本實(shí)用新型涉及應(yīng)用儀器設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種物理化學(xué)氣相沉積裝置，適合于制備高質(zhì)量、高性能鎂B2超導(dǎo)膜。

背景技術(shù)：

目前，制備超導(dǎo)薄膜的方法很多，如激光沉積、濺射、分子束外延等，但大多數(shù)方法都只能制備單層超導(dǎo)薄膜，單層超導(dǎo)薄膜一般只能用來(lái)制備超導(dǎo)導(dǎo)線，其用途比較單一，而多層超導(dǎo)薄膜可以用來(lái)制作超導(dǎo)器件或集成電路等，用途十分廣泛。中國(guó)專利號(hào)CN200610201503.0公開(kāi)了一種“雙加熱裝置及其化學(xué)氣相沉積法制備多層超導(dǎo)薄膜工藝”，具有裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，容易操作，成本低廉的特點(diǎn)，同時(shí)便于制備大面積多層超導(dǎo)薄膜，利于實(shí)際應(yīng)用，然而其在制造生產(chǎn)過(guò)程中，將鎂錠放置在鎂錠加熱器上，鎂錠通常為塊狀結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致其加熱蒸發(fā)效果較差，采用平面置放影響了整體的加熱效果，且底部采用螺桿調(diào)節(jié)，存在調(diào)整精度不足，影響整體生產(chǎn)質(zhì)量的把控。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型解決上述不足，提供了一種物理化學(xué)氣相沉積裝置，具有加熱控制性能好、使用方便、調(diào)整精度高的特點(diǎn)。

本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問(wèn)題可以采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：

一種物理化學(xué)氣相沉積裝置，包括真空沉積室、通氣裝置和加熱裝置，所述加熱裝置由上加熱器和下加熱器構(gòu)成，所述上加熱器位于所述真空沉積室頂部，所述下加熱器位于所述上加熱器正下方，所述下加熱器與所述真空沉積室底表面之間設(shè)有一調(diào)節(jié)升降裝置，所述上加熱器下表面上設(shè)有一襯底基片夾，所述上加熱器由上加熱元件和上溫控器構(gòu)成，所述下加熱器由下加熱元件和下溫控器構(gòu)成，所述上加熱元件采用鉬金屬材料制成，所述上加熱元件下表面為拋光平面結(jié)構(gòu)，所述下加熱元件采用石墨材料制成，所述下加熱元件上表面中部設(shè)有一向下凹陷的加料槽，所述加料槽底部采用圓形平底結(jié)構(gòu)，所述加料槽槽壁采用圓錐壁結(jié)構(gòu)。

所述調(diào)節(jié)升降裝置包括一基座法蘭，所述基座法蘭與所述下加熱器下部固定安裝，所述基座法蘭下部連接設(shè)有一升降絲杠，所述升降絲桿底部貫穿所述真空沉積室并連接一驅(qū)動(dòng)渦輪，所述驅(qū)動(dòng)渦輪連接一轉(zhuǎn)動(dòng)手柄，所述驅(qū)動(dòng)渦輪外表面上刻有標(biāo)尺。

所述升降絲杠與所述真空沉積室之間設(shè)有一密封殼。

所述襯底基片夾采用鉬片夾。

本實(shí)用新型通過(guò)與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下有益效果：本實(shí)用新型通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，具有加熱控制性能好、使用方便、調(diào)整精度高的特點(diǎn)。

本實(shí)用新型的特點(diǎn)可參閱本案圖式及以下較好實(shí)施方式的詳細(xì)說(shuō)明而獲得清楚地了解。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型的下加熱元件俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。

如圖1至圖2所示，本實(shí)用新型提供的一種物理化學(xué)氣相沉積裝置，包括真空沉積室1、通氣裝置和加熱裝置，通氣裝置包括氣源8、通氣管路4、氣體混合器9及液氮冷阱5，氣源8包括若干用于供反應(yīng)用氣氛的高純氣罐83，若干高純氣罐83包括Ar高純氣罐、H₂高純氣罐和B₂H₆高純氣罐，高純氣罐83通過(guò)通氣管路4與氣體混合器9貫通連接，其之間設(shè)有控制閥門82和流量計(jì)81，方便工藝調(diào)整設(shè)定，氣體混合器9與液氮冷阱5之間連接通氣管路4，液氮冷阱5與真空沉積室1之間通設(shè)有通氣管路4，方便完成氣氛供應(yīng)，真空沉積室1還連接一真空抽氣泵6，加熱裝置由上加熱器2和下加熱器3構(gòu)成，采用雙加熱模式，提高對(duì)襯底基片和鎂蒸氣壓的獨(dú)立控制，降低工藝生產(chǎn)難度，提高工藝可控性，上加熱器2位于真空沉積室1頂部，下加熱器3位于上加熱器2正下方，下加熱器3與真空沉積室1底表面之間設(shè)有一調(diào)節(jié)升降裝置7，有利于下加熱器3位置的調(diào)整，提高調(diào)控精度，上加熱器2下表面上設(shè)有一襯底基片夾211，方便襯底基片固定安裝，上加熱器2由上加熱元件21和上溫控器22構(gòu)成，下加熱器3由下加熱元件31和下溫控器32構(gòu)成，上加熱元件21采用鉬金屬材料制成，上加熱元件21下表面為拋光平面結(jié)構(gòu)，下加熱元件31采用石墨材料制成，鉬金屬材料和石墨材料在高溫下具有良好的穩(wěn)定性，不易揮發(fā)，不會(huì)對(duì)超導(dǎo)薄膜沉積生長(zhǎng)產(chǎn)生不利影響，上溫控器22和下溫控器32分別采用SR-93型溫度控制器進(jìn)行控溫，提高整體控溫效果，下加熱元件31上表面中部設(shè)有一向下凹陷的加料槽311，加料槽311底部采用圓形平底結(jié)構(gòu)，加料槽311槽壁采用圓錐壁結(jié)構(gòu)，優(yōu)化該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，方便鎂顆粒的放置，同時(shí)有利于對(duì)鎂顆粒進(jìn)行加熱，提高鎂顆粒的蒸發(fā)效果。

進(jìn)一步，本實(shí)用新型調(diào)節(jié)升降裝置7包括一基座法蘭71，基座法蘭71與下加熱器3下部固定安裝，基座法蘭71下部連接設(shè)有一升降絲杠72，升降絲桿72底部貫穿真空沉積室1并連接一驅(qū)動(dòng)渦輪74，驅(qū)動(dòng)渦輪74連接一轉(zhuǎn)動(dòng)手柄75，驅(qū)動(dòng)渦輪74外表面上刻有標(biāo)尺，通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)手柄75完成對(duì)驅(qū)動(dòng)渦輪74的驅(qū)動(dòng)，通過(guò)驅(qū)動(dòng)渦輪74與升降絲杠72的配合完成對(duì)升降絲杠72上升或下降的調(diào)節(jié)，提高了調(diào)整的便捷性，有利于對(duì)下加熱器3完成位置的調(diào)整。

進(jìn)一步，本實(shí)用新型升降絲杠72與真空沉積室1之間設(shè)有一密封殼73，提高密封效果，方便升降絲杠72的安裝。

進(jìn)一步，本實(shí)用新型襯底基片夾211采用鉬片夾，有利于熱傳導(dǎo)，同時(shí)方便襯底基片的安裝固定。

本實(shí)用新型優(yōu)化了上加熱元件21和下加熱元件31，提高整體的加熱性能，同時(shí)方便襯底基片固定，設(shè)置加料槽311方便放置鎂顆粒，采用鎂顆粒，可以提高整體的蒸發(fā)效果，提高反應(yīng)效率，增強(qiáng)沉積效果，增設(shè)調(diào)節(jié)升降裝置7，方便下加熱器3的位置調(diào)整，有利于襯底基片沉積利用混合物理化學(xué)氣相沉法生成超導(dǎo)薄膜，具有結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理、使用性能好的特點(diǎn)。

由技術(shù)常識(shí)可知，本實(shí)用新型可以通過(guò)其它的不脫離其精神實(shí)質(zhì)或必要特征的實(shí)施方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，上述公開(kāi)的實(shí)施方案，就各方面而言，都只是舉例說(shuō)明，并不是僅有的。所有在本實(shí)用新型范圍內(nèi)或在等同于本實(shí)用新型的范圍內(nèi)的改變均被本實(shí)用新型包含。