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      焊盤表面處理方法與流程

      文檔序號(hào):11401103閱讀:3798來(lái)源:國(guó)知局

      本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,尤其涉及一種pcb焊盤表面處理方法。



      背景技術(shù):

      在半導(dǎo)體領(lǐng)域中,pcb的焊盤、端子部分、插入元件用的孔和印刷接觸片部分等除了用作焊接之外,還需要元件之間的連接和連接器的電性導(dǎo)通。因此為了確保pcb上這些部分的銅與無(wú)鉛焊料焊點(diǎn)之間的焊接性,往往在pcb焊盤的表面進(jìn)行處理以確保連接可靠性和電性導(dǎo)通可靠性?,F(xiàn)如今,人們通常通過(guò)改進(jìn)焊盤表面的金屬層的結(jié)構(gòu)以達(dá)到以上目的,而在改變金屬層結(jié)構(gòu)之前的表面處理顯得十分重要。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的在于提供一種焊盤表面處理方法,其能高效去除焊盤表面的有機(jī)污物,保證表面潔凈,從而便于后續(xù)的鈷基金屬層的形成并提高產(chǎn)品的工作穩(wěn)定性。

      為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的焊盤表面處理方法,包括:

      將焊盤置于等離子體反應(yīng)腔;

      調(diào)節(jié)所述等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的真空度處于第一值;

      向所述等離子體反應(yīng)腔通入氧氣及氬氣以進(jìn)行第一次輝光放電;

      調(diào)節(jié)所述等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的真空度處于第二值,所述第二值小于第一值;及

      向所述等離子體反應(yīng)腔通入氧氣及氬氣以進(jìn)行第二次輝光放電。

      與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的焊盤表面處理方法,通過(guò)給等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的陰陽(yáng)電極施加高頻高壓,并發(fā)生二次輝光放電,而且在二次輝光放電處理中等離子體反應(yīng)腔的真空度進(jìn)行調(diào)整,生成的氬等離子體、氧等離子體轟擊焊盤的表面,從而使焊盤表面的有機(jī)污物脫落、氧化、分解,進(jìn)而保證表面潔凈,從而便于后續(xù)的鈷基金屬層的形成并提高產(chǎn)品的工作穩(wěn)定性。

      較佳地,所述第一值為1~2pa,所述第二值為0.5~1pa。

      較佳地,在第一次輝光放電中,氧氣的流量為5~20sccm,氬氣的流量為500~100sccm。

      較佳地,在第二次輝光放電中,氧氣的流量為20~25sccm,氬氣的流量為30~50sccm。

      較佳地,在進(jìn)行第一次輝光放電之前還包括:用清洗液及超聲波對(duì)焊盤進(jìn)行清洗。

      較佳地,在進(jìn)行第二次輝光放電之后還包括:在焊盤的表面形成鈷基金屬層。

      較佳地,在焊盤的表面形成鈷基金屬層之后還包括:對(duì)焊盤進(jìn)行防變色鈍化處理。

      具體實(shí)施方式

      下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的焊盤表面處理方法作進(jìn)一步說(shuō)明,但不因此限制本發(fā)明。

      本發(fā)明的焊盤表面處理方法包括兩次輝光放電處理,目的是去除焊盤表面的有機(jī)污物,以便于后續(xù)的鈷基金屬層的形成。下面詳述本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,但并不因此限制本發(fā)明。

      具體地,本發(fā)明的焊盤表面處理方法包括:超聲波清洗、輝光放電、鈷基金屬層形成、以及防變色處理。

      具體地,在輝光放電之前的超聲波清洗工序包括:將銅焊盤浸于清洗液,如ipa溶液中進(jìn)行超聲波清洗。較佳地,超聲頻率為25khz,超聲功率為 250w/cm2,電流密度范圍3-5a/dm2,清洗溫度為室溫,浸泡時(shí)間為10分鐘為宜。

      具體地,第一次輝光放電包括以下步驟:

      將焊盤置于等離子體反應(yīng)腔;以及

      調(diào)節(jié)等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的真空度處于第一值;

      向等離子體反應(yīng)腔通入氧氣及氬氣進(jìn)行輝光放電。

      具體地,通過(guò)連接真空泵調(diào)節(jié)等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的真空度為1~2pa,例如當(dāng)真空度在1pa時(shí)通入氬氣和氧氣,其中氧氣的流量為5~20sccm,氬氣的流量為50~100sccm。繼而控制等離子體反應(yīng)腔的陽(yáng)極射頻頻率及陰極射頻頻率處于工作頻率,保持射頻輝光時(shí)間為100~200秒。由此,生成的氬離子和氧離子轟擊金屬銅表面,使其表面的有機(jī)物被氧化、分解從而脫落。

      第二次輝光放電包括以下步驟:

      調(diào)節(jié)等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的真空度至第二值,所述第二值小于所述第一值;

      向等離子體反應(yīng)腔通入氧氣及氬氣進(jìn)行輝光放電。

      具體地,調(diào)節(jié)反應(yīng)腔的真空度在05~1pa,例如保持真空度在0.8pa,并調(diào)節(jié)氧氣及氬氣的流量,其中氧氣的流量為20~25sccm,氬氣的流量為30~50sccm。控制等離子體反應(yīng)腔的陽(yáng)極射頻頻率及陰極射頻頻率處于工作頻率,保持射頻輝光時(shí)間為100~200秒。焊盤的表面經(jīng)過(guò)第二次射頻輝光放電處理后,變得更加潔凈。

      在鈷基金屬層形成工序中,該工序具體包括預(yù)鍍鈷以及脈沖鍍鈷。在預(yù)鍍鈷中,該焊盤在預(yù)鍍鈷溶液中進(jìn)行預(yù)鍍鈷。該預(yù)鍍鈷溶液為硫酸鈷及硫酸。在脈沖鍍鈷中,具體地,該步驟采用的鍍鈷溶液包括氨基磺酸鈷、氯化鈉、硼酸,光亮劑。經(jīng)過(guò)預(yù)鍍鈷和脈沖鍍鈷處理后,焊盤表面形成一層鈷基金屬層,該鈷基金屬層在焊盤焊接組裝時(shí)與無(wú)鉛焊料直接接觸及連接。

      在防變色處理工序中,將電鍍后的焊盤進(jìn)行防變色處理,防變色處理液包括1-苯基-5巰基四氮唑及苯并三氮唑,并以乙醇為溶劑,在40℃溫度下鈍化處 理,時(shí)間為1分鐘左右。經(jīng)過(guò)此鈍化處理,在鈷基金屬層的表面上形成致密保護(hù)膜以防止變色。最后,干燥銅焊盤以得到pcb成品。

      綜上所述,本發(fā)明的焊盤表面處理方法,通過(guò)給等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的陰陽(yáng)電極施加高頻高壓,并發(fā)生二次輝光放電,而且在二次輝光放電處理中等離子體反應(yīng)腔的真空度進(jìn)行調(diào)整,生成的氬等離子體、氧等離子體轟擊焊盤的表面,從而使焊盤表面的有機(jī)污物脫落、氧化、分解,進(jìn)而保證表面潔凈,從而便于后續(xù)的鈷基金屬層的形成并提高產(chǎn)品的工作穩(wěn)定性。

      以上所揭露的僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍,因此依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所作的等同變化,仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。



      技術(shù)特征:

      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明的焊盤表面處理方法,包括:將焊盤置于等離子體反應(yīng)腔;調(diào)節(jié)所述等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的真空度處于第一值;向所述等離子體反應(yīng)腔通入氧氣及氬氣以進(jìn)行第一次輝光放電;調(diào)節(jié)所述等離子體反應(yīng)腔內(nèi)的真空度處于第二值,所述第二值小于第一值;及向所述等離子體反應(yīng)腔通入氧氣及氬氣以進(jìn)行第二次輝光放電。本發(fā)明能高效去除焊盤表面的有機(jī)污物,保證表面潔凈,從而便于后續(xù)的鈷基金屬層的形成并提高產(chǎn)品的工作穩(wěn)定性。

      技術(shù)研發(fā)人員:王桂福
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:東莞新科技術(shù)研究開發(fā)有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:2016.02.25
      技術(shù)公布日:2017.09.01
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