技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種二維硫化鎢薄膜材料的制備方法；采用雙溫場滑軌等離子體PECVD系統(tǒng)，將管式爐充滿氬氣；將SiO2/Si基板置于放有六羰基鎢粉末的容器上方，將放有硫粉的容器置于管式爐的第一個(gè)加熱爐中心；再將放有六羰基鎢的容器放于管式爐的第二個(gè)加熱爐中心；通入氬氣；將管式爐內(nèi)壓強(qiáng)調(diào)至133.29Pa，設(shè)置等離子體發(fā)生裝置中等離子體發(fā)生器的功率，將第一加熱區(qū)升溫至硫粉的揮發(fā)溫度，第二加熱區(qū)升溫至六羰基鎢的揮發(fā)溫度；兩溫區(qū)都升溫完畢后，改通氬氣與氫氣的混合氣；使二硫化鎢沉積在基底，然后降至室溫，就得到二維WS2薄膜材料。本發(fā)明降低了反應(yīng)溫度；二維硫硫化鎢薄膜在二次電池、場效應(yīng)晶體管等領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用。

技術(shù)研發(fā)人員：馮奕鈺;鄭楠楠;封偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天津大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.28
技術(shù)公布日：2017.08.15