子束刻蝕密封室20內(nèi)設(shè)有離子束發(fā)生系統(tǒng)，基片在上載緩沖密封室10內(nèi)經(jīng)過(guò)加熱除氣后，打開上載緩沖密封室10和離子束刻蝕密封室20之間的門閥21，將基片轉(zhuǎn)移到離子束刻蝕密封室20，以便利用離子束對(duì)加熱除氣后的基片進(jìn)行離子束刻蝕。本發(fā)明實(shí)施例中的磁控濺射鍍膜密封室30內(nèi)設(shè)有磁控濺射鈦靶和磁控濺射銅靶，完成離子束刻蝕后，將離子束刻蝕密封室20與磁控濺射鍍膜密封室30之間的門閥31 打開，然后將經(jīng)過(guò)離子束刻蝕后的基片轉(zhuǎn)移到磁控濺射鍍膜密封室30，之后利用所述磁控濺射鈦靶在經(jīng)過(guò)離子束刻蝕后的基片上鍍制鈦膜層，并利用所述磁控濺射銅靶在基片上鍍有鈦膜層的區(qū)域鍍制銅膜層。一般來(lái)講，鈦的成本較高，鍍制時(shí)鈦膜層的厚度控制在10納米至120納米之間，如50納米或100納米等。為了保證導(dǎo)電性，銅膜層則需要相對(duì)厚一點(diǎn)，將銅膜層的厚度控制在0. 5微米至2微米之間，如1微米、1. 5微米等。本發(fā)明實(shí)施例中利用磁控濺射鍍銅的之前先鍍制一層鈦膜，然后再鈦膜上鍍制一層銅膜，這種方式可以保證銅膜的與基片之間的附著力較高，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中化學(xué)沉銅來(lái)制作導(dǎo)電膜而言，本發(fā)明實(shí)施例提供的導(dǎo)電膜的制備方法和設(shè)備能夠增加導(dǎo)電膜與基片之間的附著力。并且本發(fā)明實(shí)施例相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中直接對(duì)基片進(jìn)行粗化處理的方式而言，本發(fā)明實(shí)施例中不需要進(jìn)行粗化處理，使得導(dǎo)電膜不會(huì)出現(xiàn)粗糙現(xiàn)象，從而可以減少高頻信號(hào)傳輸?shù)哪芰繐p耗。由于在離子束刻蝕過(guò)程中會(huì)釋放出較多的熱輻射能，為了防止基片被高溫熔化， 需要在進(jìn)行離子束刻蝕過(guò)程中進(jìn)行冷卻處理。優(yōu)選地，本發(fā)明各實(shí)施例可采用熱輻射吸收體來(lái)進(jìn)行冷卻處理。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例中的離子束刻蝕密封室20的內(nèi)壁上通過(guò)導(dǎo)熱隔離的方式設(shè)有熱輻射吸收體22，通過(guò)圖1中的熱輻射吸收體22可以吸收離子束刻蝕過(guò)程中釋放出的熱輻射能，從而起到冷卻的效果，防止基片被高溫熔化。優(yōu)選地，本發(fā)明實(shí)施例中設(shè)置熱輻射吸收體22的方式為導(dǎo)熱隔離的方式，即熱輻射吸收體22不與離子束刻蝕密封室20的內(nèi)壁直接接觸，而是將該熱輻射吸收體22與一個(gè)導(dǎo)熱隔離功能的襯墊等類似物接觸，然后再通過(guò)該襯墊接觸固定到離子束刻蝕密封室20的內(nèi)壁上。本發(fā)明實(shí)施例中所述熱輻射吸收體的制冷源來(lái)自于密壓或焊接在其背面的低溫泵冷卻輸出盤管(圖中未示出)。為了使得熱輻射吸收體具有較好的熱輻射能吸收效果，可以對(duì)熱輻射吸收體的表面進(jìn)行黑化處理。在未特殊說(shuō)明的情況下，本發(fā)明各實(shí)施例中的熱輻射吸收體均可優(yōu)選超低溫?zé)彷椛湮瞻?。同樣，由于在磁控濺射過(guò)程中也會(huì)釋放較多的熱輻射能，為了防止基片以及濺射在基片上的鈦、銅被高溫熔化，如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例在磁控濺射鍍膜密封室30的內(nèi)壁上同樣通過(guò)導(dǎo)熱隔離的方式設(shè)置了熱輻射吸收體32，用于吸收磁控濺射過(guò)程中釋放出的熱輻射能。由于鍍制在基片上的銅膜在較高溫度下容易被氧化，雖然在磁控濺射過(guò)程中采用了熱輻射吸收體進(jìn)行冷卻處理，但一般也是維持在130°C至150°C，而基片要能夠直接與空氣接觸且使得銅膜不易被氧化，須保證溫度在安全溫度70°C以內(nèi)。為了盡快降低基片溫度， 優(yōu)選地，如圖1中虛線所示，本發(fā)明實(shí)施例還設(shè)有與所述磁控濺射鍍膜密封室30連接的第二冷卻密封室40，并且在所述磁控濺射鍍膜密封室30和第二冷卻密封室40之間采用門閥 41進(jìn)行密封隔離。在完成銅膜的鍍制后，可以打開磁控濺射鍍膜密封室30和第二冷卻密封室40之間的門閥41，將基片轉(zhuǎn)移到第二冷卻密封室40，所述第二冷卻密封室40的內(nèi)壁上通過(guò)導(dǎo)熱隔離的方式設(shè)有熱輻射吸收體42，通過(guò)該熱輻射吸收體42可以吸收基片釋放出的熱輻射能，利于快速降低基片的溫度。除了上述高溫下容易導(dǎo)致銅膜被氧化而出現(xiàn)質(zhì)量問題外，基片在較低氣壓下直接轉(zhuǎn)移到大氣壓下，則可能導(dǎo)致基片出現(xiàn)質(zhì)量問題；為了使得基片能夠適應(yīng)大氣壓，優(yōu)選地， 如圖1中虛線所示，本發(fā)明實(shí)施例的設(shè)備還包括與所述第二冷卻密封室40連接的卸載緩沖密封室50，并且在所述第二冷卻密封室40和卸載緩沖密封室50之間采用門閥51進(jìn)行密封隔離；所述卸載緩沖密封室50內(nèi)設(shè)有氣體充入口，在將基片卸載前通過(guò)所述氣體充入口充入氣體，以平衡卸載緩沖密封室50內(nèi)的氣壓和外界大氣壓。一般情況下，為了能夠提高生產(chǎn)線的效率，基片在第二冷卻密封室40內(nèi)冷卻到 90°C時(shí)，即可轉(zhuǎn)移到卸載緩沖密封室50，在卸載緩沖密封室50內(nèi)緩緩充入氣體以平衡大氣壓的同時(shí)，可以在卸載緩沖密封室內(nèi)對(duì)基片進(jìn)行進(jìn)一步的冷卻，以使基片降低至70°C以內(nèi)， 故而本發(fā)明實(shí)施例中卸載緩沖密封室50的內(nèi)壁上可以設(shè)置冷卻器52，通過(guò)該冷卻器52將基片的溫度降低至安全溫度；本發(fā)明實(shí)施例中的冷卻器52可以采用熱輻射吸收水冷盤。當(dāng)然，在具體運(yùn)用時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例中的任何一個(gè)密封室(用來(lái)加熱除氣的密封室除外)均可以設(shè)置冷卻器，以便加速基片溫度的下降。圖1所示的實(shí)現(xiàn)方案中基片經(jīng)過(guò)加熱除氣后直接進(jìn)行離子束刻蝕，由于本身加熱除氣后基片的溫度就比較高，離子束刻蝕過(guò)程中又會(huì)產(chǎn)生較多熱量。為了防止基片在離子束刻蝕過(guò)程中被高溫熔化，優(yōu)選地，如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例的設(shè)備在在上載緩沖密封室 10和離子束刻蝕密封室20之間設(shè)有第一冷卻密封室60，并且在與第一冷卻密封室60相鄰的密封室采用門閥(61、21)與第一冷卻密封室60進(jìn)行密封隔離。所述第一冷卻密封室60 的內(nèi)壁上通過(guò)導(dǎo)熱隔離的方式設(shè)有熱輻射吸收體62，通過(guò)該熱輻射吸收體62吸收所述基片釋放出的熱輻射能，以便在進(jìn)行離子束刻蝕前降低基片的初始溫度，防止基片被高溫熔化。實(shí)施例2 在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，活性原子金屬層可以為鈦膜層、或鉻膜層等原子序數(shù)較小的金屬， 而導(dǎo)電金屬層則可以選擇導(dǎo)電性較好的金屬，如銅膜層或銀膜層。在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，考慮到成本因素，一般活性原子金屬層選擇鈦膜層。導(dǎo)電金屬層選擇銅膜層。下面以鍍制鈦膜層和銅膜層為例進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明實(shí)施例提供一種導(dǎo)電膜的制備方法，該制備方法所采用的制備設(shè)備為實(shí)施例1中的制備設(shè)備，一般情況下，所述制備設(shè)備可以僅僅包括依次連接的上載緩沖密封室、 離子束刻蝕密封室和磁控濺射鍍膜密封室，并且在相鄰兩個(gè)密封室之間采用門閥進(jìn)行密封隔離；所述制備設(shè)備還包括分別對(duì)密封室抽真空的真空泵系統(tǒng)，如圖3所示，在該制備設(shè)備下所采用的制備方法包括如下步驟301)對(duì)基片進(jìn)行清洗和烘干，本過(guò)程中的清洗和烘干可以采用現(xiàn)有的設(shè)備進(jìn)行， 不需要在上述制備設(shè)備中進(jìn)行，一般先采用化學(xué)清洗以清除基片表面附著的雜質(zhì)成分和有機(jī)污染物，之后對(duì)基片進(jìn)行充分烘干處理。在完成清洗和烘干之后，將基片放置在上述制備設(shè)備中承載基片的基片架上，并將制備設(shè)備開啟，以準(zhǔn)備進(jìn)行鍍膜操作，具體的開啟過(guò)程包括打開總電源、冷卻水系統(tǒng)、工控電腦和氣瓶，在電腦主控制屏上選擇啟動(dòng)系統(tǒng)預(yù)備狀態(tài)程序。此時(shí)真空泵系統(tǒng)開始對(duì)各個(gè)密封室抽真空，上述制備設(shè)備中的加熱系統(tǒng)和制冷系統(tǒng)開始工作，在制備設(shè)備達(dá)到工作條件時(shí)可以進(jìn)行后續(xù)的步驟。302)在制備設(shè)備達(dá)到工作條件后，可以將基片轉(zhuǎn)移到上載緩沖密封室內(nèi)，并進(jìn)行密封，然后在上載緩沖密封室內(nèi)對(duì)經(jīng)過(guò)清洗和烘干后的基片進(jìn)行真空狀態(tài)下的加熱除氣。303)經(jīng)過(guò)加熱除氣后，將上載緩沖密封室和離子束刻蝕密封室之間的門閥打開， 并將基片轉(zhuǎn)移到離子束刻蝕密封室內(nèi)，以便對(duì)加熱除氣后的基片進(jìn)行離子束刻蝕，從而起到清潔和活化所述基片表面的作用。
在離子束刻蝕密封室的內(nèi)壁上還可以通過(guò)導(dǎo)熱隔離的方式設(shè)置熱輻射吸收體，以便在進(jìn)行所述離子束刻蝕過(guò)程中，通過(guò)離子束刻蝕密封室的內(nèi)壁上的熱輻射吸收體吸收熱輻射能，保證離子束刻蝕過(guò)程中基片不會(huì)被高溫熔化。304)通過(guò)離子束刻蝕清潔和活化基片后，能夠增加基片與導(dǎo)電膜層的附著力；本過(guò)程中在磁控濺射鍍膜密封室內(nèi)利用磁控濺射鈦靶在經(jīng)過(guò)離子束刻蝕后的基片上鍍制鈦膜層。305)鍍制完鈦膜層后，在磁控濺射鍍膜密封室內(nèi)利用磁控濺射銅靶在基片上鍍有鈦膜層的區(qū)域鍍制銅膜層。在磁控濺射鍍膜密封室的內(nèi)壁上也可以通過(guò)導(dǎo)熱隔離的方式設(shè)置熱輻射吸收體， 以便在進(jìn)行磁控濺射的過(guò)程中，通過(guò)磁控濺射鍍膜密封室的內(nèi)壁上的熱輻射吸收體吸收熱輻射能，使得鍍制鈦膜和銅膜過(guò)程中不會(huì)熔化基片和鍍制的膜層。上述圖3中描述的制備方法僅僅是對(duì)應(yīng)于圖1中實(shí)線部分的設(shè)備描述的，實(shí)際運(yùn)用時(shí)，一般采用圖2中的設(shè)備，這樣可以形成較為完整的生產(chǎn)線，下面我對(duì)應(yīng)于圖2所示的制備設(shè)備詳細(xì)描述其制備方法，如圖4所示，所述制備方法包括401)對(duì)基片進(jìn)行清洗和烘干，本過(guò)程中的清洗和烘干可以采用現(xiàn)有的設(shè)備進(jìn)行， 不需要在上述制備設(shè)備中進(jìn)行，一般先采用化學(xué)清洗以清除基片表面附著的雜質(zhì)成分和有機(jī)污染物，之后對(duì)基片進(jìn)行充分烘干處理。在完成清洗和烘干之后，將基片防止在上述制備設(shè)備中承載基片的基片架上，并將制備設(shè)備開啟，以準(zhǔn)備進(jìn)行鍍膜操作，具體的開啟過(guò)程包括打開總電源、冷卻水系統(tǒng)、工控電腦和氣瓶，在電腦主控制屏上選擇啟動(dòng)系統(tǒng)預(yù)備狀態(tài)程序。此時(shí)真空泵系統(tǒng)開始對(duì)各個(gè)密封室抽真空，上述制備設(shè)備中的加熱系統(tǒng)和制冷系統(tǒng)開始工作，在制備設(shè)備達(dá)到如下條件時(shí)可以進(jìn)行后續(xù)的步驟各個(gè)密封室內(nèi)壓力低于2. 0*10_6mbar (毫巴=百帕)，并且卸載緩沖密封室內(nèi)的壓力低于3. 0*10_3mbar，卸載緩沖密封室內(nèi)溫度達(dá)到設(shè)定的恒溫控制點(diǎn) (80°C -160°C，依具體加工情況而定)以及熱輻射吸收體的溫度達(dá)到-80°C以下后。402)在制備設(shè)備達(dá)到工作條件后，將載有基片的基片架通過(guò)搬送機(jī)構(gòu)搬送到上載接口位，此時(shí)真空泵系統(tǒng)停止對(duì)上載緩沖密封室抽真空，并向上載緩沖密封室內(nèi)充入氮?dú)馐沟蒙陷d緩沖密封室內(nèi)的氣壓與外界大氣壓平衡。403)在上載緩沖密封室內(nèi)的氣壓與外界大氣壓達(dá)到平衡條件后，將上載緩沖密封室與操作臺(tái)之間的門閥打開，并將載有基片的基片架傳送到上載緩沖密封室內(nèi)，然后關(guān)閉門閥。通過(guò)本過(guò)程可以將基片上載到上載緩沖密封室，為了能夠連續(xù)地上載基片，在上載完一個(gè)基片后，本實(shí)施例中位于上載操作臺(tái)上的基片架搬送機(jī)構(gòu)返回初始位置，等待搬送和上載下一個(gè)從返回線送回的載有基片的基片架。404)在基片被傳送到上載緩沖密封室后，在上載緩沖密封室內(nèi)對(duì)經(jīng)過(guò)清洗和烘干后的基片進(jìn)行真空狀態(tài)下的加熱除氣。具體的加熱除氣操作需要按照如下方式操作第一、抽真空關(guān)閉真空泵系統(tǒng)中的分子泵預(yù)抽閥，同時(shí)打開真空泵系統(tǒng)中的粗抽閥對(duì)上載緩沖密封室抽真空，當(dāng)上載緩沖密封室內(nèi)的氣壓達(dá)到1.0*10_2mbar以下時(shí)，關(guān)閉粗抽閥，同時(shí)打開分子泵預(yù)抽閥對(duì)上載緩沖密封室抽真空，直到上載緩沖密封室內(nèi)壓力低于 1. 0*1 (T4Hibar ；
第二、加熱在真空泵系統(tǒng)對(duì)上載緩沖密封室抽真空的同時(shí)，上載緩沖密封室內(nèi)兩側(cè)壁的紅外熱輻射加熱板同時(shí)對(duì)基片進(jìn)行恒溫烘烤加熱。本過(guò)程中需要在真空狀態(tài)下對(duì)基片進(jìn)行加熱除氣達(dá)到設(shè)定的時(shí)間后(加熱時(shí)間可以根據(jù)需要設(shè)定，一般是30秒至300秒)，將上載緩沖密封室與第一冷卻密封室之間的門閥打開，在真空狀態(tài)下將基片轉(zhuǎn)移到第一冷卻密封室內(nèi)，并關(guān)閉上載緩沖密封室與第一冷卻密封室之間的門閥，以便進(jìn)行后續(xù)的冷卻操作。為了能夠連續(xù)地對(duì)基片進(jìn)行加熱除氣操作，本發(fā)明實(shí)施例中的上載緩沖密封室可以對(duì)新上載的基片執(zhí)行404)過(guò)程。405)在對(duì)基片進(jìn)行加熱除氣之后，在所述第一冷卻密封室內(nèi)通過(guò)其內(nèi)壁上的熱輻射吸收體吸收基片釋放出的熱輻射能，本實(shí)施例中的熱輻射吸收體通過(guò)導(dǎo)熱隔離的方式設(shè)置在第一冷卻密封室的內(nèi)壁上。由于第一冷卻密封室中處于真空狀態(tài)下，熱輻射吸收體在真空態(tài)下能大量吸收基片所釋放出的熱輻射能，使基片達(dá)到在真空態(tài)下快速冷卻。406)在第一冷卻密封室內(nèi)當(dāng)基片表面溫度降到60°C以下、或者在第一冷卻密封室內(nèi)冷卻達(dá)到預(yù)定時(shí)間后，將第一冷卻密封室與離子束刻蝕密封室之間的門閥打開，在真空狀態(tài)下將基片轉(zhuǎn)移到離子束刻蝕密封室內(nèi)后，將第一冷卻密封室與離子束刻蝕密封室之間的門閥關(guān)閉。此后，同時(shí)第一冷卻密封室可以繼續(xù)處理后續(xù)傳送過(guò)來(lái)的基片。當(dāng)將基片轉(zhuǎn)移到離子束刻蝕密封室后，開始運(yùn)行離子源自動(dòng)啟動(dòng)程序，以便對(duì)基片進(jìn)行離子束刻蝕，具體的刻蝕過(guò)程包括第一、向離子束刻蝕密封室充入一定流量的氬氣(Ar)。第二、接通離子源供電電源，在低功率模式下啟動(dòng)離子源，離子源起輝穩(wěn)定后，將離子源的工作電壓和Ar氣流量調(diào)整至設(shè)定值；待離子源的靜態(tài)工作電壓和靜態(tài)工作電流達(dá)到穩(wěn)態(tài)后，設(shè)定工作電壓范圍2500 ^OOV,工作電流范圍550mA 650mA。第三、驅(qū)動(dòng)基片架沿水平方向作勻速直線掃描運(yùn)動(dòng)，周期性通過(guò)離子束出射區(qū)域， 對(duì)待鍍膜基片的表面進(jìn)行離子束蝕刻，從而起到清潔和活化所述基片表面的作用。在基片進(jìn)行離子束刻蝕的過(guò)程中，安裝在離子束刻蝕密封室兩側(cè)壁上的熱輻射吸收體將會(huì)吸收離子束刻蝕過(guò)程中所釋放出來(lái)的大量熱輻射能，確保基片在被加工過(guò)程中的最大溫升控制在130°C以下，保證離子束刻蝕過(guò)程中基片不會(huì)被高溫熔化。當(dāng)刻蝕量達(dá)到預(yù)定的量值或達(dá)到設(shè)定的刻蝕刻時(shí)間后，離子刻蝕加工結(jié)束，停止基片掃描運(yùn)動(dòng)，并關(guān)閉質(zhì)量流量計(jì)和離子源控制電源。待基片在離子束刻蝕密封室內(nèi)冷卻到80°C以下、或者基片在離子束刻蝕密封室達(dá)到設(shè)定的冷卻時(shí)間后，將離子束刻蝕密封室與磁控濺射鍍膜密封室之間的門閥打開，在真空狀態(tài)下將基片轉(zhuǎn)移到磁控濺射鍍膜密封室，然后關(guān)閉離子束刻蝕密封室與磁控濺射鍍膜密封室之間的門閥。同時(shí)，離子束刻蝕密封室可以對(duì)后續(xù)傳送過(guò)來(lái)的基片進(jìn)行離子束刻蝕。本發(fā)明實(shí)施例中采用離子束刻蝕，具有如下作用第一、通過(guò)高能粒子束轟擊，將基片表面的有機(jī)大分子鏈打斷，使之產(chǎn)生極化作用；第二、通過(guò)高能粒子束轟擊，將分子鏈中的部分原子擊出，從而形成具有電極性的空穴位。通過(guò)上述離子束刻蝕的作用可以最大化激發(fā)基片表面的活化能，為下一步鍍制具有高附著力水平的鈦銅金屬導(dǎo)電膜層提供了必要條件。407)將基片轉(zhuǎn)移到磁控濺射鍍膜密封室并徹底穩(wěn)定后，開始啟動(dòng)磁控濺射鈦靶工作以便在基片上鍍制鈦膜層，本發(fā)明實(shí)施例中的磁控濺射鈦靶上鈦的純度為99. 9%以上， 具體的鍍制鈦膜層的過(guò)程包括第一、向磁控濺射鍍膜密封室充入預(yù)設(shè)流量的Ar氣；第二、待磁控濺射鍍膜密封室內(nèi)氣壓穩(wěn)定后，打開磁控濺射鈦靶電源，并逐漸加大功率直至起輝，待起輝穩(wěn)定后，調(diào)整濺射功率至設(shè)定值范圍，一般來(lái)講功率范圍為8kW 15kff ；第三、待磁控濺射鈦靶工作達(dá)到穩(wěn)態(tài)后，驅(qū)動(dòng)基片架沿水平方向作勻速直線掃描運(yùn)動(dòng)，周期性通過(guò)鈦靶濺射區(qū)域，在基片表面鍍制鈦膜層。在基片上鍍制鈦膜層的過(guò)程中，安裝在磁控濺射鍍膜密封室兩側(cè)壁上的熱輻射吸收體將會(huì)吸收鍍制鈦膜層過(guò)程中所釋放出來(lái)的大量熱輻射能，確保基片在被加工過(guò)程中的最大溫升控制在150°C以下，保證基片不會(huì)被高溫熔化。當(dāng)鈦膜層達(dá)到預(yù)定的厚度或達(dá)到設(shè)定的鍍膜時(shí)間后，鍍制鈦膜層結(jié)束，停止基片架掃描運(yùn)動(dòng)，關(guān)閉磁控濺射鈦靶電源。408)鈦膜層鍍制完成后，開始啟動(dòng)磁控濺射銅靶工作以便在基片上鍍有鈦膜層的區(qū)域鍍制銅膜層，本發(fā)明實(shí)施例中磁控濺射銅靶上的銅的純度為99. 99%以上。具體的鍍制銅膜層的過(guò)程包括第一、向磁控濺射鍍膜密封室充入Ar氣；第二、待磁控濺射鍍膜密封室內(nèi)氣壓穩(wěn)定后，打開磁控濺射銅靶電源，并逐漸加大功率直至起輝，待起輝穩(wěn)定后，調(diào)整濺射功率至設(shè)定值范圍，一般來(lái)講功率范圍為7kW 14kff ；第三、待磁控濺射銅靶工作達(dá)到穩(wěn)態(tài)后，驅(qū)動(dòng)基片架沿水平方向作勻速直線掃描運(yùn)動(dòng)，周期性通過(guò)銅靶濺射區(qū)域，在基片上鍍有鈦膜層的區(qū)域鍍制銅膜層。在基片上鍍制銅膜層的過(guò)程中，安裝在磁控濺射鍍膜密封室兩側(cè)壁上的熱輻射吸收體將會(huì)吸收鍍制銅膜層過(guò)程中所釋放出來(lái)的大量熱輻射能，確?；诒患庸み^(guò)程中的最大溫升控制在150°C以下，保證基片不會(huì)被高溫熔化。當(dāng)銅膜層達(dá)到預(yù)定的厚度或達(dá)到設(shè)定的鍍膜時(shí)間后，鍍制銅膜層結(jié)束，停止基片架掃描運(yùn)動(dòng)，關(guān)閉磁控濺射銅靶電源。本發(fā)明實(shí)施例中利用磁控濺射鍍銅的之前先鍍制一層鈦膜，然后再鈦膜上鍍制一層銅膜，這種方式可以保證銅膜的與基片之間的附著力較高，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中化學(xué)沉銅來(lái)制作導(dǎo)電膜而言，本發(fā)明實(shí)施例提供的導(dǎo)電膜的制備方法和設(shè)備能夠增加導(dǎo)電膜與基片之間的附著力。并且本發(fā)明實(shí)施例相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中直接對(duì)基片進(jìn)行粗化處理的方式而言，本發(fā)明實(shí)施例中不需要進(jìn)行粗化處理，使得導(dǎo)電膜不會(huì)出現(xiàn)粗糙現(xiàn)象，從而可以減少高頻信號(hào)傳輸?shù)哪芰繐p耗。由于鍍制在基片上的銅膜在較高溫度下容易被氧化，雖然在磁控濺射過(guò)程中采用了熱輻射吸收體進(jìn)行冷卻處理，但一般也是維持在130°C至150°C，而基片要能夠直接與空氣接觸且使得銅膜不易被氧化，須保證溫度在安全溫度70°C以內(nèi)。為了盡快降低基片溫度， 本發(fā)明實(shí)施例還需要執(zhí)行409過(guò)程409)關(guān)閉充入Ar氣的質(zhì)量流量計(jì)和磁控濺射銅靶電源，待磁控濺射鍍膜密封室內(nèi)氣壓恢復(fù)到低于1. 0*10_5mbar后，將磁控濺射鍍膜密封室與第二冷卻密封室之間的門閥打開，在真空狀態(tài)下將基片轉(zhuǎn)移到第二冷卻密封室，之后關(guān)閉磁控濺射鍍膜密封室與第二冷卻密封室之間的門閥。轉(zhuǎn)移基片后，磁控濺射鍍膜密封室可以繼續(xù)處理從離子束刻蝕密封室轉(zhuǎn)移過(guò)來(lái)的下一個(gè)基片。將基片轉(zhuǎn)移到第二冷卻密封室后，可以安裝在第二冷卻密封室兩側(cè)壁上的熱輻射吸收體將會(huì)吸收基片所釋放出來(lái)的大部分熱輻射能，從而使被加工基片在真空態(tài)下快速冷卻。除了上述高溫下容易導(dǎo)致銅膜被氧化而出現(xiàn)質(zhì)量問題外，基片在較低氣壓下直接轉(zhuǎn)移到大氣壓下，則可能導(dǎo)致基片出現(xiàn)質(zhì)量問題；為了使得基片能夠適應(yīng)大氣壓，本發(fā)明實(shí)施例還需要執(zhí)行410過(guò)程410)為了能夠提高生產(chǎn)線的效率，基片在第二冷卻密封室內(nèi)冷卻到90°C時(shí)，將第二冷卻密封室與卸載緩沖密封室之間的門閥打開，并將基片轉(zhuǎn)移到卸載緩沖密封室；在卸載緩沖密封室內(nèi)緩緩充入氣體以平衡大氣壓，并且可以在卸載緩沖密封室內(nèi)對(duì)基片進(jìn)行進(jìn)一步的冷卻，以使基片降低至70°C以內(nèi)，故而本發(fā)明實(shí)施例中卸載緩沖密封室的內(nèi)壁上可以設(shè)置冷卻器，通過(guò)該冷卻器將基片的溫度降低至安全溫度；本發(fā)明是實(shí)例中的冷卻器可以采用熱輻射吸收水冷盤。當(dāng)然，在具體運(yùn)用時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例中的任何一個(gè)密封室(用來(lái)加熱除氣的密封室除外)均可以設(shè)置冷卻器，以便加速基片溫度的下降。在將基片轉(zhuǎn)移到卸載緩沖密封室后，第二冷卻密封室可以繼續(xù)處理下一個(gè)鍍制銅膜層后的基片。411)將卸載緩沖密封室與卸載操作臺(tái)之間的門閥打開，在大氣狀態(tài)下將基片傳輸?shù)叫遁d操作臺(tái)，并關(guān)閉門閥。關(guān)閉門閥之后可以同時(shí)對(duì)卸載緩沖密封室至氣壓低于 3. 0*10_3mbar，等待處理下一組基片。采用上述制備方法后基片被傳送到卸載操作臺(tái)上，之后基片經(jīng)自動(dòng)返回線被傳送到上、下載操作臺(tái)上，然后可以取下已完成鍍膜加工的基片，將已完成鍍膜加工的基片累計(jì)分批送檢后送下工序處理。本發(fā)明實(shí)施例中所有的熱輻射吸收體需要維持在-80°C以下的溫度，并且表面是經(jīng)過(guò)黑化處理。本發(fā)明實(shí)施例中的制備設(shè)備是一條生產(chǎn)線，可以連續(xù)不斷地對(duì)多個(gè)基片進(jìn)行鍍膜處理。本發(fā)明實(shí)施例在完成基片的加工后，需要將制備設(shè)備停機(jī)，為了保證停機(jī)過(guò)程中設(shè)備的安全，本發(fā)明實(shí)施例的停機(jī)過(guò)程為待所加工基片全部加工完畢后，點(diǎn)擊運(yùn)行停止按鈕，系統(tǒng)停止自動(dòng)運(yùn)行轉(zhuǎn)入待機(jī)預(yù)備狀態(tài)，選擇啟動(dòng)系統(tǒng)自動(dòng)關(guān)機(jī)程序，此時(shí)按順序首先關(guān)閉上載緩沖密封室內(nèi)的紅外熱輻射加熱板供電電源、并將各密封室低溫泵系統(tǒng)置于除霜狀態(tài)，當(dāng)紅外熱輻射加熱板的溫度以及各密封室內(nèi)的熱輻射吸收體的溫度達(dá)到一定溫度時(shí)， 關(guān)閉各密封室低溫泵電源、關(guān)閉各密封室分子泵電源，待分子泵全部停止運(yùn)轉(zhuǎn)后，關(guān)閉各密封室分子泵預(yù)抽閥，之后關(guān)閉所有粗抽泵組供電電源，待泵組完全停止運(yùn)轉(zhuǎn)后，打開各粗抽泵組抽口附近的放氣閥對(duì)泵組內(nèi)部沖入氮?dú)饣蚋稍锟諝?，退出主操控界面并關(guān)閉工控電腦，關(guān)閉冷卻水系統(tǒng)，氣瓶，總電源，工作結(jié)束。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜采用上述的根據(jù)本發(fā)明的制備方法 (例如上述實(shí)施例2中所描述的制備方法)進(jìn)行制備，此處不再贅述該制備方法的詳細(xì)過(guò)程。本發(fā)明實(shí)施例中鍍制層的鈦膜層和銅膜層形成的鈦銅金屬導(dǎo)電膜層，可以作為常用的導(dǎo)電膜，本發(fā)明實(shí)施例提供的導(dǎo)電膜的制備方法及設(shè)備主要用于導(dǎo)電膜層的制備，尤其用在PCB板上制備導(dǎo)電膜中。 以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電膜的制備設(shè)備，其特征在于，包括依次連接的上載緩沖密封室、離子束刻蝕密封室和磁控濺射鍍膜密封室，并且在相鄰兩個(gè)密封室之間采用門閥進(jìn)行密封隔離；真空泵系統(tǒng)，用于對(duì)密封室抽真空；其中，所述上載緩沖密封室對(duì)經(jīng)過(guò)清洗和烘干后的基片進(jìn)行真空狀態(tài)下的除氣；所述離子束刻蝕密封室利用離子束對(duì)除氣后的基片進(jìn)行離子束刻蝕；所述磁控濺射鍍膜密封室利用磁控濺射靶在經(jīng)過(guò)離子束刻蝕后的基片上鍍制活性原子金屬層，并利用磁控濺射靶在所述活性原子金屬層上鍍制導(dǎo)電金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜的制備設(shè)備，其特征在于，所述活性原子金屬層為鈦膜層或者鉻膜層；和/或所述導(dǎo)電金屬層為銅膜層或銀膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電膜的制備設(shè)備，其特征在于，所述鈦膜層的厚度為10納米至120納米；和/或所述銅膜層的厚度為0. 5微米至2微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的導(dǎo)電膜的制備設(shè)備，其特征在于，所述離子束刻蝕密封室的內(nèi)壁上設(shè)有熱輻射吸收體，用于吸收離子束刻蝕過(guò)程中釋放出的熱輻射能；所述磁控濺射鍍膜密封室的內(nèi)壁上設(shè)有熱輻射吸收體，用于吸收磁控濺射過(guò)程中釋放出的熱輻射能。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的導(dǎo)電膜的制備設(shè)備，其特征在于，所述上載緩沖密封室利用加熱裝置對(duì)經(jīng)過(guò)清洗和烘干后的基片進(jìn)行真空狀態(tài)下的加熱除氣。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電膜的制備設(shè)備，其特征在于，所述加熱裝置為紅外熱輻射加熱體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的導(dǎo)電膜的制備設(shè)備，其特征在于，所述制備設(shè)備還包括連接在上載緩沖密封室和離子束刻蝕密封室之間的第一冷卻密封室，并且在相鄰兩個(gè)密封室之間采用門閥進(jìn)行密封隔離；所述第一冷卻密封室的內(nèi)壁上設(shè)有熱輻射吸收體，用于吸收所述基片釋放出的熱輻射能；和/或所述制備設(shè)備還包括與所述磁控濺射鍍膜密封室連接的第二冷卻密封室，并且在所述磁控濺射鍍膜密封室和第二冷卻密封室之間采用門閥進(jìn)行密封隔離；所述第二冷卻密封室的內(nèi)壁上設(shè)有熱輻射吸收體，用于吸收所述基片釋放出的熱輻射能。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電膜的制備設(shè)備，其特征在于，還包括與所述第二冷卻密封室連接的卸載緩沖密封室，并且在所述第二冷卻密封室和卸載緩沖密封室之間采用門閥進(jìn)行密封隔離；所述卸載緩沖密封室內(nèi)設(shè)有氣體充入口，在將基片卸載前通過(guò)所述氣體充入口充入氣體，以平衡卸載緩沖密封室內(nèi)的氣壓和外界大氣壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電膜的制備設(shè)備，其特征在于，所述卸載緩沖密封室的內(nèi)壁上設(shè)有冷卻器。
10.根據(jù)權(quán)利要求4或7所述的導(dǎo)電膜的制備設(shè)備，其特征在于，所述熱輻射吸收體通過(guò)導(dǎo)熱隔離的方式設(shè)置在密封室的內(nèi)壁上。
11.一種導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法采用的制備設(shè)備包括依次連接的上載緩沖密封室、離子束刻蝕密封室和磁控濺射鍍膜密封室，并且在相鄰兩個(gè)密封室之間采用門閥進(jìn)行密封隔離；所述制備設(shè)備還包括分別對(duì)密封室抽真空的真空泵系統(tǒng)；所述制備方法包括對(duì)基片進(jìn)行清洗和烘干；在上載緩沖密封室內(nèi)對(duì)經(jīng)過(guò)清洗和烘干后的基片進(jìn)行真空狀態(tài)下的除氣； 在離子束刻蝕密封室內(nèi)對(duì)除氣后的基片進(jìn)行離子束刻蝕，以清潔和活化所述基片的表面；在磁控濺射鍍膜密封室內(nèi)利用磁控濺射靶在經(jīng)過(guò)離子束刻蝕后的基片上鍍制活性原子金屬層；在磁控濺射鍍膜密封室內(nèi)利用磁控濺射靶在所述活性原子金屬層上鍍制導(dǎo)電金屬層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述活性原子金屬層為鈦膜層或者鉻膜層；和/或所述導(dǎo)電金屬層為銅膜層或銀膜層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述鈦膜層的厚度為10 納米至120納米；和/或所述銅膜層的厚度為0. 5微米至2微米。
14.根據(jù)權(quán)利要求11、12或13所述的導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括在進(jìn)行所述離子束刻蝕過(guò)程中，通過(guò)離子束刻蝕密封室的內(nèi)壁上的熱輻射吸收體吸收熱輻射能，該熱輻射吸收體通過(guò)導(dǎo)熱隔離的方式設(shè)置在離子束刻蝕密封室的內(nèi)壁上；在進(jìn)行磁控濺射的過(guò)程中，通過(guò)磁控濺射鍍膜密封室的內(nèi)壁上的熱輻射吸收體吸收熱輻射能，該熱輻射吸收體通過(guò)導(dǎo)熱隔離的方式設(shè)置在磁控濺射鍍膜密封室的內(nèi)壁上。
15.根據(jù)權(quán)利要求11、12或13所述的導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述上載緩沖密封室利用加熱裝置對(duì)經(jīng)過(guò)清洗和烘干后的基片進(jìn)行真空狀態(tài)下的加熱除氣。
16.根據(jù)權(quán)利要求11、12或13所述的導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述制備設(shè)備還包括連接在上載緩沖密封室和離子束刻蝕密封室之間的第一冷卻密封室，并且在相鄰兩個(gè)密封室之間采用門閥進(jìn)行密封隔離，所述制備方法還包括在對(duì)基片進(jìn)行加熱除氣之后，在所述第一冷卻密封室內(nèi)通過(guò)其內(nèi)壁上的熱輻射吸收體吸收基片釋放出的熱輻射能，該熱輻射吸收體通過(guò)導(dǎo)熱隔離的方式設(shè)置在第一冷卻密封室的內(nèi)壁上； 和/或所述制備設(shè)備還包括與所述磁控濺射鍍膜密封室連接的第二冷卻密封室，并且在所述磁控濺射鍍膜密封室和第二冷卻密封室之間采用門閥進(jìn)行密封隔離；所述制備方法還包括在通過(guò)磁控濺射鍍制導(dǎo)電金屬層之后，在所述第二冷卻密封室內(nèi)通過(guò)其內(nèi)壁上的熱輻射吸收體吸收所述基片釋放出的熱輻射能，該熱輻射吸收體通過(guò)導(dǎo)熱隔離的方式設(shè)置在第二冷卻密封室的內(nèi)壁上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述制備設(shè)備還包括與所述第二冷卻密封室連接的卸載緩沖密封室，并且在所述第二冷卻密封室和卸載緩沖密封室之間采用門閥進(jìn)行密封隔離；所述制備方法還包括在卸載緩沖密封室內(nèi)將基片的溫度降到安全溫度，并向卸載緩沖密封室內(nèi)充入氣體； 在平衡卸載緩沖密封室內(nèi)的氣壓和外界大氣壓后，卸載所述卸載緩沖密封室內(nèi)的基片。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，在卸載緩沖密封室內(nèi)將基片的溫度降到安全溫度為利用所述卸載緩沖密封室的內(nèi)壁上設(shè)置的冷卻器將基片的溫度快速降低至安全溫度。
19. 一種導(dǎo)電膜，其特征在于，該導(dǎo)電膜通過(guò)如權(quán)利要求11-18中任一項(xiàng)所述的方法制備而成。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種導(dǎo)電膜及其制備方法及設(shè)備，涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有技術(shù)中制備導(dǎo)電膜附著力較低和高頻信號(hào)能量損耗較大的問題。本發(fā)明實(shí)施例在上載緩沖密封室內(nèi)設(shè)有加熱裝置，用于對(duì)經(jīng)過(guò)清洗和烘干后的基片進(jìn)行真空狀態(tài)下的加熱除氣；在離子束刻蝕密封室利用離子束對(duì)加熱除氣后的基片進(jìn)行離子束刻蝕；在磁控濺射鍍膜密封室內(nèi)利用所述磁控濺射靶在經(jīng)過(guò)離子束刻蝕后的基片上鍍制活性原子金屬層，并利用所述磁控濺射靶在基片上鍍有活性原子金屬層的區(qū)域鍍制導(dǎo)電金屬層。本發(fā)明實(shí)施例主要用于PCB的導(dǎo)電膜制備。
文檔編號(hào)C23C14/35GK102465270SQ20101054347
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月12日
發(fā)明者朱興華 申請(qǐng)人:北大方正集團(tuán)有限公司