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      一種實(shí)現(xiàn)二維材料圖形化的方法與流程

      文檔序號(hào):11819202閱讀:1234來源:國知局
      一種實(shí)現(xiàn)二維材料圖形化的方法與流程

      本發(fā)明涉及器件加工方法,尤其是一種二維材料的加工方法。



      背景技術(shù):

      作為一種典型的二維材料,石墨烯在2004年首次被發(fā)現(xiàn)并因?yàn)槠洫?dú)特的性質(zhì)了引發(fā)人們廣泛而持續(xù)的關(guān)注。英國曼徹斯特大學(xué)物理學(xué)家安德烈?蓋姆和康斯坦丁?諾沃肖洛夫也因?yàn)榘l(fā)現(xiàn)石墨烯而獲得2010年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。在石墨烯研究熱潮的帶動(dòng)下其他二維材料如硫化鉬、氮化硼等也相繼被研發(fā)出來并實(shí)現(xiàn)器件化應(yīng)用,表現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)異的器件性能。為了實(shí)現(xiàn)二維材料的器件化應(yīng)用往往需要結(jié)合一定的圖形化工藝,實(shí)現(xiàn)諸如石墨烯納米帶、納米孔洞等結(jié)構(gòu),以完成器件制備和性能實(shí)現(xiàn)。光刻是一種常用的圖形化方法,但其復(fù)雜的工藝流程往往會(huì)在二維材料表面引入雜質(zhì),從而極大地影響器件性能。激光直寫技術(shù)可以避免化學(xué)物質(zhì)的使用和界面污染,但其圖形化制備成本較高,大規(guī)模實(shí)現(xiàn)也受制于較低的直寫速率。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,本發(fā)明提供了一種操作簡(jiǎn)單、使用方便的實(shí)現(xiàn)二維材料圖形化的方法。該方法利用KrF準(zhǔn)分子激光器,選用一維或二維位相光柵可分別在二維材料上實(shí)現(xiàn)條紋或孔洞結(jié)構(gòu)。該方法不需要復(fù)雜的儀器和工藝,操作簡(jiǎn)單,且對(duì)二維材料具有普適性,可實(shí)現(xiàn)二維材料的器件化應(yīng)用。

      本發(fā)明中的一種實(shí)現(xiàn)二維材料圖形化的方法,采用儀器包括襯底、二維材料薄膜、位相光柵和激光;襯底是二維材料薄膜的生長(zhǎng)或轉(zhuǎn)移模板,位相光柵是用于產(chǎn)生空間干涉圖形的光學(xué)元件,激光為波長(zhǎng)248nm的KrF準(zhǔn)分子激光;二維材料薄膜為單層石墨烯;實(shí)現(xiàn)二維材料圖形化包括如下步驟:

      1)將轉(zhuǎn)移過單層石墨烯材料的二氧化硅/硅襯底放置在操作臺(tái)上;

      2)將位相光柵放置在樣品上方,根據(jù)需求可選擇一維或二維位相光柵實(shí)現(xiàn)石墨烯納米帶或納米孔洞結(jié)構(gòu);

      3)使用激光照射位相光柵和樣品;激光通過位相光柵發(fā)生相干現(xiàn)象形成激光能量的空間分布,照射到石墨烯上實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的圖形化結(jié)構(gòu)。

      作為優(yōu)選,所述襯底材料為硬質(zhì)襯底或柔性襯底。所述硬質(zhì)襯底為二氧化硅、硅、藍(lán)寶石或玻璃。所述柔性襯底為聚合物膜。

      作為優(yōu)選,所述二維材料膜為石墨烯、硫化鉬或氮化硼制成。

      本發(fā)明的有益效果:1、采用非接觸方式,快速、大規(guī)模實(shí)現(xiàn)二維材料的圖形化,避免復(fù)雜流程對(duì)二維材料的污染;2、襯底選擇的多樣性。適用于硬質(zhì)的襯底(如二氧化硅/硅、藍(lán)寶石、玻璃等)以及柔性襯底(聚合物膜)等;3、材料選擇的多樣性??捎糜趯?shí)現(xiàn)圖形化的材料包括石墨烯、硫化鉬、氮化硼等二維材料及其他有機(jī)、無機(jī)薄膜材料。

      附圖說明

      圖1為一種實(shí)現(xiàn)二維材料圖形化的方法的流程示意圖。

      圖2為二維材料轉(zhuǎn)移到襯底上的示意圖。

      圖3為一維位相光柵實(shí)現(xiàn)的納米帶結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖4為二維位相光柵實(shí)現(xiàn)的納米網(wǎng)結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖5為條紋狀石墨烯納米帶結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微鏡圖像。

      圖6為孔洞狀石墨烯納米網(wǎng)結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微鏡圖像。

      圖中標(biāo)記:11、襯底,12、二維材料薄膜,13、位相光柵,14、激光,21、襯底,31、襯底。

      具體實(shí)施方式

      下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明,但不應(yīng)將此理解為本發(fā)明的上述主題的范圍僅限于上述實(shí)施例。

      如圖1-4所示,一種實(shí)現(xiàn)二維材料圖形化的方法,采用儀器包括襯底11、二維材料薄膜12、位相光柵13和激光14;襯底11是二維材料薄膜12的生長(zhǎng)或轉(zhuǎn)移模板,位相光柵13是用于產(chǎn)生空間干涉圖形的光學(xué)元件,激光14為波長(zhǎng)248nm的KrF準(zhǔn)分子激光;襯底11材料為二氧化硅或硅,二維材料薄膜12為單層石墨烯;實(shí)現(xiàn)二維材料圖形化包括如下步驟:

      1)將轉(zhuǎn)移過單層石墨烯材料的二氧化硅/硅襯底放置在操作臺(tái)上;

      2)將位相光柵放置在樣品上方,根據(jù)需求可選擇一維或二維位相光柵實(shí)現(xiàn)石墨烯納米帶或納米孔洞結(jié)構(gòu);

      3)使用激光照射位相光柵和樣品;激光通過位相光柵發(fā)生相干現(xiàn)象形成激光能量的空間分布,照射到石墨烯上實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的圖形化結(jié)構(gòu)。

      如圖5-6所示,從圖中可以看到大規(guī)模圖形化的條狀納米帶和孔洞狀納米網(wǎng)結(jié)構(gòu),圖形周期約為2um。

      本發(fā)明中實(shí)現(xiàn)二維材料圖形化的方法的有益效果:1、采用非接觸方式,快速、大規(guī)模實(shí)現(xiàn)二維材料的圖形化,避免復(fù)雜流程對(duì)二維材料的污染;2、襯底選擇的多樣性。適用于硬質(zhì)的襯底(如二氧化硅/硅、藍(lán)寶石、玻璃等)以及柔性襯底(聚合物膜)等;3、材料選擇的多樣性。可用于實(shí)現(xiàn)圖形化的材料包括石墨烯、硫化鉬、氮化硼等二維材料及其他有機(jī)、無機(jī)薄膜材料。

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