包含非對稱二芳基氨基芴單元的聚合物的制作方法
【專利摘要】包含一種或多種任選取代的式(I)重復(fù)單元的聚合物：其中每個Ar1獨立地代表取代或未取代的芳族或雜芳族基團(tuán)；每個Ar2獨立地代表取代或未取代的芳族或雜芳族基團(tuán)；n和m在每次出現(xiàn)時為至少1；并且R1和R2為取代基，其中R1和R2不同。
【專利說明】包含非對稱二芳基氨基芴單元的聚合物發(fā)明領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及聚合物，特別涉及電荷傳輸和/或發(fā)光聚合物；用于制造所述聚合物的單體；制造所述聚合物的方法；含所述聚合物的組合物；包含所述聚合物的有機(jī)電子器件；以及制造所述器件的方法。
[0002]發(fā)明背景
[0003]對于在器件例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、有機(jī)光響應(yīng)器件(特別是有機(jī)光伏器件和有機(jī)光傳感器)、有機(jī)晶體管和存儲器陣列器件中的應(yīng)用，含有活性有機(jī)材料的電子器件正引起越來越多的關(guān)注。含有活性有機(jī)材料的器件提供諸如低重量、低功率消耗和柔性的益處。此外，可溶有機(jī)材料的使用允許在器件制造中利用溶液加工，例如噴墨印刷或者旋涂O
[0004]OLED可以包含帶有陽極的基底、陰極以及介于陽極和陰極之間的一個或多個有機(jī)發(fā)光層。
[0005]在器件工作期間空穴通過陽極被注入器件并且電子通過陰極被注入器件。發(fā)光材料的最高已占分子軌道(HOMO)中的空穴和最低未占分子軌道(LUMO)中的電子結(jié)合從而形成激子，所述激子以光的形式釋放其能量。
[0006]合適的發(fā)光材料包括小分子、聚合物和樹枝狀分子(dendrimeric)材料。示例性的發(fā)光聚合物包括聚亞芳基亞乙烯基類例如聚(對亞苯基亞乙烯基)和聚亞芳基類例如聚芴類。
[0007]W02005/049546公開了具有下式的重復(fù)單元的聚合物:
[0008]
【權(quán)利要求】
1.包含一種或多種任選取代的式(I)重復(fù)單元的聚合物:
其中每個Ar1獨立地代表取代或未取代的芳族或雜芳族基團(tuán)；每個Ar2獨立地代表取代或未取代的芳族或雜芳族基團(tuán)；n和m在每次出現(xiàn)時為至少I ;并且R1和R2為取代基，其中R1和R2不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的聚合物，其中R1通過SP2雜化碳原子結(jié)合至芴環(huán)并且R2通過SP3雜化碳原子結(jié)合至荷單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的聚合物，其中R2是取代或未取代的支化、直鏈或環(huán)狀的烷基，任選為Cu烷基，其中一個或多個非鄰近的C原子可以被O、S、NR5、C = O或-COO-替換以及一個或多個H原子可以被F或D替換，并且R5是H或取代基。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3的聚合物，其中R1通過基團(tuán)-(Ar3)y結(jié)合至芴單元，其中Ar3在每次出現(xiàn)時為取代或未取代的芳族或雜芳族基團(tuán)為至少1，任選為1、2或3 ;并且當(dāng)y大于2時-(Ar3) y形成Ar3基團(tuán)的直鏈或支化鏈。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的聚合物，其中Ar3或者在y大于2的情形中至少一個Ar3是取代或未取代的芳族或雜芳族基團(tuán)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的聚合物，其中Ar3在每次出現(xiàn)時為取代或未取代的苯基。
7.根據(jù)權(quán)利要求4、5或6的聚合物，其中Ar3取代有一個或多個取代基，任選為一個或多個選自于如下的取代基:F ；CN ；N02 ；NR52 ;可交聯(lián)基團(tuán)；以及CV2tl烷基，其中一個或多個非鄰近C原子可以被任選取代的芳基或雜芳基、O、S、NR5、C = O或-C00-替換，并且其中一個或多個H原子可以被F或D替換，以及R5是H或取代基。
8.根據(jù)任一前述權(quán)利要求的聚合物，其中每個η獨立地為1-3，優(yōu)選為I。
9.根據(jù)任一前述權(quán)利要求的聚合物，其中每個m獨立地為1-3，優(yōu)選為I。
10.根據(jù)任一前述權(quán)利要求的聚合物，其中每個Ar1和Ar2獨立地為未取代或取代的苯基。
11.根據(jù)任一前述權(quán)利要求的聚合物，其中每個Ar1是未取代的。
12.根據(jù)任一前述權(quán)利要求的聚合物，其中至少一個Ar2取代有一個或多個選自如下的取代基:f;cn;no2 ；nr52 ;可交聯(lián)基團(tuán)；(ν2(ι烷基，其中一個或多個非鄰近C原子可以被任選取代的芳基或雜芳基、O、S、NR5, C = O或-C00-替換，并且其中一個或多個H原子可以被F或D替換，以及R5是H或取代基。
13.根據(jù)任一前述權(quán)利要求的聚合物，其中m為I并且至少一個Ar2取代有至少兩個取代基，任選地2或3個取代基。
14.根據(jù)任一前述權(quán)利要求的聚合物，其中與Ar2-N鍵成鄰位的至少一個(Ar2)m的至少一個位置被取代。
15.根據(jù)任一前述權(quán)利要求的聚合物，其中該聚合物包含至少一種共聚重復(fù)單元。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的聚合物，其中該聚合物包含式(IV)的共聚重復(fù)單元:
其中R5在每次出現(xiàn)時是相同或不同的并且是H或取代基，并且其中兩個基團(tuán)R5可以連接形成環(huán)。
17.根據(jù)任一前述權(quán)利要求的聚合物，其中該聚合物包含式(Ib)的重復(fù)單元:
其中Ar1、Ar2、R1、R2、n和m如任一前述權(quán)利要求中所定義。
18.根據(jù)任一前述權(quán)利要求的聚合物，其中該聚合物是可交聯(lián)的。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的聚合物，其中式(I)重復(fù)單元和/或一種或多種共聚重復(fù)單元取代有至少一個可交聯(lián)基團(tuán)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的聚合物，其中所述至少一個可交聯(lián)基團(tuán)在每次出現(xiàn)時獨立地選自雙鍵基團(tuán)和苯并環(huán)丁烷基團(tuán)。
21.一種有機(jī)電子器件，該有機(jī)電子器件包含半導(dǎo)體層，其中該半導(dǎo)體層包含根據(jù)任一前述權(quán)利要求的聚合物。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的有機(jī)電子器件，其中該器件是在陽極和陰極之間包含該半導(dǎo)體層的有機(jī)發(fā)光器件。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的有機(jī)電子器件，其中該半導(dǎo)體層是發(fā)光層。
24.根據(jù)權(quán)利要求22的有機(jī)電子器件，其中該半導(dǎo)體層是介于陽極和發(fā)光層之間的空穴傳輸層。
25.配制物，該配制物包含根據(jù)權(quán)利要求1-20任一項的聚合物和至少一種溶劑。
26.形成根據(jù)權(quán)利要求21-24任一項的有機(jī)電子器件的方法，該方法包括步驟:通過沉積權(quán)利要求25的配制物并蒸發(fā)所述至少一種溶劑來形成所述半導(dǎo)體層。
27.式(II)的單體:
其中Ar1、Ar2、R1、R2、n和m如權(quán)利要求1_20任一項所定義，并且每個L代表反應(yīng)性離去基團(tuán)。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的單體，其中每個L是能夠參與過渡金屬介導(dǎo)的交叉偶聯(lián)反應(yīng)的基團(tuán)。
29.根據(jù)權(quán)利要求28的單體，其中每個L獨立地選自如下:?素，優(yōu)選Br或I;硼酸和硼酸酯；以及磺酸酯。
30.形成根據(jù)權(quán)利要求1-20任一項的聚合物的方法，該方法包括步驟:使根據(jù)權(quán)利要求27-29任一項的單體聚合。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中在金屬催化劑的存在下進(jìn)行所述聚合。
32.根據(jù)權(quán)利要求31的方法，其中所述金屬催化劑選自于鎳催化劑和鈀催化劑。
33.包含根據(jù)式(III)重復(fù)單元的聚合物:
其中每個Ar1獨立地代表取代或未取代的芳族或雜芳族基團(tuán)；每個Ar2獨立地代表取代或未取代的芳族或雜芳族基團(tuán)；n和m在每次出現(xiàn)時為至少I ;以及R3和R4為取代基，其中R3和R4至少之一是取代或未取代的芳基或雜芳基。
34.根據(jù)權(quán)利要求33的聚合物，其中R3和R4均代表取代或未取代的芳基或雜芳基。
35.根據(jù)權(quán)利要求33或34的聚合物，其中R3和R4至少之一具有式(Ar6)z，其中Ar6在每次出現(xiàn)時代表未取代或取代的芳族或雜芳族基團(tuán)并且z為至少1，任選為1、2或3。
36.根據(jù)權(quán)利要求35的聚合物，其中Ar6是未取代或取代的苯基。
37.根據(jù)權(quán)利要求35或36的聚合物，其中至少一個Ar6取代有一個或多個選自如下的取代基:F ；CN ；N02 ；NR52 ;可交聯(lián)基團(tuán)；和C1J烷基，其中一個或多個非鄰近C原子可以被任選取代的芳基或雜芳基、0、S、NR5、C = O或-COO-替換，并且其中一個或多個H原子可以被F或D替換，并且R5是H或取代基。
【文檔編號】C08G61/12GK104053747SQ201380005584
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年1月16日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月16日
【發(fā)明者】R·佩金頓, S·B·海登海恩, M·J·麥基爾南 申請人:劍橋顯示技術(shù)有限公司, 住友化學(xué)株式會社