一種蒸鍍?cè)O(shè)備的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種蒸鍍?cè)O(shè)備，包括蒸發(fā)源和設(shè)置于蒸發(fā)源上方、用于放置待蒸鍍基板的基板承載機(jī)構(gòu)，其中，所述蒸鍍?cè)O(shè)備還包括：基片固定機(jī)構(gòu)，至少一膜厚監(jiān)控基片設(shè)置于所述基片固定機(jī)構(gòu)上，與所述待蒸鍍基板同平面設(shè)置，且與所述待蒸鍍基板貼合；其中在所述待蒸鍍基板的鍍膜過程中，所述待蒸鍍基板和所述膜厚監(jiān)控基片均位于所述蒸發(fā)源的有效蒸鍍區(qū)域內(nèi)。所述蒸鍍?cè)O(shè)備通過設(shè)置基片固定機(jī)構(gòu)，使膜厚監(jiān)控基片與待蒸鍍基板均位于蒸發(fā)源的有效蒸鍍區(qū)域內(nèi)，當(dāng)完成待蒸鍍基板的一次鍍膜時(shí)，監(jiān)測(cè)膜厚監(jiān)控基片上的膜厚，即能夠達(dá)到監(jiān)控蒸鍍過程中的膜層厚度的目的。
【專利說明】
一種蒸鍍?cè)O(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示器制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種蒸鍍?cè)O(shè)備?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管又稱為有機(jī)電激光顯示(Organic Light-Emitting D1de，0LED) 器件中，膜層膜厚對(duì)器件的性能有著重要影響，因此在OLED器件的必不可少制造工藝一蒸鍍過程中，需要及時(shí)掌控膜層厚度變化，以便了解0LED器件性能的波動(dòng)。尤其對(duì)于大尺寸 0LED器件的蒸鍍?cè)O(shè)備來說，分析器件膜層厚度分布是分析顯示器件的特性變化的重要手段。
[0003]傳統(tǒng)0LED器件膜厚分布監(jiān)控方法是在蒸鍍工藝前后，利用對(duì)蒸發(fā)源的膜厚進(jìn)行測(cè)量來了解蒸鍍所形成膜層的膜厚，但該方法具有耗時(shí)長(zhǎng)且無法實(shí)時(shí)監(jiān)控蒸鍍過程中膜厚變化的缺點(diǎn)。此外，線性蒸鍍?cè)O(shè)備連續(xù)蒸鍍的特點(diǎn)也決定了很難對(duì)蒸鍍過程中單層0LED器件的膜層厚度進(jìn)行監(jiān)控，但往往正是單層膜層膜厚的波動(dòng)對(duì)0LED器件性能產(chǎn)生巨大的影響?！緦?shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型技術(shù)方案的目的是提供一種蒸鍍?cè)O(shè)備，能夠及時(shí)監(jiān)控蒸鍍過程中的膜層厚度。
[0005]本實(shí)用新型提供一種蒸鍍?cè)O(shè)備，包括蒸發(fā)源和設(shè)置于蒸發(fā)源上方、用于放置待蒸鍍基板的基板承載機(jī)構(gòu)，其中，所述蒸鍍?cè)O(shè)備還包括:
[0006]基片固定機(jī)構(gòu)，至少一膜厚監(jiān)控基片設(shè)置于所述基片固定機(jī)構(gòu)上，與所述待蒸鍍基板同平面設(shè)置，且與所述待蒸鍍基板貼合；
[0007]其中在所述待蒸鍍基板的鍍膜過程中，所述待蒸鍍基板和所述膜厚監(jiān)控基片均位于所述蒸發(fā)源的有效蒸鍍區(qū)域內(nèi)。
[0008]優(yōu)選地，上述所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中，所述基板承載機(jī)構(gòu)包括一傳送結(jié)構(gòu)，所述待蒸鍍基板設(shè)置于所述傳送結(jié)構(gòu)上，在所述蒸發(fā)源的蒸發(fā)材料對(duì)所述待蒸鍍基板進(jìn)行鍍膜時(shí)，通過所述傳送結(jié)構(gòu)，所述待蒸鍍基板從第一位置移動(dòng)至第二位置；
[0009]其中，所述基片固定機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述第一位置遠(yuǎn)離所述第二位置的一側(cè)，和/或設(shè)置于所述第二位置遠(yuǎn)離所述第一位置的一側(cè)。
[0010]優(yōu)選地，上述所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中，所述蒸鍍?cè)O(shè)備還包括:
[0011]移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述基片固定機(jī)構(gòu)與所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)連接，通過所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述基片固定機(jī)構(gòu)在第三位置和第四位置之間動(dòng)作，其中在所述第三位置，所述膜厚監(jiān)控基片位于所述蒸發(fā)源的有效蒸鍍區(qū)域之內(nèi)；在所述第四位置，所述膜厚監(jiān)控基片位于所述蒸發(fā)源的有效蒸鍍區(qū)域之外；
[0012]第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，與所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)連接，通過所述第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述基片固定機(jī)構(gòu)在第三位置和第四位置之間動(dòng)作。
[0013]優(yōu)選地，上述所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中，所述蒸鍍?cè)O(shè)備還包括:
[0014]遮擋結(jié)構(gòu)，包括能夠在第五位置和第六位置之間動(dòng)作的遮擋擋板，其中所述遮擋擋板在所述第五位置時(shí)，設(shè)置于所述基片固定機(jī)構(gòu)與所述蒸發(fā)源之間，遮擋所述蒸發(fā)源到所述膜厚監(jiān)控基片的有效蒸鍍區(qū)域;所述遮擋擋板在所述第六位置時(shí)，移離所述蒸發(fā)源到所述膜厚監(jiān)控基片的有效蒸鍍區(qū)域；
[0015]第二驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，與所述遮擋結(jié)構(gòu)連接，驅(qū)動(dòng)所述遮擋擋板在所述第五位置和所述第六位置之間動(dòng)作。[〇〇16]優(yōu)選地，上述所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中，所述遮擋結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于所述膜厚監(jiān)控基片上方的轉(zhuǎn)動(dòng)軸和連接所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸和所述遮擋擋板的傳動(dòng)桿；[〇〇17]其中，通過所述傳動(dòng)桿帶動(dòng)所述遮擋擋板繞所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸轉(zhuǎn)動(dòng)，所述遮擋擋板在所述第五位置和所述第六位置之間動(dòng)作。
[0018]優(yōu)選地，上述所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中，所述第二驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括:
[0019]移動(dòng)支架，設(shè)置于所述膜厚監(jiān)控基片的上方；
[0020]電機(jī)，驅(qū)動(dòng)所述移動(dòng)支架朝遠(yuǎn)離或靠近所述膜厚監(jiān)控基片的方向移動(dòng)；
[0021]其中所述移動(dòng)支架朝靠近所述膜厚監(jiān)控基片的方向移動(dòng)，所述移動(dòng)支架與所述傳動(dòng)桿連接，所述傳動(dòng)桿帶動(dòng)所述遮擋擋板向所述第六位置動(dòng)作;所述移動(dòng)支架朝遠(yuǎn)離所述膜厚監(jiān)控基片的方向移動(dòng)，所述移動(dòng)支架與所述傳動(dòng)桿連接，所述傳動(dòng)桿帶動(dòng)所述遮擋擋板向所述第五位置動(dòng)作。[〇〇22]優(yōu)選地，上述所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中，所述蒸鍍?cè)O(shè)備包括一殼體，其中所述蒸發(fā)源、 所述基板承載機(jī)構(gòu)、所述基片固定機(jī)構(gòu)、所述遮擋結(jié)構(gòu)和所述第二驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)均設(shè)置于所述殼體的內(nèi)部。[〇〇23]優(yōu)選地，上述所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中，所述基片固定機(jī)構(gòu)包括一承載臺(tái)，所述膜厚監(jiān)控基片固定于所述承載臺(tái)上。
[0024]優(yōu)選地，上述所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中，所述基片固定機(jī)構(gòu)包括一貼附結(jié)構(gòu)，通過所述貼附結(jié)構(gòu)，所述膜厚監(jiān)控基片與所述待蒸鍍基板貼合連接。
[0025]優(yōu)選地，上述所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中，所述膜厚監(jiān)控基片為硅晶圓或者玻璃材料制成。
[0026]本實(shí)用新型具體實(shí)施例上述技術(shù)方案中的至少一個(gè)具有以下有益效果:
[0027]所述蒸鍍?cè)O(shè)備通過設(shè)置基片固定機(jī)構(gòu)，使膜厚監(jiān)控基片與待蒸鍍基板均位于蒸發(fā)源的有效蒸鍍區(qū)域內(nèi)，當(dāng)完成待蒸鍍基板的一次鍍膜時(shí)，監(jiān)測(cè)膜厚監(jiān)控基片上的膜厚，即能夠達(dá)到監(jiān)控蒸鍍過程中的膜層厚度的目的?！靖綀D說明】
[0028]圖1表示本實(shí)用新型第一實(shí)施例所述蒸鍍?cè)O(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2表示本實(shí)用新型第二實(shí)施例所述蒸鍍?cè)O(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。【具體實(shí)施方式】
[0030]為使本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合具體實(shí)施例及附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0031]本實(shí)用新型具體實(shí)施例所述蒸鍍?cè)O(shè)備，包括蒸發(fā)源和設(shè)置于蒸發(fā)源上方、用于放置待蒸鍍基板的基板承載機(jī)構(gòu)，其中，所述蒸鍍?cè)O(shè)備還包括:
[0032]基片固定機(jī)構(gòu)，至少一膜厚監(jiān)控基片設(shè)置于所述基片固定機(jī)構(gòu)上，與所述待蒸鍍基板同平面設(shè)置，且與所述待蒸鍍基板貼合；
[0033]其中在所述待蒸鍍基板的鍍膜過程中，所述待蒸鍍基板和所述膜厚監(jiān)控基片均位于所述蒸發(fā)源的有效蒸鍍區(qū)域內(nèi)。
[0034]本實(shí)用新型上述結(jié)構(gòu)的蒸鍍?cè)O(shè)備，通過設(shè)置用于固定膜厚監(jiān)控基片的基片固定機(jī)構(gòu)，使膜厚監(jiān)控基片與待蒸鍍基板均位于蒸發(fā)源的有效蒸鍍區(qū)域內(nèi)，當(dāng)完成待蒸鍍基板的一次鍍膜時(shí)，監(jiān)測(cè)膜厚監(jiān)控基片上的膜厚，即能夠達(dá)到監(jiān)控蒸鍍過程中的膜層厚度的目的。
[0035]具體地，上述所提及的蒸發(fā)源的有效蒸鍍區(qū)域是指蒸發(fā)源在對(duì)待蒸鍍基板進(jìn)行鍍膜時(shí)，蒸發(fā)材料在所述蒸發(fā)源中被加熱為蒸發(fā)氣體時(shí)，蒸發(fā)氣體在到達(dá)待蒸鍍基板所在平面時(shí)所分布區(qū)域，也即采用本實(shí)用新型實(shí)施例所述蒸鍍?cè)O(shè)備，膜厚監(jiān)控基片與待蒸鍍基板同時(shí)位于從蒸發(fā)源所蒸發(fā)氣體的分布區(qū)域內(nèi)。
[0036]另外，所述蒸鍍?cè)O(shè)備中的膜厚監(jiān)控基片為硅晶圓或者玻璃材料制成。上述材料制成的膜厚監(jiān)控基片與待蒸鍍基板一起設(shè)置于蒸鍍?cè)O(shè)備的內(nèi)部，在對(duì)待蒸鍍基板進(jìn)行鍍膜時(shí)，膜厚監(jiān)控基片與待蒸鍍基板同時(shí)位于蒸發(fā)源的有效蒸鍍區(qū)域內(nèi)，這樣一次鍍膜時(shí)，膜厚監(jiān)控基片上的膜層厚度與待蒸鍍基板上的膜層厚度相同。[〇〇37]上述結(jié)構(gòu)的蒸鍍?cè)O(shè)備中，用于固定膜厚監(jiān)控基片的基片固定機(jī)構(gòu)可以包括一承載臺(tái)，膜厚監(jiān)控基片固定于承載臺(tái)上，實(shí)現(xiàn)固定，且與待蒸鍍基板相貼合;基片固定機(jī)構(gòu)也可以包括一貼附結(jié)構(gòu)，通過該貼附結(jié)構(gòu)，膜厚監(jiān)控基片與待蒸鍍基板貼合連接，實(shí)現(xiàn)固定。當(dāng)然，基片固定機(jī)構(gòu)的具體結(jié)構(gòu)并不僅限于為這兩種，本領(lǐng)域技術(shù)人員在實(shí)施本實(shí)用新型的蒸鍍?cè)O(shè)備時(shí)，也可以采用其他結(jié)構(gòu)和方式固定膜厚監(jiān)控基片。
[0038]以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型具體實(shí)施例所述蒸鍍?cè)O(shè)備的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0039]參閱圖1，本實(shí)用新型第一實(shí)施例所述蒸鍍?cè)O(shè)備具體包括:
[0040]蒸發(fā)源10;[〇〇41]基板承載機(jī)構(gòu)20,設(shè)置于蒸發(fā)源10的上方，其中在蒸鍍過程中，待蒸鍍基板1固定放置于該基板承載機(jī)構(gòu)20上;其中蒸發(fā)源10和基板承載機(jī)構(gòu)20可以依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)通常蒸鍍?cè)O(shè)備中的具體設(shè)置方式，在此不詳細(xì)描述；[〇〇42]基片固定機(jī)構(gòu)30,至少一膜厚監(jiān)控基片2設(shè)置于該基片固定機(jī)構(gòu)30上;本實(shí)用新型實(shí)施例中，如圖1所示，該基片固定機(jī)構(gòu)30形成為一承載臺(tái)；[〇〇43]移動(dòng)機(jī)構(gòu)40，其中基片固定機(jī)構(gòu)30與移動(dòng)機(jī)構(gòu)40連接，通過移動(dòng)機(jī)構(gòu)40，基片固定機(jī)構(gòu)30在位置A(第三位置)和位置B(第四位置)之間動(dòng)作，其中在位置A時(shí)，膜厚監(jiān)控基片2 位于蒸發(fā)源10的有效蒸鍍區(qū)域之內(nèi)；在位置B時(shí)，膜厚監(jiān)控基片2位于蒸發(fā)源的有效蒸鍍區(qū)域之外；[〇〇44] 第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(圖中未顯示)，與移動(dòng)機(jī)構(gòu)40連接，通過第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，移動(dòng)機(jī)構(gòu)40 驅(qū)動(dòng)基片固定機(jī)構(gòu)30在位置A和位置B之間動(dòng)作。
[0045] 具體地，移動(dòng)機(jī)構(gòu)40可以為一移動(dòng)導(dǎo)軌，第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)可以為一驅(qū)動(dòng)電機(jī)。基于以上移動(dòng)機(jī)構(gòu)40和第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的功能，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該能夠想到可以采用多種設(shè)置方式實(shí)現(xiàn)，在此不詳細(xì)描述。
[0046]采用本實(shí)用新型第一實(shí)施例所述蒸鍍?cè)O(shè)備，利用移動(dòng)機(jī)構(gòu)40和第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，基片固定機(jī)構(gòu)30形成為可移動(dòng)結(jié)構(gòu)形式。當(dāng)需要監(jiān)測(cè)待蒸鍍基板1的鍍膜厚度時(shí)，第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)移動(dòng)機(jī)構(gòu)40移動(dòng)，使移動(dòng)機(jī)構(gòu)40帶動(dòng)基片固定機(jī)構(gòu)30移動(dòng)，膜厚監(jiān)控基片2移動(dòng)至位置A處，與待蒸鍍基板貼合，也即位于蒸發(fā)源10的有效蒸鍍區(qū)域之內(nèi)，使膜厚監(jiān)控基片2與待蒸鍍基板1同時(shí)位于有效蒸鍍區(qū)域之內(nèi)完成鍍膜過程。當(dāng)待蒸鍍基板1的鍍膜過程完成后， 通過監(jiān)測(cè)膜厚監(jiān)控基片2的膜層厚度，即能夠了解待蒸鍍基板在此次鍍膜過程上的膜層厚度；當(dāng)不需要監(jiān)測(cè)待蒸鍍基板1上的鍍膜厚度時(shí)，通過第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和移動(dòng)機(jī)構(gòu)40,膜厚監(jiān)控基片2移動(dòng)至位置B處，也即位于蒸發(fā)源10的有效蒸鍍區(qū)域之外，避免基片固定機(jī)構(gòu)30、移動(dòng)機(jī)構(gòu)40和第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的設(shè)置對(duì)鍍膜過程造成影響。
[0047]本實(shí)用新型第一實(shí)施例中，所述蒸鍍?cè)O(shè)備包括殼體，上述蒸發(fā)源10、基板承載機(jī)構(gòu) 20、基片固定機(jī)構(gòu)30和移動(dòng)機(jī)構(gòu)40均設(shè)置于殼體的內(nèi)部。
[0048]本實(shí)用新型具體實(shí)施例所述蒸鍍?cè)O(shè)備的另一實(shí)施例，該蒸鍍?cè)O(shè)備可以為線性(Inline) 蒸鍍?cè)O(shè)備，也即待蒸鍍基板設(shè)置于一傳送結(jié)構(gòu)上，蒸發(fā)源設(shè)置于傳送結(jié)構(gòu)的下方，當(dāng)待蒸鍍基板從傳送結(jié)構(gòu)的一端移動(dòng)至另一端時(shí)，完成一次鍍膜過程。
[0049]具體地，當(dāng)所述蒸鍍?cè)O(shè)備為In-line蒸鍍?cè)O(shè)備時(shí)，設(shè)置于蒸發(fā)源上方、用于放置待蒸鍍基板的基板承載機(jī)構(gòu)包括:
[0050]傳送結(jié)構(gòu)，其中待蒸鍍基板設(shè)置于傳送結(jié)構(gòu)上，在蒸發(fā)源的蒸發(fā)材料對(duì)待蒸鍍基板進(jìn)行鍍膜時(shí)，通過傳送結(jié)構(gòu)，待蒸鍍基板從第一位置移動(dòng)至第二位置；
[0051]其中，用于固定膜厚監(jiān)控基片的基片固定機(jī)構(gòu)設(shè)置于第一位置遠(yuǎn)離第二位置的一偵U，和/或設(shè)置于第二位置遠(yuǎn)離所述第一位置的一側(cè)。[〇〇52]具體地，當(dāng)基片固定機(jī)構(gòu)設(shè)置于傳送結(jié)構(gòu)的第一位置遠(yuǎn)離第二位置的一側(cè)時(shí)，也即設(shè)置于傳送結(jié)構(gòu)的起始端一側(cè)，膜厚監(jiān)控基片與待蒸鍍基板靠近起始端的邊緣貼合連接；當(dāng)基片固定機(jī)構(gòu)設(shè)置于傳送結(jié)構(gòu)的第二位置遠(yuǎn)離第一位置的一側(cè)時(shí)，也即設(shè)置于傳送結(jié)構(gòu)的結(jié)束端一側(cè)，膜厚監(jiān)控基片與待蒸鍍基板靠近結(jié)束端的邊緣貼合連接。
[0053]當(dāng)然，可以理解的是，傳送結(jié)構(gòu)的起始端和結(jié)束端可以同時(shí)設(shè)置基片固定機(jī)構(gòu)，用于在待蒸鍍基板的相對(duì)兩側(cè)均貼合連接設(shè)置膜厚監(jiān)控基片。[〇〇54]以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型所述蒸鍍?cè)O(shè)備為In-line蒸鍍?cè)O(shè)備時(shí)的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0055]參閱圖2,本實(shí)用新型第二實(shí)施例所述蒸鍍?cè)O(shè)備具體包括:
[0056]蒸發(fā)源10;[〇〇57]基板承載機(jī)構(gòu)20,設(shè)置于蒸發(fā)源10的上方，其中待蒸鍍基板1放置于該基板承載機(jī)構(gòu)20上;本實(shí)用新型第二實(shí)施例中，基板承載結(jié)構(gòu)20包括傳送結(jié)構(gòu)21，形成為傳送帶或者傳送導(dǎo)軌;通過該傳送結(jié)構(gòu)21，在鍍膜過程中，待蒸鍍基板1從一位置移動(dòng)至另一位置；[〇〇58]基片固定機(jī)構(gòu)，至少一膜厚監(jiān)控基片2設(shè)置于該基片固定機(jī)構(gòu)上;本實(shí)用新型實(shí)施例中，如圖2所示，該基片固定機(jī)構(gòu)形成為一貼附結(jié)構(gòu)，通過貼附結(jié)構(gòu)，膜厚監(jiān)控基片2與待蒸鍍基板1貼合連接；當(dāng)蒸鍍過程中，待蒸鍍基板1隨傳送結(jié)構(gòu)21移動(dòng)時(shí)，膜厚監(jiān)控基片2也隨待蒸鍍基板1移動(dòng)；
[0059]遮擋結(jié)構(gòu)，包括能夠在位置C(第五位置)和位置D(第六位置)之間動(dòng)作的遮擋擋板 50,其中遮擋擋板50在位置C時(shí)，設(shè)置于基片固定機(jī)構(gòu)與蒸發(fā)源10之間，遮擋蒸發(fā)源10到膜厚監(jiān)控基片2的有效蒸鍍區(qū)域;遮擋擋板50在位置D時(shí)，移離蒸發(fā)源10到膜厚監(jiān)控基片2的有效蒸鍍區(qū)域；
[0060]第二驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，與遮擋結(jié)構(gòu)連接，驅(qū)動(dòng)遮擋擋板50在位置C和位置D之間動(dòng)作。
[0061]本實(shí)用新型第二實(shí)施例中，基片固定機(jī)構(gòu)、遮擋結(jié)構(gòu)和第二驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)置于傳送結(jié)構(gòu)21的結(jié)束端，依據(jù)以上的描述，該幾部分結(jié)構(gòu)也可以設(shè)置于傳送結(jié)構(gòu)21的起始端或者在起始端和結(jié)束端均分別設(shè)置。
[0062]采用本實(shí)用新型第二實(shí)施例所述蒸鍍?cè)O(shè)備，基片固定結(jié)構(gòu)為固定結(jié)構(gòu)形式，遮擋結(jié)構(gòu)為可移動(dòng)結(jié)構(gòu)形式。當(dāng)不需要監(jiān)測(cè)待蒸鍍基板1的鍍膜厚度時(shí)，遮擋擋板50遮擋蒸發(fā)源 10到膜厚監(jiān)控基片2的有效蒸鍍區(qū)域，也即處于位置C處;當(dāng)需要監(jiān)測(cè)待蒸鍍基板1的鍍膜厚度時(shí)，遮擋擋板50移離蒸發(fā)源到膜厚監(jiān)控基片2的有效蒸鍍區(qū)域，也即處于位置D處，使膜厚監(jiān)控基片2與待蒸鍍基板1同時(shí)在有效蒸鍍區(qū)域內(nèi)完成鍍膜過程。當(dāng)待蒸鍍基板1的鍍膜過程完成后，通過監(jiān)測(cè)膜厚監(jiān)控基片2的膜層厚度，即能夠了解待蒸鍍基板在此次鍍膜過程上的膜層厚度。
[0063]具體地，本實(shí)用新型第二實(shí)施例中，如圖2所示，遮擋結(jié)構(gòu)還包括:[〇〇64]設(shè)置于膜厚監(jiān)控基片2上方的轉(zhuǎn)動(dòng)軸60和連接轉(zhuǎn)動(dòng)軸60和遮擋擋板50的傳動(dòng)桿 70；[〇〇65]其中，通過傳動(dòng)桿70帶動(dòng)遮擋擋板50繞轉(zhuǎn)動(dòng)軸60轉(zhuǎn)動(dòng)，遮擋擋板50在位置C和位置 D之間動(dòng)作。[〇〇66]另外，第二驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括:[〇〇67]移動(dòng)支架80,設(shè)置于膜厚監(jiān)控基片2的上方；[〇〇68]電機(jī)(圖中未顯示)，用于驅(qū)動(dòng)移動(dòng)支架80朝遠(yuǎn)離或靠近膜厚監(jiān)控基片2的方向移動(dòng)。[〇〇69]具體地，如圖2所示，當(dāng)遮擋擋板50處于位置C，移動(dòng)支架80朝靠近膜厚監(jiān)控基片2 的方向移動(dòng)時(shí)(也即朝下移動(dòng)時(shí))，移動(dòng)支架80與傳動(dòng)桿70連接，隨著移動(dòng)支架80的移動(dòng)，推動(dòng)傳動(dòng)桿70繞逆時(shí)針方向轉(zhuǎn)動(dòng)，傳動(dòng)桿70帶動(dòng)遮擋擋板50向位置D動(dòng)作；當(dāng)遮擋擋板50處于位置D，移動(dòng)支架80朝遠(yuǎn)離膜厚監(jiān)控基片2的方向移動(dòng)時(shí)(也即朝上移動(dòng)時(shí))，移動(dòng)支架80與傳動(dòng)桿70連接，隨著移動(dòng)支架80的移動(dòng)，帶動(dòng)傳動(dòng)桿70繞順時(shí)針方向轉(zhuǎn)動(dòng)，傳動(dòng)桿70帶動(dòng)遮擋擋板50向位置C動(dòng)作。
[0070]采用上述第二實(shí)施例的蒸鍍?cè)O(shè)備，當(dāng)需要監(jiān)測(cè)待蒸鍍基板1的鍍膜厚度時(shí)，通過傳送結(jié)構(gòu)21，待蒸鍍基板1在傳送結(jié)構(gòu)21上從起始位置移動(dòng)至結(jié)束位置，當(dāng)待蒸鍍基板1移動(dòng)至蒸發(fā)源10的有效蒸鍍區(qū)域內(nèi)時(shí)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)移動(dòng)支架80向靠近膜厚監(jiān)控基片2的方向移動(dòng)， 通過移動(dòng)支架80推動(dòng)傳動(dòng)桿70,傳動(dòng)桿70帶動(dòng)遮擋擋板50向位置D動(dòng)作，使膜厚監(jiān)控基片2 與待蒸鍍基板1同時(shí)位于有效蒸鍍區(qū)域內(nèi)；當(dāng)待蒸鍍基板1移出蒸發(fā)源10的有效蒸鍍區(qū)域時(shí)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)移動(dòng)支架80向遠(yuǎn)離膜厚監(jiān)控基片2的方向移動(dòng)，通過移動(dòng)支架80帶動(dòng)傳動(dòng)桿 70,傳動(dòng)桿70帶動(dòng)遮擋擋板50向位置C動(dòng)作，遮擋擋板50覆蓋蒸發(fā)源10與傳送結(jié)構(gòu)21之間的部分區(qū)域，避免對(duì)其他待蒸鍍基板的鍍膜過程造成影響。
[0071]本實(shí)用新型第二實(shí)施例所述蒸鍍?cè)O(shè)備中，蒸鍍?cè)O(shè)備包括殼體，其中上述的蒸發(fā)源 10、基板承載機(jī)構(gòu)20、基片固定機(jī)構(gòu)、遮擋擋板50、傳動(dòng)桿70和移動(dòng)支架80均位于殼體的內(nèi)部。
[0072]另外，依據(jù)上述結(jié)構(gòu)關(guān)系的遮擋擋板50、傳動(dòng)桿70和移動(dòng)支架80,第二實(shí)施例的蒸鍍?cè)O(shè)備不限于僅為In-line蒸鍍?cè)O(shè)備。
[0073]采用本實(shí)用新型具體實(shí)施例所述蒸鍍?cè)O(shè)備，在鍍膜過程中，通過使膜厚監(jiān)控基片與待蒸鍍基板均位于蒸發(fā)源的有效蒸鍍區(qū)域內(nèi)，當(dāng)完成待蒸鍍基板的一次鍍膜時(shí)，通過光學(xué)測(cè)試或者臺(tái)階儀等膜厚測(cè)試設(shè)備監(jiān)測(cè)膜厚監(jiān)控基片上的膜厚，即能夠了解待蒸鍍基板在該次單層鍍膜過程中的膜層厚度，達(dá)到有效及時(shí)監(jiān)控蒸鍍過程中單層膜層的目的。
[0074]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種蒸鍍?cè)O(shè)備，包括蒸發(fā)源和設(shè)置于蒸發(fā)源上方、用于放置待蒸鍍基板的基板承載 機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述蒸鍍?cè)O(shè)備還包括:基片固定機(jī)構(gòu)，至少一膜厚監(jiān)控基片設(shè)置于所述基片固定機(jī)構(gòu)上，與所述待蒸鍍基板 同平面設(shè)置，且與所述待蒸鍍基板貼合；其中在所述待蒸鍍基板的鍍膜過程中，所述待蒸鍍基板和所述膜厚監(jiān)控基片均位于所 述蒸發(fā)源的有效蒸鍍區(qū)域內(nèi)。2.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述基板承載機(jī)構(gòu)包括一傳送結(jié)構(gòu)，所 述待蒸鍍基板設(shè)置于所述傳送結(jié)構(gòu)上，在所述蒸發(fā)源的蒸發(fā)材料對(duì)所述待蒸鍍基板進(jìn)行鍍 膜時(shí)，通過所述傳送結(jié)構(gòu)，所述待蒸鍍基板從第一位置移動(dòng)至第二位置；其中，所述基片固定機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述第一位置遠(yuǎn)離所述第二位置的一側(cè)，和/或設(shè)置于 所述第二位置遠(yuǎn)離所述第一位置的一側(cè)。3.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述蒸鍍?cè)O(shè)備還包括:移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述基片固定機(jī)構(gòu)與所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)連接，通過所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述基片固定 機(jī)構(gòu)在第三位置和第四位置之間動(dòng)作，其中在所述第三位置，所述膜厚監(jiān)控基片位于所述 蒸發(fā)源的有效蒸鍍區(qū)域之內(nèi)；在所述第四位置，所述膜厚監(jiān)控基片位于所述蒸發(fā)源的有效 蒸鍍區(qū)域之外；第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，與所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)連接，通過所述第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述 基片固定機(jī)構(gòu)在第三位置和第四位置之間動(dòng)作。4.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述蒸鍍?cè)O(shè)備還包括:遮擋結(jié)構(gòu)，包括能夠在第五位置和第六位置之間動(dòng)作的遮擋擋板，其中所述遮擋擋板 在所述第五位置時(shí)，設(shè)置于所述基片固定機(jī)構(gòu)與所述蒸發(fā)源之間，遮擋所述蒸發(fā)源到所述 膜厚監(jiān)控基片的有效蒸鍍區(qū)域;所述遮擋擋板在所述第六位置時(shí)，移離所述蒸發(fā)源到所述 膜厚監(jiān)控基片的有效蒸鍍區(qū)域；第二驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，與所述遮擋結(jié)構(gòu)連接，驅(qū)動(dòng)所述遮擋擋板在所述第五位置和所述第六 位置之間動(dòng)作。5.如權(quán)利要求4所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述遮擋結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于所述膜厚監(jiān) 控基片上方的轉(zhuǎn)動(dòng)軸和連接所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸和所述遮擋擋板的傳動(dòng)桿；其中，通過所述傳動(dòng)桿帶動(dòng)所述遮擋擋板繞所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸轉(zhuǎn)動(dòng)，所述遮擋擋板在所述第 五位置和所述第六位置之間動(dòng)作。6.如權(quán)利要求5所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述第二驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括:移動(dòng)支架，設(shè)置于所述膜厚監(jiān)控基片的上方；電機(jī)，驅(qū)動(dòng)所述移動(dòng)支架朝遠(yuǎn)離或靠近所述膜厚監(jiān)控基片的方向移動(dòng)；其中所述移動(dòng)支架朝靠近所述膜厚監(jiān)控基片的方向移動(dòng)，所述移動(dòng)支架與所述傳動(dòng)桿 連接，所述傳動(dòng)桿帶動(dòng)所述遮擋擋板向所述第六位置動(dòng)作;所述移動(dòng)支架朝遠(yuǎn)離所述膜厚 監(jiān)控基片的方向移動(dòng)，所述移動(dòng)支架與所述傳動(dòng)桿連接，所述傳動(dòng)桿帶動(dòng)所述遮擋擋板向 所述第五位置動(dòng)作。7.如權(quán)利要求4所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述蒸鍍?cè)O(shè)備包括一殼體，其中所述蒸 發(fā)源、所述基板承載機(jī)構(gòu)、所述基片固定機(jī)構(gòu)、所述遮擋結(jié)構(gòu)和所述第二驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)均設(shè)置于 所述殼體的內(nèi)部。8.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述基片固定機(jī)構(gòu)包括一承載臺(tái)，所述 膜厚監(jiān)控基片固定于所述承載臺(tái)上。9.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述基片固定機(jī)構(gòu)包括一貼附結(jié)構(gòu)，通 過所述貼附結(jié)構(gòu)，所述膜厚監(jiān)控基片與所述待蒸鍍基板貼合連接。10.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其特征在于，所述膜厚監(jiān)控基片為硅晶圓或者玻璃 材料制成。
【文檔編號(hào)】C23C14/04GK205590782SQ201620470106
【公開日】2016年9月21日
【申請(qǐng)日】2016年5月20日
【發(fā)明人】高昕偉
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司