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      一種基片加熱裝置的制作方法

      文檔序號:3256620閱讀:217來源:國知局
      專利名稱:一種基片加熱裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種真空鍍膜設(shè)備,特別涉及基片鍍膜前加熱裝置。
      背景技術(shù)
      真空鍍膜設(shè)備的使用廣范分布于各行各業(yè),鍍膜前基片的加熱非常重要,若加熱均勻性差,會嚴重影響所鍍或所沉積的薄膜的光學、電學及物理性能。無論是工業(yè)設(shè)備還是研發(fā)設(shè)備,為達到加熱均勻性,基本采用每次只加熱單片基片的方式,效率較低,不便于連續(xù)批量工作。基片的加熱原理主要是靠紅外電磁波輻射?;牧媳旧韺訜嵝势饹Q定作用。材料的熱容度好,加熱效率就高,反之則低。在工業(yè)化生產(chǎn)中,對基片加熱有不同方式有直接進行加熱的,也有間接加熱的。以工業(yè)化薄膜太陽能電池生產(chǎn)為例,其基片大部分采用玻璃,加熱方式既有堆棧式預(yù)加熱,也有單片直接加熱;堆棧式預(yù)加熱較典型的,當屬硅基薄膜產(chǎn)線的單室多片系統(tǒng);主要方式有兩種。方法一是將玻璃基片插入預(yù)熱爐內(nèi)的堆棧式插槽上,將玻璃基片加熱到較高溫度,再從堆棧式插槽上取下,裝入薄膜沉積腔中的堆棧式插槽上去沉積硅基薄膜, 此方式的缺陷是在高溫時移動玻璃基片,碎片率很高,已很少被采用。方法二是將基片插入堆棧式基片架,再將堆棧式基片架裝入一周圍完全密閉的金屬盒中,對整個金屬盒進行加熱,然后將金屬盒再裝入薄膜沉積腔進行薄膜沉積;此方式的缺陷是首先要加熱金屬盒,再將熱量傳導(dǎo)給基片,要達到加熱溫度就需要很長時間,而且金屬盒的高溫還會造成對其移動的不便。例如,已授權(quán)的中國專利CN 2931495Y,采用的就是此加熱方式。在研發(fā)設(shè)備中一般采用單片直接加熱方式對基片進行加熱,可獲得極好的加熱均勻性。其過程是先將基片裝入裝片腔內(nèi),經(jīng)過高真空后,轉(zhuǎn)進薄膜沉積腔再進行加熱。裝片腔一般不對基片進行加熱,只進行一定溫度的烘烤,可裝入基片數(shù)量各有不同。基片一般是裝在基片在板上,再放入真空腔抽真空和烘烤;一定時間后在傳送到沉積腔,進行升溫。 基片載板有兩個作用,其一是固定基片,其二是給基片提供一均勻溫度場保證基片溫度均勻?;瑴囟染鶆蚩墒钩练e在基片上的薄膜均勻性得到保證,進而提高薄膜的光學及電學性能。此方式也存在一些不足,在沉積腔中加熱會使整個的薄膜沉積過程時間較長,不利于不同實驗條件的數(shù)據(jù)優(yōu)化。如中國專利CN 101220468A。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)在基片加熱方面溫度不均勻、時間較長等的不足, 提出一種基片加熱裝置。本發(fā)明的基片加熱裝置加熱時間短、效率高,可提供具有均勻溫度的用于薄膜沉積的基片。本發(fā)明基片加熱裝置屬于真空加熱裝置,需要與其它真空設(shè)備配套使用。本發(fā)明加熱裝置包括箱體和基片載板加熱架。所述的箱體的外形為方箱,其材質(zhì)為不銹鋼。在所述的箱體的一個立面上開有用于裝卸基片載板的真空密封門,真空密封門上設(shè)有一觀察窗,用于觀察加熱裝置內(nèi)部情況。觀察窗的下方裝有一磁力推桿,用于將裝有基片的基片載板從加熱裝置內(nèi)傳遞到其它真空腔設(shè)備中。在所述的箱體與真空密封門相對的另一立面上裝有真空閥門,該真空閥門用于與其它真空腔設(shè)備對接及傳遞基片載板;在與真空密封門相鄰的所述的箱體立面上裝有一手動旋轉(zhuǎn)柄,手動旋轉(zhuǎn)柄與一螺紋桿的一端連接,螺紋桿由支架支撐固定,螺紋桿的另一端與置于所述的箱體內(nèi)的基片載板加熱架連接, 螺紋桿與箱體間通過不銹鋼波紋管實現(xiàn)真空密封。通過旋轉(zhuǎn)手動旋轉(zhuǎn)柄,可使箱體內(nèi)基片載板加熱架在水平方向上往復(fù)運動。箱體底部有一用于抽真空的排氣口,排氣口安裝有用于連接真空泵及封閉真空的真空閥。所述的箱體內(nèi)部裝有一個基片載板加熱架,基片加熱架上有多個插槽?;d板加熱架安裝在兩條相對平行的導(dǎo)軌上;每條導(dǎo)軌由定軌及動軌組成,其中定軌固定在箱體內(nèi)的底部,位于排氣口上方。定軌為凹型,用于支撐基片載板加熱架。動軌固定在基片載板加熱架的底部,為凸型,與定軌的凹型相配合。定軌兩端分別裝有基片載板加熱架限位裝置?;d板加熱架在螺紋桿推動下可在水平方向上依托導(dǎo)軌進行往復(fù)運動?;d板加熱架的每個插槽一次只能插入一塊基片載板,插槽間帶有加熱器,加熱器為鎧裝電加熱絲, 鎧裝電加熱絲用卡子固定在支撐板上,支撐板位于兩相鄰基片載板加熱架的插槽之間,鎧裝電加熱絲通有低壓電。需要加熱的基片通過固定螺釘及基片載板插槽固定在基片載板上,再將基片載板插入基片載板加熱架插槽中進行加熱,采用溫控儀對加熱溫度進行控制。箱體內(nèi)壁上襯有兩層隔熱板。隔熱板采用不銹鋼薄板,不銹鋼薄板兩面拋光處理, 以達到更好隔熱效果。隔熱板之間以及其與方箱內(nèi)壁間間隔不大于10mm。達到加熱溫度的基片,通過手動旋轉(zhuǎn)柄、磁力桿、磁鋼、基片載板的配合,傳遞出箱體。本發(fā)明的優(yōu)勢如下I.采用電加熱方式,加熱時間短;2.在每個基板間均裝有電加熱器,提高了加熱效率;3.基片裝在基片載板上,提聞了加熱均勻性;4.可對一個批次的基片進行加熱;5.基片傳遞采用手動方式,成本低,便于維護;6.加熱裝置裝有隔熱內(nèi)襯,降低了紅外輻射造成的能耗;7.可避免在沉積腔加熱帶來的污染。


      圖I基片加熱裝置俯視圖,圖中1手動旋轉(zhuǎn)柄,2固定件,3支撐架,4不銹鋼波紋管密封,5加熱裝置外殼,17基片出口真空閥門,18基片加熱裝置門鎖緊旋鈕,19觀察窗,20 磁力桿,21磁鋼,22基片加熱裝置門;圖2基片加熱裝置側(cè)面剖視圖,圖中1手動旋轉(zhuǎn)柄,2固定件,3支撐架,4不銹鋼波紋管密封,5加熱裝置外殼,6隔熱內(nèi)襯,7基片載板插槽,8加熱器,9加熱器接線,10基片載板插槽箱滑軌定軌,11基片插槽箱限位裝置,12基片插槽箱滑軌支撐架,13基片加熱裝置支撐面,14加熱裝置真空排氣口 ;15不銹鋼波紋管;圖3基片載板不意圖,圖中23與磁力桿連接柱,24基片固定螺釘孔,25基片位
      圖4基片載板側(cè)視圖,圖中23與磁力桿連接柱,24基片固定螺釘,26基片插槽;圖5基片加熱裝置傳遞示意圖,圖中1手動旋轉(zhuǎn)柄,3支撐架,7基片載板插槽,10 基片載板插槽箱滑軌定軌,17基片出口真空閥門,19觀察窗,20磁力桿,21磁鋼,27基片插槽箱移動方向,28磁鋼運動方向;圖6基片加熱裝置內(nèi)部磁力桿不意圖,圖中20磁力桿,29磁力桿與基片載板連接環(huán);圖7磁力桿與基片載板對接示意圖,圖中20磁力桿,29磁力桿與基片載板連接環(huán),23基片載板與磁力桿連接柱,24基片固定螺釘孔;圖8基片載板插槽不意圖,圖中7基片載板插槽;圖9滑軌連接示意圖,圖中10基片插槽箱滑軌定軌,32基片插槽箱滑軌動軌;圖10基片加熱裝置加熱器示意圖,圖中30鎧裝加熱絲,31鎧裝加熱絲支撐板,33 銷裝加熱絲固定卡。
      具體實施例方式
      以下結(jié)合附圖和具體實施方式
      進一步說明本發(fā)明。本發(fā)明基片加熱裝置主要包括箱體和基片載板加熱架。所述的箱體的外形為方箱,其材質(zhì)為不銹鋼。如圖1、2所示,在所述的箱體的一個立面上開有用于裝卸基片載板的真空密封門 22,真空密封門22上設(shè)有一觀察窗19,用于觀察加熱裝置內(nèi)部情況;觀察窗19的下方裝有一磁力推桿20,磁力推桿20上裝有一磁鋼21 ;真空密封門22上還設(shè)有真空密封門鎖緊旋鈕18。在與真空密封門22相對的所述的箱體的另一立面上裝有基片出口真空閥門17。在與真空密封門22相鄰的所述的箱體的立面上裝有一手動旋轉(zhuǎn)柄1,手動旋轉(zhuǎn)柄I與一螺紋桿的一端連接,螺紋桿通過支架撐3及固定件2支撐、固定,螺紋桿的另一端與置于所述的加熱裝置箱體內(nèi)的基片載板加熱架連接,螺紋桿與箱體間通過不銹鋼波紋管15實現(xiàn)真空密封。在所述的箱體內(nèi)部裝有一個多插槽的基片載板加熱架。基片載板加熱架安裝在兩條相對平行的導(dǎo)軌上。如圖9所示,每條導(dǎo)軌由定軌10及動軌32組成,其中定軌10固定在箱體內(nèi)的底部、位于排氣口 14上方,定軌10為凹型;動軌32固定在基片載板加熱架的底部,為凸型,與定軌10的凹型相配合。定軌10的兩端分別裝有基片載板加熱架限位裝置 11 ;基片載板加熱架在螺紋桿推動下可在水平方向上依托定軌10進行往復(fù)運動,如圖2所示?;d板加熱架的每個基片載板插槽7—次只能插入一塊基片載板。插槽間裝有加熱器8,加熱器8選用鎧裝電加熱絲30。如圖10所示,鎧裝電加熱絲30用卡子33固定在支撐板31上。支撐板31位于兩相鄰基片載板插槽7之間,鎧裝電加熱絲30通有低壓電;基片載板插入基片載板加熱架插槽中進行加熱。在所述的箱體內(nèi)壁上襯有兩層隔熱內(nèi)襯6,隔熱內(nèi)襯6采用不銹鋼薄板,不銹鋼薄板兩面拋光處理,兩層隔熱內(nèi)襯之間,以及隔熱內(nèi)襯與方箱內(nèi)壁間間隔不大于10mm,如圖I 所示。如圖3、圖4所示,工作時,將基片插入裝到基片載板的基片插槽26中,旋緊基片固定螺釘24,使基片與基片載板具有良好的物理接觸,以保證加熱均勻性;打開方箱門22,將裝有基片的基片載板完全插入基片載板加熱架的基片載板插槽7中,如圖8所示;關(guān)閉方箱門22,旋緊方箱門鎖緊旋鈕18,如圖I、圖5所示;通過排氣口 14給方箱抽真空,如圖2所示;真空到后,打開加熱器8電源,開始加熱;溫度到后,通過手動旋轉(zhuǎn)柄I、磁鋼21、磁力桿 20、與磁力桿連接柱23、觀察窗19的相互配合,將基片載板傳遞到其它真空設(shè)備中,如圖3、 圖4、圖5、圖6、圖7所示;傳遞過程如下I、打開基片出口真空閥門17,如圖I、圖5所示;2、旋轉(zhuǎn)手動旋轉(zhuǎn)柄I,并通過觀察窗19進行觀察,如圖I、圖5、圖6、圖7所示;使基片加熱架延滑軌方向移動,如圖5、圖9所示;并使基片加熱架中基片載板位置與磁力桿 20相對應(yīng),如圖5所示;3、推動磁鋼21,使磁力桿20接近基片載板與磁力桿連接柱23,如圖3、圖4、圖5、 圖6、圖7所示;4、如圖6、圖7所示,通過旋轉(zhuǎn)及推拉磁鋼21,最終使基片載板連接環(huán)29與基片載板連接柱23對接;5、繼續(xù)推動磁鋼21,基片載板被磁力桿21從基片加熱架中推出,穿過基片出口真空閥門17,離開加熱方箱5,進入其它真空設(shè)備中。
      權(quán)利要求
      1.一種基片加熱裝置,包括箱體(5)和基片載板加熱架,其特征在于,所述的基片載板加熱架安裝在所述的箱體內(nèi),所述的基片載板加熱架上有多個插槽;基片載板加熱架安裝在兩條相對平行的導(dǎo)軌上,在水平方向上往復(fù)運動;待加熱的基片通過固定螺釘及基片載板插槽固定在基片載板上,基片載板插入基片載板加熱架插槽中加熱。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基片加熱裝置,其特征在于,所述的箱體的一個立面上開有用于裝卸基片載板的真空密封門(22),真空密封門(22)上設(shè)有一觀察窗(19);觀察窗(19)的下方裝有磁力推桿(20),磁力推桿(20)上裝有磁鋼(21);真空密封門(22)上還設(shè)有真空密封門鎖緊旋鈕(18);在與真空密封門(22)相對的所述的箱體的另一立面上裝有基片出口真空閥門(17);在與真空密封門(22)相鄰的所述的箱體的立面上裝有手動旋轉(zhuǎn)柄(I),手動旋轉(zhuǎn)柄(I)與一螺紋桿的一端連接,螺紋桿通過支架撐(3)及固定件(2)支撐、 固定;螺紋桿的另一端與置于所述的加熱裝置箱體內(nèi)的基片載板加熱架連接,螺紋桿與箱體間通過不銹鋼波紋管(15)實現(xiàn)真空密封。
      3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基片加熱裝置,其特征在于,每條所述的導(dǎo)軌由定軌(10)及動軌(32)組成;所述的定軌(10)固定在所述的箱體內(nèi)的底部,位于排氣口(14)上方;定軌(10)為凹型;動軌(32)固定在基片載板加熱架的底部,為凸型,與凹型的定軌(10)相配合;定軌(10)的兩端分別裝有基片載板加熱架限位裝置(11);基片載板加熱架在螺紋桿推動下在水平方向上依托定軌(10)往復(fù)運動。
      4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基片加熱裝置,其特征在于,所述的基片載板加熱架的插槽間裝有加熱器(8),加熱器(8)選用鎧裝電加熱絲(30);鎧裝電加熱絲(30)用卡子(33)固定在支撐板(31)上;支撐板(31)位于兩相鄰基片載板插槽(7)之間,鎧裝電加熱絲(30) 通有低壓電。
      5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基片加熱裝置,其特征在于,所述的箱體內(nèi)壁上襯有兩層隔熱內(nèi)襯¢),隔熱內(nèi)襯(6)采用不銹鋼薄板,不銹鋼薄板兩面拋光;兩層隔熱內(nèi)襯之間,以及隔熱內(nèi)襯與方箱內(nèi)壁間的間隔不大于10mm。
      全文摘要
      一種基片加熱裝置,包括箱體和基片載板加熱架。所述的基片載板加熱架安裝在所述的箱體內(nèi)。所述的基片載板加熱架上有多個插槽。基片載板加熱架安裝在兩條相對平行的導(dǎo)軌上,在水平方向上往復(fù)運動。需要加熱的基片通過固定螺釘及基片載板插槽固定在基片載板上,再將基片載板插入基片載板加熱架插槽中進行加熱。本發(fā)明采用電加熱方式加熱,適用于對批次基片進行同時加熱。
      文檔編號C23C16/46GK102605349SQ20121008468
      公開日2012年7月25日 申請日期2012年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月27日
      發(fā)明者刁宏偉, 周春蘭, 李海玲, 王文靜, 趙雷 申請人:中國科學院電工研究所
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