掩膜集成框架及蒸鍍設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種掩膜集成框架及蒸鍍設(shè)備，該掩膜集成框架包括框架以及設(shè)置在所述框架上的掩膜板，所述掩膜集成框架設(shè)置有對位標記，所述對位標記包括設(shè)置在所述框架上的第一對位孔以及設(shè)置在所述掩膜板上的第二對位孔，所述第二對位孔為通孔，所述第二對位孔在所述框架上的正投影位于所述第一對位孔的內(nèi)壁上，所述第一對位孔為盲孔或者通孔，當所述第一對位孔為盲孔時，所述第一對位孔底部最深的位置位于所述第二對位孔在所述框架上的正投影之外。本發(fā)明提供的掩膜集成框架可以有效緩解由于框架上的對位孔中殘留液體從而干擾對位的問題。
【專利說明】
掩膜集成框架及蒸鍍設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜集成框架及蒸鍍設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED(Organic Light Emitting D1de，有機發(fā)光二極管)顯示面板具有自發(fā)光、反應快、亮度高、輕薄等諸多優(yōu)點，已經(jīng)逐漸成為顯示領(lǐng)域的主流。
[0003]OLED顯示面板包括陣列排布的多個子像素單元，每一個子像素單元包括陽極、發(fā)光層和陰極，其中，發(fā)光層采用有機電致發(fā)光材料形成，目前主要采用掩膜板并通過蒸鍍工藝制作在各子像素單元中，在進行蒸鍍工藝時，掩膜板必須焊接在框架上放在蒸鍍機里面使用，掩膜板和框架焊接在一起稱為MFA(Mask Frame Assemble，掩膜集成框架)。
[0004]為在蒸鍍前與TFT基板對位，MFA的四角設(shè)置有用于對位的對位標記(mark)，目前設(shè)計是在框架的四個角分別制作半刻蝕圓錐形孔，并在對位掩膜板(align mask)上對應的位置制作對位孔，所形成的對位標記的結(jié)構(gòu)如圖1所示，俯視圖如圖2所示，對位掩膜板210’上的對位孔211’的中心與其下方的框架100 ’上的半刻蝕圓錐形孔1 I’的中心重合，在對位過程中，通過CCD圖像傳感器對其進行圖像采集，并利用灰階的不同識別出對位掩膜板上的對位孔的邊緣，進而實現(xiàn)與TFT基板進行對位，然而，對于上述的MFA，在對掩膜板清洗后，框架上的半刻蝕圓錐形孔容易殘留液體(藥液或者水)，且不易蒸發(fā)或者吹干，在后續(xù)的使用中，殘留的液體容易干擾對位，在CCD圖像傳感器采集的圖像中容易出現(xiàn)類似污漬痕跡，造成對位掩膜板抓取失敗，使蒸鍍機產(chǎn)生報警。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005](一)要解決的技術(shù)問題
[0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:提供一種掩膜集成框架及蒸鍍設(shè)備，可以有效緩解由于框架上的對位孔中殘留液體從而干擾對位的問題。
[0007](二)技術(shù)方案
[0008]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案提供了一種掩膜集成框架，包括框架以及設(shè)置在所述框架上的掩膜板，所述掩膜集成框架設(shè)置有對位標記，所述對位標記包括設(shè)置在所述框架上的第一對位孔以及設(shè)置在所述掩膜板上的第二對位孔，所述第二對位孔為通孔，所述第二對位孔在所述框架上的正投影位于所述第一對位孔的內(nèi)壁上，所述第一對位孔為盲孔或者通孔，當所述第一對位孔為盲孔時，所述第一對位孔底部最深的位置位于所述第二對位孔在所述框架上的正投影之外。
[0009]優(yōu)選地，所述第一對位孔包括第一部，所述第一部的內(nèi)壁與所述掩膜板所在平面非垂直，所述第二對位孔在所述框架上的正投影位于所述第一部的內(nèi)壁上。
[0010]優(yōu)選地，當所述第一對位孔為盲孔時，所述第一部呈圓錐體狀，且所述第一部的軸線垂直于所述掩膜板所在平面。
[0011]優(yōu)選地，所述第一部的錐角為60度?150度，所述第一部的高為1.5毫米?2.0毫米。
[0012]優(yōu)選地，所述第一對位孔還包括呈柱體狀的第二部，所述第二部的軸線垂直于所述掩膜板所在平面，所述第二部的高度為0.8毫米?1.2毫米。
[0013]優(yōu)選地，當所述第一對位孔為通孔時，所述第一部呈柱體狀，且所述第一部的軸線與所述掩膜板所在平面非垂直。
[0014]優(yōu)選地，所述第一部的軸線與所述掩膜板所在平面之間的夾角為30度?60度。
[0015]優(yōu)選地，所述第一對位孔還包括位于所述第一部至少一端的第三部，所述第三部呈柱體狀，且所述第三部的軸線與所述掩膜板所在平面垂直。
[0016]優(yōu)選地，所述框架以及所述掩膜板均為金屬材質(zhì)，所述掩膜板焊接在所述框架上。
[0017]優(yōu)選地，包括多個所述對位標記。
[0018]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了一種蒸鍍設(shè)備，包括上述的掩膜集成框架。
[0019](三)有益效果
[0020]本發(fā)明實施方式提供的掩膜集成框架可以有效緩解由于框架上的對位孔中殘留液體從而干擾對位的問題。
【附圖說明】
[0021 ]圖1是現(xiàn)有的掩膜集成框架上的對位標記的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2是圖1中的對位標記的俯視圖；
[0023]圖3是本發(fā)明實施方式提供的一種掩膜集成框架的示意圖；
[0024]圖4是本發(fā)明實施方式提供的一種掩膜集成框架上的對位標記的示意圖；
[0025 ]圖5是圖4中的對位標記的俯視圖；
[0026]圖6是本發(fā)明實施方式提供的另一種掩膜集成框架上的對位標記的示意圖。
【具體實施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0028]本發(fā)明實施方式提供了一種掩膜集成框架，包括框架以及設(shè)置在所述框架上的掩膜板，所述掩膜集成框架設(shè)置有對位標記，所述對位標記包括設(shè)置在所述框架上的第一對位孔以及設(shè)置在所述掩膜板上的第二對位孔，所述第二對位孔為通孔，所述第二對位孔在所述框架上的正投影位于所述第一對位孔的內(nèi)壁上，所述第一對位孔為盲孔或者通孔，當所述第一對位孔為盲孔時，所述第一對位孔底部最深的位置位于所述第二對位孔在所述框架上的正投影之外。
[0029]本發(fā)明實施方式提供的掩膜集成框架可以有效緩解由于框架上的對位孔中殘留液體從而干擾對位的問題。
[0030]例如，對于本發(fā)明實施方式提供的掩膜集成框架，所述第一對位孔可以包括第一部，所述第一部的內(nèi)壁與所述掩膜板所在平面非垂直，所述第二對位孔在所述框架上的正投影位于所述第一部的內(nèi)壁上。
[0031]參見圖3，圖3是本發(fā)明實施方式提供的一種掩膜集成框架的示意圖，該掩膜集成框架包括框架100以及設(shè)置在框架上的掩膜板，掩膜板包括設(shè)置有對位孔的掩膜板210(即對位掩膜板)以及未設(shè)置有對位孔的掩膜板220，所述掩膜集成框架設(shè)置有對位標記I，對位標記I包括設(shè)置在所述框架100上的第一對位孔以及設(shè)置在所述掩膜板210上的第二對位孔，掩膜板210上的第二對位孔為通孔；
[0032]其中，框架100上的第一對位孔可以為盲孔，所形成的對位標記的結(jié)構(gòu)可以如圖4所示，如圖4所示，第二對位孔211在框架100上的正投影位于第一對位孔101的內(nèi)壁上，且第一對位孔101底部最深的位置位于第二對位孔211在框架100上的正投影之外，即第一對位孔101底部最深的位置不位于第二對位孔211在框架100上的正投影之內(nèi)；
[0033]對于圖4中的對位標記，其俯視圖如圖5所示，當?shù)谝粚ξ豢?01中殘留有較少的液體時，由于重力作用，殘留液體通常位于第一對位孔最深的位置處(即圖5中的虛線區(qū)域內(nèi))，在進行對位時，蒸鍍機可以仍能夠利用框架上第一對位孔的灰階與掩膜板灰階不同，有效識別出對位標記，避免殘留液體對對位的干擾。
[0034]其中，框架100的厚度c可以為20毫米?30毫米，例如，可以為15毫米等，對于上述的對位標記，第一對位孔101的開口直徑d可以為5毫米?7毫米，例如可以為6毫米，開口形狀可以為圓形，也可以為正多邊形(如正八邊形)。例如，如圖4所示，框架100上的第一對位孔101可以包括呈圓錐體狀的第一部(即虛線BB’下方的部分)以及呈柱體狀的第二部(即虛線BB’上方的部分)，第二對位孔211在框架100上的正投影位于第一部的內(nèi)壁上，在制作時，可以先對掩膜板進行刻蝕形成第二部，然后再進行刻蝕形成第一部；
[0035]其中，對于第一對位孔101的第一部，其軸線垂直于所述掩膜板210所在平面，其錐角α可以為60度?150度，例如，可以為90度、120度，其高b可以為1.5毫米?2.0毫米，例如可以為1.8毫米(mm)；
[0036]對于第一對位孔101的第二部，其軸線也可以垂直于掩膜板210所在平面，其高度a可以為0.8毫米?1.2毫米，例如可以為1.0毫米。
[0037]優(yōu)選地，框架100上的第一對位孔可以為通孔，從而可以避免在該第一對位孔中殘留液體，進而避免殘留液體對對位的干擾，例如，對位標記可以如圖6所示，掩膜板210上的第二對位孔211以及框架100上的第一對位孔101均為通孔，其中，框架100上的第一對位孔101包括第一部(虛線CC’與虛線DD’之間的部分)，所述第一部呈柱體狀，且第一部的軸線與掩膜板210所在平面非垂直，第二對位孔211在框架100上的正投影位于第一部的內(nèi)壁上，從而可以保證蒸鍍機能夠利用框架上第一對位孔的灰階與掩膜板灰階不同，有效識別出對位標記；
[0038]其中，所述第一部的軸線與所述掩膜板所在平面之間的夾角β可以為30度?60度，例如可以為50度等。
[0039]優(yōu)選地，對于采用通孔方式的第一對位孔，為減小第一對位孔在框架上的所占面積，所述第一對位孔還包括位于所述第一部至少一端的第三部，所述第三部呈柱體狀，且所述第三部的軸線與所述掩膜板所在平面垂直，例如，可以如圖6所示，在第一對位孔的第一部的上下兩端均設(shè)置第三部(虛線CC’上方的部分和虛線DD’下方的部分)，在制作時，可以首先對基板的兩側(cè)進行刻蝕形成第三部，然后再進行刻蝕形成第一部。
[0040]其中，對于本發(fā)明實施方式中的掩膜集成框架，其中的框架100以及掩膜板210均可以為金屬材質(zhì)，掩膜板210可以焊接在框架100上。
[0041 ]優(yōu)選地，可以掩膜集成框架設(shè)置多個上述的對位標記，例如，可以如圖1所示，可以在框架100上的左側(cè)和右側(cè)分別設(shè)置一條掩膜板210，每一條掩膜板210上的上下兩端均設(shè)有第二對位孔，從而可以在掩膜集成框架四個角的位置處形成四個對位標記。
[0042 ]此外，本發(fā)明實施方式還提供了一種蒸鍍設(shè)備，包括上述的掩膜集成框架。
[0043]以上實施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護范圍應由權(quán)利要求限定。
【主權(quán)項】
1.一種掩膜集成框架，包括框架以及設(shè)置在所述框架上的掩膜板，所述掩膜集成框架設(shè)置有對位標記，所述對位標記包括設(shè)置在所述框架上的第一對位孔以及設(shè)置在所述掩膜板上的第二對位孔，所述第二對位孔為通孔，其特征在于，所述第二對位孔在所述框架上的正投影位于所述第一對位孔的內(nèi)壁上，所述第一對位孔為盲孔或者通孔，當所述第一對位孔為盲孔時，所述第一對位孔底部最深的位置位于所述第二對位孔在所述框架上的正投影之外。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第一對位孔包括第一部，所述第一部的內(nèi)壁與所述掩膜板所在平面非垂直，所述第二對位孔在所述框架上的正投影位于所述第一部的內(nèi)壁上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述掩膜集成框架，其特征在于，當所述第一對位孔為盲孔時，所述第一部呈圓錐體狀，且所述第一部的軸線垂直于所述掩膜板所在平面。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第一部的錐角為60度?150度，所述第一部的高為I.5毫米?2.0毫米。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第一對位孔還包括呈柱體狀的第二部，所述第二部的軸線垂直于所述掩膜板所在平面。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第二部的高度為0.8毫米?1.2毫米。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述掩膜集成框架，其特征在于，當所述第一對位孔為通孔時，所述第一部呈柱體狀，且所述第一部的軸線與所述掩膜板所在平面非垂直。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第一部的軸線與所述掩膜板所在平面之間的夾角為30度?60度。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第一對位孔還包括位于所述第一部至少一端的第三部，所述第三部呈柱體狀，且所述第三部的軸線與所述掩膜板所在平面垂直。10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一所述的掩膜集成框架，其特征在于，所述框架以及所述掩膜板均為金屬材質(zhì)，所述掩膜板焊接在所述框架上。11.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一所述的掩膜集成框架，其特征在于，包括多個所述對位標記。12.一種蒸鍍設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1-11任一所述的掩膜集成框架。
【文檔編號】C23C14/56GK105887010SQ201610320002
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年5月13日
【發(fā)明人】嵇鳳麗, 白珊珊, 梁逸南
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司