本發(fā)明涉及人工合成水晶設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種Ф400高壓釜。

背景技術(shù)：

近些年，我國生長水晶的廠家增加了許多，水晶產(chǎn)量成倍增長，市場上出現(xiàn)了供大于求的局面，基本以口徑Ф240、Ф250為主。高壓釜口徑的大小直接影響水晶的包裹體、Q值曲線、腐蝕隧道、單塊水晶尺寸的尺寸差；小口徑高壓釜的容積小、熱容量小，生長過程中受外界影響溫度波動大，Q值曲線呈“V”字型變化；高壓釜的容積越大，生長的晶體質(zhì)量越好，因為容積越大，生長系統(tǒng)中液流相對平衡，由于其等容大，使溫度的波動減少，所以大型高壓釜生長的水晶包裹體少、透明度好、Q值高，而且產(chǎn)量高、耗電少，經(jīng)濟(jì)效益好。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的就是為了解決上述技術(shù)問題，而提供一種Ф400高壓釜。

本發(fā)明包括底座、底爐、釜體、保溫筒、電加熱帶、釜帽、釜口和用于裝載石英的料框，所述底爐的外殼固定安裝在底座上，所述釜體的底部安裝在底座上，并罩在底爐的上方，所述保溫筒套在釜體的外壁上，所述電加熱帶設(shè)置在釜體的內(nèi)壁上，所述釜口設(shè)置在釜體的頂部上，所述釜帽通過卡箍安裝在釜口上，所述料筐掛載在釜體的內(nèi)壁上。

還有保溫罩，所述保溫罩罩在釜口上。

還有壓力表，所述保溫罩上設(shè)有壓力表連接管通過孔，所述壓力表通過壓力表連接管連接在釜口上。

所述底爐采用材料為Cr25Al5的電阻絲。

還有溫度控制模塊，所述溫度控制模塊包括一組熱電偶和溫控芯片，所述一組熱電偶分別設(shè)置在釜體內(nèi)，并分別與溫控芯片通信相連，所述溫控芯片分別控制底爐和電加熱帶的開、關(guān)及加熱功率。

所述保溫筒的厚度為350mm。

本發(fā)明具有以下優(yōu)點：本發(fā)明通過對生長區(qū)和溶解區(qū)加熱系統(tǒng)功率的分配及底爐的設(shè)計，保溫系統(tǒng)、籽晶架、料筐的設(shè)計，通過對功率設(shè)計及底爐創(chuàng)新使用，強(qiáng)化保溫，為水晶生長提供足夠動力，料筐的設(shè)計能夠裝入足夠的石英，為水晶的生長提高足夠的營養(yǎng)，可產(chǎn)出優(yōu)質(zhì)的石英晶體，具有很好的實用推廣價值。

附圖說明

圖1是本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1、底座；2、底爐；3、釜體、4、保溫筒；5、電加熱帶；6、釜帽；7、釜口；8、卡箍；9、料筐；10、保溫罩；11、壓力表；12、一組熱電偶；13、溫控芯片。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。

如圖1所示，本發(fā)明包括底座1、底爐2、釜體3、保溫筒4、電加熱帶5、釜帽6、釜口7和用于裝載石英的料筐9，所述底爐2的外殼固定安裝在底座1上，所述釜體3的底部安裝在底座1上，并罩在底爐2的上方，所述保溫筒4套在釜體3的外壁上，所述電加熱帶5設(shè)置在釜體3的內(nèi)壁上，所述釜口7設(shè)置在釜體3的頂部上，所述釜帽6通過卡箍8安裝在釜口7上，所述料框9掛載在釜體3的內(nèi)壁上。

還有保溫罩10，所述保溫罩10罩在釜口7上。

還有壓力表11，所述保溫罩10上設(shè)有壓力表連接管通過孔，所述壓力表11通過壓力表連接管連接在釜口7上。

所述底爐2采用材料為Cr25Al5的電阻絲。

還有溫度控制模塊，所述溫度控制模塊包括一組熱電偶12和溫控芯片13，所述一組熱電偶12分別設(shè)置在釜體3內(nèi)，并分別與溫控芯片13通信相連，所述溫控芯片13分別控制底爐2和電加熱帶5的開、關(guān)及加熱功率。

所述保溫筒4的厚度為350mm。

工作方式及原理：通過對生長區(qū)和溶解區(qū)加熱系統(tǒng)功率的分配及底爐的設(shè)計，保溫系統(tǒng)、籽晶架、料筐的設(shè)計，將Ф400高壓釜的產(chǎn)能及優(yōu)勢發(fā)揮到極致，生長的晶體為Z＝100～110mm，X＝160～175mm，Y＝235mm，Q＝(200～240)×10⁶，F(xiàn)≤30條/cm²，單釜產(chǎn)量為570公斤，Ⅰ、Ⅱ類包裹體達(dá)到95％，合格率為98％。

本發(fā)明型通過對Ф400高壓釜加熱系統(tǒng)功率的分配及底爐的設(shè)計、料筐的設(shè)計，其特征在于:

加熱帶⑦設(shè)計：生長區(qū)加熱帶功率占總功率的42℅，溶解區(qū)占總功率的58℅；

底爐⑨的功率為5KW。

保溫系統(tǒng)的設(shè)計：保溫筒⑥的厚度為350m，釜口保溫罩⑤使用專用保溫進(jìn)行保溫。

料筐⑧的設(shè)計：石英裝入量為650公斤。

生長溫度：生長區(qū)溫度為332～336℃，溶解區(qū)溫度為337～381℃，溫差為45℃，壓力為138Mpa。

生長速度為：

高壓釜的裝滿度為82％

選用的籽晶規(guī)格為F≤30條/cm²，X＝100mm，Y＝235mm。

1、加熱帶共75圈，生長區(qū)加熱帶功率占總功率的42％；共溶解區(qū)占總功率的58％，將加熱帶固定高壓釜釜體上。

2、底爐使用44米廠的電阻絲，制作功率為5KW的加熱絲，放在高壓釜底部，使用巖棉堵好。

3、保溫筒的厚度為350mm,將保溫桶套在高壓釜上。

4、將石英裝裝入料筐內(nèi)，裝入營養(yǎng)液。

5、將兩個籽晶架連接起來，放入高壓釜內(nèi)。

6、蓋上釜帽，裝上3根螺栓，對釜帽進(jìn)行預(yù)緊。

7、裝上卡箍，緊卡箍，去掉3根預(yù)緊螺栓。

8、裝好高壓表。

9、安裝釜口保溫罩。

10、裝好保溫罩。

11、按照工藝的要求進(jìn)行生長。工藝要求如下：

經(jīng)過200天的生長、高壓釜降溫后，摘下水晶、交庫房，質(zhì)檢人員全檢后，出具檢驗報告單。

以上實施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。