本實(shí)用新型涉及一種輔助裝置，具體地說，是一種石墨烯薄膜連續(xù)生長(zhǎng)支撐結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

石墨烯是由碳原子構(gòu)成的只有一層原子厚度的二維晶體，是目前自然界最薄、強(qiáng)度最高的一種新材料。而石墨烯薄膜生產(chǎn)方法是將含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸汽及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生長(zhǎng)薄膜。

目前常用的石墨烯薄膜生產(chǎn)設(shè)備是將襯底材料放入其中，在沉底材料上生長(zhǎng)出石墨烯薄膜后，將其取出，然后再放入新的沉底材料，進(jìn)行下一次的石墨烯薄膜生長(zhǎng)。這種生產(chǎn)方式工作效率低，需要多次取放，而且由于石墨烯薄膜生長(zhǎng)需要的溫度較高，而取放時(shí)為了避免造成燙傷，需要先進(jìn)行降溫，取放完成后再升溫反應(yīng)，進(jìn)一步延長(zhǎng)了生產(chǎn)工作時(shí)間，而且反應(yīng)升溫需要較大的能源消耗，增加了生產(chǎn)成本。

為了解決上述問題，出現(xiàn)了一些能夠連續(xù)生長(zhǎng)石墨烯的設(shè)備，但這些設(shè)備在進(jìn)行石墨烯連續(xù)生長(zhǎng)時(shí)，襯底材料都需要不停移動(dòng)，移動(dòng)過程中容易振動(dòng)、偏斜，使反應(yīng)氣體無法良好均勻的與襯底材料表面接觸，影響石墨烯生長(zhǎng)的質(zhì)量，使用引導(dǎo)裝置又阻礙了反應(yīng)熱量的流動(dòng)，受熱不均勻，依然影響石墨烯生長(zhǎng)的質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提出一種石墨烯薄膜連續(xù)生長(zhǎng)支撐結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型的石墨烯薄膜連續(xù)生長(zhǎng)支撐結(jié)構(gòu)，包括安裝在加熱真空腔室中的導(dǎo)軌，所述導(dǎo)軌安裝在加熱真空腔室內(nèi)壁相對(duì)設(shè)置的支承座之間，所述導(dǎo)軌與對(duì)應(yīng)加熱真空腔室內(nèi)壁之間設(shè)置有流通間隙，所述支承座設(shè)置有流通通道，所述流通通道一端與流通間隙相連，另一端位于導(dǎo)軌下方。

優(yōu)選的是，所述導(dǎo)軌兩側(cè)相對(duì)設(shè)置有限位槽，位于導(dǎo)軌端部的限位槽高度由內(nèi)向外逐漸減小。

優(yōu)選的是，所述導(dǎo)軌包括串連連接的多個(gè)分段。

優(yōu)選的是，所述支承座在加熱真空腔室內(nèi)軸向間隔且相對(duì)設(shè)置多組。

優(yōu)選的是，所述的支承座為管狀，與加熱真空腔室軸向平行。

本實(shí)用新型的有益效果是：石墨烯薄膜連續(xù)生長(zhǎng)支撐結(jié)構(gòu)通過導(dǎo)軌支撐生長(zhǎng)石墨烯的襯底材料，能夠減輕襯底材料在移動(dòng)過程中發(fā)生振動(dòng)，保證其能夠充分與反應(yīng)氣體接觸，提高石墨烯的生長(zhǎng)質(zhì)量。導(dǎo)軌將加熱真空腔室分割成上下兩部分，通過流通間隙和流通通道，使上下兩部分氣流流通，熱量能夠充分流動(dòng)，使整個(gè)加熱真空腔室內(nèi)的溫度均勻，襯底材料受熱均勻，保證石墨烯的生長(zhǎng)質(zhì)量。

導(dǎo)軌兩側(cè)設(shè)置限位槽，容納和限制帶狀的襯底材料兩側(cè)邊緣，能夠進(jìn)一步減輕襯底材料的振動(dòng)，而且位于導(dǎo)軌端部的限位槽槽高度較小，限位效果好，而限位槽槽高度由外向內(nèi)逐漸增大，使限位槽內(nèi)的襯底材料上方空間逐漸增大，保證限位槽內(nèi)的襯底材料也能夠充分與反應(yīng)氣體接觸，保證襯底材料上表面能夠完全進(jìn)行石墨烯生長(zhǎng)，保證生長(zhǎng)質(zhì)量，提高石墨烯的面積。導(dǎo)軌分成多段，通過螺栓等連接件連接，拆裝容易，可以根據(jù)設(shè)備長(zhǎng)度進(jìn)行適應(yīng)性調(diào)節(jié)，增強(qiáng)適用性。相對(duì)設(shè)置的支承座在加熱真空腔室間隔設(shè)置多組，使支承座間隔處具有較大的空間，支承座設(shè)置成管狀，支承座內(nèi)軸向也能夠進(jìn)行氣流流通，進(jìn)一步增強(qiáng)了氣流流動(dòng)的效果，提高熱量均勻程度，保證石墨烯生長(zhǎng)質(zhì)量。

附圖說明

附圖1為石墨烯薄膜連續(xù)生長(zhǎng)支撐結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖一；

附圖2為圖1中A部分的放大圖；

附圖3為石墨烯薄膜連續(xù)生長(zhǎng)支撐結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖二。

具體實(shí)施方式

為了能進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)、特征及其它目的，現(xiàn)結(jié)合所附較佳實(shí)施例詳細(xì)說明如下，所說明的較佳實(shí)施例僅用于說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，并非限定本實(shí)用新型。

本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式如下：

如圖1至3所示，該石墨烯薄膜連續(xù)生長(zhǎng)支撐結(jié)構(gòu)包括安裝在加熱真空腔室1中的導(dǎo)軌2，導(dǎo)軌2安裝在加熱真空腔室1內(nèi)壁相對(duì)設(shè)置的支承座3之間，導(dǎo)軌2直接搭接在支承座3上。

導(dǎo)軌2與對(duì)應(yīng)加熱真空腔室1內(nèi)壁之間設(shè)置有流通間隙4，支承座3設(shè)置有流通通道5，流通通道5一端與流通間隙相連，另一端位于導(dǎo)軌2下方。

進(jìn)行石墨烯生長(zhǎng)的箔帶等帶狀的襯底材料，從加熱真空腔室一端進(jìn)入，另一端移出，位于加熱真空腔室內(nèi)的襯底材料落在導(dǎo)軌2上，襯底材料軸向移動(dòng)的過程中導(dǎo)軌2對(duì)其進(jìn)行支撐。使用過程中，將加熱真空腔室抽真空、加熱，并向其中充入反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體在其中接觸到襯底材料表面，在襯底材料表面進(jìn)行石墨烯薄膜生長(zhǎng)。

由于導(dǎo)軌2安裝到加熱真空腔室1中，將加熱真空腔室1分成上下兩部分，導(dǎo)軌2上方和下方的加熱真空腔室1通過流通間隙4、流通通道5相連通，使加熱真空腔室1內(nèi)氣流流通，熱量傳遞均勻。

為了提高導(dǎo)軌2的限位作用，導(dǎo)軌2兩側(cè)相對(duì)設(shè)置有限位槽6，帶狀襯底材料兩側(cè)邊緣位于限位槽6中。為了在保證限位效果的同時(shí)不影響石墨烯薄膜的生長(zhǎng)，位于導(dǎo)軌2端部的限位槽6高度由內(nèi)向外逐漸減小，限位槽6高度最小的末端在導(dǎo)軌2兩端進(jìn)一步支撐襯底材料，導(dǎo)軌2中部的限位槽6高度較大，使襯底材料兩側(cè)邊緣上方具有較大的空間，反應(yīng)氣體能夠順利流入到限位槽6中，與襯底材料接觸，使襯底材料整個(gè)高度方向都能夠充分與反應(yīng)氣體接觸，提高生長(zhǎng)的石墨烯薄膜的面積，增加生產(chǎn)效率。

為了便于拆裝和靈活使用，導(dǎo)軌2包括串連連接的多個(gè)分段，相鄰分段之間通過螺栓等連接件相連，限位槽6高度由內(nèi)向外逐漸減小的部分可單獨(dú)制造在一個(gè)分段上，組裝在導(dǎo)軌兩端的位置。

為了增加加熱真空腔室上下兩部分的氣流流通，支承座3在加熱真空腔室1內(nèi)軸向間隔且相對(duì)設(shè)置多組，不僅能夠在導(dǎo)軌2長(zhǎng)度方向各個(gè)位置對(duì)齊進(jìn)行支撐，保證其固定穩(wěn)定性，而且一組相對(duì)設(shè)置的支承座3與相鄰的另一組相對(duì)設(shè)置的支承座3之間留有間隔，能夠直接流通氣流，提高流通性。

為了進(jìn)一步增強(qiáng)流通性，支承座3為管狀，與加熱真空腔室1軸向平行，支承座3內(nèi)也能夠進(jìn)行氣流流通，使加熱真空腔室軸向氣流也能夠充分流動(dòng)，保持熱量傳遞均勻。