1.一種低溫燒結高致密度的大功率LED散熱氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，該陶瓷基板由以下重量份的原料制成：氮化鋁35-50、納米氧化鋁8-10、氧化釔2-3、氧化鉬0.4-0.5、氟化鋯0.5-1、聚乙烯醇1-2、離子液體10-15、異丙醇鋁0.1-0.2、正硅酸乙酯0.4-0.5、去離子水20-25，適量的稀硝酸溶液。
2.如權利要求1所述的一種低溫燒結高致密度的大功率LED散熱氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述的氮化鋁的氧含量為0.5-1.5wt.%，D50粒徑為0.5-2μm。
3.如權利要求1所述的一種低溫燒結高致密度的大功率LED散熱氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述的氧化釔純度大于99.99%，D50粒徑為0.1-0.5μm。
4.如權利要求1所述的一種低溫燒結高致密度的大功率LED散熱氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述的氧化鉬D50粒徑為0.1-0.5μm。
5.如權利要求1所述的一種低溫燒結高致密度的大功率LED散熱氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述的氟化鋯D50粒徑為0.1-0.5μm。
6.如權利要求1所述的一種低溫燒結高致密度的大功率LED散熱氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述的離子液體為水溶性離子液體。
7.如權利要求1所述的一種低溫燒結高致密度的大功率LED散熱氮化鋁陶瓷基板的制備方法分為以下幾個步驟：
（1）先將異丙醇鋁與8-10重量份的去離子水混合，置于90℃水浴條件下，磁力攪拌混合，待混合液的pH值不再變化為止，隨后加入稀硝酸溶液，調節(jié)體系pH值為4.0-5.0，隨后水浴升溫至100℃，繼續(xù)回流1-1.5h得到穩(wěn)定的鋁溶膠備用；
（2）將正硅酸乙酯與余量的去離子水混合，在50-60℃的水浴中超聲反應20-30min，隨后滴加稀硝酸溶液，調節(jié)溶液pH值為4.0-5.0，反應40-50min后得硅溶膠備用；
（3）將步驟（1）制備的鋁溶膠加熱至80-85℃，緩慢加入步驟（2）制備的硅溶膠，邊加邊攪拌，隨后再加入聚乙烯醇，繼續(xù)攪拌混合40-50min后備用；
（4）將納米氧化鋁與離子液體混合球磨20-30min，隨后將其與氮化鋁、氧化釔、氧化鉬、氟化鋯混合，繼續(xù)球磨分散3-5h，最后再將其與步驟（3）制得的物料混合，再次球磨分散10-15h，球磨結束后所得漿料真空脫泡，控制粘度為4500-6000mPa.s，所得漿料進行流延處理，控制厚度，得到胚體；
（5）將制得的胚體在承燒板上以1-2℃/min的升溫速率升溫至400-500℃，保溫排膠5-6h，隨后在1650-1750℃條件下真空保溫燒結4-5h，出料后即得。