包含具有碳碳多重鍵的樹脂的鈍化膜形成用組合物的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的課題是提供使電絕緣性、耐熱性、耐溶劑性、干法回蝕特性同時實現(xiàn)的鈍化膜。作為解決本發(fā)明課題的手段涉及一種鈍化膜形成用組合物，其包含具有下述式(i)：(式中，T0表示磺?；⒎鷣喭榛?、環(huán)狀亞烷基、具有取代基的亞芳基、或可以具有取代基的亞芳基與氟代亞烷基或環(huán)狀亞烷基的組合。)的單元結(jié)構(gòu)的聚合物，在該聚合物的末端、側(cè)鏈、或主鏈具有至少一個具有式(2-A)、式(2-B)或這兩種結(jié)構(gòu)的基團(tuán)。聚合物可以具有下述式(1)的單元結(jié)構(gòu)。AA式
【專利說明】包含具有碳碳多重鍵的樹脂的鈍化膜形成用組合物
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及絕緣膜。更詳細(xì)地說，涉及在形成IC芯片等半導(dǎo)體制品、光學(xué)系制品等疊層體的工序中，用于保護(hù)使用TSV(Through Silicon Via)技術(shù)而形成的晶片背面的電極的鈍化膜。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著便攜電話、IC卡等電子設(shè)備的高功能化、小型化，要求半導(dǎo)體器件的高集成化、安裝面積的小面積化、利用布線間距離的縮小來降低布線電阻。作為其方法，研究了將半導(dǎo)體元件間在縱向上堆起來的堆棧結(jié)構(gòu)。
[0003]作為堆棧結(jié)構(gòu)的制作方法的一例，可舉出將形成有半導(dǎo)體元件的晶片薄化，然后使用各向異性干蝕刻等技術(shù)來設(shè)置貫通孔(Through Silicon Via, TSV技術(shù))，向該貫通孔填充銅等導(dǎo)電材以在背面形成電極，然后在形成了電極的晶片背面形成鈍化膜，與形成有其它半導(dǎo)體元件的芯片或晶片表面電接合的工序。
[0004]在上述工序中，晶片背面所形成的絕緣膜同時需要防止電流泄漏、導(dǎo)電材料遷移等的電絕緣性，用于將鈍化膜形成后的電極部進(jìn)行開口的光刻工序中的耐溶劑性、良好的干法回蝕特性，電極接合工序中的耐熱性等。
[0005]此外作為公知的鈍化膜，可舉出苯并環(huán)丁烯樹脂、聚酰亞胺、全芳香族聚醚等。
[0006]然而，苯并環(huán)丁烯樹脂在光刻工序中的干法回蝕時需要使用氟系氣體，對電極、晶片帶來破壞。此外在200°C左右的固化(cure)溫度時不能充分地進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)，得不到良好的耐溶劑性。
[0007]另一方面，有聚酰亞胺的成膜溫度為300°C以上的高溫、由于由固化時的膜收縮而產(chǎn)生的殘留應(yīng)力而對薄化了的晶片帶來破壞的問題。
[0008]此外，全芳香族聚醚由于沒有熱交聯(lián)部位因此耐溶劑性缺乏，此外樹脂的軟化點低，因此有在電極接合時樹脂熔融的問題。
[0009]公開了例如在使玻璃基材含浸了有機(jī)硅樹脂的無機(jī)系絕緣基板上，形成了包含30體積％~45體積％的聚醚醚酮樹脂粉末和熱固性樹脂的底涂膜的厚膜技術(shù)用基板(專利文獻(xiàn)I)。
[0010]公開了包含具有由聚酰亞胺形成的主鏈且末端帶有具有碳碳三鍵的官能團(tuán)的聚合物，柔性印刷布線基板用的粘接劑等的被覆物(專利文獻(xiàn)2)。
[0011]公開了包含具有包含苯基、脲、酰胺基等和具有碳碳三鍵的官能團(tuán)的主鏈的聚合物的粘接劑組合物等的被覆物(專利文獻(xiàn)3)。
[0012]公開了包含含有具有磺酸基的聚醚醚砜、聚醚醚酮的聚合物的粘接劑組合物等的被覆物(專利文獻(xiàn)4)。
[0013]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0014]專利文獻(xiàn)
[0015] 專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-070875號公報[0016]專利文獻(xiàn)2:國際公開第2006-137369號小冊子
[0017]專利文獻(xiàn)3:日本特開2010-065097號公報
[0018]專利文獻(xiàn)4:日本特開2005-264008號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0019]發(fā)明所要解決的課題
[0020]本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，其目的是提供使電絕緣性、耐熱性、耐溶劑性、干法回蝕特性同時實現(xiàn)的鈍化膜形成用組合物。
[0021]用于解決課題的方法
[0022]本發(fā)明中，作為第I觀點，是一種鈍化膜形成用組合物，其包含具有下述式(i)所示的單元結(jié)構(gòu)的聚合物，
[0023]-
【權(quán)利要求】
1.一種鈍化膜形成用組合物，其包含具有下述式α)所示的單元結(jié)構(gòu)的聚合物，
2.一種鈍化膜形成用組合物，其包含具有下述式(1)所示的單元結(jié)構(gòu)的聚合物，
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鈍化膜形成用組合物，所述亞芳基為亞苯基、亞萘基或亞蒽基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項所述的鈍化膜形成用組合物，所述聚合物為具有I種單元結(jié)構(gòu)的均聚物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項所述的鈍化膜形成用組合物，所述聚合物為具有至少2種單元結(jié)構(gòu)的共聚物。
6.根據(jù)權(quán)利要求2~5的任一項所述的鈍化膜形成用組合物，其包含具有L1為下述式(3)所示的基團(tuán)時的所述式(1)所示的單元結(jié)構(gòu)、L1為下述式(4)所示的基團(tuán)時的所述式(1)所示的單元結(jié)構(gòu)、或這些單元結(jié)構(gòu)的組合的聚合物，
7.根據(jù)權(quán)利要求2~6的任一項所述的鈍化膜形成用組合物，其包含具有T1為下述式(5)所示的基團(tuán)時的所述式(I)所示的單元結(jié)構(gòu)、T1為下述式(6)所示的基團(tuán)時的所述式(1)所示的單元結(jié)構(gòu)、或這些單元結(jié)構(gòu)的組合的聚合物，
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鈍化膜形成用組合物，在所述式(3)中，R1為至少包含氰基的基團(tuán)，nl表示I~4的整數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鈍化膜形成用組合物，在所述式(4)中，L2表示磺酰基或羰基。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~9的任一項所述的鈍化膜形成用組合物，其包含進(jìn)一步具有式(7)所示的單元結(jié)構(gòu)的聚合物，
11.根據(jù)權(quán)利要求1~10的任一項所述的鈍化膜形成用組合物，所述亞芳基為亞苯基、亞萘基或亞蒽基。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的鈍化膜形成用組合物，T3表示式(8)所示的基團(tuán)，

13.根據(jù)權(quán)利要求6~11的任一項所述的鈍化膜形成用組合物，具有叔碳原子的基團(tuán)為叔丁基。
14.根據(jù)權(quán)利要求1~12的任一項所述的鈍化膜形成用組合物，聚合物的重均分子量為 500 ~5，000，000。
15.根據(jù)權(quán)利要求1~14的任一項所述的鈍化膜形成用組合物，其進(jìn)一步包含溶劑。
16.一種鈍化膜，其為將權(quán)利要求1~15的任一項所述的鈍化膜形成用組合物涂布于基板并烘烤而獲得的。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的鈍化膜，其用作保護(hù)形成于晶片的IC電路的膜。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的鈍化膜，其用作保護(hù)形成于晶片背面的電極的膜。
【文檔編號】C08G75/23GK103946271SQ201380003965
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2013年2月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月9日
【發(fā)明者】田村護(hù), 荻野浩司, 榎本智之 申請人:日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會社