一種小開(kāi)口蒸鍍用掩模板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示面板制作行業(yè)，涉及一種應(yīng)用于OLED顯示面板制作過(guò)程中的蒸鍍用掩模板，具體涉及一種小開(kāi)口蒸鍍用掩模板。
【背景技術(shù)】
[0002]由于有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de,0LED)由于同時(shí)具備自發(fā)光，不需背光源、對(duì)比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡(jiǎn)單等優(yōu)異之特性，被認(rèn)為是下一代的平面顯示器新興應(yīng)用技術(shù)。
[0003]OLED生產(chǎn)過(guò)程中最重要的一環(huán)節(jié)是將有機(jī)層按照驅(qū)動(dòng)矩陣的要求沉積到基板上，形成關(guān)鍵的發(fā)光顯示單元。OLED是一種固體材料，其高精度涂覆技術(shù)的發(fā)展是制約OLED產(chǎn)品化的關(guān)鍵。目前完成這一工作，主要采用真空沉積或真空熱蒸發(fā)(VTE)的方法，其是將位于真空腔體內(nèi)的有機(jī)物分子輕微加熱(蒸發(fā))，使得這些分子以薄膜的形式凝聚在溫度較低的基板上。在這一過(guò)程中需要與OLED發(fā)光顯示單元精度相適應(yīng)的高精密掩模板作為媒介。
[0004]圖1所不是一種用于OLED蒸鍍用掩模板的結(jié)構(gòu)不意圖，具有掩模圖案10的掩模板11固定在外框12上，其中掩模板11、外框12均為金屬材料。圖2所示為圖1中A-A方向的截面放大示意圖，20為掩模部，21為有機(jī)材料蒸鍍時(shí)在基板上形成薄膜所經(jīng)過(guò)的開(kāi)口，由于掩模板11 一般是金屬薄片通過(guò)蝕刻工藝制得，構(gòu)成其掩模圖案(10)的掩模部(20)、開(kāi)口(21)的尺寸會(huì)受到金屬薄片本身厚度h (h 一般大于30 μ m)和工藝的限制，從而限制最終OLED產(chǎn)品的分辨率；換而言之，開(kāi)口(21)的寬度尺寸dl很難進(jìn)一步做小(目前dl小于30um的開(kāi)口非常難以制作)，即使能夠做到很小，較大高寬比的開(kāi)口亦不能滿(mǎn)足高質(zhì)量蒸鍍過(guò)程。鑒于此，業(yè)內(nèi)亟需一種能夠解決此問(wèn)題的方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種小開(kāi)口蒸鍍用掩模板，能夠有效克服以上問(wèn)題，具體技術(shù)方案如下。
[0006]—種小開(kāi)口蒸鍍用掩模板，所述掩模板包括掩模層和掩模支撐層兩層結(jié)構(gòu)，所述掩膜層具有由掩模開(kāi)口陣列形成的開(kāi)口單元，所述掩模支撐層具有由支撐窗口陣列形成的窗口單元，所述掩模層和所述掩模支撐層之間緊密貼合；構(gòu)成所述開(kāi)口單元的掩模開(kāi)口陣列方式與構(gòu)成所述窗口單元的支撐窗口陣列方式相同，所述掩模開(kāi)口與所述支撐窗口對(duì)應(yīng)，且每個(gè)所述掩模開(kāi)口設(shè)置于相應(yīng)的所述支撐窗口內(nèi)部；所述掩模開(kāi)口的開(kāi)口尺寸小于相對(duì)應(yīng)的所述支撐窗口的開(kāi)口尺寸，所述掩膜層的厚度不大于所述掩模支撐層的厚度。
[0007]本發(fā)明中，最終決定掩模板蒸鍍效果在于掩膜層掩模開(kāi)口的開(kāi)口質(zhì)量，在相對(duì)較薄的掩模層上可以設(shè)置質(zhì)量更高的掩模開(kāi)口(即制作的掩模開(kāi)口邊緣整齊)，具有較小的高寬比(即掩模層厚度與開(kāi)口尺寸比值較小)，于本發(fā)明中，所述掩膜層的厚度范圍為:2-20 μ m ;所述掩模支撐層的厚度范圍為:20-60 μ m。
[0008]作為本發(fā)明的優(yōu)選，所述掩膜層的厚度為:5 μηι、8 μ m、12 μ m、15 μ m或18 μ m ;戶(hù)斤述掩模支撐層的厚度為:25 μ m、30 μ m、35 μ m、40 μ m、45 μ m或50 μ m。
[0009]—種實(shí)施例，構(gòu)成所述開(kāi)口單元的掩模開(kāi)口與構(gòu)成所述窗口單元的支撐窗口的開(kāi)口形狀均為矩形，所述掩模層上所述掩模開(kāi)口的邊長(zhǎng)尺寸范圍為15-40 μ m0
[0010]另一些實(shí)施例中，構(gòu)成所述開(kāi)口單元的掩模開(kāi)口與構(gòu)成所述窗口單元的支撐窗口的開(kāi)口形狀均為正六邊形或八邊形，所述掩模層上所述掩模開(kāi)口的邊長(zhǎng)尺寸范圍為10-30 μmD
[0011 ] 構(gòu)成所述開(kāi)口單元的掩模開(kāi)口與構(gòu)成所述窗口單元的支撐窗口的開(kāi)口形狀均也可以為圓形，所述掩模層上所述掩模開(kāi)口的直徑尺寸范圍為15-45 μπι。
[0012]進(jìn)一步，構(gòu)成所述掩模板的掩模層的材質(zhì)為有機(jī)材料。
[0013]進(jìn)一步，所述掩模支撐層的材質(zhì)為金屬材料，其優(yōu)選為不銹鋼、因瓦合金或者其它鎳基合金。
[0014]根據(jù)本專(zhuān)利【背景技術(shù)】中對(duì)現(xiàn)有技術(shù)所述，傳統(tǒng)掩模板的構(gòu)成材質(zhì)全部為金屬合金，本發(fā)明提供了一個(gè)完全不同于現(xiàn)有掩模板的技術(shù)方案，本發(fā)明的小開(kāi)口蒸鍍用掩模板具有以下優(yōu)勢(shì):由于有金屬掩模支撐層的作用，可以將構(gòu)成掩模板的有機(jī)掩模層做的很薄，如此在保證掩模層的掩模開(kāi)口具有較小高寬比的前提下，進(jìn)一步將開(kāi)口的寬度尺寸做的更小，從而使得形成的最終掩模板能夠蒸鍍形成分辨率更高的OLED產(chǎn)品。
[0015]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
【附圖說(shuō)明】
[0016]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)一種用于OLED蒸鍍用掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2所示為圖1中A-A方向的截面放大示意圖；
圖3所示為本發(fā)明所涉及小開(kāi)口蒸鍍用掩模板實(shí)施例一的整體示意圖；
圖4為圖3中I部分的放大示意圖；
圖5為圖4中B-B方向的截面示意圖；
圖6為圖4所示結(jié)構(gòu)反面的示意圖；
圖7為與本發(fā)明所涉及掩模板實(shí)施例二的示意圖；
圖8為與本發(fā)明所涉及掩模板實(shí)施例三的示意圖；
圖9所示為采用本發(fā)明小開(kāi)口蒸鍍用掩模板進(jìn)行蒸鍍有機(jī)材料的示意圖。
[0017]
其中，圖1中，10——由開(kāi)口單元構(gòu)成的掩模圖案，11——掩模板，12——外框，A-A——待剖截面；
圖2中，20——掩模部，21——有機(jī)材料蒸鍍時(shí)的掩模開(kāi)口，dl——開(kāi)口 21的寬度尺寸，h--掩模板厚度；
圖3中，30為本發(fā)明的掩模板，I為待放大區(qū)域；
圖4中，410為支撐窗口，420為掩模開(kāi)口，d2為矩形掩模開(kāi)口 420的邊長(zhǎng)尺寸，B-B為待剖截面； 圖5中，41為掩模支撐層，42為掩模層，hi為掩模支撐層41的厚度，h2為掩模層42的厚度；
圖9中，90為基板，91為固定掩模板組件的固定機(jī)構(gòu)，92為有機(jī)蒸鍍?cè)础?br>[0018]
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0020]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”、“底”、“頂”、“前”、“后”、“內(nèi)”、“外”、“橫”、“豎”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0021]下面將參照附圖來(lái)描述本發(fā)明所涉及的小開(kāi)口蒸鍍用掩模板，圖3所示為本發(fā)明所涉及小開(kāi)口蒸鍍用掩模板實(shí)施例一的整體不意圖；圖4為圖3中I部分的放大不意圖；圖5為圖4中B-B方向的截面示意圖；圖6為圖4所示結(jié)構(gòu)反面的示意圖；圖7為與本發(fā)明所涉及掩模板實(shí)施例二的示意圖；圖8為與本發(fā)明所涉及掩模板實(shí)施例三的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]實(shí)施例一:
如圖3所示，掩模板30上設(shè)置有陣列形式的掩模圖案，其具體結(jié)構(gòu)如圖4、圖5、圖6所示。本實(shí)施例中，掩模板30包括掩模層42和掩模支撐層41兩層結(jié)構(gòu)，掩膜層42具有由掩模開(kāi)口 420陣列形成的開(kāi)口單元(開(kāi)口單元即為一組緊密排布的掩模開(kāi)口)，掩模支撐層41具有由支撐窗口 410陣列形成的窗口單元(窗口單元即為一組緊密排布的支撐窗口)，如圖
5所示，掩模層42和掩模支撐層41之間緊密貼合；如圖4、圖6所示，構(gòu)成開(kāi)口單元的掩模開(kāi)口 420陣列方式與構(gòu)成窗口單元的支撐窗口 410陣列方式相同，掩模開(kāi)口 420與支撐窗口 410——對(duì)應(yīng)，且每個(gè)掩模開(kāi)口 420設(shè)置于相應(yīng)的支撐窗口 410內(nèi)部