一種有機dast晶體的表面研磨工藝方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機DAST晶體的表面研磨工藝方法。其流程為：①在5000#砂紙上進行DAST晶體表面粗磨；②按體積比配制20%～80%乙酸乙酯和20%～80%無水乙醇混合的研磨液，將DAST晶體在無紡布材質(zhì)的研磨墊上進行晶體研磨；③按體積比配制55%～85%乙酸乙酯和15%～45%無水乙醇混合的研磨液，將DAST晶體在無紡布材質(zhì)的研磨墊上進行細磨；④將DAST晶體置于乙酸乙酯溶液中清洗；⑤將DAST晶體置于50℃～80℃溫度條件下，真空干燥5min～15min。本發(fā)明能夠有效地去除DAST晶體表面的凹坑、生長臺階等宏觀缺陷，降低了晶體的表面粗糙度，可得到具有較平整且易于后期加工的晶體表面。
【專利說明】
_種有機DAST晶體的表面研磨工藝方法
技術領域
[0001 ]本發(fā)明涉及有機DAST晶體的表面處理方法，尤其是涉及一種有機DAST晶體的表面研磨工藝方法。
【背景技術】
[0002]有機光學DAST晶體(即4-N，N-二甲胺基_4’ -N’ -甲基-氮雜芪的對甲苯磺酸鹽，英文名為4-N，N-dimethylamino_4’-N’-methyl_stilbazoIium tosylate)屬于有機卩比啶鹽類晶體，生長有機晶體一般采用溶液法進行。
[0003]DAST晶體是由陽離子基團(DAS)和陰離子基團(甲苯磺酸基)組成的離子晶體。在晶體生長過程中，晶體表面溶液過飽和度的波動會引起生長層的不一致，使得晶體表面呈現(xiàn)臺階形貌，直接影響晶體太赫茲發(fā)射性能。除此之外，由于受其他因素的影響，使得晶體表面不可避免地存在凹坑、位錯等缺陷，當晶體表面存在缺陷、吸水或者晶體表面不平整時，會對光產(chǎn)生散射、折射和吸收，使得晶體的太赫茲發(fā)射效率低，失去了晶體的光學應用價值。
[0004]為了避免浪費，迫切需要對DAST晶體進行表面研磨處理，使晶體表面能夠滿足光學應用。
[0005]由于DAST晶體極易溶于有機溶劑和吸水的特性，傳統(tǒng)的研磨液不能滿足其研磨要求，因而迫切需要研制一項具有良好研磨效果的DAST表面研磨工藝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]鑒于現(xiàn)有技術存在的問題和缺陷，本發(fā)明提供一種能夠達到良好研磨效果的有機DAST晶體的表面研磨工藝方法。
[0007]本發(fā)明采取的技術方案是:一種有機DAST晶體的表面研磨工藝方法，其特征在于:該研磨工藝其方法流程為:
第一步:在5000#砂紙上進行DAST晶體表面粗磨，將DAST晶體表面磨平；
第二步:按體積比配制20%?80%乙酸乙酯和20%?80%無水乙醇混合的研磨液，將DAST晶體在無紡布材質(zhì)的研磨墊上進行晶體研磨，以去除晶體表面不平整缺陷；
第三步:按體積比配制55%?85%乙酸乙酯和15%?45%無水乙醇混合的研磨液，將DAST晶體在無紡布材質(zhì)的研磨墊上進行細磨，以去除研磨時的劃痕，降低晶體表面粗糙度；
第四步:將DAST晶體置于分析純的乙酸乙酯溶液中清洗，將晶體表面殘留的研磨液和其它殘留物清洗干凈；
第五步:將DAST晶體置于50 0C?80 °C溫度條件下，真空干燥5min?15min。
[0008]本發(fā)明的有益效果是:能夠有效地去除DAST晶體表面的凹坑、生長臺階等宏觀缺陷，降低了晶體的表面粗糙度，可得到具有較平整且易于后期加工的晶體表面。
【具體實施方式】
[0009]以下結合實施例對本發(fā)明進行詳細說明ο
[0010]實施例1:有機DAST晶體表面研磨工藝具體步驟如下:
①在5000#砂紙上進行DAST晶體表面粗磨；
②使用按體積比20%乙酸乙酯和80%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上進行研磨；
③使用按體積比85%乙酸乙酯和15%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上繼續(xù)進行研磨；
④將DAST晶體置于乙酸乙酯溶液中進行清洗；
⑤在65°C溫度條件下，將DAST晶體真空干燥1min。
[0011 ] ⑥以上實驗均在室溫25°C ±5°C，濕度20%?30%條件下進行。
[0012]實施例2:有機DAST晶體表面研磨工藝具體步驟如下:
①在5000#砂紙上進行DAST晶體表面粗磨；
②使用按體積比20%乙酸乙酯和80%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上進行研磨；
③使用按體積比65%乙酸乙酯和35%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上繼續(xù)進行研磨；
④將DAST晶體置于乙酸乙酯溶液中進行清洗；
⑤在65°C溫度條件下，將DAST晶體真空干燥1min。
[0013]⑥以上實驗均在室溫25°C ±5°C，濕度20%?30%條件下進行。
[0014]實施例3:有機DAST晶體表面研磨工藝具體步驟如下:
①在5000#砂紙上進行DAST晶體表面粗磨；
②使用按體積比20%乙酸乙酯和80%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上進行研磨；
③使用按體積比55%乙酸乙酯和45%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上繼續(xù)進行研磨；
④將DAST晶體置于乙酸乙酯溶液中進行清洗；
⑤在65°C溫度條件下，將DAST晶體真空干燥1min。
[0015]⑥以上實驗均在室溫25°C ±5°C，濕度20%?30%條件下進行。
[0016]實施例4:有機DAST晶體表面研磨工藝具體步驟如下:
①在5000#砂紙上進行DAST晶體表面粗磨；
②使用按體積比40%乙酸乙酯和60%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上進行研磨；
③使用按體積比85%乙酸乙酯和15%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上繼續(xù)進行研磨；
④將DAST晶體置于乙酸乙酯溶液中進行清洗；
⑤在65°C溫度條件下，將DAST晶體真空干燥1min。
[0017]⑥以上實驗均在室溫25°C ±5°C，濕度20%?30%條件下進行。
[0018]實施例5:有機DAST晶體表面研磨工藝具體步驟如下:
①在5000#砂紙上進行DAST晶體表面粗磨； ②使用按體積比40%乙酸乙酯和60%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上進行研磨；
③使用按體積比65%乙酸乙酯和35%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上繼續(xù)進行研磨；
④將DAST晶體置于乙酸乙酯溶液中進行清洗；
⑤在65°C溫度條件下，將DAST晶體真空干燥1min。
[0019]⑥以上實驗均在室溫25°C ±5°C，濕度20%?30%條件下進行。
[0020]實施例6:有機DAST晶體表面研磨工藝具體步驟如下:
①在5000#砂紙上進行DAST晶體表面粗磨；
②使用按體積比40%乙酸乙酯和60%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上進行研磨；
③使用按體積比55%乙酸乙酯和45%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上繼續(xù)進行研磨；
④將DAST晶體置于乙酸乙酯溶液中進行清洗；
⑤在65°C溫度條件下，將DAST晶體真空干燥1min。
[0021 ] ⑥以上實驗均在室溫25°C ±5°C，濕度20%?30%條件下進行。
[0022]實施例7:有機DAST晶體表面研磨工藝具體步驟如下:
①在5000#砂紙上進行DAST晶體表面粗磨；
②使用按體積比80%乙酸乙酯和20%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上進行研磨；
③使用按體積比85%乙酸乙酯和15%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上繼續(xù)進行研磨；
④將DAST晶體置于乙酸乙酯溶液中進行清洗；
⑤在65°C溫度條件下，將DAST晶體真空干燥1min。
[0023]⑥以上實驗均在室溫25°C ±5°C，濕度20%?30%條件下進行。
[0024]實施例8:有機DAST晶體表面研磨工藝具體步驟如下:
①在5000#砂紙上進行DAST晶體表面粗磨；
②使用按體積比80%乙酸乙酯和20%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上進行研磨；
③使用按體積比65%乙酸乙酯和35%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上繼續(xù)進行研磨；
④將DAST晶體置于乙酸乙酯溶液中進行清洗；
⑤在65°C溫度條件下，將DAST晶體真空干燥1min。
[0025]⑥以上實驗均在室溫25°C ±5°C，濕度20%?30%條件下進行。
[0026]實施例9:有機DAST晶體表面研磨工藝具體步驟如下:
①在5000#砂紙上進行DAST晶體表面粗磨；
②使用按體積比80%乙酸乙酯和20%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上進行研磨；
③使用按體積比55%乙酸乙酯和45%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上繼續(xù)進行研磨；
④將DAST晶體置于乙酸乙酯溶液中進行清洗；
⑤在65°C溫度條件下，將DAST晶體真空干燥1min。
[0027]⑥以上實驗均在室溫25°C ±5°C，濕度20%?30%條件下進行。
[0028]通過以上實施例，在5000#砂紙上進行DAST晶體表面粗磨，使用按體積比40%乙酸乙酯和60%無水乙醇配成的研磨溶液和按體積比55%乙酸乙酯和45%無水乙醇配成的研磨溶液，在無紡布材質(zhì)的研磨墊上進行二步研磨后，將DAST晶體置于乙酸乙酯溶液中進行清洗，最后在65°C溫度條件下，真空干燥lOmin。經(jīng)檢測，有機DAST晶體表面粗糙度可達到微米級，能夠達到光學測試和太赫茲發(fā)射測試標準，因而，實施例4的研磨效果最佳，為本發(fā)明最佳實施例。
【主權項】
1.一種有機DAST晶體的表面研磨工藝方法，其特征在于:該研磨工藝其方法流程為: 第一步:在5000#砂紙上進行DAST晶體表面粗磨，將DAST晶體表面磨平； 第二步:按體積比配制20%?80%乙酸乙酯和20%?80%無水乙醇混合的研磨液，將DAST晶體在無紡布材質(zhì)的研磨墊上進行晶體研磨，以去除晶體表面不平整缺陷； 第三步:按體積比配制55%?85%乙酸乙酯和15%?45%無水乙醇混合的研磨液，將DAST晶體在無紡布材質(zhì)的研磨墊上進行細磨，以去除研磨時的劃痕，降低晶體表面粗糙度；第四步:將DAST晶體置于分析純的乙酸乙酯溶液中清洗，將晶體表面殘留的研磨液和其它殘留物清洗干凈； 第五步:將DAST晶體置于50°C?80°C溫度條件下，真空干燥5min?15min。
【文檔編號】B24B1/00GK106002498SQ201610618672
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年8月1日
【發(fā)明人】武聰, 孟大磊, 龐子博, 徐永寬, 于其凱, 徐世海, 洪穎, 程紅娟, 王麗婧
【申請人】中國電子科技集團公司第四十六研究所