蒸發(fā)裝置及應(yīng)用該蒸發(fā)裝置的真空蒸鍍的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種蒸發(fā)裝置，包括一蒸發(fā)舟、導(dǎo)氣裝置及氣源通道，該蒸發(fā)舟容置于該導(dǎo)氣裝置內(nèi)且該蒸發(fā)舟與導(dǎo)氣裝置之間形成一氣體容置空間；所述氣源通道的一端與該導(dǎo)氣裝置連接，并與該氣體容置空間連通，以向氣體容置空間中通入氣體；所述蒸發(fā)舟包括一第一底壁、由該第一底壁的周緣延伸形成的側(cè)壁及由該第一底壁與該側(cè)壁圍成的容置槽，該側(cè)壁上開設(shè)有若干通氣孔，所述通氣孔與該氣體容置空間相連通。本發(fā)明還提供了應(yīng)用該蒸發(fā)裝置的電子裝置。
【專利說明】蒸發(fā)裝置及應(yīng)用該蒸發(fā)裝置的真空蒸鍍機(jī)
【技術(shù)領(lǐng)域】[0001]本發(fā)明涉及一種蒸發(fā)裝置及應(yīng)用該蒸發(fā)裝置的真空蒸鍍機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1及圖2所示，現(xiàn)有蒸發(fā)鍍膜技術(shù)，通常采用一真空蒸鍍機(jī)300，其包括一蒸鍍室310及連接于蒸鍍室310的一真空泵330，該真空泵330用以對該蒸鍍室310抽真空。該蒸鍍室310內(nèi)設(shè)置有一蒸發(fā)裝置311及一固定待鍍膜工件400的支承架313。反應(yīng)氣體和/或工作氣體經(jīng)氣源通道315進(jìn)入所述蒸鍍室310中。蒸發(fā)裝置311用于承載蒸發(fā)料，并對蒸發(fā)料進(jìn)行加熱。所述待鍍膜工件400包括一底面410、及由沿底面410的周緣延伸彎折形成的周壁430。在蒸發(fā)鍍膜過程中，蒸發(fā)料350蒸發(fā)產(chǎn)生的蒸氣分子沿箭頭A的方向向待鍍膜工件400運動，同時蒸氣分子還與蒸鍍室310內(nèi)的反應(yīng)氣體反應(yīng)，在待鍍膜工件400的底面410及周壁430上沉積形成膜層。由于蒸發(fā)時蒸氣分子的方向性很強(qiáng)，僅沿箭頭A的方向運動，因此在周壁430上沉積的蒸發(fā)料分子的密度明顯低于底面410，導(dǎo)致底面410與周壁430上沉積的膜層的厚度不均。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于此，本發(fā)明提供一種可提高所形成膜層厚度的均勻性的蒸發(fā)裝置。
[0004]另外，本發(fā)明還提供一種應(yīng)用該蒸發(fā)裝置的真空蒸鍍機(jī)。
[0005]一種蒸發(fā)裝置，包括一蒸發(fā)舟、導(dǎo)氣裝置及氣源通道，該蒸發(fā)舟容置于該導(dǎo)氣裝置內(nèi)且該蒸發(fā)舟與導(dǎo)氣裝置之間形成一氣體容置空間；所述氣源通道的一端與該導(dǎo)氣裝置連接，并與該氣體容置空間連通，以向氣體容置空間中通入氣體；所述蒸發(fā)舟包括一第一底壁、由該第一底壁的周緣延伸形成的側(cè)壁及由該第一底壁與該側(cè)壁圍成的容置槽，該側(cè)壁上開設(shè)有若干通氣孔，所述通氣孔與該氣體容置空間相連通。
[0006]一種應(yīng)用所述蒸發(fā)裝置的真空蒸鍍機(jī)，該真空蒸鍍機(jī)包括一蒸鍍腔及連接于蒸鍍腔的一真空泵，該蒸鍍腔內(nèi)設(shè)置有所述蒸發(fā)裝置、固定待鍍膜工件的支承架，氣體經(jīng)氣源通道進(jìn)入所述蒸鍍腔內(nèi)。
[0007]本發(fā)明所述蒸發(fā)裝置，氣體由通氣孔通入蒸發(fā)舟內(nèi)，通過氣體分子與蒸發(fā)料分子之間的碰撞，可改變蒸發(fā)料分子的蒸發(fā)方向，擴(kuò)大蒸發(fā)料分子蒸發(fā)擴(kuò)散的范圍，同時反應(yīng)氣體分子可與蒸發(fā)料分子充分反應(yīng)，最終實現(xiàn)提高形成的膜層的均勻性的目的。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的真空蒸鍍機(jī)的示意圖。
[0009]圖2為圖1所示蒸發(fā)裝置中蒸發(fā)料被蒸發(fā)時其蒸氣分子的運動方向示意圖。
[0010]圖3為本發(fā)明一較佳實施例的蒸發(fā)裝置的整體示意圖。
[0011]圖4為圖3所示蒸發(fā)裝置的分解示意圖。
[0012]圖5為圖3所示蒸發(fā)裝置的沿V-V線的剖面圖。[0013]圖6為圖3所示蒸發(fā)裝置的沿V1-VI線的剖面圖。
[0014]圖7為圖3所示蒸發(fā)裝置中蒸發(fā)料被蒸發(fā)時其蒸氣分子的運動方向示意圖。
[0015]圖8為應(yīng)用圖3所示蒸發(fā)裝置的真空蒸鍍機(jī)的示意圖。
[0016]主要元件符號說明
【權(quán)利要求】
1.一種蒸發(fā)裝置，包括一蒸發(fā)舟，其特征在于:該蒸發(fā)裝置還包括導(dǎo)氣裝置及氣源通道，該蒸發(fā)舟容置于該導(dǎo)氣裝置內(nèi)且該蒸發(fā)舟與導(dǎo)氣裝置之間形成一氣體容置空間；所述氣源通道的一端與該導(dǎo)氣裝置連接，并與該氣體容置空間連通，以向氣體容置空間中通入氣體；所述蒸發(fā)舟包括一第一底壁、由該第一底壁的周緣延伸形成的側(cè)壁及由該第一底壁與該側(cè)壁圍成的容置槽，該側(cè)壁上開設(shè)有若干通氣孔，所述通氣孔與該氣體容置空間相連通。
2.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)裝置，其特征在于:所述通氣孔的內(nèi)壁朝向容置槽方向的延長線與第一底壁之間的夾角大于O度且小于90度。
3.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)裝置，其特征在于:所述側(cè)壁包括二相對設(shè)置的第一側(cè)壁、二相對設(shè)置的第二側(cè)壁，所述若干通氣孔開設(shè)于所述第一側(cè)壁和第二側(cè)壁至少一方上。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的蒸發(fā)裝置，其特征在于:所述通氣孔為圓形孔、三角形孔或正方形孔。
5.如權(quán)利要求4所述的蒸發(fā)裝置，其特征在于:當(dāng)通氣孔為圓孔時，通氣孔的內(nèi)徑1.5-2.5mm。
6.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)裝置，其特征在于:該蒸發(fā)舟還包括二加熱部，該二加熱部分別由二相對設(shè)置的第一側(cè)壁或第二側(cè)壁延伸形成。
7.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)裝置，其特征在于:該導(dǎo)氣裝置包括一第二底壁、由第二底壁的周緣延伸彎折形成的二第三側(cè)壁、二第四側(cè)壁，以及由第二底壁、二第三側(cè)壁與二第四側(cè)壁圍成的一凹槽。
8.如權(quán)利要求7所述的蒸發(fā)裝置，其特征在于:所述凹槽與所述容置槽的開口方向及形狀相同，所述凹槽的開口大于所述容置槽的開口。
9.如權(quán)利要求7或8所述的蒸發(fā)裝置，其特征在于:當(dāng)蒸發(fā)舟容置于該導(dǎo)氣裝置內(nèi)時，所述第三側(cè)壁與第一側(cè)壁之間的夾角大于O度且小于90度。
10.如權(quán)利要求7所述的蒸發(fā)裝置，其特征在于:該第三側(cè)壁遠(yuǎn)離第二底壁的一端與該第一側(cè)壁遠(yuǎn)離第一底壁的一端相抵持。
11.一種應(yīng)用權(quán)利要求1-10中任一項所述蒸發(fā)裝置的真空蒸鍍機(jī)，該真空蒸鍍機(jī)包括一蒸鍍腔及連接于蒸鍍腔的一真空泵，該蒸鍍腔內(nèi)設(shè)置有固定待鍍膜工件的支承架，其特征在于:所述蒸發(fā)裝置容置于該蒸鍍腔內(nèi)，氣體經(jīng)氣源通道進(jìn)入所述蒸鍍腔內(nèi)。
【文檔編號】C23C14/24GK103668077SQ201210339847
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月14日
【發(fā)明者】曹達(dá)華, 李彬 申請人:深圳富泰宏精密工業(yè)有限公司