一種制絨工序前預(yù)清洗工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種制絨工序前預(yù)清洗工藝，屬于太陽能電池制造工藝領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)如今硅片從硅片廠運(yùn)送到電池車間生產(chǎn)的過程中，有些硅片會(huì)受外力影響碎裂，有一些硅片沒有碎裂，但出現(xiàn)了隱裂，而電池車間在生產(chǎn)時(shí)，硅片被直接拿出來，而并未做任何表面處理就進(jìn)行酸制絨工藝，在上料時(shí)，一些隱裂的原硅片并未被及時(shí)地分離開來，在經(jīng)過各槽體或下料風(fēng)刀處時(shí)，容易碎裂，增加了碎片率和疊片率。同時(shí)，硅片上附著有很多硅粉、灰塵和泡沫顆粒。這些附帶物會(huì)隨著硅片進(jìn)入刻蝕槽，藥液將受到污染，嚴(yán)重影響清洗制絨效果，最終影響轉(zhuǎn)換效率。
[0003]現(xiàn)今晶體硅太陽電池的傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝流程分為7步，其流程如下:
[0004]硅片一清洗制絨一擴(kuò)散制結(jié)一邊緣刻蝕去PSG — PECVD —絲網(wǎng)印刷一烘干燒結(jié)一測試分選。
[0005]現(xiàn)有的技術(shù)未能在硅片進(jìn)刻蝕槽前進(jìn)行預(yù)處理，使得一些硅粉、灰塵和泡沫顆粒被硅片帶入刻蝕槽藥液，污染藥液，并且泡沫顆粒在堵在了循環(huán)濾網(wǎng)上，時(shí)間長了將嚴(yán)重影響刻蝕槽藥液循環(huán)，導(dǎo)致濃度不穩(wěn)定；同時(shí)在上料時(shí)，一些隱裂的原硅片并未被及時(shí)地分離開來，在經(jīng)過各槽體或下料風(fēng)刀處時(shí)，容易碎裂，碎片率和疊片的幾率都很高，不利于提高合格率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了克服上述缺陷，本發(fā)明提供一種可以有效分離隱裂硅片以及有效清楚硅片表面雜物的制絨工序前預(yù)清洗工藝。
[0007]本發(fā)明為了解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種制絨工序前預(yù)清洗工藝，包括以下步驟:
[0008](I)自動(dòng)上料機(jī)將硅片分別傳送給五個(gè)軌道；
[0009](2)硅片在滾輪的帶動(dòng)下按照設(shè)定的速度進(jìn)入預(yù)清洗水槽進(jìn)行清洗；
[0010](3)清洗過后將硅片輸送到出水槽，硅片上殘留的水將被出水槽末端的軟滾輪擠掉，所述軟滾輪的個(gè)數(shù)為一根；
[0011](4)之后硅片送入風(fēng)刀槽，使得表面仍較潮濕的硅片在N2氛圍下被吹干；
[0012](5)在步驟(4)中嚴(yán)重隱裂的硅片將被吹裂，小的碎硅片將掉入風(fēng)刀槽體，大的碎硅片將在滾輪帶動(dòng)下進(jìn)入下一撿片槽；
[0013](6)檢片人員對步驟(5)中的碎硅片進(jìn)行清理并挑出，將預(yù)清洗好的硅片送入刻蝕槽進(jìn)行清洗制絨。
[0014]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，在步驟(4)中風(fēng)刀槽的工作環(huán)境可根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)需要設(shè)定，其風(fēng)刀氮?dú)饬魉贋?00m3/min?200m3/min，烘干溫度為50°C?85°C，只要是在該范圍內(nèi)均可。
[0015]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，在步驟(5)中下一撿片槽為沒有反應(yīng)藥液的空槽體，生產(chǎn)員工在該撿片槽兩側(cè)監(jiān)控滾輪上的硅片，若發(fā)現(xiàn)異常的硅片可及時(shí)挑出避免進(jìn)入刻蝕槽。
[0016]本發(fā)明的有益效果是:本專利的水洗槽，對準(zhǔn)備進(jìn)行酸制絨的硅片進(jìn)行表面預(yù)清洗，去除表面硅粉、灰塵以及泡沫顆粒，減少了硅片附著物對刻蝕槽藥液的污染，改善制絨質(zhì)量；同時(shí)在水洗槽后安裝風(fēng)刀，吹干硅片表面的水，有效分離開了隱裂片，減少機(jī)臺(tái)疊片幾率，提高產(chǎn)線合格率。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的闡述。
[0018]一種制絨工序前預(yù)清洗工藝，包括以下步驟:
[0019](I)自動(dòng)上料機(jī)將硅片分別傳送給五個(gè)軌道；
[0020](2)硅片在滾輪的帶動(dòng)下按照設(shè)定的速度進(jìn)入預(yù)清洗水槽進(jìn)行清洗；
[0021](3)清洗過后將硅片輸送到出水槽，硅片上殘留的水將被出水槽末端安裝的軟滾輪擠掉，所述軟滾輪為一根；
[0022](4)之后硅片送入風(fēng)刀槽，使得表面仍較潮濕的硅片在N2氛圍下被吹干；
[0023](5)在步驟⑷中嚴(yán)重隱裂的硅片將被吹裂，小的碎硅片將掉入風(fēng)刀槽體，大的碎硅片將在滾輪帶動(dòng)下進(jìn)入下一撿片槽；
[0024](6)檢片人員對步驟(5)中的碎硅片進(jìn)行清理并挑出，將預(yù)清洗好的硅片送入刻蝕槽進(jìn)行清洗制絨。
[0025]在步驟(4)中風(fēng)刀槽的工作環(huán)境可根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)需要設(shè)定，其風(fēng)刀氮?dú)饬魉贋?00?200m3/min，烘干溫度為50?85°C。
[0026]在步驟(5)中下一撿片槽為沒有反應(yīng)藥液的空槽體，生產(chǎn)員工在該撿片槽兩側(cè)監(jiān)控滾輪上的硅片，若發(fā)現(xiàn)異常的硅片可及時(shí)挑出避免進(jìn)入刻蝕槽。
[0027]本專利的水洗槽，對準(zhǔn)備進(jìn)行酸制絨的硅片進(jìn)行表面預(yù)清洗，去除表面硅粉、灰塵以及泡沫顆粒，減少了硅片附著物對刻蝕槽藥液的污染，改善制絨質(zhì)量；同時(shí)在水洗槽后安裝風(fēng)刀，吹干硅片表面的水，有效分離開了隱裂片，減少機(jī)臺(tái)疊片幾率，提高產(chǎn)線合格率；
[0028]本發(fā)明的硅片先過預(yù)清洗水槽水洗，再經(jīng)過風(fēng)刀槽吹干，保證了進(jìn)入刻蝕槽的硅片表面既干燥又潔凈，防止水被帶入刻蝕槽降低刻蝕槽藥液濃度；同時(shí)還專門設(shè)置了一個(gè)供員工監(jiān)控用的檢片槽，用于挑揀碎裂的硅片。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種制絨工序前預(yù)清洗工藝，其特征在于:包括以下步驟: (1)自動(dòng)上料機(jī)將硅片分別傳送給五個(gè)軌道； (2)硅片在滾輪的帶動(dòng)下按照設(shè)定的速度進(jìn)入預(yù)清洗水槽進(jìn)行清洗； (3)清洗過后將硅片輸送到出水槽，硅片上殘留的水將被擠掉； (4)之后硅片送入風(fēng)刀槽，使得表面仍較潮濕的硅片在N2氛圍下被吹干； (5)在步驟(4)中嚴(yán)重隱裂的硅片將被吹裂，小的碎硅片將掉入風(fēng)刀槽體，大的碎硅片將在滾輪帶動(dòng)下進(jìn)入下一撿片槽； (6)檢片人員對步驟(5)中的碎硅片進(jìn)行清理并挑出，將預(yù)清洗好的硅片送入刻蝕槽進(jìn)行清洗制絨。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制絨工序前預(yù)清洗工藝，其特征在于:所述出水槽的末端安裝有一根軟滾輪，軟滾輪在滾動(dòng)過程中對硅片進(jìn)行脫水，并洗去硅片表面的一些灰塵和泡沫顆粒。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制絨工序前預(yù)清洗工藝，其特征在于:在步驟(5)中下一撿片槽為沒有反應(yīng)藥液的空槽體，生產(chǎn)員工在該撿片槽兩側(cè)監(jiān)控滾輪上的硅片，若發(fā)現(xiàn)異常的硅片可及時(shí)挑出避免進(jìn)入刻蝕槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制絨工序前預(yù)清洗工藝，其特征在于:在步驟(4)中風(fēng)刀槽的工作環(huán)境為:風(fēng)刀氮?dú)饬魉贋?0mVmin?200m3/min，烘干溫度為50°C?85°C。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種制絨工序前預(yù)清洗工藝，包括以下步驟：(1)自動(dòng)上料機(jī)將硅片分別傳送給五個(gè)軌道；(2)硅片在滾輪的帶動(dòng)下按照設(shè)定的速度進(jìn)入預(yù)清洗水槽進(jìn)行清洗；(3)清洗過后硅片上殘留的水將被水槽末端的軟滾輪擠掉；(4)之后硅片送入風(fēng)刀槽，使得表面仍較潮濕的硅片在N2氛圍下被吹干；(5)在步驟(4)中嚴(yán)重隱裂的硅片將被吹裂，小的碎硅片將掉入風(fēng)刀槽體，大的碎硅片將在滾輪帶動(dòng)下進(jìn)入下一撿片槽；(6)對步驟(5)中的碎硅片進(jìn)行清理并挑出，將預(yù)清洗好的硅片送入刻蝕槽進(jìn)行清洗制絨。本發(fā)明的硅片先過預(yù)清洗水槽水洗，再經(jīng)過風(fēng)刀槽吹干，保證了進(jìn)入刻蝕槽的硅片表面既干燥又潔凈，防止水被帶入刻蝕槽降低刻蝕槽藥液濃度。
【IPC分類】H01L21-02, H01L31-18
【公開號】CN104835717
【申請?zhí)枴緾N201510129057
【發(fā)明人】陸東開, 樊選東, 黃鎮(zhèn), 楊冬生, 徐大偉
【申請人】中建材浚鑫科技股份有限公司
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年3月23日