国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      Ito濺射靶材及其制造方法

      文檔序號(hào):9552777閱讀:881來(lái)源:國(guó)知局
      Ito濺射靶材及其制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明涉及一種ΙΤ0濺射靶材及其制造方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 旋轉(zhuǎn)式磁控管陰極濺射裝置為,在圓筒形靶的內(nèi)側(cè)具有磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置,在從靶的 內(nèi)側(cè)進(jìn)行冷卻的同時(shí)使靶旋轉(zhuǎn)并實(shí)施濺射的裝置,其使靶材的整個(gè)表面被酸蝕從而被均勻 地切削。因此,在平板型磁控管濺射裝置中,靶材的使用效率通常為20~30%,相對(duì)于此, 在旋轉(zhuǎn)式磁控管陰極濺射裝置中,能夠使靶材的使用效率成為70%以上,從而能夠得到非 常高的使用效率。而且,在旋轉(zhuǎn)式磁控管陰極濺射裝置中,通過(guò)使靶旋轉(zhuǎn),從而與現(xiàn)有的平 板型磁控管濺射裝置相比,由于每單位面積能夠輸入較大的功率,因此能夠得到較高的成 膜速度。
      [0003] 這種旋轉(zhuǎn)陰極濺射方式在易于加工成圓筒形狀且機(jī)械強(qiáng)度較強(qiáng)的金屬靶材中廣 泛普及。但是,由于陶瓷的強(qiáng)度較低且較脆,因此當(dāng)加工成圓筒形狀時(shí)容易在制造過(guò)程中或 與基材接合時(shí)等產(chǎn)生裂紋、變形等。因此,對(duì)于陶瓷濺射靶而言,向旋轉(zhuǎn)陰極濺射方式的普 及實(shí)際上尚未充分實(shí)現(xiàn)。
      [0004] 由于IT0(Indium-Tin-0xide:氧化銦錫)膜具有較高的穿透性與導(dǎo)電性,因此作 為平板顯示器的透明電極而被廣泛利用。ΙΤ0膜通常通過(guò)對(duì)ΙΤ0濺射靶進(jìn)行濺射而形成。 ΙΤ0膜通常使用含有質(zhì)量百分比10%左右的311〇2的ΙΤ0濺射靶而被成膜,但在觸摸面板等 的用途中,在薄膜基板等的各種基板上對(duì)ΙΤ0膜進(jìn)行成膜時(shí)可使用含有質(zhì)量百分比3%左 右的311〇2的ΙΤ0濺射靶。
      [0005] 已知Sn02的含量較少的ΙΤ0材料、例如SnO2的含量為質(zhì)量百分比7%以下的ΙΤ0 材料較脆而容易產(chǎn)生裂紋。尤其Sn02的含量為質(zhì)量百分比5%以下的ΙΤ0材料較脆而容易 產(chǎn)生裂紋。在為了將這種Sn02的含量較少的ΙΤ0材料用于旋轉(zhuǎn)陰極濺射方式的靶材而將 其設(shè)為圓筒形狀時(shí),更加容易產(chǎn)生裂紋。此外,在如上所述的Sn02的含量較少的ΙΤ0圓筒 形濺射靶材與基材接合時(shí)也容易產(chǎn)生裂紋。
      [0006] 因此,相對(duì)于Sn02的含量較少的ΙΤ0圓筒形濺射靶材,在加工等的制造時(shí)以及接 合時(shí),與通常的陶瓷濺射靶材相比需要更高的防裂紋技術(shù)。
      [0007] 在專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了一種如下的技術(shù),S卩,通過(guò)將密度為98%以上的陶瓷圓筒 形靶材的偏芯設(shè)為〇. 2_以下,從而使熱膨脹均勻進(jìn)而對(duì)與圓筒形基材接合時(shí)的裂紋進(jìn)行 抑制。但是,在該技術(shù)中,如實(shí)施例1中所述,即使密度為98%以上且圓筒形靶材的偏芯為 0. 2_以下也會(huì)產(chǎn)生裂紋。可以認(rèn)為,這是因?yàn)樵谟糜诮雍系牡腿邳c(diǎn)焊錫的厚度、與實(shí)施加 熱的加熱器之間的距離方面出現(xiàn)差別而使熱膨脹率改變的緣故。
      [0008] 在專利文獻(xiàn)2中敘述了如下情況,S卩,當(dāng)511〇2濃度小于10%時(shí)通過(guò)因燒成而導(dǎo)致 的異常的粒生長(zhǎng)而使強(qiáng)度降低,進(jìn)而產(chǎn)生裂紋,并且公開(kāi)了一種如下技術(shù),即,在Sn02的含 量為質(zhì)量百分比2. 5~5. 2%的ΙΤ0濺射靶中,通過(guò)將密度設(shè)為7.lg/cm3以上,從而減少燒 成體所產(chǎn)生的裂紋,并且對(duì)裂紋或結(jié)塊的產(chǎn)生進(jìn)行抑制。但是,在該技術(shù)中存在如下情況, 艮P,無(wú)法防止密度為7.lg/cm3以下的ITO靶產(chǎn)生裂紋,而且即使密度為7.lg/cm3以上,在使 用效率較高的圓筒形狀的IT0靶上也有時(shí)會(huì)產(chǎn)生裂紋。
      [0009] 在先技術(shù)文獻(xiàn)
      [0010] 專利文獻(xiàn)
      [0011] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開(kāi)2005-281862號(hào)公報(bào)
      [0012] 專利文獻(xiàn)2 :日本特開(kāi)2012-126937號(hào)公報(bào)

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0013] 發(fā)明所要解決的課題
      [0014] 本發(fā)明的目的在于,提供一種即使是容易產(chǎn)生裂紋等的圓筒形狀但在加工工序中 也不容易產(chǎn)生裂紋、變形等的ΙΤ0燒結(jié)體、在接合工序中不容易產(chǎn)生裂紋、變形等的ΙΤ0濺 射靶材、ΙΤ0濺射靶、以及所述ΙΤ0燒結(jié)體及ΙΤ0濺射靶材的制造方法。
      [0015] 用于解決課題的方法
      [0016] 本發(fā)明的ΙΤ0燒結(jié)體為,Sn的含量以Sn02量換算為質(zhì)量百分比2. 5~10. 0%,并 且具有Ιη203母相與存在于該Ιη203母相的晶粒邊界處的In4Sn3012相的ΙΤ0燒結(jié)體,
      [0017] 所述ΙΤ0燒結(jié)體的相對(duì)密度為98. 0%以上,所述Ιη203母相的平均粒徑為17μm以 下,該ΙΤ0燒結(jié)體的截面中的所述In4Sn3012相的面積率為0. 4%以上。
      [0018] 本發(fā)明的ΙΤ0燒結(jié)體能夠設(shè)為圓筒形。
      [0019] 本發(fā)明的ΙΤ0濺射靶材由所述ΙΤ0燒結(jié)體構(gòu)成。
      [0020] 本發(fā)明的ΙΤ0濺射靶通過(guò)利用接合材料將權(quán)利要求3所述的氧化銦錫濺射靶材接 合在基材上而形成。
      [0021] 本發(fā)明的IT0燒結(jié)體的制造方法為,
      [0022] 包括對(duì)由ΙΤ0原料粉末制成的ΙΤ0成型體進(jìn)行燒成的燒成工序、以及對(duì)所述燒成 工序中所獲得的燒成物進(jìn)行冷卻的冷卻工序,
      [0023] 在所述冷卻工序中,以降溫速度25°C/h以下的速度,實(shí)施1200~1350°C的范圍 內(nèi)、且對(duì)所述氧化銦錫成型體進(jìn)行燒成的燒成溫度以下的溫度范圍內(nèi)的冷卻。
      [0024] 本發(fā)明的另一種ΙΤ0燒結(jié)體的制造方法為,
      [0025] 包括對(duì)由ΙΤ0原料粉末制成的ΙΤ0成型體進(jìn)行燒成的燒成工序、以及對(duì)所述燒成 工序中所獲得的燒成物進(jìn)行冷卻的冷卻工序,
      [0026] 在所述冷卻工序中,以降溫速度25°C/h以下的速度,實(shí)施1200~1500°C的范圍 內(nèi)、且對(duì)所述氧化銦錫成型體進(jìn)行燒成的燒成溫度以下的溫度范圍內(nèi)的冷卻。
      [0027] 在所述ΙΤ0燒結(jié)體的制造方法中,所述ΙΤ0成型體以及ΙΤ0燒結(jié)體能夠設(shè)為圓筒 形。
      [0028] 本發(fā)明的ΙΤ0靶材的制造方法為,通過(guò)所述的制造方法而制造出ΙΤ0燒結(jié)體,并且 對(duì)所獲得的ΙΤ0燒結(jié)體進(jìn)行加工從而制造出靶材。
      [0029] 發(fā)明效果
      [0030] 即使本發(fā)明的ΙΤ0燒結(jié)體為容易產(chǎn)生裂紋等的圓筒形狀,在加工工序中也不容易 產(chǎn)生裂紋、變形等。即使本發(fā)明的ΙΤ0濺射靶材為容易產(chǎn)生裂紋等的圓筒形狀,在與基材接 合的接合工序中也不容易產(chǎn)生裂紋、變形等。因此,本發(fā)明的ΙΤ0燒結(jié)體以及ΙΤ0濺射靶材 能夠提升制造成品率。
      [0031 ] 本發(fā)明的ΙΤ0燒結(jié)體的制造方法能夠有效地制造出所述ΙΤ0燒結(jié)體。
      【附圖說(shuō)明】
      [0032] 圖1為本發(fā)明的ΙΤ0燒結(jié)體及ΙΤ0濺射靶材的組織概要圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0033] 下面,對(duì)本發(fā)明所涉及的IT0燒結(jié)體、IT0濺射靶材、IT0濺射靶、IT0燒結(jié)體及IT0 濺射靶材的制造方法進(jìn)行詳細(xì)敘述。雖然本發(fā)明所包含的ΙΤ0燒結(jié)體及ΙΤ0濺射靶材的形 狀為平板形還是圓筒形等并未特別地限制,但尤其對(duì)于容易產(chǎn)生裂紋、變形的圓筒形可獲 得較大的效果。
      [0034] IT0燒結(jié)體
      [0035] 本發(fā)明的ΙΤ0燒結(jié)體為,Sn的含量以Sn02量換算為質(zhì)量百分比2. 5~10.0%, 并且具有In2〇3母相與存在于In2〇3母相的晶粒邊界處的Ir^Sn^^ΙΤ0燒結(jié)體,相對(duì)密度 為98.0%以上,所述Ιη203母相的平均粒徑為17μπι以下,該ΙΤ0燒結(jié)體的截面上的所述 In4Sn3012相的面積率為0· 4%以上。
      [0036] 圖1為表示本發(fā)明的ΙΤ0燒結(jié)體以及ΙΤ0濺射靶材的組織概要圖。圖1為示意性 地表示在掃描型電子顯微鏡下觀察本發(fā)明的ΙΤ0燒結(jié)體以及ΙΤ0濺射靶材的截面時(shí)所獲得 的組織圖像的圖。在圖1中,符號(hào)1為Ιη203母相,符號(hào)2為In4Sn3012相。In#113012相2存 在于Ιη203母相1的晶粒邊界處。在本發(fā)明中所謂Ιη203母相是指,Sn02-部分在Ιη203上 固溶而形成的Ιη203相。
      [0037] 在本發(fā)明的ΙΤ0燒結(jié)體中,Ιη203母相的平均粒徑為17μm以下,優(yōu)選為3~15μm, 更優(yōu)選為5~15μm。此處Ιη203母相的粒徑可在所述組織圖像上作為水平費(fèi)雷特直徑而求 得。水平費(fèi)雷特直徑為通過(guò)上述掃描型電子顯微鏡觀察的粒子解析而被求得的值。Ιη203母 相的平均粒徑為,利用掃描型電子顯微鏡且以倍率1000倍的方式隨機(jī)對(duì)100μmX130μm 的視場(chǎng)進(jìn)行觀察10視場(chǎng),并且將對(duì)于每個(gè)視場(chǎng)中該視場(chǎng)所含有的全部ln203母相而求得的 水平費(fèi)雷特直徑的值進(jìn)行平均,從而計(jì)算出每個(gè)視場(chǎng)的平均水平費(fèi)雷特直徑,而且進(jìn)一步 對(duì)全部視場(chǎng)中所獲得的平均水平費(fèi)雷特直徑進(jìn)行平均而得到的值。當(dāng)所述Ιη203母相的平 均粒徑為17μm以下時(shí),ΙΤ0燒結(jié)體在加工工序中不容易產(chǎn)生裂紋,并且由該ΙΤ0燒結(jié)體而 獲得的ΙΤ0濺射靶材在與基材的接合工序中不容易產(chǎn)生裂紋或變形等。另一方面,當(dāng)平均 粒徑較小時(shí)存在晶粒邊界增多電阻升高的情況,因此優(yōu)選為Ιη203母相的平均粒徑為3μπι 以上。
      [0038] 在本發(fā)明的11'0燒結(jié)體中,該截面中的111451130 12相的面積率為0.4%以上,優(yōu)選為 0. 5~5%,更優(yōu)選為0. 5~2. 5%。此處In4Sn3012相的面積率為,在本ΙΤ0燒結(jié)體的截面 中,利用掃描型電子顯微鏡且以倍率3000倍的方式隨機(jī)對(duì)33μmX43μπι的視場(chǎng)進(jìn)行觀察 10視場(chǎng),并且求出各個(gè)視場(chǎng)中的111431130 12相的總面積的相對(duì)于視場(chǎng)面積(33X43μπι2)的百 分率的值,而且進(jìn)一步對(duì)全部的視場(chǎng)中所獲得的所述百分率的值進(jìn)行平均而得到的數(shù)值。
      [0039] 當(dāng)所述Ιη203母相的平均粒徑為17μπι以下且所述面積率為0.4%以上時(shí), 111451130 12相大面積地存在于晶粒邊界處,從而使韌性變高進(jìn)而耐裂性增強(qiáng),因此使ΙΤ0燒結(jié) 體在加工工序中變得更加不容易產(chǎn)生裂紋,并且使由該ITO燒結(jié)體而獲得的ITO濺射靶材 在與基材的接合工序中不容易產(chǎn)生裂紋、變形等。另一方面,從In4Sn3012相成為濺射中的電 弧或結(jié)塊的產(chǎn)生的原因的可能性較低的觀點(diǎn)出發(fā),所述面積率優(yōu)選為5%以下。
      [0040] 本發(fā)明的ΙΤ0燒結(jié)體為,Sn的含量以Sn02量換算為質(zhì)量百分比2. 5~10.0%。當(dāng) Sn的含量在所述范圍內(nèi)時(shí),能夠作為濺射靶材而有效地利用,并且在加工、與基材的接合中 不容易產(chǎn)生裂紋或變形等。尤其當(dāng)Sn的含量以Sn02量換算為質(zhì)量百分比2. 5~6. 0%時(shí), 由本發(fā)明的ΙΤ0燒結(jié)體能夠制造出用于制造平板顯示器或觸摸面板的透明電極等的ΙΤ0濺 射靶材。此外,如前所述,Sn的含量以Sn02量換算為質(zhì)量百分比2. 5~6. 0%的現(xiàn)有的ΙΤ0 燒結(jié)體較脆而容易產(chǎn)生裂紋,但本發(fā)明的ΙΤ0燒結(jié)體即使Sn的含量在所述范圍也不容易產(chǎn) 生裂紋。而且,當(dāng)Sn的含量以Sn02量換算為質(zhì)量百分比3. 0~5. 0%時(shí),能夠制造出有用 的所述ΙΤ0濺射靶材,此外能夠有效地防止在加工、與基材的接合中的裂紋或變形等。
      [0041] 本發(fā)明的ΙΤ0燒結(jié)體的相對(duì)密度為98. 0%以上,優(yōu)選為98. 5%以上,更優(yōu)選為 99. 0%以上。當(dāng)相對(duì)密度小于98. 0%時(shí),強(qiáng)度不充分而容易產(chǎn)生裂紋。
      [0042] S卩,通過(guò)滿足所述Ιη203母相的平均粒徑、所述面積率以及相對(duì)密度的主要條件, 從而使本發(fā)明的ΙΤ0燒結(jié)體在加工工序中出現(xiàn)裂紋的可能性被充分地抑制,進(jìn)而使由該 ΙΤ0燒結(jié)體而獲得的ΙΤ0濺射靶材在與基材接合的接合工序中出現(xiàn)裂紋或變形等的可能性 被充分地抑制。
      [0043] 雖然現(xiàn)有的具有圓筒形狀的ΙΤ0燒結(jié)體如前所述容易產(chǎn)生裂紋、變形,但本發(fā)明 的ΙΤ0燒結(jié)體即使為圓筒形狀在加工工序中也不容易產(chǎn)生裂紋、變形等。因此,由圓筒形狀 的本ΙΤ0燒結(jié)體能夠適當(dāng)?shù)刂圃斐鰣A筒形狀的ΙΤ0產(chǎn)品,例如ΙΤ0圓筒形濺射靶材等。
      [0044] 本發(fā)明的ΙΤ0燒結(jié)體的大小未特別地限制。當(dāng)ΙΤ0圓筒形燒結(jié)體被加工為濺射靶 材的情況下,其大小為大致外徑140~170mm,內(nèi)徑110~140mm,長(zhǎng)度50mm以上。長(zhǎng)度可 根據(jù)用途而被適當(dāng)?shù)貨Q定。
      [0045] ΙΤ0濺射靶材
      [0046] 本發(fā)明的ΙΤ0濺射靶材由所述ΙΤ0燒結(jié)體組成。本發(fā)明的ΙΤ0濺射靶材通過(guò)在所 述ΙΤ0燒結(jié)體上實(shí)施適當(dāng)?shù)募庸?,例如切削加工等而被制成?br>[0047] 因此,本發(fā)明的ΙΤ0濺射靶材滿足與所述ΙΤ0燒結(jié)體所滿足的Sn的含量、相對(duì)密 度、Ιη203母相的平均粒徑以及In4Sn3012相的面積率相關(guān)的全部條件。關(guān)于本發(fā)明的ΙΤ0濺 射靶材的這些條件的說(shuō)明,與關(guān)于所述ΙΤ0燒結(jié)體中所敘述的這些條件的說(shuō)
      當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3 4 5 
      網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條留言
      • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
      1