一種蒸鍍用磁性掩模板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示面板行業(yè)，涉及一種應(yīng)用于OLED顯示面板制作過(guò)程中的蒸鍍用掩模板，具體涉及一種蒸鍍用磁性掩模板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]由于有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de,0LED)由于同時(shí)具備自發(fā)光，不需背光源、對(duì)比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡(jiǎn)單等優(yōu)異之特性，被認(rèn)為是下一代的平面顯示器新興應(yīng)用技術(shù)。
[0003]OLED生產(chǎn)過(guò)程中最重要的一環(huán)節(jié)是將有機(jī)層按照驅(qū)動(dòng)矩陣的要求沉積到基板上，形成關(guān)鍵的發(fā)光顯示單元。OLED是一種固體材料，其高精度涂覆技術(shù)的發(fā)展是制約OLED產(chǎn)品化的關(guān)鍵。目前完成這一工作，主要采用真空沉積或真空熱蒸發(fā)(VTE)的方法，其是將位于真空腔體內(nèi)的有機(jī)物分子輕微加熱(蒸發(fā))，使得這些分子以薄膜的形式凝聚在溫度較低的基板上。在這一過(guò)程中需要與OLED發(fā)光顯示單元精度相適應(yīng)的高精密掩模板作為媒介。
[0004]圖1所不是一種用于OLED蒸鍍用掩模板的結(jié)構(gòu)不意圖，具有掩模圖案10的掩模板11固定在外框12上，其中掩模板11、外框12均為金屬材料。圖2所示為圖1中A-A方向的截面放大不意圖，20為掩模部，21為有機(jī)材料蒸鍍時(shí)的掩模開(kāi)口，由于掩模板11 一般是金屬薄片通過(guò)蝕刻工藝制得，構(gòu)成其掩模圖案(10)的掩模部(20)、開(kāi)口(21)的尺寸會(huì)受到金屬薄片本身厚度h (h 一般大于30 μπι)和工藝的限制，從而限制最終OLED產(chǎn)品的分辨率；換而言之，開(kāi)口(21)的寬度尺寸dl很難進(jìn)一步做小(目前dl小于30um的開(kāi)口非常難以制作)，即使能夠做到很小，較大高寬比的開(kāi)口亦不能滿足高質(zhì)量蒸鍍過(guò)程。另外，若制作大尺寸掩模板，其金屬型的掩模主體11會(huì)具有較大的質(zhì)量，從而會(huì)導(dǎo)致掩模主體11板面產(chǎn)生下垂(即板面中間會(huì)出現(xiàn)下凹現(xiàn)象)，這對(duì)精度要求較高的掩模蒸鍍過(guò)程是不利的。鑒于此，業(yè)內(nèi)亟需一種能夠解決此問(wèn)題的方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明提供了一中心的掩模板制作工藝，通過(guò)該工藝制作的掩模板能夠有效克服以上問(wèn)題，具體技術(shù)方案如下。
[0006]一種蒸鍍用磁性掩模板的制作方法，其包括以下步驟:
51、金屬支撐層制作，制作具有一定厚度的金屬支撐層，所述金屬支撐層上設(shè)置有特定的窗口結(jié)構(gòu)；
52、金屬支撐層表面覆膜，在具有窗口結(jié)構(gòu)的所述金屬支撐層一表面覆上一層具有一定厚度的光阻形成光阻膜層；
53、光阻膜層曝光，在所述金屬支撐層具有光阻膜層的一面進(jìn)行曝光處理，對(duì)預(yù)設(shè)區(qū)域進(jìn)行曝光，在所述光阻膜層上形成曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域；
54、光阻膜層顯影，通過(guò)顯影將S3步驟中非曝光區(qū)域內(nèi)的光阻去除，保留曝光區(qū)域的光阻，顯影后形成具有開(kāi)口結(jié)構(gòu)的光阻膜層構(gòu)成所述蒸鍍用磁性掩模板的掩模層； 所述金屬支撐層及所述具有開(kāi)口結(jié)構(gòu)的光阻膜層構(gòu)成所述磁性掩模板，所述光阻膜層的厚度不大于所述金屬支撐層的厚度，所述掩膜層上形成的開(kāi)口結(jié)構(gòu)與所述S3步驟中的非曝光區(qū)域相對(duì)應(yīng)，所述掩膜層上形成的開(kāi)口結(jié)構(gòu)處于所述金屬支撐層的窗口結(jié)構(gòu)內(nèi)部，所述金屬支撐層上的每個(gè)窗口結(jié)構(gòu)內(nèi)部至少具有一個(gè)所述開(kāi)口結(jié)構(gòu)。
[0007]進(jìn)一步，所述SI步驟中的金屬支撐層是采用化學(xué)蝕刻、激光切割或者電鑄成型工藝制作的。
[0008]作為一優(yōu)選方案，所述SI步驟中的金屬支撐層是采用化學(xué)蝕刻工藝制作的，所述化學(xué)蝕刻工藝包括以下步驟:
SI 1、貼膜，在表面潔凈的金屬片材一表面壓貼或涂覆一層感光膜形成感光膜層；
512、曝光，對(duì)Sll中的感光膜層特定區(qū)域進(jìn)行曝光，其曝光的感光膜區(qū)域?yàn)槌龃翱诮Y(jié)構(gòu)外的其它區(qū)域，所述窗口結(jié)構(gòu)所在區(qū)域的感光膜未被曝光；
513、顯影，對(duì)經(jīng)過(guò)S12步驟曝光處理后的感光膜層進(jìn)行顯影處理，將未被曝光的所述窗口結(jié)構(gòu)所在區(qū)域上的感光膜去除，形成待蝕刻區(qū)域；
514、蝕刻，采用蝕刻液對(duì)顯影后附有感光膜層的金屬片材進(jìn)行蝕刻處理，所述待蝕刻區(qū)域蝕刻后形成所述金屬支撐層的窗口結(jié)構(gòu)；
515、褪膜，將蝕刻完成的片材進(jìn)行褪膜處理，將其表面附著的感光膜全部去除，即形成具有窗口結(jié)構(gòu)的金屬支撐層。
[0009]進(jìn)一步，所述S4光阻膜層顯影步驟之后還包括以下步驟:
S5、烘烤固化，將經(jīng)過(guò)S4光阻膜層顯影步驟后形成所述磁性掩模板置于烤箱中進(jìn)行烘烤固化。
[0010]進(jìn)一步，所述金屬支撐層上的所述窗口結(jié)構(gòu)為陣列方式排布。
[0011]進(jìn)一步，所述S2金屬支撐層表面覆膜步驟中是采用光阻干膜進(jìn)行壓覆成型方式或光阻濕膜涂覆成型方式進(jìn)行覆膜的。
[0012]另外作為對(duì)本發(fā)明中構(gòu)成所述磁性掩模板各層厚度的限定，所述金屬支撐層的厚度范圍為:20-60 μ m ;所述掩膜層的厚度范圍為:2-20 μ m。
[0013]進(jìn)一步，所述掩膜層上形成的所述開(kāi)口結(jié)構(gòu)的尺寸范圍為15-40 μπι。
[0014]進(jìn)一步，所述化學(xué)蝕刻工藝中S14蝕刻步驟之前還包括:
S10、保護(hù)膜壓覆，在金屬片材具有感光膜層的相對(duì)面壓貼一層保護(hù)膜，以在S14蝕刻步驟中形成對(duì)金屬片材的保護(hù)。
[0015]作為優(yōu)選，本發(fā)明中所述金屬支撐層的材料為不銹鋼、因瓦合金或者其它鎳基合金。
[0016]根據(jù)本專利【背景技術(shù)】中對(duì)現(xiàn)有技術(shù)所述，傳統(tǒng)掩模板的構(gòu)成材質(zhì)全部為金屬合金，本發(fā)明提供了一個(gè)完全不同于現(xiàn)有蝕刻工藝制作掩模板的方法，通過(guò)該方法制作的磁性掩模板具有以下優(yōu)勢(shì):由于有金屬掩模支撐層的作用，可以將構(gòu)成掩模板的有機(jī)掩膜層做的很薄，如此在保證掩膜層開(kāi)口具有較小高寬比的前提下，進(jìn)一步將開(kāi)口的寬度尺寸做的更小，從而使得形成的最終磁性掩模板能夠蒸鍍形成分辨率更高的OLED產(chǎn)品。
[0017]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
【附圖說(shuō)明】
[0018]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)一種用于OLED蒸鍍用掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2所示為圖1中A-A方向的截面放大示意圖；
圖3所示為本發(fā)明所提供的磁性掩模板制作流程；
圖4所示為采用本發(fā)明所提供方法進(jìn)行掩模板制作的示意圖；
圖5所示為采用本發(fā)明所提供方法進(jìn)行掩模板制作的另一種示意圖；
圖6所示為本發(fā)明中金屬支撐層的制作流程示意圖；
圖7所示為本發(fā)明中技術(shù)支撐層的另一制作流程示意圖；
圖8所示為采用本發(fā)明所涉及方法制作的磁性掩模板的整體示意圖；
圖9所示為圖8中沿B-B方向的截面示意圖；
圖10所示為構(gòu)成磁性掩模板的掩模層整體示意圖；
圖11所示為構(gòu)成磁性掩模板的金屬支撐層整體示意圖；
圖12所不為圖9中I區(qū)域的放大不意圖；
圖13所示為另一種采用本發(fā)明所涉及方法制作的磁性掩模板的整體示意圖；
圖14為圖13中I部分的放大示意圖；
圖15為圖14中B-B方向的截面示意圖；
圖16為圖14反面的不意圖；
圖17為與本發(fā)明所涉及掩模板另一種不同結(jié)構(gòu)的示意圖；
圖18所示為采用本發(fā)明磁性掩模板進(jìn)行蒸鍍有機(jī)材料的示意圖。
[0019]
其中，圖1中，10—一掩模圖案，11一一掩模板，12—一外框，A-A—一待剖截面；
圖2中，20——掩模部，21——有機(jī)材料蒸鍍時(shí)的掩模開(kāi)口，dl——開(kāi)口 21的寬度尺寸，h 掩模板厚度；
圖4中，41為金屬支撐層，410為金屬支撐層上窗口結(jié)構(gòu)，42為光阻膜層，420為光阻膜層42上的開(kāi)口結(jié)構(gòu)，421為曝光區(qū)域，422為顯影區(qū)域；
圖6中，40為金屬片材，60為感光膜層，601為感光膜層上被曝光的區(qū)域，602為未曝光的區(qū)域，600為顯影后形成裸露的待蝕刻區(qū)域；
圖7中，61為保護(hù)膜層；
圖8中，30為磁性掩模板，311為設(shè)置在磁性掩模板30上用于蒸鍍的開(kāi)口結(jié)構(gòu)420陣列形成的開(kāi)口單元，B-B一一待剖截面，d2為相鄰兩開(kāi)口單元311之間的間隙寬度；
圖9中，I為待放大的區(qū)域；
圖10中，312為光阻膜層42上相鄰兩開(kāi)口單元311之間的間