一種均勻蒸鍍裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種均勻蒸鍍裝置，包括蒸鍍源及位于蒸鍍源上方的可旋轉(zhuǎn)鍍鍋，該鍍鍋圍繞旋轉(zhuǎn)中心設置若干用于放置晶片的鍍環(huán)，該鍍環(huán)的外圓圓徑大于晶片尺寸，內(nèi)圓區(qū)域形成蒸鍍口，其中該鍍環(huán)是偏心環(huán)且內(nèi)圓圓心相對于外圓圓心向鍍鍋旋轉(zhuǎn)中心的反方向偏移。在鍍鍋旋轉(zhuǎn)離心力作用而使晶片向遠旋轉(zhuǎn)中心的方向偏移時，通過偏心鍍環(huán)將偏移量修正回來，使預設蒸鍍區(qū)域與蒸鍍口重合，有效避免了預設蒸鍍區(qū)域的偏移而導致的邊緣不均勻及蒸鍍材料的殘留，提高了良率，具有重要的應用意義。
【專利說明】
一種均勻蒸鍍裝置
技術(shù)領域
[0001]本實用新型涉及半導體技術(shù)領域，特別是涉及一種均勻蒸鍍裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]半導體芯片制作過程中，很多結(jié)構(gòu)層需經(jīng)過鍍膜工藝制成，其中真空蒸鍍工藝更是得到了廣泛的使用。真空蒸鍍是將原材(例如金屬)加熱到蒸發(fā)溫度，然后蒸汽在真空環(huán)境中沉積在晶片表面冷卻凝結(jié)成固體膜的過程。真空蒸鍍可以形成純度高、質(zhì)量好且厚度可控的薄膜，成膜速度快，效率高，適于實際生產(chǎn)應用。
[0003]目前常用的金屬蒸鍍裝置多為行星式，是將鍍鍋置于蒸鍍源上方，鍍鍋圍繞中心鏤空形成有若干用于容納晶片的鍍環(huán)，晶片位于鍍環(huán)內(nèi)徑內(nèi)的部分裸露于蒸汽中以用于沉積金屬。蒸鍍過程中，鍍鍋旋轉(zhuǎn)以提高均勻性。鍍環(huán)的外徑通常設計尺寸略大于晶片尺寸以便于取放，在鍍鍋旋轉(zhuǎn)時，由于離心力的作用，晶片會向遠心端(即遠離鍍鍋中心方向)偏移而使得晶片的近心端及遠心端不均進而造成局部邊緣、尤其是近心端邊緣金屬殘留，影響廣品的性能，制程良率低。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型提供了一種均勻蒸鍍裝置，其克服了現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足之處。
[0005]本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0006]—種均勻蒸鍍裝置，包括蒸鍍源及位于蒸鍍源上方的可旋轉(zhuǎn)鍍鍋，該鍍鍋圍繞旋轉(zhuǎn)中心設置若干用于放置晶片的鍍環(huán)，該鍍環(huán)的外圓圓徑大于晶片尺寸，內(nèi)圓區(qū)域形成蒸鍍口，該鍍環(huán)是偏心環(huán)，其內(nèi)圓圓心相對于外圓圓心向鍍鍋旋轉(zhuǎn)中心的反方向偏移。
[0007]優(yōu)選地，該鍍環(huán)是由鍍鍋上表面下凹形成的環(huán)狀臺階，其內(nèi)圓區(qū)域開口以形成所述蒸鍍口。
[0008]優(yōu)選地，該鍍鍋是圓形結(jié)構(gòu)，其圓心套設于轉(zhuǎn)軸上以形成所述旋轉(zhuǎn)中心。
[0009]優(yōu)選地，該鍍環(huán)內(nèi)圓圓心相對外圓圓心的偏移量為外圓圓徑與該晶片圓徑之差的1/2。
[00? O] 優(yōu)選地，該鍍環(huán)的外圓圓徑比晶片圓徑大0.5mm，鍍環(huán)的內(nèi)圓圓心相對外圓圓心偏移0.25mm。
[0011]優(yōu)選地，該鍍環(huán)近旋轉(zhuǎn)中心端的寬度為3_，遠旋轉(zhuǎn)中心端的寬度為2.5_。
[0012]優(yōu)選地，該晶片下表面設置有一遮蔽層，該遮蔽層與該晶片同心圓設置且該遮蔽層的圓徑比該鍍環(huán)內(nèi)圓圓徑小Imm ο
[0013]優(yōu)選地，該蒸鍍源材料是金屬。
[0014]優(yōu)選地，還包括一真空腔，該蒸鍍源和鍍鍋設置于真空腔內(nèi)。
[0015]優(yōu)選地，該鍍鍋由鈦、不銹鋼或鋁制成。
[0016]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型具有以下有益效果:
[0017]均勻蒸鍍裝置包括蒸鍍源及位于蒸鍍源上方的可旋轉(zhuǎn)鍍鍋，鍍鍋圍繞旋轉(zhuǎn)中心設置若干用于放置晶片的鍍環(huán)，鍍環(huán)的外圓圓徑大于晶片尺寸，內(nèi)圓區(qū)域形成蒸鍍口，外圓和內(nèi)圓偏心設置且內(nèi)圓圓心相對于外圓圓心向鍍鍋旋轉(zhuǎn)中心的反方向偏移，且偏移量為外圓圓徑與晶片圓徑之差的1/2，在鍍鍋旋轉(zhuǎn)離心力作用而使晶片向遠旋轉(zhuǎn)中心的方向偏移時，由于鍍環(huán)遠旋轉(zhuǎn)中心的寬度小于近旋轉(zhuǎn)中心的寬度，即可通過偏心鍍環(huán)將偏移量修正回來，使預設蒸鍍區(qū)域與蒸鍍口重合，有效避免了預設蒸鍍區(qū)域的偏移而導致的邊緣不均勻及蒸鍍材料的殘留，提高了良率，具有重要的應用意義。
[0018]以下結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進一步詳細說明；但本實用新型的一種均勻蒸鍍裝置不局限于實施例。
【附圖說明】
[0019]圖1是本實用新型鏈鍋的俯視結(jié)構(gòu)不意圖；
[0020]圖2是圖1中鍍環(huán)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021 ]圖3是本實用新型鍍鍋旋轉(zhuǎn)前的局部截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4是本實用新型鍍鍋旋轉(zhuǎn)中的局部截面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0023]參考圖1至圖4所示，一種均勻蒸鍍裝置，包括一真空腔及設置于真空腔內(nèi)的鍍鍋I及蒸鍍源2，鍍鍋I位于蒸鍍源2上方并通過旋轉(zhuǎn)機構(gòu)帶動旋轉(zhuǎn)，例如，如圖1所示，鍍鍋I為圓形結(jié)構(gòu)，圓心套設于轉(zhuǎn)軸11上并由轉(zhuǎn)軸帶動自轉(zhuǎn)，其圓心形成旋轉(zhuǎn)中心。鍍鍋I圍繞旋轉(zhuǎn)中心設置若干用于放置晶片3的鍍環(huán)12。作為一種示例以便于理解，圖1中鍍鍋I對稱設置4個鍍環(huán)12，需要說明的是，其鍍環(huán)個數(shù)及與鍍鍋的大小關系并不以圖為限。
[0024]具體的，鍍鍋I可由鈦、不銹鋼或鋁制成，鍍環(huán)12是由鍍鍋I上表面下凹形成的環(huán)狀臺階，其內(nèi)圓區(qū)域開口以形成蒸鍍口 13，晶片3底面位于內(nèi)圓區(qū)域內(nèi)的部分即裸露于蒸鍍源形成的蒸汽氣氛中。晶片3放置于鍍環(huán)12上，且鍍環(huán)12的外圓A圓徑大于晶片3尺寸以便于取放，內(nèi)圓B區(qū)域形成蒸鍍口 13。鍍環(huán)12是偏心環(huán)，其內(nèi)圓B的圓心b相對于外圓A的圓心a向鍍鍋旋轉(zhuǎn)中心的反方向偏移，且其偏移量為外圓A圓徑與晶片3圓徑之差的1/2，亦即鍍環(huán)12靠近鍍鍋I旋轉(zhuǎn)中心端比遠離鍍鍋I旋轉(zhuǎn)中心端寬度大偏移量的2倍，即寬度差與外圓A和晶片3的圓徑之差相同。
[0025]以下以一具體實施例來說明，參考圖3，鍍環(huán)12的外圓圓徑比晶片3圓徑大0.5mm，則內(nèi)圓圓心相對外圓圓心偏移0.25mm，近旋轉(zhuǎn)中心端的寬度為3_，遠旋轉(zhuǎn)中心端的寬度為
2.5mm。當于晶片3上進行金屬蒸鍍以形成電極時，晶片3下表面設置一遮蔽層31，遮蔽層31與晶片同心圓設置且圓徑比鍍環(huán)12內(nèi)圓圓徑小1_，以確保遮蔽層31完全裸露于蒸汽中。遮蔽層通常為已光刻有圖案的光阻，其圖案部分的晶片表面裸露。金屬蒸汽遇到低溫的晶片沉積形成金屬膜，去除光阻即留下預設的電極圖案。通常將晶片3居中放置于鍍環(huán)12中，兩偵卿與鍍環(huán)邊緣(外圓)分別有0.25mm的空隙，遮蔽層31近旋轉(zhuǎn)中心端與蒸鍍口邊緣(內(nèi)圓)有0.25mm的空隙，遠旋轉(zhuǎn)中心端與蒸鍍口邊緣(內(nèi)圓)有0.75mm的空隙。參考圖4，當鍍鍋I旋轉(zhuǎn)時，由于離心力的作用，晶片3向遠旋轉(zhuǎn)中心端移動至抵接鍍環(huán)12邊緣，即移動了0.25mm，遮蔽層31亦隨之移動0.25_，兩側(cè)與蒸鍍口 13邊緣(內(nèi)圓)分別形成0.5mm的空隙，兩側(cè)距離相同，邊緣金屬沉積情況相同，實現(xiàn)了均勻蒸鍍，避免了近旋轉(zhuǎn)中心端的局部金屬殘留。
[0026]上述實施例僅用來進一步說明本實用新型的一種均勻蒸鍍裝置，但本實用新型并不局限于實施例，凡是依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均落入本實用新型技術(shù)方案的保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種均勻蒸鍍裝置，包括蒸鍍源及位于蒸鍍源上方的可旋轉(zhuǎn)鍍鍋，該鍍鍋圍繞旋轉(zhuǎn)中心設置若干用于放置晶片的鍍環(huán)，該鍍環(huán)的外圓圓徑大于晶片尺寸，內(nèi)圓區(qū)域形成蒸鍍口，其特征在于:該鍍環(huán)是偏心環(huán)，其內(nèi)圓圓心相對于外圓圓心向鍍鍋旋轉(zhuǎn)中心的反方向偏移。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均勻蒸鍍裝置，其特征在于:該鍍環(huán)是由鍍鍋上表面下凹形成的環(huán)狀臺階，其內(nèi)圓區(qū)域開口以形成所述蒸鍍口。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均勻蒸鍍裝置，其特征在于:該鍍鍋是圓形結(jié)構(gòu)，其圓心套設于轉(zhuǎn)軸上以形成所述旋轉(zhuǎn)中心。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均勻蒸鍍裝置，其特征在于:該鍍環(huán)內(nèi)圓圓心相對外圓圓心的偏移量為外圓圓徑與該晶片圓徑之差的1/2。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的均勻蒸鍍裝置，其特征在于:該鍍環(huán)的外圓圓徑比晶片圓徑大0.5mm，鏈環(huán)的內(nèi)圓圓心相對外圓圓心偏移0.25mm。6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的均勻蒸鍍裝置，其特征在于:該鍍環(huán)近旋轉(zhuǎn)中心端的寬度為3_，遠旋轉(zhuǎn)中心端的寬度為2.5_。7.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的均勻蒸鍍裝置，其特征在于:該晶片下表面設置有一遮蔽層，該遮蔽層與該晶片同心圓設置且該遮蔽層的圓徑比該鍍環(huán)內(nèi)圓圓徑小1_。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均勻蒸鍍裝置，其特征在于:該蒸鍍源材料是金屬。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均勻蒸鍍裝置，其特征在于:還包括一真空腔，該蒸鍍源和鍍鍋設置于真空腔內(nèi)。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的均勻蒸鍍裝置，其特征在于:該鍍鍋由鈦、不銹鋼或鋁制成。
【文檔編號】C23C14/24GK205556764SQ201620328104
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年4月19日
【發(fā)明人】呂前宏, 張標鋒
【申請人】廈門市三安集成電路有限公司