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      一種提升PVD靶材利用率的方法及PVD設備與流程

      文檔序號:39978495發(fā)布日期:2024-11-15 14:27閱讀:25來源:國知局
      一種提升PVD靶材利用率的方法及PVD設備與流程

      本發(fā)明涉及太陽能電池制造,具體而言,涉及一種提升pvd靶材利用率的方法及pvd設備。


      背景技術:

      1、目前pvd鍍膜是制備薄膜材料的主要技術之一,真空蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜是目前廣泛應用的兩種pvd鍍膜方式。真空蒸發(fā)鍍膜是在真空條件下,用蒸發(fā)器加熱蒸發(fā)物質進行汽化,蒸發(fā)粒子流直接射向基片并在基片上沉積形成固態(tài)薄膜的技術。磁控濺射鍍膜是將靶材形成等離子狀態(tài),使正荷電氣體離子撞擊靶材,金屬原子飛彈從而在基片表面形成金屬薄膜的技術。pvd設備采用磁控濺射的方式鍍膜時,由于每根靶材、磁棒以及在腔體內的靶位、腔體氣氛不完全一致,導致每根靶材沉積速率不一致,靶材壽命不一致,導致靶材利用率不一致,而且在薄膜形成完畢后靶材下線時,容易出現(xiàn)有的靶材未完全使用完,導致部分靶材利用率較低,浪費靶材增加成本的現(xiàn)象。

      2、因此,現(xiàn)有技術中存在鍍膜過程中容易出現(xiàn)靶材打穿或靶材未完全使用完的現(xiàn)象,導致靶材的整體利用率不均衡的技術問題。


      技術實現(xiàn)思路

      1、本發(fā)明提供了一種提升pvd靶材利用率的方法及pvd設備,其能夠檢測每根靶材的最小厚度,提升靶材利用率,使得每根靶材的利用率基本一致,降低成本。

      2、本發(fā)明的實施例可以這樣實現(xiàn):

      3、本發(fā)明的實施例提供了一種提升pvd靶材利用率的方法,用于對電池基片的表面進行上鍍膜和下鍍膜,所述提升pvd靶材利用率的方法包括:

      4、在每根靶材上的若干第一區(qū)域均安裝厚度檢測儀,其中,所述厚度檢測儀用于實時監(jiān)測靶材的厚度,并輸出表征靶材的厚度信息;

      5、獲取每根靶材上若干所述厚度檢測儀輸出的厚度信息,依據(jù)每根所述靶材的厚度信息得到每根靶材的最小厚度值;

      6、依據(jù)每根靶材的最小厚度值分別設定每根靶材對應的濺射功率。

      7、可選地,所述提升pvd靶材利用率的方法還包括:

      8、在最小厚度差值超過預設差值的情況下,調整上鍍膜總功率或下鍍膜總功率,其中,所述最小厚度差值為:

      9、用于上鍍膜的所有靶材的最小厚度值中的最小值與用于下鍍膜的所有靶材的最小厚度值中的最小值的差值。

      10、可選地,所述依據(jù)每根靶材的最小厚度值分別設定每根靶材對應的濺射功率的步驟包括:

      11、依據(jù)濺射功率計算公式認定每根靶材的濺射功率,所述濺射功率計算公式為:

      12、濺射功率=最小厚度值/(用于上鍍膜的每根靶材的最小厚度值之和)ⅹ總功率;或,

      13、濺射功率=最小厚度值/(用于下鍍膜的每根靶材的最小厚度值之和)ⅹ總功率。

      14、可選地,所述提升pvd靶材利用率的方法還包括:

      15、在任意一個所述靶材的最小厚度值低于設定厚度值的情況下,控制機臺發(fā)出報警并依據(jù)所述最小厚度值得到靶材的剩余濺射功率。

      16、可選地,所述提升pvd靶材利用率的方法還包括:

      17、在機臺發(fā)出報警后,依據(jù)靶材的剩余濺射功率得到停機換靶的時間。

      18、可選地,所述提升pvd靶材利用率的方法還包括:

      19、將用于上鍍膜的每根靶材的最小厚度值進行比較得到上鍍膜靶材厚度差值,在上鍍膜靶材厚度差值超過上鍍膜靶材厚度預設差值的情況下,控制機臺發(fā)出報警;或,

      20、將用于下鍍膜的每根靶材的最小厚度值進行比較得到下鍍膜靶材厚度差值,在下鍍膜靶材厚度差值超過下鍍膜靶材厚度預設差值的情況下,控制機臺發(fā)出報警。

      21、可選地,所述提升pvd靶材利用率的方法還包括:

      22、在機臺發(fā)出報警后,依據(jù)靶材的最小厚度值自動或手動調整靶材的濺射功率,并同步調整pvd設備的氫氣量和氧氣量。

      23、可選地,所述在每根靶材上的若干第一區(qū)域均安裝有厚度檢測儀,其中,所述厚度檢測儀用于實時監(jiān)測靶材的厚度,并輸出表征靶材厚度的信息的步驟包括:

      24、在所述靶材為上濺射的情況下,將所述厚度檢測儀安裝在所述靶材的下部;或,

      25、在所述靶材為下濺射的情況下,將所述厚度檢測儀安裝在所述靶材的上部。

      26、可選地,所述第一區(qū)域至少包括所述靶材的操作端以及泵端,所述在每根靶材上的若干第一區(qū)域均安裝有厚度檢測儀,其中,所述厚度檢測儀用于實時監(jiān)測靶材的厚度,并輸出表征靶材厚度的信息的步驟還包括:

      27、在所述靶材的操作端以及泵端分別安裝無接觸式厚度檢測儀。

      28、本發(fā)明的實施例還提供了一種pvd設備,利用提升pvd靶材利用率的方法實現(xiàn)。

      29、本發(fā)明實施例的提升pvd靶材利用率的方法及pvd設備的有益效果包括,例如:

      30、該提升pvd靶材利用率的方法用于對電池基片的表面進行上鍍膜和下鍍膜,所述提升pvd靶材利用率的方法包括:在每根靶材上的若干第一區(qū)域均安裝有厚度檢測儀,其中,所述厚度檢測儀用于實時監(jiān)測靶材的厚度,并輸出表征靶材厚度的信息;獲取每根靶材上若干所述厚度檢測儀輸出的厚度信息,依據(jù)每根所述靶材的厚度信息得到每根靶材的最小厚度值;依據(jù)每根靶材的最小厚度值分別設定每根靶材對應的濺射功率。在使用時,由于靶材上的若干第一區(qū)域是靶材厚度最小的區(qū)域,因此將厚度檢測儀安裝在靶材上的若干第一區(qū)域能夠實時監(jiān)測靶材的最小厚度,從而得到靶材的最小厚度值,從而明確靶材是否可以打穿,避免了對電池效率造成影響,同時避免出現(xiàn)靶材未利用完的現(xiàn)象,最大程度的提升靶材的利用率,而且還可以依據(jù)每根靶材的最小厚度值分別設定每根靶材對應的濺射功率,然后再對應進行磁控濺射,使得每根靶材的最小厚度基本一致,從而使得每根靶材的利用率基本一致。

      31、該pvd設備利用提升pvd靶材利用率的方法實現(xiàn)。能夠最大程度的提高靶材的利用率,同時避免影響電池效率。



      技術特征:

      1.一種提升pvd靶材利用率的方法,用于對電池基片的表面進行上鍍膜和下鍍膜,其特征在于,所述提升pvd靶材利用率的方法包括:

      2.根據(jù)權利要求1所述的提升pvd靶材利用率的方法,其特征在于,所述提升pvd靶材利用率的方法還包括:

      3.根據(jù)權利要求1所述的提升pvd靶材利用率的方法,其特征在于,所述依據(jù)每根靶材(10)的最小厚度值分別設定每根靶材(10)對應的濺射功率的步驟包括:

      4.根據(jù)權利要求1所述的提升pvd靶材利用率的方法,其特征在于,所述提升pvd靶材利用率的方法還包括:

      5.根據(jù)權利要求4所述的提升pvd靶材利用率的方法,其特征在于,所述提升pvd靶材利用率的方法還包括:

      6.根據(jù)權利要求1或4所述的提升pvd靶材利用率的方法,其特征在于,所述提升pvd靶材利用率的方法還包括:

      7.根據(jù)權利要求6所述的提升pvd靶材利用率的方法,其特征在于,所述提升pvd靶材利用率的方法還包括:

      8.根據(jù)權利要求1所述的提升pvd靶材利用率的方法,其特征在于,所述在每根靶材(10)上的若干第一區(qū)域均安裝有厚度檢測儀(20),其中,所述厚度檢測儀(20)用于實時監(jiān)測靶材(10)的厚度,并輸出表征靶材(10)厚度的信息的步驟包括:

      9.根據(jù)權利要求1所述的提升pvd靶材利用率的方法,其特征在于,所述第一區(qū)域至少包括所述靶材(10)的操作端以及泵端,所述在每根靶材(10)上的若干第一區(qū)域均安裝有厚度檢測儀(20),其中,所述厚度檢測儀(20)用于實時監(jiān)測靶材(10)的厚度,并輸出表征靶材(10)厚度的信息的步驟還包括:

      10.一種pvd設備,其特征在于,利用權利要求1-9任一項所述的提升pvd靶材利用率的方法實現(xiàn)。


      技術總結
      本發(fā)明的實施例提供了一種提升PVD靶材利用率的方法及PVD設備,涉及太陽能電池制造技術領域。該提升PVD靶材利用率的方法用于對電池基片的表面進行上鍍膜和下鍍膜,提升PVD靶材利用率的方法包括在每根靶材上的若干第一區(qū)域均安裝有厚度檢測儀,厚度檢測儀用于實時監(jiān)測靶材的厚度,獲取每根靶材上若干厚度檢測儀輸出的厚度信息,依據(jù)每根靶材的厚度信息得到每根靶材的最小厚度值;依據(jù)每根靶材的最小厚度值分別設定每根靶材對應的濺射功率;依據(jù)所有靶材的濺射功率對應進行磁控濺射。得到靶材的最小厚度值可以明確靶材是否可以打穿,最大程度的提升靶材的利用率。

      技術研發(fā)人員:趙鋒,黃昌庚,王進,任明沖,楊伯川
      受保護的技術使用者:東方日升新能源股份有限公司
      技術研發(fā)日:
      技術公布日:2024/11/14
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