專利名稱：一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及真空鍍膜技術(shù)，特別是一種高透氧化銦錫(ITO)玻璃的不同膜層在線鍍的裝置。
背景技術(shù)：
氧化銦錫(ITO)透明導(dǎo)電玻璃由ITO (Indium Tin Oxide，氧化銦錫)膜、二氧化硅(SiO2)膜和超薄基片玻璃組成。ITO膜作為透明導(dǎo)電極，(Si O2)膜鍍在ITO膜和基片玻璃之間，作為阻擋層，防止玻璃中的堿金屬離子擴(kuò)散到ITO膜中，影響其導(dǎo)電性能。應(yīng)用中頻雙靶反應(yīng)濺射制備二氧化硅(Si O2)膜的工藝具有沉積速率高的特點(diǎn)， 但是在反應(yīng)磁控濺射制備二氧化硅(Si O2)的過程中，為了從Si靶上濺射出Si原子與02化合，需要充入比較多的02，02/Ar約為10% 50%(根據(jù)sio2折射率需求具體情況而定)，而在制備ITO膜過程中，只需沖入少量氧氣( )，02/Ar約為1% 5%。這樣，在實(shí)現(xiàn)反應(yīng)濺射制備SiO2膜與ITO膜聯(lián)鍍時(shí)，就遇到反應(yīng)濺射Si O2鍍膜室的反應(yīng)氣體氧有可能漂移到 ITO鍍膜室(生產(chǎn)上習(xí)慣用語稱為“串氣”)，，從而造成對ITO工藝影響的問題。如何減小串氣，降低Si O2膜的生產(chǎn)成本，并與ITO膜的在線連鍍不僅是我國而且也是國際上ITO產(chǎn)業(yè)面臨的瓶頸難題。在中國實(shí)用新型專利說明書ZL 01258489.4中公開了具有中頻反應(yīng)濺射二氧化硅的氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置，包括前端過渡真空室、ITO鍍膜室和后端過渡真空室，前、 后端過渡真空室、ITO鍍膜室分別接有抽氣泵，其特征在于在前端過渡真空室和ITO鍍膜室之間設(shè)置有中頻反應(yīng)磁控濺射Nb2O5和SiO2鍍膜室和氣體隔離裝置，氣體隔離裝置由隔離室和抽氣泵組成，隔離室連接抽氣泵，隔離室的前端連接中頻反應(yīng)磁控濺射SiO2鍍膜室， 隔離室的后端連接ITO鍍膜室。氣體隔離裝置由兩個相通的隔離室、分子泵和擴(kuò)散泵組成。 采用該實(shí)用新型有效的技術(shù)效果在于1、通過在二氧化硅(SiO2)鍍膜室與氧化銦錫(ITO) 鍍膜室之間設(shè)置兩個隔離室，并通過分子泵和擴(kuò)散泵進(jìn)行抽氣，巧妙地減少甚至隔離了連通的SiO2鍍膜室與ITO鍍膜室之間不同氣氛的相互影響，盡可能地保持各自要求的工作狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)了二氧化硅(SiO2)膜與氧化銦錫(ITO)膜的在線連鍍。2、將中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射制備SiO2膜裝置用于ITO玻璃生產(chǎn)設(shè)備上，利用中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射制備SiO2膜具有速率高、成本低等的優(yōu)點(diǎn)，提高了產(chǎn)品的產(chǎn)量和質(zhì)量，降低了生產(chǎn)成本。但是設(shè)置兩個隔離室、濺射制備相對過多，實(shí)際上只是提高了產(chǎn)品的質(zhì)量，生產(chǎn)產(chǎn)量并沒多大提高和生產(chǎn)成本沒有太大降低。隨著人們對生產(chǎn)的要求不斷提高，在現(xiàn)有的生產(chǎn)實(shí)踐中，為了更好地隔離氧氣在上述實(shí)用新型的隔離室兩邊各需要一個如


圖1緩沖室甚至于幾個緩沖室，真空室與緩沖室之間采用獨(dú)立插板閥或者翻板閥隔開，其實(shí)密封效果并不好。這樣在鍍膜線的制作過程中就增加了成本，由于過度緩沖箱體的增加，在相同箱體的前提下鍍膜靶位的減少，所以不利于充分利用設(shè)備和增加產(chǎn)能。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型為了克服以上現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點(diǎn)提出的，其所解決的技術(shù)問題是提供一種能夠減小串氣同時(shí)又能降低鍍膜的生產(chǎn)成本、提高產(chǎn)能的高透氧化銦錫(ITO)玻璃不同膜層在線連鍍的裝置。為此，本實(shí)用新型提供了一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置，主要依序連接有前端進(jìn)片過渡真空室段1、Nb2O5 (五氧化二鈮)鍍膜室2、SiO2 (二氧化硅)鍍膜室段3、SiO2 鍍膜室4、隔離室5、ITO鍍膜室6、ITO鍍膜室7和后端出片過渡真空室段8，其特征在于 SiO2鍍膜室4與ITO鍍膜室6之間只有一個隔離室5、在前端進(jìn)片過渡真空室段1和隔離室 4之間設(shè)置有一個Nb2O5 (鍍膜室2和中頻反應(yīng)磁控濺射SiO2鍍膜室3、Si02鍍膜室4、后端出片過渡真空室段和隔離室之間有兩個ITO鍍膜室6、7 ；采用上述結(jié)構(gòu)的一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置，由于減少了隔離室，增加了一個SiO2鍍膜室4和一個ITO鍍膜室6，在不增加鍍膜箱體的情況下，加大了整條鍍膜線的產(chǎn)能，節(jié)約了成本。去掉了過渡室兩邊的插板閥，消除了 2個插板閥可能出現(xiàn)的故障。增加了鍍膜線運(yùn)作的穩(wěn)定性。作為對本實(shí)用新型一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，SiO2鍍膜室4裝有1對中頻孿生靶和3臺分子泵。作為對本實(shí)用新型一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，隔離室5 裝有三臺分子泵。作為對本實(shí)用新型一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，ITO鍍膜室6裝有1對直流ITO靶和三臺分子泵。采用上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置有效的技術(shù)效果在于在鍍膜線箱體不減少的情況下，減少了隔離室同時(shí)改變靶位的排布位置，增加了一對中頻孿生靶位和一對直流ITO靶位，利用增加的分子泵抽取多余的氧氣，使得氧氣不易竄入到ITO鍍膜箱體內(nèi)，而且由于鍍膜靶位的增加，各鍍膜材料能更加合理的配合?？梢赃m應(yīng)不同膜層厚度的需要；加大了整條鍍膜線的產(chǎn)能，節(jié)約了成本。
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的連鍍箱體生產(chǎn)線結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，1為前端進(jìn)片過渡真空室段、2為Nb2O5鍍膜室、3為SiO2鍍膜室段、4為SiO2 鍍膜室、5為隔離室、6為ITO鍍膜室、7為ITO鍍膜室、8為后端出片過渡真空室段、9為分子泵、10為直流靶、11為中頻孿生靶、12為為直流ITO靶、41為過度緩沖箱、61為過度緩沖箱、13為插板閥。
具體實(shí)施方式
如
圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中的連鍍箱體生產(chǎn)線，隔離室5兩邊有過度緩沖箱41和過度緩沖箱61，鍍膜設(shè)備中運(yùn)用插板閥13或者翻板閥將前半段的反應(yīng)所需的氧氣隔離，然后再在后半段鍍ITO導(dǎo)電層。但是利用了插板閥13或者翻板閥和隔離室5后，需要有好幾個過度緩沖箱體(41、61)，這樣在鍍膜線的制作過程中就增加了成本，而且由于過度緩沖箱體 (41,61)的增加，在相同箱體的前提下鍍膜靶位的減少，不利于充分利用設(shè)備和增加產(chǎn)能。 作為對現(xiàn)有技術(shù)的改進(jìn)，本實(shí)用新型去掉了如
圖1所示的隔離室5兩側(cè)的插板閥13和變換了過度緩沖箱(41、61)的功能，并改變了 ITO鍍膜室6、7的直流ITO靶12和三臺分子泵9
相互位置。如圖2所示，一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置，主要依序連接有前端進(jìn)片過渡真空室段1、Nb2O5 (直流反應(yīng)濺射)鍍膜室2、SiO2鍍膜室段3、SiO2鍍膜室4、隔離室5、 ITO鍍膜室6、IT0鍍膜室7和后端出片過渡真空室段8，其特征在于SiO2鍍膜室4與ITO 鍍膜室6之間只有一個隔離室5、在前端過渡真空室段1和隔離室5之間設(shè)置有一個Nb2O5 鍍膜室和六個中頻反應(yīng)磁控濺射SiO2鍍膜室(5個SiO2鍍膜室段3和1個SiO2鍍膜室4)、 后端出片過渡真空室段7和隔離室4之間有ITO鍍膜室6、ITO鍍膜室7 ；本實(shí)用新型一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置的一優(yōu)選實(shí)例是，Nb2O5鍍膜室2 裝有一對直流靶11和二臺分子泵9 ；作為對本實(shí)用新型一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置的進(jìn)一步改進(jìn)，SiO2鍍膜室段3每個室內(nèi)裝有一對中頻孿生靶11和2臺分子泵9 ；作為對本實(shí)用新型一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置的一優(yōu)選實(shí)例是，隔離室 5裝有三臺分子泵9。作為對本實(shí)用新型一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置的一優(yōu)選實(shí)例是，ITO鍍膜室6裝有1個直流ITO靶12和三臺分子泵9 ； ITO鍍膜室7裝有二個直流ITO靶12和二臺分子泵9。工作過程載有基片玻璃的基片架由前道工序經(jīng)過前端進(jìn)片過渡真空室段1，經(jīng)直流靶10和中頻孿生靶11反應(yīng)磁控濺射制備Nb2O5和SiO2膜裝置在其玻璃基片表面鍍上 15—20nm厚的Nb2O5薄膜和90—100nm厚的膜，分子泵(9)抽取多余的氧氣，使得氧氣不易竄入到ITO鍍膜箱體內(nèi)。SiO2鍍膜后，經(jīng)過氣體隔離室5進(jìn)入ITO鍍膜室(6、7)，在ITO 鍍膜室(6、7)內(nèi)，在己鍍有SiO2膜的基片玻璃上面，再鍍上一層25nm左右厚度的ITO透明導(dǎo)電膜，最后后端過渡真空室8進(jìn)入下面的工藝室，膜層均勻性士2%。本實(shí)用新型在不改變鍍膜線箱體的基礎(chǔ)上，改變靶位的排布位置，減去少了過度緩沖箱(41、61)，中間只有一個隔離室5、通過增加了 SiO2鍍膜室4和ITO鍍膜室6、同時(shí)增加了一對中頻孿生靶11和一對直流ITO靶12、再在SiO2鍍膜室4、隔離室5和ITO鍍膜室 6增加一臺分子泵抽取多余的氧氣，使得氧氣不易竄入到ITO鍍膜箱體內(nèi)，充分的利用了箱體，這樣我們在不增加鍍膜箱體的情況下，加大了整條鍍膜線的產(chǎn)能，節(jié)約了成本。
權(quán)利要求1.一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置，主要依序連接有前端進(jìn)片過渡真空室段 (1)、Nb2O5鍍膜室(2)、SiOd^I膜室段(3)、SiO2鍍膜室(4)、隔離室(5)、ITO鍍膜室(6)、ITO 鍍膜室(7)和后端出片過渡真空室段(8)，其特征在于SiO2鍍膜室(4)與ITO鍍膜室(6) 中間的只有一個隔離室(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置，其特征在于所述 SiO2鍍膜室(4)裝有1對中頻孿生靶(11)和3臺分子泵(9)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置，其特征在于所述隔離室(5)裝有三臺分子泵(9)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置，其特征在于所述ITO 鍍膜室(6)裝有1對直流ITO靶(12)和三臺分子泵(9)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種高透氧化銦錫玻璃在線連鍍裝置，主要依序連接有前端進(jìn)片過渡真空室段1，Nb2O5鍍膜室2，SiO2鍍膜室段3、SiO2鍍膜室4、隔離室5、ITO鍍膜室6、ITO鍍膜室7和后端出片過渡真空室段8，其特征在于:SiO2鍍膜室4與ITO鍍膜室6中間只有一個隔離室5、隔離室5有三臺分子泵，與隔離室5相鄰的SiO2鍍膜室4有1對中頻孿生靶11和3臺分子泵9、與隔離室5相鄰的ITO鍍膜室6有1對直流ITO靶12和3臺分子泵9。本實(shí)用新型安裝了1對中頻孿生靶11和1對直流ITO靶12、分子泵9，能抽取多余的氧氣，使得氧氣不易竄入到ITO鍍膜箱體內(nèi)，可以適應(yīng)不同膜層厚度的需要、加大了整條鍍膜線的產(chǎn)能，節(jié)約了成本。
文檔編號C23C14/08GK202297762SQ20112041591
公開日2012年7月4日 申請日期2011年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月27日
發(fā)明者鄒定嵩 申請人:東莞市潤華光電有限公司