一種蒸鍍裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及在制造有機(jī)發(fā)光二極體(Organic Light-Emitting D1de，簡稱OLED)時(shí)使用的蒸鍍裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極體是主要由有機(jī)材料涂層和基板(例如玻璃基板)構(gòu)成，當(dāng)有電流通過時(shí)，該有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。
[0003]目前，由于OLED顯示屏幕可視角度大，并且能夠顯著節(jié)省電能，使其在平板顯示器領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用;其中，OLED的蒸鍍技術(shù)是OLED規(guī)模生產(chǎn)的核心技術(shù)。
[0004]在OLED的蒸鍍過程中通過使用掩膜板的遮擋來定義形成RGB像素點(diǎn)，因此，掩膜板與基板貼合的緊密程度直接影響到像素點(diǎn)的位置精度。通常為了使掩膜板與基板貼合緊密，會(huì)使用磁板施加的磁力來實(shí)現(xiàn)，磁板設(shè)置于代加工基板的上方。
[0005]請參見圖1，其示出了現(xiàn)有技術(shù)的一種蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，所述蒸鍍裝置包括蒸鍍腔室I’、蒸鍍源2’、掩膜板4’以及磁板5’。其中，蒸鍍源2’設(shè)置于蒸鍍腔室I’中，待蒸鍍基板3，設(shè)置于蒸鍍源2 ’的上方，掩膜板4，設(shè)置于蒸鍍源2，與待蒸鍍基板3，之間，磁板5，設(shè)置于待蒸鍍基板5，上方，待蒸鍍基板3，與掩膜板4 ’之間通過磁板5，施加的磁力相貼。
[0006]如圖1所示，由于現(xiàn)有技術(shù)中的磁板5’為整面式，即磁板5’呈板狀，其尺寸與待蒸鍍基板3’大致相同，因此，磁板5’無法對待蒸鍍基板3’上的局部磁力進(jìn)行調(diào)節(jié)。而在蒸鍍過程中，掩膜板4’由于磁場不均勻等原因會(huì)出現(xiàn)形變，因此，待蒸鍍基板3’上的局部區(qū)域(掩膜板4’發(fā)生形變的區(qū)域)無法與掩膜板4’相貼，進(jìn)而，該區(qū)域會(huì)產(chǎn)生陰影效果(即實(shí)際蒸鍍的面積與預(yù)先設(shè)定的蒸鍍面積不同)，影響OLED的量產(chǎn)品質(zhì)、穩(wěn)定性以及良率，提高了成本。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0007]針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本實(shí)用新型的目的是提供一種蒸鍍裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)中由于磁板施加在待蒸鍍基板上的磁力無法進(jìn)行局部調(diào)整而出現(xiàn)的陰影效果等問題。
[0008]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面提供一種蒸鍍裝置，其特征在于，所述蒸鍍裝置包括:蒸鍍腔室;蒸鍍源，設(shè)置于蒸鍍腔室中，且位于待蒸鍍基板下方;磁力調(diào)節(jié)裝置，設(shè)置于所述待蒸鍍基板的上方，用于使掩膜板貼附于所述待蒸鍍基板的下表面，所述磁力調(diào)節(jié)裝置包括:多個(gè)磁鐵單元，每個(gè)磁鐵單元均可沿豎直方向上下移動(dòng)；以及控制機(jī)構(gòu)，控制所述磁鐵單元的上下移動(dòng)。
[0009]優(yōu)選地，所述控制機(jī)構(gòu)包括多個(gè)電機(jī)，每個(gè)所述電機(jī)均對應(yīng)連接一磁鐵單元，控制所述磁鐵單元的上下移動(dòng)。
[0010]優(yōu)選地，所述磁鐵單元包括:磁石;容置裝置，設(shè)置于所述磁石的外部，用于容置所述磁石;連桿，所述連桿分別連接所述容置裝置和所述電機(jī)。
[0011]優(yōu)選地，所述待蒸鍍基板為矩形基板。
[0012]優(yōu)選地，所述多個(gè)磁鐵單元呈矩陣排列。
[0013]優(yōu)選地，每列所述磁鐵單元中的磁石均為同一磁極，且列與列之間的所述磁鐵單元的磁石的磁極為N極、S極相互交錯(cuò)設(shè)置。
[0014]優(yōu)選地，所述待蒸鍍基板為圓形基板。
[0015]優(yōu)選地，所述多個(gè)磁鐵單元排列形成多個(gè)同心圓。
[0016]優(yōu)選地，位于每個(gè)圓周上的所述磁鐵單元的磁石均為同一磁極，且每個(gè)相鄰的同心圓之間的所述磁鐵單元的磁石的磁極為N極、S極相互交錯(cuò)設(shè)置。
[0017]優(yōu)選地，所述磁力調(diào)節(jié)裝置還包括一承載裝置，所述承載裝置設(shè)置于所述待蒸鍍基板的上方，用于承載所述多個(gè)磁鐵單元。
[0018]優(yōu)選地，所述承載裝置為一支撐板，所述支撐板由導(dǎo)磁材料制成。
[0019]本實(shí)用新型的蒸鍍裝置通過將現(xiàn)有技術(shù)中的磁板替換為多個(gè)可分別上下移動(dòng)的磁鐵單元，使每個(gè)磁鐵單元與待蒸鍍基板之間的距離均可調(diào)節(jié)，進(jìn)而通過調(diào)節(jié)磁鐵單元與待蒸鍍基板之間的距離來控制待蒸鍍基板的局部磁力大小，使掩膜板完全貼附于待蒸鍍基板的表面，避免或減少現(xiàn)有技術(shù)中因磁場不均勻等原因使掩膜板發(fā)生形變而產(chǎn)生陰影效果(即實(shí)際蒸鍍的面積與預(yù)先設(shè)定的蒸鍍面積不同)，提高了 OLED的量產(chǎn)品質(zhì)、穩(wěn)定性以及良率，降低了成本。
【附圖說明】
[0020]通過閱讀參照以下附圖對非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:
[0021 ]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一種蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為本實(shí)用新型的第一實(shí)施例的蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3為本實(shí)用新型的第一實(shí)施例的磁鐵單元和控制機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4為本實(shí)用新型的第一實(shí)施例的蒸鍍裝置的多個(gè)磁鐵單元的磁石排布的結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0025]圖5為本實(shí)用新型的第二實(shí)施例的蒸鍍裝置的多個(gè)磁鐵單元的磁石排布的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]依據(jù)本實(shí)用新型主旨構(gòu)思，所述蒸鍍裝置包括:蒸鍍腔室；蒸鍍源，設(shè)置于蒸鍍腔室中，且位于待蒸鍍基板的下方;磁力調(diào)節(jié)裝置，設(shè)置于所述待蒸鍍基板的上方，用于使掩膜板貼附于所述待蒸鍍基板的下表面，其包括:多個(gè)磁鐵單元，每個(gè)磁鐵單元均可沿豎直方向上下移動(dòng);控制機(jī)構(gòu)，控制所述磁鐵單元的上下移動(dòng)。
[0027]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容進(jìn)行進(jìn)一步地說明。
[0028]第一實(shí)施例
[0029]請一并參見圖2和圖3，其分別示出了本實(shí)用新型的第一實(shí)施例的蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖、磁鐵單元和控制機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例中，所述蒸鍍裝置包括:蒸鍍腔室1、蒸鍍源2以及磁力調(diào)節(jié)裝置。
[0030]蒸鍍源2設(shè)置于蒸鍍腔室I中，如圖2所示，蒸鍍源2優(yōu)選地設(shè)置于蒸鍍腔室I內(nèi)的下方，用于蒸發(fā)蒸鍍材料，并在待蒸鍍基板上形成相應(yīng)的功能層。
[0031 ]待蒸鍍基板3設(shè)置于蒸鍍源2的上方。在此實(shí)施例中，待蒸鍍基板3優(yōu)選地呈矩形。
[0032]掩膜板4設(shè)置于蒸鍍源2與待蒸鍍基板3之間。如圖2所示，掩膜板4貼附于待蒸鍍基板的下方。在待蒸鍍基板3蒸鍍的過程中，通過掩膜板4的遮擋以此在待蒸鍍基板3上定義并形成RGB像素點(diǎn)，其中，掩膜板4上設(shè)有多個(gè)掩膜孔(圖中未示出)。在本實(shí)施例中，掩膜板4呈矩形，其與待蒸鍍基板3的橫截面尺寸和形狀相同。
[0033]磁力調(diào)節(jié)裝置設(shè)置于待蒸鍍基板3的上方，用于對掩膜板4施加磁力，使掩膜板4與待蒸鍍基板3緊密相貼。優(yōu)選地，磁力調(diào)節(jié)裝置設(shè)置于待蒸鍍基板3的正上方，其與待蒸鍍基板3以及掩膜板4的橫截面尺寸大致相同。在圖2所示的優(yōu)選實(shí)施例中，所述磁力調(diào)節(jié)裝置包括多個(gè)磁鐵單元51、控制機(jī)構(gòu)以及承載裝置53。其中，每個(gè)磁鐵單元51均可沿豎直方向上下移動(dòng)。優(yōu)選地，每個(gè)磁鐵單元51的大小相同?？刂茩C(jī)構(gòu)包括多個(gè)電機(jī)52，電機(jī)52設(shè)置于蒸鍍腔室I內(nèi)的頂部，且每個(gè)電機(jī)52均對應(yīng)連接一個(gè)磁鐵單元51。電機(jī)52控制磁鐵單元51的上下移動(dòng)。
[0034]圖3中以一個(gè)磁鐵單元51和電機(jī)52為例，對磁鐵單元51的結(jié)構(gòu)以及和電機(jī)52之間的連接關(guān)系進(jìn)行說明。具體來說，如圖3所示，每個(gè)磁鐵單元51均包括