技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種高純SiC壓敏陶瓷，所述SiC壓敏陶瓷的密度為3.21±0.01gcm?3，在20～100℃內(nèi)伏安特性保持不變，所述SiC壓敏陶瓷的制備方法包括：將SiC粉體置于石墨坩堝體的底部，控制粉體孔隙率為50～70%；于真空中升溫至1200～1400℃以排除SiC粉體吸附的雜質(zhì)；通入惰性氣氛并繼續(xù)升溫至2100～2300℃，控制壓力為103～105Pa，控制沿石墨坩堝高度方向的溫度梯度為2.5～4?℃/cm，保溫30～120分鐘，采用物理氣相傳輸方法在所述石墨坩堝的頂蓋的內(nèi)表面上生長所述SiC壓敏陶瓷。

技術(shù)研發(fā)人員：陳健;黃政仁;朱云洲;劉學(xué)建;陳忠明;姚秀敏;劉巖;袁明
受保護的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.19
技術(shù)公布日：2017.10.10