專利名稱：一種多晶硅酸法制絨工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池的制作領(lǐng)域，尤其是涉及一種多晶硅酸法制絨工藝。
背景技術(shù)：
近年來，多晶硅太陽能電池以其轉(zhuǎn)換效率較高、性能穩(wěn)定和成本適中的特點而得到越來越廣泛的應(yīng)用，其產(chǎn)量已超越單晶硅，占據(jù)了市場的主導(dǎo)地位。為了提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，在制作時，需要先對硅片進(jìn)行化學(xué)處理，使得硅表面做成一個具有一定形狀的絨面，由于絨面的存在，物體表面的反射率就會大大降低，從而增加光的吸收，多晶硅片的制絨是通過化學(xué)反應(yīng)在硅片表面進(jìn)行各向同性腐蝕，形成密集的凹坑狀表面結(jié)構(gòu)，增加了光在硅片表面的反射次數(shù)，最大限度的減少光的反射率， 增加廣的吸收，提高短路電流(Isc)，進(jìn)而提高光電轉(zhuǎn)換效率，因此在制絨過程中，藥液比例對減重控制、反射率的高低、黑線的形成有著不同的影響，但是現(xiàn)有的工藝減重偏低，設(shè)備生產(chǎn)速度偏慢，產(chǎn)能偏低，且反射率偏高，黑線嚴(yán)重。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決目前太陽能電池的制絨工藝中，減重偏低，反射率偏高，黑線嚴(yán)重的問題，為此提供了一種多晶硅酸法制絨工藝，包括用酸液進(jìn)行制絨的步驟；去酸液的步驟；去氧化層和金屬離子的步驟；清洗并烘干的步驟。本發(fā)明多晶硅酸法制絨工藝，所述制絨過程中，所使用的酸液包括配比為4 1的 HN03和HF，所需制絨時間為1. 7min。本發(fā)明多晶硅酸法制絨工藝，所述去酸液的步驟中，先用水清洗，然后用堿性液去除酸液和多孔硅，再用水進(jìn)行清洗去堿性液，去酸液時間為1. 8min。本發(fā)明多晶硅酸法制絨工藝，去氧化層和金屬離子使用的混合液包括濃度為40% 的HCl和濃度為20%的HF，所需時間為Imin0本發(fā)明多晶硅酸法制絨工藝，所述烘干溫度為30°C，清洗和烘干的時間為 0. 8min。本發(fā)明的原理從電性能上看，減重越大，絨面的直徑越大，深度越小，反射率越大。減重較小，絨面比較尖銳，反射率較小，Isc會變大，但絨面較尖銳容易磨損造成漏電， 印刷時與背電場的接觸也會有影響，使得Uoc有所下降。HN03為高氧化劑，在反應(yīng)中提供反應(yīng)所需要的較高空穴，HF的作用是與反應(yīng)的中間產(chǎn)物Si02反應(yīng)生成絡(luò)合物，增加溶液中HN03含量，適當(dāng)降低溶液中HF含量，確定較佳 HN03、HF比例，使HF對腐蝕坑內(nèi)結(jié)構(gòu)更加細(xì)化。在形成深的腐蝕坑的同時坑的表面也發(fā)生緩慢的腐蝕，形成更小的微腐蝕坑，結(jié)果使表面的孔隙率更高。即在HF反應(yīng)速度較慢的條件下，能夠得到較好的絨面，從而降低了反射率并增加了光的吸收。
表1:
權(quán)利要求
1.一種多晶硅酸法制絨工藝，其特征在于，包括用酸液進(jìn)行制絨的步驟；去酸液的步驟；去氧化層和金屬離子的步驟；清洗并烘干的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅酸法制絨工藝，其特征在于，所述制絨過程中，所使用的酸液為包括HN03和HF。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅酸法制絨工藝，其特征在于，所述去酸液的步驟中，先用水清洗，然后用堿性液去除酸液和多孔硅，再用水進(jìn)行清洗去堿性液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅酸法制絨工藝，其特征在于，去氧化層和金屬離子使用的包括HCl和HF的混合液。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅酸法制絨工藝，其特征在于，所述烘干溫度為30°C。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅酸法制絨工藝，其特征在于，所述酸液中HN03和HF的比例為4 :1。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅酸法制絨工藝，其特征在于，所述堿性液包括濃度為 5%的NaOH溶液。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅酸法制絨工藝，其特征在于，所述混合液中的HCl濃度為40%, HF濃度為20%ο
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅酸法制絨工藝，其特征在于，所述制絨時間為1.7min, 去酸液時間為1. 8min，去氧化層和金屬離子的時間為lmin，清洗和烘干的時間為0. 8min。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多晶硅酸法制絨工藝，包括用酸液進(jìn)行制絨的步驟；去酸液的步驟；去氧化層和金屬離子的步驟；清洗并烘干的步驟。本發(fā)明在保證硅片減重不變的同時，提高了反射率，控制了表面黑線，且提高了設(shè)備的產(chǎn)能。
文檔編號C23F1/24GK102296369SQ201110269119
公開日2011年12月28日 申請日期2011年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月13日
發(fā)明者吳紅良, 王世賢, 邱軍輝 申請人:江陰鑫輝太陽能有限公司