玻璃鍍層結(jié)構(gòu)的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種玻璃鍍層結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，該制造方法包括：向上部設(shè)置有玻璃基板的真空空間中，通入比例在0.8:1至1:1之間的氮?dú)夂脱鯕猓唤惶鎴?zhí)行鈦氮氧化物鍍膜層生成工序和硅氮氧化物鍍膜層生成工序，在玻璃基板的下表面向下形成交替層疊的硅氮氧化物鍍膜層和鈦氮氧化物鍍膜層；本發(fā)明通過(guò)在玻璃基板的下表面交替鍍鈦氮氧化物鍍膜層和硅氮氧化物鍍膜層，并使鍍層化合物中的氮與氧的比例保持在0.8:1至1:1之間，從而在保證絕緣性的前提下，實(shí)現(xiàn)了呈現(xiàn)銀色的鏡面效果的玻璃鍍層結(jié)構(gòu)，并且將鍍層本身的厚度對(duì)指紋檢測(cè)的影響控制在非常小的范圍內(nèi)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
玻璃鍍層結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種玻璃鍍層結(jié)構(gòu)的制造方法，尤其涉及一種應(yīng)用于指紋檢測(cè)的玻璃 鍍層結(jié)構(gòu)的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前，指紋識(shí)別技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于移動(dòng)終端（如，電腦）等產(chǎn)品上。其中，電容按壓式 指紋檢測(cè)方法應(yīng)用較為廣泛，具體又分為主動(dòng)式按壓檢測(cè)和被動(dòng)式按壓檢測(cè)。
[0003] 被動(dòng)式按壓檢測(cè)的基本原理如圖1所示，整個(gè)檢測(cè)系統(tǒng)包括:位于底部的電容式指 紋傳感器10和覆蓋在電容式指紋傳感器10之上的隔離層(或者叫保護(hù)層，也是手指直接接 觸的區(qū)域）11，其中，電容式指紋傳感器10包括以二維陣列排列的多個(gè)電容極板（圖中示例 性的標(biāo)注出了5個(gè)電容極板P1-P5)，當(dāng)手指12的皮膚與隔離層11貼合后，手指12的皮膚與電 容極板之間形成電容，由于指紋的存在，在微觀上形成如圖1所示的情形，手指12的皮膚與 隔離層11表面形成了多處嵴和峪，手指12的皮膚的不同位置與各個(gè)電容極板之間的距離是 不相等的，由此，各個(gè)電容極板便與手指12的皮膚之間產(chǎn)生了不同的電容值，例如在嵴處形 成的電容值為Cv，在峪處形成的電容值為Cr，通過(guò)度量這些電容值，能夠獲得指紋圖像信 息，即每一個(gè)電容極板作為一個(gè)像素，來(lái)收集指紋圖像信息。
[0004] 主動(dòng)式按壓檢測(cè)的原理如圖2所示，在被動(dòng)式檢測(cè)系統(tǒng)的基礎(chǔ)上增加了環(huán)繞在隔 離層11周?chē)慕饘侪h(huán)13,金屬環(huán)13與底層電路連接，金屬環(huán)13的作用是用來(lái)喚醒底層的電 容式指紋傳感器10以及通過(guò)金屬環(huán)13向手指12施加一定的電流信號(hào)，從而增加手指12的皮 膚上的電荷數(shù)量，進(jìn)而增強(qiáng)了電容極板所檢測(cè)到的信號(hào)。如圖3所示，其示出了通過(guò)電容式 指紋傳感器10的檢測(cè)所呈現(xiàn)的指紋圖像信號(hào)。
[0005] 在上述的指紋檢測(cè)系統(tǒng)中，隔離層11的上下表面必須要由絕緣材料形成，不然將 會(huì)破壞手指12的皮膚與電容極板的電容，從而無(wú)法檢測(cè)到指紋信息。此外，在帶有金屬環(huán)13 的檢測(cè)系統(tǒng)中，隔離層11與金屬環(huán)13接觸的部分也必須是絕緣的，如果隔離層11導(dǎo)電，金屬 環(huán)13上的電流將會(huì)流過(guò)隔離層11，從而造成信號(hào)混亂，同樣無(wú)法檢測(cè)到指紋信息。
[0006] 此外，由于電容式指紋傳感器10的電容極板陣列的檢測(cè)范圍很小，這就需要手指 距離電容極板陣列很近，即要求隔離層11厚度不能很大，不然也會(huì)影響指紋檢測(cè)效果，尤其 是對(duì)于被動(dòng)式按壓檢測(cè)的系統(tǒng)，電容式指紋傳感器10對(duì)上部覆蓋的隔離層11的厚度更加敏 感，無(wú)法使用厚度較大的隔離層11。
[0007] 隨著手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)終端的迅速發(fā)展，移動(dòng)終端在趨向于薄型化的同時(shí)也 不斷追究美觀效果，隔離層11所覆蓋的區(qū)域也就是進(jìn)行指紋識(shí)別的區(qū)域，其在移動(dòng)終端上 一般處于較為突出的位置，例如設(shè)置在手機(jī)的后蓋中間位置，或者設(shè)置在手機(jī)正面的下部 等。因此，指紋識(shí)別區(qū)域美觀程度將會(huì)直接影響手機(jī)的整體外觀。但是，由于上述的諸多限 制，現(xiàn)有技術(shù)中的采用電容按壓式的指紋檢測(cè)方式的移動(dòng)終端，其指紋識(shí)別區(qū)域的隔離層 11大多采用陶瓷或者塑料等材質(zhì)，在功能上僅僅簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn)了保護(hù)電容式指紋傳感器10的隔 離封裝作用，但是，在指紋檢測(cè)裝置上無(wú)法實(shí)現(xiàn)玻璃鏡面。
[0008] 現(xiàn)有技術(shù)中，玻璃鏡面的鍍膜技術(shù)較為成熟，但是，由于一般的鏡面鍍膜，不會(huì)對(duì) 絕緣性和厚度要求較高，一般會(huì)采用直接鍍金屬的方式，或者通過(guò)多層的鍍膜來(lái)實(shí)現(xiàn)想要 的效果，這樣形成的鍍膜層一般較厚或者不絕緣，因此，無(wú)法滿足指紋檢測(cè)的厚度要求。此 外，上述的指紋檢測(cè)系統(tǒng)本身采用的是電容檢測(cè)原理，手指12的皮膚與電容極板陣列分別 作為電容的兩極，根據(jù)電容計(jì)算公式可知，電容的大小除了與電容極板之間的距離有關(guān)，還 與電容極板之間的介質(zhì)有關(guān)，鍍膜層的引入將會(huì)增加電容極板之間的介質(zhì)數(shù)量，從而影響 電容值的大小，鍍膜層的厚度越大，對(duì)電容值的影響也越大，因此，為了不對(duì)指紋檢測(cè)造成 嚴(yán)重的影響，客觀上也無(wú)法允許存在很厚的鍍膜層存在。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明的目的在于提供一種玻璃鍍層結(jié)構(gòu)的制造方法，其制造出來(lái)的玻璃鍍層結(jié) 構(gòu)能夠?qū)χ讣y檢測(cè)效果影響較小的前提下，使得指紋檢測(cè)區(qū)域呈現(xiàn)銀色的鏡面效果。
[0010] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種玻璃鍍層結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：
[0011] 向上部設(shè)置有玻璃基板的真空空間中，通入比例在0.8:1至1:1之間的氮?dú)夂脱?氣；
[0012] 交替執(zhí)行鈦氮氧化物鍍膜層生成工序和硅氮氧化物鍍膜層生成工序，在玻璃基板 的下表面向下形成交替層疊的硅氮氧化物鍍膜層和鈦氮氧化物鍍膜層；
[0013] 所述鈦氮氧化物鍍膜層生成工序包括:通過(guò)電子槍激發(fā)設(shè)置在所述密閉空間中的 鈦原料，使所述鈦原料蒸發(fā)，與所述密閉空間中的氮?dú)夂脱鯕獍l(fā)生反應(yīng)后，在玻璃基板的下 表面向下形成鈦氮氧化物鍍膜層；
[0014] 所述硅氮氧化物鍍膜層生成工序包括:通過(guò)電子槍激發(fā)設(shè)置在所述密閉空間中的 硅原料，使所述硅原料蒸發(fā)，與所述密閉空間中的氮?dú)夂脱鯕獍l(fā)生反應(yīng)后，在玻璃基板的下 表面向下形成硅氮氧化物鍍膜層。
[0015] 本發(fā)明提供的玻璃鍍層結(jié)構(gòu)的制造方法，通過(guò)在玻璃基板的下表面交替鍍鈦氮氧 化物鍍膜層和硅氮氧化物鍍膜層，并使鍍層化合物中的氮與氧的比例保持在0.8:1至1:1之 間，從而在保證絕緣性的前提下，實(shí)現(xiàn)了呈現(xiàn)銀色的鏡面效果的玻璃鍍層結(jié)構(gòu)，并且將鍍層 本身的厚度對(duì)指紋檢測(cè)的影響控制在非常小的范圍內(nèi)。
【附圖說(shuō)明】
[0016] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)的指紋檢測(cè)原理的示意圖之一；
[0017] 圖2為現(xiàn)有技術(shù)的指紋檢測(cè)原理的示意圖之二；
[0018] 圖3為現(xiàn)有技術(shù)的指紋檢測(cè)圖像信號(hào)的示意圖；
[0019]圖4本發(fā)明實(shí)施例一的玻璃鍍層結(jié)構(gòu)的不意圖；
[0020]圖5為本發(fā)明實(shí)施例三的玻璃鍍層結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0021 ]圖6為本發(fā)明實(shí)施例六的鍍膜原理示意圖；
[0022] 圖7為本發(fā)明實(shí)施例二中第一組膜系結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的反射率曲線示意圖之一；
[0023] 圖8為本發(fā)明實(shí)施例二中第二組膜系結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的反射率曲線示意圖之二；
[0024]圖9為本發(fā)明實(shí)施例二中第三組膜系結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的反射率曲線示意圖之三。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例的原理在于，通過(guò)在玻璃基板的下表面交替鍍鈦氮氧化物鍍膜層和 硅氮氧化物鍍膜層，來(lái)實(shí)現(xiàn)具有特定顏色的鏡面效果，同時(shí)還要保證絕緣性并且要將整體 鍍層的厚度控制在非常薄的范圍內(nèi)，從而減小對(duì)指紋檢測(cè)的影響。
[0027] 實(shí)施例一
[0028] 如圖4所示，本實(shí)施例涉及一種玻璃鍍層結(jié)構(gòu)，主要應(yīng)用于電容按壓式指紋檢測(cè)系 統(tǒng)中，充當(dāng)覆蓋在電容式指紋傳感器之上的隔離層，該玻璃鍍層的結(jié)構(gòu)包括玻璃基本1和在 所述玻璃基板的下表面向下設(shè)置的交替層疊的鈦氮氧化物鍍膜層2和硅氮氧化物鍍膜層3， 多層鍍膜層所形成的整體的鍍膜層結(jié)構(gòu)也稱(chēng)為膜系。
[0029] 其中，鈦氮氧化物與硅氮氧化物的分子式中，氮與氧的比例大致在0.8:1至1:1之 間，在實(shí)際應(yīng)用中，較為優(yōu)選地，將氮與氧的比例定位在〇. 9:1，即鈦氮氧化物和硅氮氧化物 分子式可以表示為T(mén)INx〇dPSINxOy，其中X = 0.9y。
[0030] 在上述結(jié)構(gòu)中，采用了鈦氮氧化物鍍膜層和所述硅氮氧化物鍍膜層交替層疊的鍍 層結(jié)構(gòu)，來(lái)實(shí)現(xiàn)玻璃基板的鏡面效果，在保證絕緣性的前提下，能夠以整體厚度較薄的鍍層 來(lái)實(shí)現(xiàn)顏色鮮艷的鏡面效果。
[0031] 具體地，通過(guò)將鈦氮氧化物和硅氮氧化物中氮原子與氧原子的比例控制在0.8:1 至1:1之間，來(lái)對(duì)鈦氮氧化物和硅氮氧化物的反射率進(jìn)行調(diào)整，將鈦氮氧化物的折射率控制 在1.92左右，將硅氮氧化物的折射率控制在1.35左右，同時(shí)結(jié)合層數(shù)和層厚的控制，在整體 厚度較薄的情況下，實(shí)現(xiàn)了效果較為亮麗的銀色的鏡面效果。這里所說(shuō)的銀色的L = 75、A值 = -1·5-0·8、Β值=-2.5-5.6〇
[0032] 另外，由于電容值的大小受到電容極板之間的距離的影響，在本發(fā)明實(shí)施例的結(jié) 構(gòu)中，能夠?qū)⒄w的鍍膜厚度控制得很?。ㄔ跐M足所需效果的前提下，能夠控制在lum以 內(nèi)），因此，對(duì)于指紋傳感器的電容值檢測(cè)影響很小。
[0033] 此外，電容值的大小也會(huì)受到電容極板之間的填充的介質(zhì)的影響，當(dāng)填充物質(zhì)種 類(lèi)越多時(shí)，也會(huì)對(duì)電容值造成一定的影響，在本發(fā)明的實(shí)施例的鍍層結(jié)構(gòu)中，僅采用了兩種 氮氧化物作為鍍層，因此，在手指皮膚與電容極板陣列之間的物質(zhì)的種類(lèi)較少，并且沒(méi)有金 屬類(lèi)鍍層，而且鍍層的整體厚度又很薄，從電容極板之間填充物質(zhì)的角度來(lái)說(shuō)，影響也降低 到了很小。
[0034] 較為優(yōu)選地，將鈦氮氧化物鍍膜層位于第一層，即最先鍍上鈦氮氧化物鍍膜層，由 于鈦氮氧化物的反射率比較高，因此，將其設(shè)在第一層能夠使整個(gè)膜系呈現(xiàn)出更加艷麗的 顏色。
[0035] 在本實(shí)施例中，所述鈦氮氧化物鍍膜層2和所述硅氮氧化物鍍膜層3的鍍膜層總數(shù) 為6層，鍍層總厚度可以控制在300nm至550nm之間。另外，在本發(fā)明的實(shí)施例中，玻璃基板的 厚度可以在170-180um的范圍內(nèi)，優(yōu)選為175um〇
[0036] 實(shí)施例二
[0037] 本實(shí)施例在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，給出了一種具體的鍍層結(jié)構(gòu):所述鍍膜層總數(shù)為6 層，所述鈦氮氧化物的鍍膜層的總厚度與所述硅氮氧化物的鍍膜層的總厚度之比在0.4到 0.5之間，保證這個(gè)比例就能夠在僅鍍6層鍍膜層的情況下實(shí)現(xiàn)銀色的鏡面效果，并且能夠 將總厚度控制在550nm以下，從而減小對(duì)電容檢測(cè)的影響。
[0038]其中，每層的結(jié)構(gòu)可以采用如下厚度分配：
[0039]所述第一層鍍膜層為鈦氮氧化物鍍層，厚度范圍為50-80nm;
[0040] 所述第二層鍍膜層為硅氮氧化物鍍層，厚度范圍為70-120nm;
[0041] 所述第三層鍍膜層為鈦氮氧化物鍍層，厚度范圍為20-40nm;
[0042] 所述第四層鍍膜層為硅氮氧化物鍍層，厚度范圍為60-105nm;
[0043] 所述第五層鍍膜層為鈦氮氧化物鍍層，厚度范圍為30-45nm;
[0044] 所述第六層鍍膜層為硅氮氧化物鍍層，厚度范圍為85-145nm;
[0045] 其中，第六層的厚度大于前五層任意一層的厚度。
[0046] 具體地，給出下表中三組具體膜系結(jié)構(gòu)示例：
[0047] 表一
[0048]
[0049] 上表中三組膜系結(jié)構(gòu)的反射率曲線如圖7至圖9所示，其中橫軸坐標(biāo)為波長(zhǎng)(nm)/ 縱軸為折射率（％ )，以下實(shí)施例的曲線圖橫縱坐標(biāo)相同。
[0050] 實(shí)施例三
[0051] 如圖5所示，本實(shí)施例在上述各實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在整個(gè)鍍層的下方設(shè)置有一層黑 色油墨層，通過(guò)設(shè)置油墨層，能夠更好地進(jìn)行遮光，防止雜光的干擾。
[0052] 進(jìn)一步地，還可以在印刷黑色油墨層的時(shí)候，印刷一定的鏤空?qǐng)D案，例如，印刷指 紋圖形的鏤空?qǐng)D案，鏤空部分和非鏤空的部分，在透光性和反射性上存在差異，從而在從上 層玻璃觀察將會(huì)在鏡面背景下呈現(xiàn)出相應(yīng)的圖案，從而能夠?qū)崿F(xiàn)指紋區(qū)域進(jìn)行標(biāo)識(shí)或者裝 飾。優(yōu)選地，可以在鏤空?qǐng)D案中再設(shè)置區(qū)別于黑色的顏料，更優(yōu)選地，填充與灰色形成反差 的顏料，例如，填充白色顏料，從而讓圖案更加明顯。
[0053] 實(shí)施例四
[0054]本實(shí)施例主要說(shuō)明制造上述實(shí)施例一的玻璃鍍層結(jié)構(gòu)制造方法，如圖6所示，本實(shí) 施例的玻璃鍍層結(jié)構(gòu)可以采用NCVM(不導(dǎo)電真空電鍍)工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0055]具體地，設(shè)置如圖6所示的真空空間，并向其中通入比例在0.8:1至1:1之間的氮?dú)?和氧氣(優(yōu)選地，氮?dú)夂脱鯕獾谋壤秊?.9:1)，然后交替執(zhí)行鈦氮氧化物鍍膜層生成工序和 硅氮氧化物鍍膜層生成工序，從而在玻璃基板的下表面向下形成交替層疊的硅氮氧化物鍍 膜層和鈦氮氧化物鍍膜層。
[0056]其中，鈦氮氧化物鍍膜層生成工序具體為:通過(guò)電子槍激發(fā)設(shè)置在所述密閉空間 中的鈦原料，使所述鈦原料蒸發(fā)，與所述密閉空間中的氮?dú)夂脱鯕獍l(fā)生反應(yīng)后，在玻璃基板 的下表面向下形成鈦氮氧化物鍍膜層。
[0057]硅氮氧化物鍍膜層生成工序包括:通過(guò)電子槍激發(fā)設(shè)置在所述密閉空間中的硅原 料，使所述硅原料蒸發(fā)，與所述密閉空間中的氮?dú)夂脱鯕獍l(fā)生反應(yīng)后，在玻璃基板的下表面 向下形成硅氮氧化物鍍膜層。
[0058] 交替執(zhí)行鈦氮氧化物鍍膜層生成工序和硅氮氧化物鍍膜層生成工序的次數(shù)取決 于要最終獲得的層數(shù)，而每層的厚度通過(guò)控制每次鈦氮氧化物鍍膜層生成工序和硅氮氧化 物鍍膜層生成工序來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0059] 在上述工藝中，通過(guò)控制通入的氮?dú)夂脱鯕獾谋壤?，?lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)鍍膜層的化合物中 氮原子和氧原子的比例的控制，從而達(dá)到對(duì)鈦氮氧化物和硅氮氧化物的反射率的調(diào)整，從 而將鈦氮氧化物的折射率控制在1.92左右，將硅氮氧化物的折射率控制在1.35左右，同時(shí) 結(jié)合層數(shù)和層厚的控制，在整體厚度較薄的情況下，實(shí)現(xiàn)了效果較為亮麗的銀色的鏡面效 果。本實(shí)施例采用工藝，由于僅使用了兩種常見(jiàn)的金屬和半導(dǎo)體材料，因此，其工藝實(shí)現(xiàn)上 較為簡(jiǎn)單，便于進(jìn)行批量生成。
[0060] 此外，較為優(yōu)選地，在鍍膜工藝中，首先進(jìn)行鈦氮氧化物鍍膜層生成工序，使得鈦 氮氧化物鍍膜層位于第一層，由于鈦氮氧化物的反射率比較高，因此，將其設(shè)在第一層能夠 使整個(gè)膜系呈現(xiàn)出更加艷麗的顏色。
[0061] 此外，在本實(shí)施例中，鍍膜層總數(shù)可以控制在6層，鍍層總厚度可以控制在300nm至 550nm之間，另外，在本發(fā)明的實(shí)施例中，玻璃基板的厚度可以在170-180um的范圍內(nèi)，優(yōu)選 為175um〇
[0062] 實(shí)施例五
[0063] 本實(shí)施例涉及制造上述實(shí)施例二的鍍層結(jié)構(gòu)的制造方法，包括:交替執(zhí)行鈦氮氧 化物鍍膜層生成工序和硅氮氧化物鍍膜層生成工序(可以交替執(zhí)行六次即可實(shí)現(xiàn)），使所述 鍍膜層總數(shù)為6層，并且所述鈦氮氧化物的鍍膜層的總厚度與所述硅氮氧化物的鍍膜層的 總厚度之比在0.4到0.5之間。
[0064] 具體地，通過(guò)交替執(zhí)行鈦氮氧化物鍍膜層生成工序和硅氮氧化物鍍膜層工序，生 成如下厚度的鍍層結(jié)構(gòu)：
[0065]所述第一層鍍膜層為鈦氮氧化物鍍層，厚度范圍為50-80nm;
[0066] 所述第二層鍍膜層為硅氮氧化物鍍層，厚度范圍為70-120nm;
[0067] 所述第三層鍍膜層為鈦氮氧化物鍍層，厚度范圍為20-40nm;
[0068] 所述第四層鍍膜層為硅氮氧化物鍍層，厚度范圍為60-105nm;
[0069] 所述第五層鍍膜層為鈦氮氧化物鍍層，厚度范圍為30-45nm;
[0070] 所述第六層鍍膜層為硅氮氧化物鍍層，厚度范圍為85-145nm;
[0071 ]其中，第六層的厚度大于前五層任意一層的厚度。
[0072] 其中，每層的厚度可以通過(guò)控制鍍膜時(shí)間來(lái)實(shí)現(xiàn)，每層的具體厚度的示例在實(shí)施 例二中已經(jīng)說(shuō)明，在此不在贅述。
[0073] 實(shí)施例六
[0074]本實(shí)施例主要說(shuō)明制作上述實(shí)施例三涉及的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中通過(guò)油墨印刷設(shè) 備，在交替執(zhí)行鈦氮氧化物鍍膜層生成工序和硅氮氧化物鍍膜層生成工序后，在鍍層的下 方印刷一層黑色油墨層，從而能夠更好地進(jìn)行遮光，防止雜光的干擾。
[0075]進(jìn)一步地，在鍍層下方印刷一層黑色油墨層可以包括：印刷具有指紋圖形鏤空?qǐng)D 案的黑色油墨層，在具有鏤空的部分填充區(qū)別于灰色的顏料;也可以只印刷鏤空?qǐng)D案而不 填充顏料。其中，填充優(yōu)選與黑色形成反差的顏料，例如，填充白色顏料，從而讓圖案更加明 顯。
[0076] 實(shí)施例七
[0077]本實(shí)施例涉及一種指紋檢測(cè)裝置，包括：電容式指紋傳感器，該電容式指紋傳感器 可以為現(xiàn)有技術(shù)中采用的任一一款電容式指紋傳感器，可以是主動(dòng)式的電容式指紋傳感器 (例如FPC公司生產(chǎn)的指紋傳感器），也可以是被動(dòng)式電容式指紋傳感器。在上述電容式指紋 傳感器的上部貼附有上述各實(shí)施例的玻璃鍍層結(jié)構(gòu)，以作為隔離層或者保護(hù)層，鍍膜的一 面朝向電容式指紋傳感器的電容極板陣列，玻璃的上面對(duì)外，用于接觸指紋皮膚。
[0078]實(shí)施例八
[0079] 本實(shí)施例涉及一種包含實(shí)施例七的指紋檢測(cè)裝置的移動(dòng)終端，例如手機(jī)、平板電 腦等，在移動(dòng)終端的后蓋上開(kāi)設(shè)有用于進(jìn)行指紋檢測(cè)的開(kāi)口，所述指紋檢測(cè)裝置位于所述 開(kāi)口下部，所述指紋檢測(cè)裝置的玻璃鍍層結(jié)構(gòu)的上面從所述開(kāi)口露出。上述結(jié)構(gòu)中，將指紋 識(shí)別的區(qū)域設(shè)置在了移動(dòng)終端的后面，通過(guò)在后蓋上開(kāi)設(shè)開(kāi)口，讓具有鏡面效果的銀色的 玻璃露出，作為指紋識(shí)別的區(qū)域。由于本發(fā)明實(shí)施例的玻璃鍍層能夠呈現(xiàn)亮麗的銀色鏡面 效果，因此，能夠使得移動(dòng)終端的指紋識(shí)別區(qū)域異常明顯和美觀，能夠提成移動(dòng)終端的整體 美觀效果。
[0080] 最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制;盡 管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依 然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn) 行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù) 方案的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種玻璃鍍層結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括： 向一側(cè)設(shè)置有玻璃基板的密閉空間中，通入氮?dú)夂脱鯕猓雒荛]空間為真空空間；其 中，通入的氮?dú)馀c氧氣的比例在0.8:1至1:1之間； 執(zhí)行氮氧化合物生成工序，在所述玻璃基板的一側(cè)形成氮氧化合物鍍膜層。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述執(zhí)行氮氧化合物生成工序，在所 述玻璃基板的一側(cè)形成氮氧化合物鍍膜層包括： 交替地執(zhí)行氮氧化合物生成工序，在所述玻璃基板的一側(cè)形成交替層疊的氮氧化合物 鍍膜層。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述交替地執(zhí)行氮氧化合物生成工 序，在所述玻璃基板的一側(cè)形成交替層疊的氮氧化合物鍍膜層包括： 交替地執(zhí)行至少兩種氮氧化合物的生成工序，在所述玻璃基板的一側(cè)形成交替層疊的 至少兩種氮氧化合物的鍍膜層。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述交替地執(zhí)行至少兩種氮氧化合物 的生成工序，在所述玻璃基板的一側(cè)形成交替層疊的至少兩種氮氧化合物的鍍膜層包括： 交替地執(zhí)行鈦氮氧化物鍍膜層生成工序和硅氮氧化物鍍膜層生成工序，在所述玻璃基 板的一側(cè)形成交替層疊的硅氮氧化物鍍膜層和鈦氮氧化物鍍膜層。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述鈦氮氧化物鍍膜層生成工序包 括： 通過(guò)電子槍激發(fā)設(shè)置在所述密閉空間中的鈦原料，使所述鈦原料蒸發(fā)，與所述密閉空 間中的氮?dú)夂脱鯕獍l(fā)生反應(yīng)后形成鈦氮氧化物鍍膜層。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述硅氮氧化物鍍膜層生成工序包 括： 通過(guò)電子槍激發(fā)設(shè)置在所述密閉空間中的硅原料，使所述硅原料蒸發(fā)，與所述密閉空 間中的氮?dú)夂脱鯕獍l(fā)生反應(yīng)形成硅氮氧化物鍍膜層。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述交替地執(zhí)行鈦氮氧化物鍍膜層生 成工序和硅氮氧化物鍍膜層生成工序包括： 先執(zhí)行鍍鈦氮氧化物鍍膜層生成工序，再執(zhí)行硅氮氧化物鍍膜層生成工序。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氮?dú)夂脱鯕獾谋壤秊?.9:1。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，交替地執(zhí)行的所述鈦氮氧化物鍍膜層 生成工序和所述硅氮氧化物鍍膜層生成工序的總次數(shù)為6次，使所述鈦氮氧化物鍍膜層和 所述硅氮氧化物鍍膜層的總層數(shù)為6層，并且所述鈦氮氧化物鍍膜層的總厚度與所述硅氮 氧化物鍍膜層的總厚度之比在〇. 4到0.5之間。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，交替執(zhí)行鈦氮氧化物鍍膜層生成工 序和硅氮氧化物鍍膜層工序，生成如下鍍膜層： 所述第一層鍍膜層為鈦氮氧化物鍍膜層，厚度范圍為50-80nm; 所述第二層鍍膜層為硅氮氧化物鍍膜層，厚度范圍為70_120nm; 所述第三層鍍膜層為鈦氮氧化物鍍膜層，厚度范圍為20_40nm; 所述第四層鍍膜層為硅氮氧化物鍍膜層，厚度范圍為60_105nm; 所述第五層鍍膜層為鈦氮氧化物鍍膜層，厚度范圍為30-45nm; 所述第六層鍍膜層為硅氮氧化物鍍膜層，厚度范圍為85-145nm。11. 根據(jù)權(quán)利要求1至10任一所述的制造方法，其特征在于，在交替地執(zhí)行鈦氮氧化物 鍍膜層生成工序和硅氮氧化物鍍膜層生成工序后，還包括： 在最后一次生成的鍍膜層的一側(cè)印刷一層黑色油墨層。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述在最后一次生成的鍍膜層的一 側(cè)印刷一層黑色油墨層包括： 在最后一次生成的鍍膜層的一側(cè)印刷具有鏤空?qǐng)D案的黑色油墨層。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述鏤空?qǐng)D案為指紋圖形的鏤空?qǐng)D 案。14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，在所述鏤空?qǐng)D案中具有鏤空的部分 填充區(qū)別于黑色的顏料。15. 根據(jù)權(quán)利要求1至10任一所述的制造方法，其特征在于，所述玻璃基板的厚度在 170-180um〇16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述玻璃基板的厚度為175um。
【文檔編號(hào)】C03C17/34GK105837054SQ201610045108
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2016年1月22日
【發(fā)明人】蘇斌
【申請(qǐng)人】樂(lè)視移動(dòng)智能信息技術(shù)（北京）有限公司