專利名稱：有機膜蒸渡方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及向在醫(yī)療用的X射線攝影等中使用的閃爍體面板上蒸鍍耐濕性的保護膜的有機膜蒸鍍方法。
背景技術(shù)：
在醫(yī)療、工業(yè)用的X射線攝影中，雖然一直都在使用X射線感光膠片，但是，從便利性或攝影結(jié)果的保存性方面考慮，使用放射線探測器件的放射線圖象系統(tǒng)已普及開來。在這樣的放射線圖象系統(tǒng)中，作為電信號，借助于放射線探測器件取得由2維的放射線得到的圖象數(shù)據(jù)，并用處理裝置對該信號進行處理后顯示在監(jiān)視器上。
以往，作為代表性的放射線探測器件，人們熟知已在特開平5-196742號公報、特開昭63-215987號公報中公開的放射線探測器件。該放射線探測器件在攝象器件或FOP上邊形成閃爍體，用閃爍體使從閃爍體一側(cè)入射進來的放射線變換成光后進行探測。
在這里，由作為典型的閃爍體材料的CsI是吸濕性材料，吸收空氣中的水分而潮解，使閃爍體的特性，特別是使析象清晰度劣化的事態(tài)可知，在上述的放射線探測器件中，采用在閃爍體層的上部形成水分不透過性的防濕屏障的辦法，保護閃爍體不受濕氣影響。
然而，作為用來使閃爍體免受濕氣影響的防濕屏障，雖然可以使用聚對二甲苯膜，但是該聚對二甲苯膜要用CVD法(化學氣相淀積法)進行蒸鍍。在這里，在用CVD法蒸鍍聚對二甲苯膜的情況下，在把已形成了閃爍體的基板放置到平板狀的蒸鍍臺或網(wǎng)狀的蒸鍍臺上的狀態(tài)下，把蒸鍍臺放入到蒸鍍裝置的蒸鍍室內(nèi)，進行聚對二甲苯膜的蒸鍍。
但是，如果用上述的方法進行聚對二甲苯膜的蒸鍍，由于不僅基板上，蒸鍍臺上也將形成聚對二甲苯膜，故難于把基板從蒸鍍臺上拿起來，此外，也不能在已形成了閃爍體的基板的整個面上形成聚對二甲苯膜。
本發(fā)明的目的在于提供在已形成了閃爍體的基板的整個面上蒸鍍保護閃爍體面板的有機膜的有機膜蒸鍍方法。
發(fā)明的公開本發(fā)明具備下述工序用配置在蒸鍍臺上邊、樣品支持體的至少3點以上的凸部，與蒸鍍臺離開一個間隔地支持已形成了閃爍體的基板的第1工序；把用上述樣品支持體支持著上述基板的蒸鍍臺導入CVD裝置的蒸鍍室內(nèi)的第2工序；向已導入到上述蒸鍍室內(nèi)的形成了閃爍體的上述基板的上述閃爍體和上述基板的整個面上，用CVD法蒸鍍有機膜的第3工序。
倘采用本發(fā)明，由于用配置在蒸鍍臺上邊的樣品支持體與蒸鍍臺離開一個間隔地支持基板，故也可以向被樣品支持體支持著的基板的背面一側(cè)蒸鍍有機膜，可以用CVD法向已形成了閃爍體的基板的閃爍體和基板的整個面上蒸鍍有機膜。此外，在蒸鍍上有機膜之后，可以從蒸鍍臺上容易地把基板拿起來。
本發(fā)明的樣品支持體的特征是，至少由3根樣品支持針構(gòu)成。此外，樣品支持體的特征還在于用網(wǎng)狀體構(gòu)成。
此外，本發(fā)明的特征在于，有機膜蒸鍍法的上述有機膜是聚對二甲苯膜。倘采用本發(fā)明，就可以用CVD法向已形成了閃爍體的基板的閃爍體和基板的整個面上蒸鍍聚對二甲苯膜。
附圖的簡單說明

圖1是本發(fā)明的實施例的聚對二甲苯蒸鍍裝置的構(gòu)成圖。
圖2是本發(fā)明的實施例的聚對二甲苯蒸鍍裝置的蒸鍍室的概略圖。
圖3示出了本發(fā)明的實施例的聚對二甲苯蒸鍍裝置的在轉(zhuǎn)臺上邊的支持狀態(tài)。
圖4A示出了本發(fā)明的實施例的閃爍體面板的制造工序。
圖4B示出了本發(fā)明的實施例的閃爍體面板的制造工序。
圖5A示出了本發(fā)明的實施例的閃爍體面板的制造工序。
圖5B示出了本發(fā)明的實施例的閃爍體面板的制造工序。
圖6是本發(fā)明的實施例的樣品支持體的變形例。
優(yōu)選實施例以下，參看附圖，說明本發(fā)明的實施例的聚對二甲苯膜(有機膜)的蒸鍍方法。圖1是在聚對二甲苯膜的蒸鍍方法中使用的聚對二甲苯蒸鍍裝置的構(gòu)成圖。
該聚對二甲苯蒸鍍裝置的構(gòu)成為具備插入作為聚對二甲苯原料的雙對二甲苯并使之氣化的氣化室1；加熱升溫氣化后的雙對二甲苯使之原子團化的熱分解室2；使原子團化狀態(tài)的雙對二甲苯蒸鍍到已形成了閃爍體的基板上的蒸鍍室3；具有進行防臭、冷卻的冷卻室4和真空泵的排氣系統(tǒng)5。其中，蒸鍍室3，如圖2所示，在熱分解室2內(nèi)具有導入已原子團化的聚對二甲苯的導入口3a和排出多余的聚對二甲苯的排出口3b，同時，還具有支持進行聚對二甲苯膜的蒸鍍的樣品的轉(zhuǎn)臺(蒸鍍臺)3c。
在該聚對二甲苯蒸鍍裝置中，首先，用樣品支持針20把已形成了閃爍體12的圓板狀或矩形板狀的基板支持到蒸鍍室3的轉(zhuǎn)臺3c上邊。即，如圖2和圖3所示，用配置成大體上為正三角形的3根樣品支持針20支持基板10的底面，并配置到轉(zhuǎn)臺3c上邊。該3根樣品支持針20構(gòu)成樣品支持體。在這里，樣品支持針20，一端具有很尖的樣品支持部20a，同時在另一端具有挨靠到轉(zhuǎn)臺3c的上表面上的圓板狀的設(shè)置部分20b。另外，已形成了閃爍體12的基板10，如圖4A所示，在圓板狀或矩形平板狀的Al制的基板10(厚0.5mm)的一面上，用蒸鍍法生長摻入了Tl的CsI的厚度為250微米的柱狀結(jié)晶，形成閃爍體12。
其次，把已配置上形成了該閃爍體12的基板10的轉(zhuǎn)臺3c導入蒸鍍室3內(nèi)，在氣化室1內(nèi)加熱到175℃使之氣化，從導入口3a把在熱分解室2內(nèi)加熱升溫到690℃原子團化后的雙對二甲苯導入蒸鍍室3內(nèi)，用10微米厚度向閃爍體2和基板10的整個面上蒸鍍第1聚對二甲苯膜14(參看圖4B)。即，已形成了閃爍體12的基板10，由于在轉(zhuǎn)臺3c上邊僅僅用樣品支持針20的樣品支持部分20a的頂端部分進行支持，故不僅閃爍體12的表面和基板10的表面，連基板10的背面也可以蒸鍍上第1聚對二甲苯膜14。
另外，在這種情況下，蒸鍍室3內(nèi)維持13Pa的真空度。此外，轉(zhuǎn)臺3c以4rpm的速度旋轉(zhuǎn)，以便能均一地蒸鍍第1聚對二甲苯膜14。此外，多余的聚對二甲苯從排出口3b排出，導入到具有進行防臭、冷卻的冷卻室4和真空泵的排氣系統(tǒng)5內(nèi)。
其次，從蒸鍍室3內(nèi)取出已蒸鍍上第1聚對二甲苯膜14的基板10，用濺射法以300nm的厚度，在閃爍體12一側(cè)的第1聚對二甲苯膜14的表面上成膜SiO2膜16(參看圖5A)。SiO2膜16由于目的在于提高閃爍體12的耐濕性，故要在覆蓋閃爍體12的范圍內(nèi)形成。
再有，在SiO2膜16的表面和基板10一側(cè)的未形成SiO2膜16的第1聚對二甲苯膜14的表面上，再次用CVD法以10微米的厚度蒸鍍第2聚對二甲苯膜18(參看圖5B)。在這種情況下，也與蒸鍍第1聚對二甲苯膜14時同樣，在蒸鍍室3的轉(zhuǎn)臺3c上邊用3根樣品支持針20支持基板10。即，與蒸鍍第1聚對二甲苯膜14時同樣，用配置成大體上為正三角形的3根樣品支持針20支持基板10的底面，并配置到轉(zhuǎn)臺3c上邊(參看圖2和圖3)。在這種情況下，要把基板10支持為使得蒸鍍第1聚對二甲苯膜14時用樣品支持針20支持基板10的位置，和蒸鍍第2聚對二甲苯膜18時用樣品支持針20支持基板10的位置錯開。
接著，把轉(zhuǎn)臺3c導入蒸鍍室3內(nèi)，在氣化室1內(nèi)加熱到175℃使之氣化，從導入口3a把在熱分解室2內(nèi)加熱升溫到690℃原子團化后的雙對二甲苯導入蒸鍍室3內(nèi)，用10微米的厚度向閃爍體2和基板10的整個面上蒸鍍第2聚對二甲苯膜18。采用使該工序結(jié)束的辦法，結(jié)束閃爍體面板30的制造。該閃爍體面板30，把未畫出來的攝象器件(CCD)粘貼到閃爍體12一側(cè)的同時，還可以采用從基板10一側(cè)入射X射線的辦法，作為放射線探測器使用。
倘采用本實施例的聚對二甲苯膜的蒸鍍方法，由于已形成了閃爍體12的基板10，在轉(zhuǎn)臺3c上邊，僅僅用樣品支持針20的樣品支持部分20a的頂端部分進行支持，由于基板10的底面與樣品支持部分20a的頂端部分之間的接觸面積小，故在基板10的背面也可以均一地蒸鍍聚對二甲苯膜。此外，在蒸鍍上第1聚對二甲苯膜14和第2聚對二甲苯膜18之后，可以從轉(zhuǎn)臺3c上邊容易地把基板10拿起來。
由于使蒸鍍第1聚對二甲苯膜14時用樣品支持針20支持基板10的位置，和蒸鍍第2聚對二甲苯膜18時用樣品支持針20支持基板10的位置錯了開來，故可以防止第1聚對二甲苯膜14和第2聚對二甲苯膜18的剝落，此外，還可以提高閃爍體12的耐濕性。
另外，在上述的實施例中，雖然用3根樣品支持針20支持已形成了閃爍體12的基板10，但是，也可以作成為用4根以上的樣品支持針進行支持。
此外，在上述的實施例中，雖然樣品支持針20一端具有很尖的樣品支持部分20a，同時在另一端具有圓板狀的設(shè)置部分20b，但樣品支持針20的形狀，只要是與基板10的底面之間的接觸面積小而且能夠在轉(zhuǎn)臺3c上邊穩(wěn)定地支持基板10的樣品支持針，其形狀可以適當變更。例如，如圖6所示，也可以用網(wǎng)狀體(樣品支持體)40支持基板10。在這種情況下，由于也是用網(wǎng)狀體40的至少3點的凸部40a支持基板10，故也可以減小基板10的底面與網(wǎng)狀體40之間的接觸面積，在基板10的背面也可以均一地蒸鍍聚對二甲苯膜。
此外，在上述的實施例中，作為透明無機膜，雖然使用的是SiO2膜16，但并不限于此，也可以使用以SiO2、Al2O3、TiO2、In2O3、SnO2、MgO、MgF2、LiF、CaF2、AgCl、SiNO和SiN等為材料的無機膜。
此外，在上述的實施例中，作為閃爍體12雖然使用的是CsI(Tl)，但并不限于此，也可以使用CsI(Na)、NaI(Tl)、LiI(Eu)、KI(Tl)等。
此外，在上述的實施例中，作為基板10雖然使用的是Al制的基板，但從只要是X射線透過率良好的基板即可可知，也可以使用無定形炭制的基板和C(石墨)制的基板等以炭為主成分的基板、Be制的基板、SiC制的基板等。此外，也可以使用玻璃制的基板、FOP(Fiberoptical plate,纖維光學板)。
此外，在上述的實施例中的聚對二甲苯中，除去聚對二甲苯之外，還含有聚單氯代對二甲苯、聚二氯代對二甲苯、聚四氯代對二甲苯、聚氟代對二甲苯、聚二甲基對二甲苯、聚二乙基對二甲苯等。
倘采用本發(fā)明的有機膜蒸鍍方法，可以在已形成了閃爍體的基板的閃爍體和基板的整個面上蒸鍍有機膜，此外，在蒸鍍上有機膜之后，還可以容易地從轉(zhuǎn)臺上把基板拿起來。
工業(yè)上利用的可能性如上所述，本發(fā)明的閃爍體面板和放射線圖象傳感器適合于在醫(yī)療、工業(yè)用的X射線攝影中使用。
權(quán)利要求
1．一種有機膜蒸鍍方法，其特征是具備下述工序用配置在蒸鍍臺上邊的樣品支持體的至少3點以上的凸部，與上述蒸鍍臺不接觸地支持形成了閃爍體的基板的第1工序；把用上述樣品支持體支持著上述基板的蒸鍍臺導入CVD裝置的蒸鍍室內(nèi)的第2工序；向已導入到上述蒸鍍室內(nèi)的形成了閃爍體的上述基板的上述閃爍體和上述基板的整個面上，用CVD法蒸鍍有機膜的第3工序。
2．權(quán)利要求1所述的有機膜蒸鍍方法，其特征是上述樣品支持體至少由3根樣品支持針構(gòu)成。
3．權(quán)利要求1所述的有機膜蒸鍍方法，其特征是上述樣品支持體用網(wǎng)狀體構(gòu)成。
4．權(quán)利要求1～3所述的有機膜蒸鍍方法，其特征是上述有機膜是聚對二甲苯膜。
全文摘要
一種有機膜蒸鍍方法,具有:用站立在轉(zhuǎn)臺上邊的至少3根樣品支持針支持已形成了閃爍體的基板的第1工序;把支持基板的轉(zhuǎn)臺導入CVD裝置的蒸鍍室內(nèi)的第2工序;向已導入到蒸鍍室內(nèi)的形成了閃爍體的基板的閃爍體和基板的整個面上,用CVD法蒸鍍有機膜的第3工序。
文檔編號C23C16/00GK1309776SQ99808601
公開日2001年8月22日 申請日期1999年6月18日 優(yōu)先權(quán)日1998年6月18日
發(fā)明者本目卓也, 高林敏雄, 佐藤宏人 申請人:浜松光子學株式會社