技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種微米級硅基底上的鉭酸鋰或鈮酸鋰單晶薄膜及其制備方法，該薄膜包括基底層和位于基底層上的功能層，所述的基底層為硅基底；所述的功能層為鉭酸鋰薄膜或鈮酸鋰薄膜；制備方法采用將鍵合體先研磨再退火，然后拋光的方式制備出目標厚度的硅基底上的鉭酸鋰或鈮酸鋰單晶薄膜，采用該方法制備的單晶薄膜不僅能夠保持鉭酸鋰或鈮酸鋰材料的特性，薄膜與硅基底的鍵合界面清晰，而且能制備出大尺寸、微米級厚度、低殘余應力和低缺陷密度的單晶薄膜；該制備方法克服了當前技術中鍵合體是不同材質退火時產生的形變。

技術研發(fā)人員：胡文
受保護的技術使用者：濟南晶正電子科技有限公司
技術研發(fā)日：2016.12.21
技術公布日：2017.08.18