本發(fā)明涉及適合用于電子器件中的具有二苯并氮雜卓結構的雜環(huán)化合物。本發(fā)明還涉及其制備方法并且涉及電子器件。

含有有機、有機金屬和/或聚合物半導體的電子器件正變得越來越重要，并且出于成本原因和由于其性能而被用于許多商業(yè)產品中。此處的實例包括復印機、有機或聚合物發(fā)光二極管(oled或pled)中以及讀出和顯示器件中的有機類電荷傳輸材料(例如基于三芳基胺的空穴傳輸材料)或復印機中的有機光感受器。有機太陽能電池(o-sc)、有機場效應晶體管(o-fet)、有機薄膜晶體管(o-tft)、有機集成電路(o-ic)、有機光放大器和有機激光二極管(o-laser)正處于開發(fā)的后期并且可具有重大的未來意義。

不管相應的最終用途如何，這些電子器件中的許多具有以下的一般層結構，其可針對特定應用而進行調整：

(1)基底，

(2)電極，通常是金屬或無機的，但也可由有機或聚合物導電材料構成，

(3)一個或多個電荷注入層或者一個或多個中間層，例如為補償通常由導電性摻雜聚合物構成的電極中的不均勻性(“平坦化層”)，

(4)有機半導體，

(5)可能另外的電荷傳輸、電荷注入或電荷阻擋層，

(6)反電極，如(2)中所指定的材料，

(7)封裝。

上述布置是有機電子器件的一般結構，有可能將多個層組合，以使得在最簡單情況下的結果是由其間具有有機層的兩個電極構成的布置。在這種情況下，有機層實現(xiàn)所有功能，包括在oled情況下的發(fā)光?；诰?對亞苯基)的這種類型的系統(tǒng)描述于例如wo90/13148a1中。

包含具有二苯并氮雜卓結構的化合物的電子器件尤其從公開jp2014-160813a中已知。

已知電子器件具有有用的性能概況。然而，持續(xù)需要改進這些器件的性能。

這些性能尤其包括電子器件解決限定問題所具有的能量效率。在可能基于低分子量化合物或聚合物材料的有機發(fā)光二極管的情況下，光輸出尤其應該足夠高以使得必須施加最小量的電功率來達到特定的光通量。此外，還應該需要最小電壓以實現(xiàn)限定的發(fā)光密度。另一個特定問題是電子器件的壽命。

因此，本發(fā)明的一個目的是提供導致電子器件具有改進性能的新型化合物。特定目的是提供在效率、工作電壓和/或壽命方面展現(xiàn)改進的性能的空穴傳輸材料、空穴注入材料、空穴阻擋材料、電子注入材料、電子阻擋材料和/或電子傳輸材料。此外，所述化合物應該可以用非常簡單的方式加工，并且尤其展現(xiàn)出良好的溶解性和成膜性。例如，所述化合物應該展現(xiàn)出升高的氧化穩(wěn)定性和改進的玻璃化轉變溫度。

另一個目的可被認為是非常廉價地且以穩(wěn)定的質量提供具有優(yōu)異性能的電子器件。

此外，應該可以出于許多目的而使用或改造電子器件。更具體地，應在寬的溫度范圍內維持電子器件的性能。

已發(fā)現(xiàn)，令人驚訝地，這些目的和未明確指定但可以從本文中以引言方式討論的聯(lián)系直接推斷或辨別的其它目的可通過具有權利要求1的所有特征的化合物來實現(xiàn)。本發(fā)明化合物的適當修改在回引權利要求1的從屬權利要求中受到保護。

因此，本發(fā)明提供包含至少一種式(i)的結構的化合物

其中所用的符號如下：

x在每種情況下是相同或不同的并且是n或cr¹，優(yōu)選是cr¹，條件是在一個環(huán)中不超過兩個x基團是n，或者c是r^a和r^b基團的連接位點；

w是鍵、nr¹、c(r¹)2、o、s或b(r¹)、si(r¹)2、c＝o、c＝c、c＝nr¹、c＝c(r¹)2、s＝o、so2、p(r¹)和p(＝o)r¹；優(yōu)選是鍵、nr¹、c(r¹)2、o或s；

r^a是h，d，f，cl，br，i，b(or¹)2，cho，c(＝o)r¹，cr¹＝c(r¹)2，cn，c(＝o)or¹，c(＝o)n(r¹)2，si(r¹)3，n(r¹)2，no2，p(＝o)(r¹)2，oso2r¹，or¹，s(＝o)r¹，s(＝o)2r¹，具有1至40個碳原子的直鏈的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團，或具有3至40個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團，所述基團中的每個可被一個或多個r¹基團取代，其中一個或多個非相鄰的ch2基團可被-r¹c＝cr¹-、-c≡c-、si(r¹)2、c＝o、c＝s、c＝nr¹、-c(＝o)o-、-c(＝o)nr¹-、nr¹、p(＝o)(r¹)、-o-、-s-、so或so2代替并且其中一個或多個氫原子可被d、f、cl、br、i、cn或no2代替，或具有5至40個芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個或多個r¹基團取代的芳族或雜芳族環(huán)系，或具有5至40個芳族環(huán)原子并且可被一個或多個r¹基團取代的芳氧基或雜芳氧基基團，或這些體系的組合；

r^b是h，d，f，cl，br，i，b(or¹)2，cho，c(＝o)r¹，cr¹＝c(r¹)2，cn，c(＝o)or¹，c(＝o)n(r¹)2，si(r¹)3，n(r¹)2，no2，p(＝o)(r¹)2，oso2r¹，or¹，s(＝o)r¹，s(＝o)2r¹，具有1至40個碳原子的直鏈的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團，或具有3至40個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團，所述基團中的每個可被一個或多個r¹基團取代，其中一個或多個非相鄰的ch2基團可被-r¹c＝cr¹-、-c≡c-、si(r¹)2、c＝o、c＝s、c＝nr¹、-c(＝o)o-、-c(＝o)nr¹-、nr¹、p(＝o)(r¹)、-o-、-s-、so或so2代替并且其中一個或多個氫原子可被d、f、cl、br、i、cn或no2代替，或具有5至40個芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個或多個r¹基團取代的芳族或雜芳族環(huán)系，或具有5至40個芳族環(huán)原子并且可被一個或多個r¹基團取代的芳氧基或雜芳氧基基團，或這些體系的組合；

r¹在每種情況下是相同或不同的并且是h，d，f，cl，br，i，b(or²)2，cho，c(＝o)r²，cr²＝c(r²)2，cn，c(＝o)or²，c(＝o)n(r²)2，si(r²)3，n(r²)2，no2，p(＝o)(r²)2，oso2r²，or²，s(＝o)r²，s(＝o)2r²，具有1至40個碳原子的直鏈的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團，或具有3至40個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團，所述基團中的每個可被一個或多個r²基團取代，其中一個或多個非相鄰的ch2基團可被-r²c＝cr²-、-c≡c-、si(r²)2、ge(r²)2、sn(r²)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr²、-c(＝o)o-、-c(＝o)nr²-、nr²、p(＝o)(r²)、-o-、-s-、so或so2代替并且其中一個或多個氫原子可被d、f、cl、br、i、cn或no2代替，或具有5至40個芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個或多個r²基團取代的芳族或雜芳族環(huán)系，或具有5至40個芳族環(huán)原子并且可被一個或多個r²基團取代的芳氧基或雜芳氧基基團，或這些體系的組合；同時，兩個或更多個相鄰的r¹取代基一起也可形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；

r²在每種情況下是相同或不同的并且是h，d，f，cl，br，i，b(or³)2，cho，c(＝o)r³，cr³＝c(r³)2，cn，c(＝o)or³，c(＝o)n(r³)2，si(r³)3，n(r³)2，no2，p(＝o)(r³)2，oso2r³，or³，s(＝o)r³，s(＝o)2r³，具有1至40個碳原子的直鏈的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團，或具有3至40個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團，所述基團中的每個可被一個或多個r³基團取代，其中一個或多個非相鄰的ch2基團可被-r³c＝cr³-、-c≡c-、si(r³)2、si(r²)2、ge(r³)2、sn(r³)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr³、-c(＝o)o-、-c(＝o)nr³-、nr³、p(＝o)(r³)、-o-、-s-、so或so2代替并且其中一個或多個氫原子可被d、f、cl、br、i、cn或no2代替，或具有5至40個芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個或多個r³基團取代的芳族或雜芳族環(huán)系，或具有5至40個芳族環(huán)原子并且可被一個或多個r³基團取代的芳氧基或雜芳氧基基團，或這些體系的組合；同時，兩個或更多個相鄰的r²取代基一起也可形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；

r³在每種情況下是相同或不同的并且是h，d，f或具有1至20個碳原子的脂族、芳族和/或雜芳族烴基基團，其中氫原子也可被f代替；同時，兩個或更多個相鄰的r³取代基一起也可形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；

條件是

所述r^a和/或r^b基團中的至少一個是具有10至40個碳原子的芳族基團或具有6至40個碳原子的雜芳族基團，其中所述芳族和/或雜芳族基團包含至少兩個相鄰的芳族和/或雜芳族環(huán)，所述環(huán)中的每個可能是稠合或未稠合的和/或可被一個或多個r¹基團取代。

在上下文中，“相鄰碳原子”是指彼此直接鍵合的碳原子。此外，在基團定義中的“相鄰基團”是指這些基團鍵合至同一碳原子或鍵合至相鄰碳原子。這些定義尤其相應地適用于術語“相鄰基團”和“相鄰取代基”。

更具體地，必須的r^a和/或r^b基團可包括包含至少兩個相鄰的芳族和/或雜芳族環(huán)的芳族和/或雜芳族基團。因此，所述環(huán)可經由鍵彼此連接，以使得r^a和/或r^b基團可例如包含聯(lián)苯基基團。此外，所述環(huán)可稠合，以使得例如兩個碳原子屬于至少兩個芳族或雜芳族環(huán)，如例如在萘基基團中的情況。此外，r^a和/或r^b基團也可以是彼此相鄰的，其間有一個原子。例如，r^a和/或r^b基團可包含二芳基胺化合物，其中至少兩個芳基基團是相鄰的，其間有一個氮原子。優(yōu)選地，具有至少兩個相鄰的芳族和/或雜芳族環(huán)的芳族和/或雜芳族基團包含經由鍵彼此鍵合或稠合的兩個芳基基團。更優(yōu)選地，具有至少兩個相鄰的芳族和/或雜芳族環(huán)的芳族和/或雜芳族基團包含經由鍵彼此鍵合的兩個芳基基團。

在本發(fā)明的上下文中的芳基基團含有6至40個碳原子；在本發(fā)明的上下文中的雜芳基基團含有2至40個碳原子和至少一個雜原子，其條件是碳原子與雜原子的總和至少為5。所述雜原子優(yōu)選選自n、o和/或s。芳基基團或雜芳基基團在此處應理解為是指簡單的芳族環(huán)，即苯，或簡單的雜芳族環(huán)，例如吡啶、嘧啶、噻吩等，或稠合的芳基或雜芳基基團，例如萘、蒽、菲、喹啉、異喹啉等。

在本發(fā)明的上下文中的芳族環(huán)系在環(huán)系中含有6至60個碳原子。在本發(fā)明的上下文中的雜芳族環(huán)系在環(huán)系中含有1至60個碳原子和至少一個雜原子，其條件是碳原子與雜原子的總和至少為5。所述雜原子優(yōu)選選自n、o和/或s。在本發(fā)明的上下文中的芳族或雜芳族環(huán)系應理解為是指不必僅含有芳基或雜芳基基團的體系，而是其中兩個或更多個芳基或雜芳基基團還可以被非芳族單元(優(yōu)選小于非h原子的10％)間斷，該非芳族單元例如是碳、氮或氧原子或羰基基團。例如，諸如9,9'-螺二芴、9,9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、茋等的體系也因此被視為在本發(fā)明的上下文中的芳族環(huán)系，以及其中兩個或更多個芳基基團被例如直鏈或環(huán)狀的烷基基團或被甲硅烷基基團間斷的體系也是如此。此外，其中兩個或更多個芳基或雜芳基基團彼此直接鍵合的體系例如聯(lián)苯或三聯(lián)苯同樣也被視為芳族或雜芳族環(huán)系。

在本發(fā)明的上下文中的環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團被理解為是指單環(huán)、雙環(huán)或多環(huán)基團。

在本發(fā)明的上下文中，其中個別氫原子或ch2基團還可被上述基團代替的c1至c40烷基基團應理解為是指例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、環(huán)丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、環(huán)丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、環(huán)戊基、正己基、仲己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、環(huán)己基、1-甲基環(huán)戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、環(huán)庚基、1-甲基環(huán)己基、正辛基、2-乙基己基、環(huán)辛基、1-雙環(huán)[2.2.2]辛基、2-雙環(huán)[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金剛烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二烷-1-基、1,1-二甲基-正十四烷-1-基、1,1-二甲基-正十六烷-1-基、1,1-二甲基-正十八烷-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四烷-1-基、1,1-二乙基-正十六烷-1-基、1,1-二乙基-正十八烷-1-基、1-(正丙基)環(huán)己-1-基、1-(正丁基)環(huán)己-1-基、1-(正己基)環(huán)己-1-基、1-(正辛基)環(huán)己-1-基和1-(正癸基)環(huán)己-1-基基團。烯基基團應理解為是指例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環(huán)戊烯基、己烯基、環(huán)己烯基、庚烯基、環(huán)庚烯基、辛烯基、環(huán)辛烯基或環(huán)辛二烯基。炔基基團應理解為是指例如乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。c1至c40烷氧基基團應理解為是指例如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基或2-甲基丁氧基。

具有5-60個芳族環(huán)原子并且在每種情況下也可以被上述基團取代并且可經由任何所希望的位置與芳族或雜芳族環(huán)系連接的芳族或雜芳族環(huán)系，應理解為是指例如衍生自如下物質的基團：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、、苝、熒蒽、苯并熒蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、聯(lián)苯、偶苯、三聯(lián)苯、三聚苯、芴、螺二芴、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順式或反式茚并芴、順式或反式單苯并茚并芴、順式或反式二苯并茚并芴、三聚茚、異三聚茚、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、唑、苯并唑、萘并唑、蒽并唑、菲并唑、異唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、噠嗪、苯并噠嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡嗪、吩嗪、吩嗪、吩噻嗪、熒紅環(huán)、萘啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯并噻二唑。

在一種優(yōu)選構造中，本發(fā)明的化合物可包含式(ii)的結構

其中所用的符號具有上文給出的定義并且r^b基團是具有10至40個碳原子的芳族基團或具有6至40個碳原子的雜芳族基團，其中所述芳族和/或雜芳族基團包含至少兩個相鄰的芳族和/或雜芳族環(huán)，所述環(huán)中的每個可能是稠合或未稠合的和/或可被一個或多個r¹基團取代。

此外，本發(fā)明的化合物可包含式(iii)的結構

其中所用的符號具有上文給出的定義并且r^a基團是具有10至40個碳原子的芳族基團或具有6至40個碳原子的雜芳族基團，其中所述芳族和/或雜芳族基團包含至少兩個相鄰的芳族和/或雜芳族環(huán)，所述環(huán)中的每個可能是稠合或未稠合的和/或可被一個或多個r¹基團取代。

優(yōu)選地，本發(fā)明的化合物可包含式(iv)的結構

其中所用的符號具有上文給出的定義并且r^a和/或r^b基團中的至少一個并且優(yōu)選地r^a與r^b基團都是具有10至40個碳原子的芳族基團或具有6至40個碳原子的雜芳族基團，其中所述芳族和/或雜芳族基團包含至少兩個相鄰的芳族和/或雜芳族環(huán)，所述環(huán)中的每個可能是稠合或未稠合的和/或可被一個或多個r¹基團取代。

此外優(yōu)選的是如下的化合物，其特征在于式(i)、(ii)、(iii)和/或(iv)中的r^a和/或r^b基團中的至少一個是空穴傳輸基團或電子傳輸基團。

此外，式(i)化合物顯示令人驚訝的優(yōu)點，其中，在式(i)、(ii)、(iii)和/或(iv)中，不超過兩個x基團是n并且優(yōu)選地不超過一個x基團是n。在式(i)、(ii)和/或(iii)中，除了r^a和/或r^b基團的連接位點處x為c之外，優(yōu)選地所有x都是cr¹基團，其中所述cr¹基團中優(yōu)選不超過4個，更優(yōu)選不超過3個并且特別優(yōu)選不超過2個不是ch基團。

特別優(yōu)選的化合物是包含式(v)的結構的那些

其中r^a、r^b和r¹可采取上文詳述的定義，尤其是關于式(i)，

e是0、1或2，優(yōu)選是0或1，更優(yōu)選是0，

j是0、1、2或3，優(yōu)選是0、1或2，更優(yōu)選是0或1，

h是0、1、2、3或4，優(yōu)選是0、1或2，更優(yōu)選是0或1，

其中r^a、r^b基團中的至少一個是空穴傳輸基團和/或電子傳輸基團，其中優(yōu)選地r^a基團和r^b基團中的每個是空穴傳輸基團和/或電子傳輸基團。

此外非常特別優(yōu)選的是包含式(vi)的結構的化合物

其中r^a、r^b和r¹可采取上文詳述的定義，尤其是關于式(i)，

e是0、1或2，優(yōu)選是0或1，更優(yōu)選是0，

h是0、1、2、3或4，優(yōu)選是0、1或2，更優(yōu)選是0或1，

其中所述r^b基團是空穴傳輸基團或電子傳輸基團并且所述r^c基團是具有10至40個碳原子的芳族基團或具有6至40個碳原子的雜芳族基團，其中所述芳族和/或雜芳族基團包含至少兩個相鄰的芳族和/或雜芳族環(huán)，所述環(huán)中的每個可能是稠合或未稠合的和/或可被一個或多個r¹基團取代。更優(yōu)選地，式(vi)中的r^c基團可以是空穴傳輸基團和/或電子傳輸基團。

特別優(yōu)選的化合物是包含式(vii)的結構的那些

其中r^a、r^b和r¹可采取上文詳述的定義，尤其是關于式(i)，

e是0、1或2，優(yōu)選是0或1，更優(yōu)選是0，

j是0、1、2或3，優(yōu)選是0、1或2，更優(yōu)選是0或1，

h是0、1、2、3或4，優(yōu)選是0、1或2，更優(yōu)選是0或1，

其中所述r^a、r^b基團中的至少一個是空穴傳輸基團和/或電子傳輸基團并且w¹是nr¹、c(r¹)2、o或s。

此外非常特別優(yōu)選的是包含式(viii)的結構的化合物

其中r^a、r^b和r¹可采取上文詳述的定義，尤其是關于式(i)，

e是0、1或2，優(yōu)選是0或1，更優(yōu)選是0，

h是0、1、2、3或4，優(yōu)選是0、1或2，更優(yōu)選是0或1，

其中所述r^b基團是空穴傳輸基團或電子傳輸基團并且所述r^c基團是具有10至40個碳原子并包含至少兩個環(huán)的芳基基團，或具有6至40個碳原子并包含至少兩個環(huán)的雜芳基基團，其中相應基團中的每個可被一個或多個r¹基團取代，并且y¹是nr¹、c(r¹)2、o或s。更優(yōu)選地，式(viii)中的r^c基團可以是空穴傳輸基團和/或電子傳輸基團。

此外可能的情況是，包含式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)的結構的化合物中的r^b基團是空穴傳輸基團并且選自式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)之一的相同式的該結構中的r^a基團是空穴傳輸基團。

此外可能的情況是，包含式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)的結構的化合物中的r^b基團是電子傳輸基團并且選自式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)之一的相同式的該結構中的r^a基團是空穴傳輸基團。

另外可能的情況是，包含式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)的結構的化合物中的r^b基團是空穴傳輸基團并且選自式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)之一的相同式的該結構中的r^a基團是電子傳輸基團。

此外可能的情況是，包含式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)的結構的化合物中的r^b基團是電子傳輸基團并且選自式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)之一的相同式的該結構中的r^a基團是電子傳輸基團。

在本發(fā)明的化合物的一個特別實施方式中，可能的情況是，式(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)的結構中的標記e、h和j的總和在每種情況下優(yōu)選不大于3，更優(yōu)選不大于2并且特別優(yōu)選不大于1。

優(yōu)選的是包含式(i)的結構的化合物，其中式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)的結構中的至少一個r¹、r^a、r^b和/或r^c基團是選自式(r¹-1)至(r¹-72)的基團

其中所用的符號如下：

y是o、s或nr²，優(yōu)選是o或s；

j在每種情況下獨立地是0、1、2或3；

h在每種情況下獨立地是0、1、2、3或4；

g在每種情況下獨立地是0、1、2、3、4或5；

虛線鍵標記連接位置；并且

r²可如上文所限定。

可能優(yōu)選的情況是，式(r¹-1)至(r¹-72)的結構中的標記g、h和j的總和在每種情況下不大于3，優(yōu)選不大于2并且更優(yōu)選不大于1。

更優(yōu)選地，式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)的r¹、r^a、r^b和/或r^c基團可以是具有6至18個并且優(yōu)選地6至12個碳原子的芳族基團。

式(i)的結構或該結構的優(yōu)選實施方式之一的結構包含至少一個如上所詳述的r^a和/或r^b基團。官能團r^a和/或r^b的性質影響化合物的特性，這些特性在寬的范圍內可調。

在該上下文中，應該強調的是，所獲得的化合物通過二苯并氮雜卓結構要素的存在而通常相比于根據現(xiàn)有技術的可比化合物具有顯著更好的特性概況。特別優(yōu)選的尤其是包含式(i)的結構的化合物，或上文或下文詳述的優(yōu)選實施方式，其可以用作基質材料，用作空穴傳輸材料或用作電子傳輸材料。為此目的，本發(fā)明的化合物，尤其是式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)的結構中的r^a、r^b基團是空穴傳輸基團和/或電子傳輸基團。

此外，式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)的結構中的r^a、r^b基團中的至少一個可優(yōu)選地是吡啶、嘧啶、吡嗪、噠嗪、三嗪、二苯并呋喃、二苯并噻吩、芴、螺二芴、蒽或苯并咪唑基團。包含具有至少一個吡啶、嘧啶、吡嗪、噠嗪、三嗪、二苯并呋喃、二苯并噻吩、芴、螺二芴、蒽或苯并咪唑基團的式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)的結構的化合物可以有利地用作電子傳輸材料(etm)。

可能優(yōu)選的情況是，電子傳輸基團包含至少一種選自三嗪、嘧啶、吡嗪、咪唑、苯并咪唑和吡啶的結構，特別優(yōu)選的是三嗪結構。

此外可能的情況是，所述電子傳輸基團具有至少一種式(e-1)至(e-10)的結構

其中虛線鍵標記連接位置，

q'在每種情況下是相同或不同的并且是cr¹或n，并且

q”是nr¹、o或s；

其中至少一個q'是n和/或至少一個q”是nr¹，并且

r¹如上文所限定。

可能更優(yōu)選的情況是，所述電子傳輸基團具有至少一種式(e-11)至(e-23)的結構

其中虛線鍵標記連接位置并且r¹具有上文給出的定義。

優(yōu)選地，對于具有式(e-1)至式(e-23)的結構的化合物，r¹基團中的至少一個并且優(yōu)選地至少兩個是ar^a，其中ar^a在每種情況下是相同或不同的并且是具有6至40個碳原子的芳基基團或具有3至40個碳原子的雜芳基基團，所述基團中的每個可被一個或多個r²基團取代。

電子傳輸基團e中的r¹取代基優(yōu)選選自h和具有5至60個芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個或多個r²基團取代的芳族或雜芳族環(huán)系，甚至更優(yōu)選的基團是式(e-11)、(e-17)和(e-18)的基團并且最優(yōu)選的基團是式(e-11)的基團。

非常特別優(yōu)選的電子傳輸基團e的實例是可被一個或多個獨立的r²基團取代的下列基團，其中虛線鍵指示連接位置。

在本發(fā)明的一個特別實施方式中，式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)的結構中的r^a、r^b基團中的至少一個可優(yōu)選地是咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、芳基胺或二芳基胺基團。具有至少一個咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、芳基胺或二芳基胺基團的式(i)化合物可以優(yōu)選用作基質材料。

可能優(yōu)選的情況是，空穴傳輸基團包含至少一種選自三芳基胺、咔唑、茚并咔唑和吲哚并咔唑的結構。

此外可能的情況是，所述空穴傳輸基團具有至少一種式(l-1)至(l-9)的結構

其中虛線鍵標記連接位置，e是0、1或2，j是0、1、2或3，h是0、1、2、3或4，n是0或1，ar是具有6至40個碳原子的芳基基團或具有3至40個碳原子的雜芳基基團，其可被一個或多個r¹基團取代，并且r¹可采取上文給出的定義。

如果具有一種或多種式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)的結構的本發(fā)明化合物具有電子傳輸基團和空穴傳輸基團，其中更優(yōu)選地r^a和/或r^b基團中的至少一個是電子傳輸基團和/或空穴傳輸基團，則這些化合物可以優(yōu)選用作具有空穴傳導和電子傳導特性兩者的基質材料。

特別優(yōu)選的是如下的化合物，其特征在于式(i)、(ii)、(iii)、(iv)和/或(v)中的r^a、r^b和/或r^c基團中的至少一個包含二苯并呋喃和/或二苯并噻吩基團，其中優(yōu)選地r^a、r^b和/或r^c基團中的至少兩個包含二苯并呋喃和/或二苯并噻吩基團，并且更優(yōu)選地式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)中的r^a、r^b和/或r^c基團中的至少一個是二苯并呋喃和/或二苯并噻吩基團，其中該基團可被一個或多個r¹基團取代。

優(yōu)選地，具有式(i)的結構的化合物或上文和下文詳述的實施方式可包含r¹基團，其中該r¹基團在每種情況下是相同或不同的并且優(yōu)選選自h，d，f，br，i，cn，si(r²)3，b(or²)2，c(＝o)ar¹，具有1至10個碳原子的直鏈的烷基基團，或具有1至10個碳原子的直鏈的烷氧基基團，或具有2至10個碳原子的烯基基團，或具有3至10個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷氧基基團，或具有3至10個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團，所述基團中的每個可被一個或多個r²基團取代，其中一個或多個氫原子可被d或f代替，或具有5至30個芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個或多個r²基團取代的芳族或雜芳族環(huán)系；同時，兩個相鄰的r¹基團一起或r¹基團與r²基團一起也可形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系。更優(yōu)選地，這些r¹基團在每種情況下是相同或不同的并且選自h，d，f，具有1至6個碳原子的直鏈的烷氧基基團，或具有3至10個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷氧基基團，具有1至6個碳原子的直鏈的烷基基團，或具有3至10個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團，其中一個或多個氫原子可被d或f代替，或具有5至24個芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個或多個r²基團取代的芳族或雜芳族環(huán)系；同時，兩個相鄰的r¹基團一起或r¹基團與r²基團一起也可形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系。更優(yōu)選地，式(i)中的r¹基團中的至少一個可以是具有6至18個碳原子并且可被至多三個r²基團取代的芳基基團或雜芳基基團。

優(yōu)選地，具有式(i)的結構的化合物或上文和下文詳述的實施方式可包含r²基團，其中這些r²基團在每種情況下是相同或不同的并且優(yōu)選選自h，d，f，cl，br，i，cho，c(＝o)ar¹，p(＝o)(ar¹)2，s(＝o)ar¹，s(＝o)2ar¹，cn，no2，si(r³)3，b(or³)2，oso2r³，具有1至10個碳原子的直鏈的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團，或具有3至10個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團，所述基團中的每個可被一個或多個r³基團取代，其中一個或多個非相鄰的ch2基團可被c≡c、si(r³)2、ge(r³)2、sn(r³)2、c＝o、c＝s、c＝se、p(＝o)(r³)、so、so2、o、s或conr³代替并且其中一個或多個氫原子可被d、f、cl、br、i、cn或no2代替，或具有5至24個芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個或多個r³基團取代的芳族或雜芳族環(huán)系，或具有5至24個芳族環(huán)原子并且可被一個或多個r³基團取代的芳氧基或雜芳氧基基團，或這些體系的組合；同時，兩個或更多個相鄰的r²取代基一起也可形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系。更優(yōu)選地，式(i)中的r²基團中的至少一個可以是具有6至18個碳原子并且可被至多三個r³基團取代的芳基基團或雜芳基基團。

特別優(yōu)選的化合物包括下式1至70的結構：

本發(fā)明化合物的優(yōu)選實施方式在實施例中具體敘述，這些化合物可單獨使用或出于本發(fā)明的所有目的與其它化合物組合使用。

只要符合權利要求1中規(guī)定的條件，上述優(yōu)選實施方式可以根據需要彼此組合。在本發(fā)明的特別優(yōu)選的實施方式中，上述優(yōu)選實施方式同時適用。

本發(fā)明的化合物原則上可通過各種方法制備。然而，已發(fā)現(xiàn)下文所述的方法是特別合適的。

因此，本發(fā)明還提供用于制備包含式(i)結構的化合物的方法，其中在具有氮雜卓結構要素的化合物中進行閉環(huán)反應。

具有氮雜卓結構要素，例如9h-三苯并[b,d,f]氮雜卓的化合物在許多情況下是可商購的，并且實施例中詳述的原料化合物可通過已知方法獲得，因此對其進行參考。

這些化合物可以通過已知的偶聯(lián)反應與另外的芳基化合物反應，所獲得的中間化合物隨后進行閉環(huán)反應，以獲得式(i)、(ii)、(iii)、(iv)、(v)、(vi)、(vii)和/或(viii)的結構的本發(fā)明化合物。此外，在閉環(huán)反應后獲得的化合物可以在進一步反應中轉化，以獲得本發(fā)明的產物。

其必要條件是本領域技術人員已知的，并且在實施例中給出的具體細節(jié)將支持本領域技術人員進行這些反應。

所有引起c-c鍵形成和/或c-n鍵形成的特別合適且優(yōu)選的偶聯(lián)反應是根據buchwald、suzuki、yamamoto、stille、heck、negishi、sonogashira和hiyama的那些。這些反應是眾所周知的，并且所述實施例將為本領域技術人員提供進一步的指導。

在下文所有合成方案中，化合物用少量的取代基表示，以簡化結構。這并不排除過程中任何所需的另外的取代基的存在。

下面的方案給出示例性實施，而這些方案應該無任何意圖施加限制。各個方案的組成步驟可以根據需要彼此組合。

例如，根據方案1，從9h-三苯并[b,d,f]氮雜卓化合物開始，可通過buchwald偶聯(lián)制備反應性中間體。所得中間體可以借助于催化劑例如pd(oac)2進行閉環(huán)反應，以獲得本發(fā)明化合物。

方案1

x＝鹵素或三氟甲磺酸酯基，其中所述三氟甲磺酸酯基也可以在中間反應中從醚或羥基基團獲得。

在根據方案2的反應中，從具有氮雜卓結構要素的反應物開始，例如使用cs2co3，利用具有硝基基團的氟代芳基化合物進行反應。首先將所得中間體化合物還原，以將中間體化合物的硝基基團轉化為氨基基團，對其來說可使用例如sncl2作為還原劑。具有可以這種方式獲得的氨基基團的中間體可以隨后經由閉環(huán)反應，例如借助于nano2，轉化為本發(fā)明化合物。

方案2

根據方案3，氮雜卓化合物可以與具有酯基團的芳基鹵化物反應。所得中間體的酯基團可以隨后被還原為醇，對其來說可使用有機金屬化合物，例如，一個實例是甲基鋰。所制備的中間體可以隨后進行閉環(huán)反應，對其來說一種可用的試劑是酸。

方案3

根據方案4，出于目的使用具有硝基基團和在所述硝基基團的鄰位具有離去基團x的芳基化合物，可以在buchwald偶聯(lián)中轉化具有與氮雜卓化合物的氮原子相鄰的離去基團x的氮雜卓化合物。所得中間體的硝基基團可以隨后被還原為氨基基團，對其來說可使用例如sncl2。所制備的中間體可以隨后進行閉環(huán)反應，并且可通過buchwald偶聯(lián)引起閉環(huán)。這得到二芳基氨基結構，可以使用具有離去基團x的芳基化合物在另一buchwald偶聯(lián)中將所述二芳基氨基結構進行轉化。

方案4

ar＝芳基化合物

x＝鹵素或三氟甲磺酸酯基，其中所述三氟甲磺酸酯基也可以在中間反應中從醚或羥基基團獲得。

對于本發(fā)明化合物的合成所示的方法應通過舉例理解。本領域技術人員將能夠在本領域的普通知識的范圍內開發(fā)替代合成路線。

上述制備方法的原理理論上是從相似化合物的文獻中已知的，并且可容易地被本領域技術人員改造用于制備本發(fā)明化合物。另外的信息可見于實施例中。

通過這些方法，必要時接著純化，例如重結晶或升華，可以獲得高純度、優(yōu)選地大于99％(借助于¹hnmr和/或hplc測定)的包含式(i)結構的本發(fā)明化合物。

本發(fā)明化合物也可具有合適的取代基，例如相對長的烷基基團(約4至20個碳原子)，特別是支鏈烷基基團，或任選被取代的芳基基團，例如二甲苯基、均三甲苯基或支鏈的三聯(lián)苯基或四聯(lián)苯基基團，其在室溫下在標準有機溶劑例如甲苯或二甲苯中以足夠可溶濃度產生溶解性，以便能夠從溶液處理所述化合物。這些可溶性化合物特別適于從溶液處理，例如通過印刷方法。此外，應該強調的是，包含至少一種式(i)結構的本發(fā)明化合物已經在這些溶劑中具有增強的溶解性。

本發(fā)明化合物還可與聚合物混合。同樣可將這些化合物共價地并入聚合物中。對于被反應性離去基團如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯取代或被反應性可聚合基團如烯烴或氧雜環(huán)丁烷取代的化合物，這是尤其可能的。這些可用作用于制造相應的低聚物、樹枝狀大分子或聚合物的單體。低聚或聚合優(yōu)選經由鹵素官能團或硼酸官能團或經由可聚合基團實現(xiàn)。此外可經由這種類型的基團使聚合物交聯(lián)。本發(fā)明的化合物和聚合物可以以交聯(lián)或未交聯(lián)的層形式使用。

因此，本發(fā)明還提供含有一種或多種上述式(i)結構或本發(fā)明化合物的低聚物、聚合物或樹枝狀大分子，其中存在本發(fā)明化合物或式(i)的結構鍵合到所述聚合物、低聚物或樹枝狀大分子的一個或多個鍵。根據式(i)的結構或所述化合物的連接，這些因此形成低聚物或聚合物的側鏈或者鍵合在主鏈內。所述聚合物、低聚物或樹枝狀大分子可為共軛的、部分共軛的或非共軛的。所述低聚物或聚合物可為直鏈、支鏈或樹枝狀的。對于低聚物、樹枝狀大分子和聚合物中的本發(fā)明化合物的重復單元，適用如上所述的相同優(yōu)選特征。

為制備所述低聚物或聚合物，使本發(fā)明的單體進行均聚或與另外的單體進行共聚。優(yōu)選如下的共聚物，其中式(i)的單元或者上文和下文所述的優(yōu)選實施方式以0.01摩爾％至99.9摩爾％、優(yōu)選5摩爾％至90摩爾％、更優(yōu)選20摩爾％至80摩爾％的程度存在。合適且優(yōu)選的形成聚合物基本骨架的共聚單體選自芴(例如根據ep842208或wo2000/022026)、螺二芴(例如根據ep707020、ep894107或wo2006/061181)、對亞苯基(例如根據wo92/18552)、咔唑(例如根據wo2004/070772或wo2004/113468)、噻吩(例如根據ep1028136)、二氫菲(例如根據wo2005/014689)、順式和反式茚并芴(例如根據wo2004/041901或wo2004/113412)、酮(例如根據wo2005/040302)、菲(例如根據wo2005/104264或wo2007/017066)或者多種這些單元。所述聚合物、低聚物和樹枝狀大分子還可含有其它單元，例如空穴傳輸單元，特別是基于三芳基胺的那些，和/或電子傳輸單元。

此外，本發(fā)明化合物可具有相對低的分子量。因此，本發(fā)明還提供如下的化合物，其包含一種或多種式(i)的結構或上文和下文所詳述的優(yōu)選實施方式并具有優(yōu)選不超過10000g/mol、更優(yōu)選不超過5000g/mol、特別優(yōu)選不超過4000g/mol、尤其優(yōu)選不超過3000g/mol、尤其優(yōu)選不超過2000g/mol并且甚至更優(yōu)選不超過1000g/mol的分子量。

此外，優(yōu)選的本發(fā)明化合物的特征是它們是可升華的。這些化合物通常具有小于約1200g/mol的摩爾質量。

另外特別關注的是特征為高玻璃化轉變溫度的本發(fā)明化合物。在這方面，特別優(yōu)選的是包含通式(i)的結構或上文和下文所述的優(yōu)選實施方式的本發(fā)明化合物，其具有根據din51005測定為至少70℃、更優(yōu)選至少110℃、甚至更優(yōu)選至少125℃并且特別優(yōu)選至少150℃的玻璃化轉變溫度。

此外，本發(fā)明還提供包含本發(fā)明化合物或本發(fā)明的低聚物、聚合物或樹枝狀大分子和至少一種其它化合物的制劑。所述其它化合物可優(yōu)選是溶劑。所述其它化合物可能可選地是另一種同樣用于電子器件中的有機或無機化合物，例如基質材料。這種其它化合物也可以是聚合的。

合適且優(yōu)選的溶劑例如是甲苯，苯甲醚，鄰二甲苯、間二甲苯或對二甲苯，苯甲酸甲酯，均三甲基苯，萘滿，鄰二甲氧苯，thf，甲基-thf，thp，氯苯，二烷，苯氧基甲苯，特別是3-苯氧基甲苯，(-)-葑酮，1,2,3,5-四甲基苯，1,2,4,5-四甲基苯，1-甲基萘，2-甲基苯并噻唑，2-苯氧基乙醇，2-吡咯烷酮，3-甲基苯甲醚，4-甲基苯甲醚，3,4-二甲基苯甲醚，3,5-二甲基苯甲醚，苯乙酮，α-萜品醇，苯并噻唑，苯甲酸丁酯，異丙苯，環(huán)己醇，環(huán)己酮，環(huán)己基苯，萘烷，十二烷基苯，苯甲酸乙酯，茚滿，苯甲酸甲酯，nmp，對異丙基甲苯，苯乙醚，1,4-二異丙基苯，二芐醚，二乙二醇丁基甲基醚，三乙二醇丁基甲基醚，二乙二醇二丁基醚，三乙二醇二甲基醚，二乙二醇單丁基醚，三丙二醇二甲基醚，四乙二醇二甲基醚，2-異丙基萘，戊基苯，己基苯，庚基苯，辛基苯，1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷，或這些溶劑的混合物。

此外，本發(fā)明還提供包含本發(fā)明化合物和至少一種另外的有機功能材料的組合物。功能材料通常是引入陽極與陰極之間的有機或無機材料。優(yōu)選地，所述有機功能材料選自熒光發(fā)光體、磷光發(fā)光體、主體材料、基質材料、電子傳輸材料、電子注入材料、空穴導體材料、空穴注入材料、n型摻雜劑、寬帶隙材料、電子阻擋材料和空穴阻擋材料。

因此，本發(fā)明還涉及包含至少一種包含式(i)結構或上文和下文所述的優(yōu)選實施方式的化合物和至少一種另外的基質材料的組合物。根據本發(fā)明的一個特別方面，所述另外的基質材料具有空穴傳輸特性。

本發(fā)明還提供包含至少一種包含至少一種式(i)結構或上文和下文所述的優(yōu)選實施方式的化合物和至少一種寬帶隙材料的組合物，寬帶隙材料應理解為是指在us7,294,849的公開內容意義上的材料。這些體系在電致發(fā)光器件中展現(xiàn)特別有利的性能數(shù)據。

優(yōu)選地，另外的化合物可具有2.5ev或更大、優(yōu)選地3.0ev或更大、非常優(yōu)選地3.5ev或更大的帶隙。計算帶隙的一種方式是經由最高占據分子軌道(homo)和最低未占分子軌道(lumo)的能級。

經由量子化學計算確定所述材料的分子軌道，特別是最高占據分子軌道(homo)和最低未占分子軌道(lumo)，其能級以及最低三重態(tài)t1的能量和最低激發(fā)單重態(tài)s1的能量。為了計算沒有金屬的有機物質，首先通過“基態(tài)/半經驗/默認自旋/am1/電荷0/自旋單重態(tài)”方法進行幾何結構優(yōu)化。然后，基于優(yōu)化的幾何結構實施能量計算。在此使用“td-sfc/dft/默認自旋/b3pw91”方法用“6-31g(d)”基組(電荷0，自旋單重態(tài))進行。對于含金屬化合物，經由“基態(tài)/hartree-fock/默認自旋/lanl2mb/電荷0/自旋單重態(tài)”方法優(yōu)化幾何結構。類似于上述關于有機物質的方法進行能量計算，區(qū)別在于對于金屬原子使用“l(fā)anl2dz”基組，而對于配體使用“6-31g(d)”基組。從能量計算獲得以哈特里單位計量的homo能級heh或lumo能級leh。使用其來確定homo和lumo能級，以電子伏特計，通過循環(huán)伏安法測量校準如下：

homo(ev)＝((heh*27.212)-0.9899)/1.1206

lumo(ev)＝((leh*27.212)-2.0041)/1.385

在本申請的上下文中，這些值被視為所述材料的homo和lumo能級。

最低三重態(tài)t1定義為具有從所述量子化學計算顯而易見的最低能量的三重態(tài)能量。

最低激發(fā)單重態(tài)s1定義為具有從所述量子化學計算顯而易見的最低能量的激發(fā)單重態(tài)能量。

本文所述的方法與所用的軟件包無關并且始終給出相同的結果。為此目的常用的程序的實例是“gaussian09w”(gaussian公司)和q-chem4.1(q-chem公司)。

本發(fā)明還涉及一種組合物，其包含至少一種包含式(i)結構或上文和下文所述的優(yōu)選實施方式的化合物和至少一種磷光發(fā)光體，術語“磷光發(fā)光體”也應理解為是指磷光摻雜劑。

術語“磷光摻雜劑”通常涵蓋其中經由自旋禁阻躍遷、例如從激發(fā)三重態(tài)或具有更高自旋量子數(shù)的狀態(tài)例如五重態(tài)躍遷來實現(xiàn)發(fā)光的化合物。

合適的磷光摻雜劑特別是在適當激發(fā)時發(fā)光、優(yōu)選在可見區(qū)發(fā)光并且另外含有至少一種原子序數(shù)大于20、優(yōu)選大于38且小于84、更優(yōu)選大于56且小于80的原子的化合物。優(yōu)選使用含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪的化合物，特別是含有銥、鉑或銅的化合物作為磷光摻雜劑。

在本申請的上下文中，所有發(fā)光的銥、鉑或銅絡合物都被視為磷光化合物。在以下章節(jié)中提出磷光摻雜劑的實例。

在包含基質材料和摻雜劑的體系中的摻雜劑應理解為是指在混合物中具有較小比例的組分。相應地，在包含基質材料和摻雜劑的體系中的基質材料應理解為是指在混合物中具有較大比例的組分。

用于混合基質體系中的優(yōu)選磷光摻雜劑是下文指定的優(yōu)選磷光摻雜劑。

磷光摻雜劑的實例可見于申請wo2000/70655、wo2001/41512、wo2002/02714、wo2002/15645、ep1191613、ep1191612、ep1191614、wo2005/033244、wo2005/019373和us2005/0258742中。一般來說，根據現(xiàn)有技術用于磷光oled的和在有機電致發(fā)光器件領域中的技術人員所知的所有磷光絡合物都適合用于本發(fā)明器件中。

在下表中提出磷光摻雜劑的明確實例：

包含式(i)結構或上文詳述的優(yōu)選實施方式的上述化合物可以優(yōu)選地用作電子器件中的活性組分。電子器件應理解為是指包含陽極、陰極和至少一個層的任何器件，所述層包含至少一種有機或有機金屬化合物。因此，本發(fā)明的電子器件包含陽極、陰極和至少一個含有至少一種包含式(i)結構的化合物的層。此處優(yōu)選的電子器件選自有機電致發(fā)光器件(oled、pled)、有機集成電路(o-ic)、有機場效應晶體管(o-fet)、有機薄膜晶體管(o-tft)、有機發(fā)光晶體管(o-let)、有機太陽能電池(o-sc)、有機光檢測器、有機光感受器、有機場猝熄器件(o-fqd)、有機電傳感器、發(fā)光電化學電池(lec)和有機激光二極管(o-laser)，其在至少一個層中含有至少一種包含式(i)結構的化合物。特別優(yōu)選的是有機電致發(fā)光器件?；钚越M分通常是引入陽極與陰極之間的有機或無機材料，例如電荷注入、電荷傳輸或電荷阻擋材料，但特別是發(fā)光材料和基質材料。

本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方式是有機電致發(fā)光器件。所述有機電致發(fā)光器件包含陰極、陽極和至少一個發(fā)光層。除了這些層之外，它可包含另外的層，例如在每種情況下一個或多個空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層、電荷產生層和/或有機或無機p/n結。同時，可能的是，一個或多個空穴傳輸層被例如用金屬氧化物如moo3或wo3或用(全)氟化缺電子芳族體系p型摻雜，和/或一個或多個電子傳輸層被n型摻雜。同樣可能的是將中間層引入兩個發(fā)光層之間，這些層具有例如激子阻擋功能和/或控制電致發(fā)光器件中的電荷平衡。然而，應當指出，這些層中的每一個未必都需要存在。

在這種情況下，所述有機電致發(fā)光器件可含有一個發(fā)光層，或者它可含有多個發(fā)光層。如果存在多個發(fā)光層，則這些優(yōu)選總共具有多個在380nm與750nm之間的發(fā)光峰值，以使得總體結果是白色發(fā)光；換句話說，在發(fā)光層中使用可能發(fā)熒光或發(fā)磷光的各種發(fā)光化合物。特別優(yōu)選三層體系，其中所述三個層顯示藍色、綠色和橙色或紅色發(fā)光(對于基本結構，參見例如wo2005/011013)，或具有超過三個發(fā)光層的體系。所述體系還可能是其中一個或多個層發(fā)熒光并且一個或多個其它層發(fā)磷光的混合體系。

在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方式中，所述有機電致發(fā)光器件含有包含式(i)結構或上文詳述的優(yōu)選實施方式的本發(fā)明化合物作為一個或多個發(fā)光層中的基質材料，優(yōu)選作為電子傳導基質材料，優(yōu)選與另一種基質材料、優(yōu)選地空穴傳導基質材料組合。發(fā)光層包含至少一種發(fā)光化合物。

所用的基質材料通常可為對于根據現(xiàn)有技術目的已知的任何材料。所述基質材料的三重態(tài)能級優(yōu)選高于所述發(fā)光體的三重態(tài)能級。

適于本發(fā)明化合物的基質材料是酮，氧化膦，亞砜和砜，例如根據wo2004/013080、wo2004/093207、wo2006/005627或wo2010/006680的，三芳基胺，咔唑衍生物，例如cbp(n,n-雙咔唑基聯(lián)苯)、間-cbp或在wo2005/039246、us2005/0069729、jp2004/288381、ep1205527、wo2008/086851或us2009/0134784中公開的咔唑衍生物，吲哚并咔唑衍生物，例如根據wo2007/063754或wo2008/056746的，茚并咔唑衍生物，例如根據wo2010/136109或wo2011/000455的，氮雜咔唑，例如根據ep1617710、ep1617711、ep1731584、jp2005/347160的，雙極性基質材料，例如根據wo2007/137725的，硅烷，例如根據wo2005/111172的，氮雜硼雜環(huán)戊二烯或硼酸酯，例如根據wo2006/117052的，二氮雜硅雜環(huán)戊二烯衍生物，例如根據wo2010/054729的，二氮雜磷雜環(huán)戊二烯衍生物，例如根據wo2010/054730的，三嗪衍生物，例如根據wo2010/015306、wo2007/063754或wo2008/056746的，鋅絡合物，例如根據ep652273或wo2009/062578的，二苯并呋喃衍生物，例如根據wo2009/148015的，或橋連咔唑衍生物，例如根據us2009/0136779、wo2010/050778、wo2011/042107或wo2011/088877的。

此外可優(yōu)選使用多種不同基質材料作為混合物，特別是至少一種電子傳導基質材料和至少一種空穴傳導基質材料。同樣優(yōu)選使用電荷傳輸基質材料和如果存在則不顯著參與電荷傳輸?shù)碾姸栊曰|材料的混合物，如例如在wo2010/108579中所述。

此外優(yōu)選使用兩種或更多種三重態(tài)發(fā)光體與基質的混合物。在這種情況下，具有較短波發(fā)射光譜的三重態(tài)發(fā)光體充當具有較長波發(fā)射光譜的三重態(tài)發(fā)光體的共基質。

更優(yōu)選地，在一個優(yōu)選實施方式中，可使用包含式(i)結構的本發(fā)明化合物作為有機電子器件的發(fā)光層中、特別是有機電致發(fā)光器件中、例如oled或olec中的基質材料。在這種情況下，含有包含式(i)結構或上文和下文所述的優(yōu)選實施方式的化合物的基質材料與一種或多種摻雜劑、優(yōu)選地磷光摻雜劑組合存在于電子器件中。

基質材料在發(fā)光層中的比例在這種情況下對于熒光發(fā)光層為50.0體積％至99.9體積％、優(yōu)選地80.0體積％至99.5體積％和更優(yōu)選地92.0體積％至99.5％，并且對于磷光發(fā)光層為85.0體積％至97.0體積％。

相應地，對于熒光發(fā)光層，摻雜劑的比例為0.1體積％至50.0體積％、優(yōu)選地0.5體積％至20.0體積％并且更優(yōu)選地0.5體積％至8.0體積％，并且對于磷光發(fā)光層為3.0體積％至15.0體積％。

有機電致發(fā)光器件的發(fā)光層還可包含含有多種基質材料(混合基質體系)和/或多種摻雜劑的體系。也在這種情況下，所述摻雜劑通常是在體系中具有較小比例的那些材料并且所述基質材料是在體系中具有較大比例的那些材料。然而，在個別情況下，單一基質材料在體系中的比例可能小于單一摻雜劑的比例。

在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施方式中，包含式(i)結構或上文和下文所述的優(yōu)選實施方式的化合物被用作混合基質體系的組分。所述混合基質體系優(yōu)選包含兩種或三種不同的基質材料，更優(yōu)選地兩種不同的基質材料。優(yōu)選地，在這種情況下，兩種材料之一是具有空穴傳輸特性的材料并且另一種材料是具有電子傳輸特性的材料。然而，混合基質組分的所希望的電子傳輸和空穴傳輸特性也可主要地或完全地組合于單一混合基質組分中，在這種情況下另外的混合基質組分滿足其它功能。兩種不同的基質材料可以以1:50至1:1、優(yōu)選地1:20至1:1、更優(yōu)選地1:10至1:1并且最優(yōu)選地1:4至1:1的比率存在。優(yōu)選在磷光有機電致發(fā)光器件中使用混合基質體系。更詳細的關于混合基質體系的信息的一個來源是申請wo2010/108579。

本發(fā)明還提供如下的電子器件，優(yōu)選有機電致發(fā)光器件，其在一個或多個電子傳導層中包含一種或多種本發(fā)明化合物和/或至少一種本發(fā)明的低聚物、聚合物或樹枝狀大分子，作為電子傳導化合物。

優(yōu)選的陰極是具有低逸出功的金屬、金屬合金或多層結構，其由不同金屬例如堿土金屬、堿金屬、主族金屬或鑭系元素(例如ca、ba、mg、al、in、mg、yb、sm等)構成。此外合適的是由堿金屬或堿土金屬和銀構成的合金，例如由鎂和銀構成的合金。在多層結構的情況下，除所述金屬之外，也可使用具有相對高逸出功的其它金屬，例如ag，在這種情況下，通常使用金屬的組合，例如mg/ag、ca/ag或ba/ag。也可以優(yōu)選在金屬陰極與有機半導體之間引入具有高介電常數(shù)的材料的薄中間層?？捎糜谶@個目的的材料的實例是堿金屬氟化物或堿土金屬氟化物，但也可以是相應的氧化物或碳酸鹽(例如lif、li2o、baf2、mgo、naf、csf、cs2co3等)。同樣可用于這個目的的是有機堿金屬絡合物，例如liq(羥基喹啉鋰)。這個層的層厚度優(yōu)選是0.5至5nm。

優(yōu)選的陽極是具有高逸出功的材料。所述陽極優(yōu)選具有相對于真空大于4.5ev的逸出功。首先，適于這個目的的是具有高氧化還原電勢的金屬，例如ag、pt或au。其次，也可以優(yōu)選金屬/金屬氧化物電極(例如al/ni/niox、al/ptox)。對于一些應用，至少一個電極必須是透明的或部分透明的，以實現(xiàn)有機材料輻射(o-sc)或發(fā)光(oled/pled、o-激光器)。此處優(yōu)選的陽極材料是導電性混合金屬氧化物。特別優(yōu)選氧化銦錫(ito)或氧化銦鋅(izo)。此外優(yōu)選導電性摻雜有機材料，特別是導電性摻雜聚合物，例如pedot、pani或這些聚合物的衍生物。此外優(yōu)選將p型摻雜空穴傳輸材料施加至陽極作為空穴注入層，在這種情況下合適的p型摻雜劑是金屬氧化物，例如moo3或wo3，或(全)氟化缺電子芳族體系。其它合適的p型摻雜劑是hat-cn(六氰基六氮雜苯并菲)或來自novaled的化合物npd9。這種層簡化了空穴向具有低homo即按數(shù)值計大的homo的材料中的注入。

在另外的層中，通常可使用如根據現(xiàn)有技術用于所述層的任何材料，并且本領域技術人員能夠在不運用創(chuàng)造性技能的情況下在電子器件中將這些材料的任一種與本發(fā)明的材料組合。

所述器件被相應地(根據應用)結構化，接觸連接并且最后被氣密密封，因為這些器件的壽命在水和/或空氣存在下會嚴重縮短。

此外優(yōu)選如下的電子器件，特別是有機電致發(fā)光器件，其特征在于通過升華方法涂布一個或多個層。在這種情況下，在真空升華體系中，在通常小于10^-5毫巴、優(yōu)選小于10^-6毫巴的初始壓力下通過氣相沉積施加所述材料。所述初始壓力也可能更低或更高，例如小于10^-7毫巴。

同樣優(yōu)選如下的電子器件，特別是有機電致發(fā)光器件，其特征在于通過ovpd(有機氣相沉積)方法或借助于載氣升華來涂布一個或多個層。在這種情況下，在10^-5毫巴至1巴的壓力下施加所述材料。這種方法的特別例子是ovjp(有機蒸氣噴印)方法，其中所述材料通過噴嘴直接施加并且因此是結構化的(例如m.s.arnold等,appl.phys.lett.(應用物理快報)2008,92,053301)。

此外優(yōu)選如下的電子器件，特別是有機電致發(fā)光器件，其特征在于從溶液中例如通過旋涂，或通過任何印刷方法例如絲網印刷、柔性版印刷、平版印刷或噴嘴印刷，但更優(yōu)選liti(光引發(fā)熱成像，熱轉印)或噴墨印刷，來產生一個或多個層。為了這個目的，需要可溶性化合物，其例如通過合適的取代獲得。

通過從溶液施加一個或多個層并通過氣相沉積施加一個或多個其它的層，所述電子器件、特別是有機電致發(fā)光器件還可以被制造為混合體系。例如，可從溶液施加包含含有式(i)結構的本發(fā)明化合物和基質材料的發(fā)光層，并通過減壓下的氣相沉積在其上施加空穴阻擋層和/或電子傳輸層。

這些方法大體上是本領域技術人員已知的并且可以毫無困難地應用于包含含有式(i)結構或上文詳述的優(yōu)選實施方式的本發(fā)明化合物的電子器件，特別是有機電致發(fā)光器件。

本發(fā)明的電子器件，特別是有機電致發(fā)光器件，相比于現(xiàn)有技術的突出之處在于下列令人驚訝的優(yōu)點中的一個或多個：

1.包含具有式(i)結構或上文和下文所述的優(yōu)選實施方式的化合物、低聚物、聚合物或樹枝狀大分子尤其作為電子傳導材料和/或作為空穴傳導材料的電子器件，特別是有機電致發(fā)光器件，具有非常好的壽命。

2.包含具有式(i)結構或上文和下文所述的優(yōu)選實施方式的化合物、低聚物、聚合物或樹枝狀大分子作為電子傳導材料和/或作為空穴傳導材料的電子器件，特別是有機電致發(fā)光器件，具有優(yōu)異的效率。更特別是，相比于不含式(i)的結構單元的類似化合物，效率高得多。

3.具有式(i)結構或上文和下文所述的優(yōu)選實施方式的本發(fā)明的化合物、低聚物、聚合物或樹枝狀大分子展現(xiàn)非常高的穩(wěn)定性并且產生具有非常長壽命的化合物。

4.利用具有式(i)結構或上文和下文所述的優(yōu)選實施方式的化合物、低聚物、聚合物或樹枝狀大分子，可避免在電子器件、特別是有機電致發(fā)光器件中形成光損耗通道(opticallosschannel)。結果，這些器件的特征在于發(fā)光體的高pl效率和因此高el效率，以及從基質至摻雜劑的優(yōu)異能量傳遞。

5.在電子器件、特別是有機電致發(fā)光器件的層中使用具有式(i)結構或上文和下文所述的優(yōu)選實施方式的化合物、低聚物、聚合物或樹枝狀大分子導致電子導體結構和/或空穴導體結構的高遷移率。

6.具有式(i)結構或上文和下文所述的優(yōu)選實施方式的化合物、低聚物、聚合物或樹枝狀大分子的特征在于優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，并且具有小于約1200g/摩爾的摩爾質量的化合物具有良好的可升華性。

7.具有式(i)結構或上文和下文所述的優(yōu)選實施方式的化合物、低聚物、聚合物或樹枝狀大分子具有優(yōu)異的玻璃膜形成。

8.具有式(i)結構或上文和下文所述的優(yōu)選實施方式的化合物、低聚物、聚合物或樹枝狀大分子從溶液形成非常好的膜。

9.包含式(i)結構或上文和下文所述的優(yōu)選實施方式的化合物、低聚物、聚合物或樹枝狀大分子具有令人驚訝地高的三重態(tài)能級t1，用作電子傳導材料的化合物尤其如此。

這些上述優(yōu)點不伴隨著其它電子性能的劣化。

本發(fā)明還提供本發(fā)明的化合物和/或本發(fā)明的低聚物、聚合物或樹枝狀大分子在電子器件中作為空穴傳輸材料、空穴注入材料、空穴阻擋材料、電子注入材料、電子阻擋材料和/或電子傳輸材料的用途。

應當指出，本發(fā)明中所述的實施方式的變化由本發(fā)明的范圍所涵蓋。除非明確排除，否則本發(fā)明中公開的任何特征可換為提供相同目的或者等效或類似目的的可選特征。因此，除非另外說明，否則本發(fā)明中公開的任何特征應視為通用系列的實例或視為等效或類似的特征。

除非特定特征和/或步驟相互排斥，否則本發(fā)明的所有特征可以任何方式彼此組合。本發(fā)明的優(yōu)選特征尤其如此。同樣地，非必要組合的特征可單獨(而非組合)使用。

此外應當指出，許多特征并且特別是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的那些特征本身應視為發(fā)明性的且不應該僅將其視為本發(fā)明的實施方式的一部分。對于這些特征，除了任何目前要求保護的發(fā)明或作為任何目前要求保護的發(fā)明的替代，可尋求獨立保護。

本發(fā)明公開的技術教導可被提取出來并與其它實施例組合。

通過以下實施例詳細地說明本發(fā)明，而并非意圖將其限于此。

本領域技術人員將能夠在不運用創(chuàng)造性技能的情況下使用給出的細節(jié)來制造本發(fā)明的其它電子器件并且因此在所要求保護的整個范圍內實施本發(fā)明。

實施例

除非另外說明，否則以下合成在保護性氣體氣氛下在無水溶劑中進行。此外在避光下或在黃光下處理金屬絡合物。溶劑和試劑可購自例如sigma-aldrich或abcr。方括號中的相應數(shù)字或對于單獨的化合物引述的數(shù)字是指從文獻中已知的化合物的cas編號。

制備實施例

a)6,12-二溴-9h-9-氮雜三苯并[b,d,f]氮雜卓

首先將100g(373.2mmol)的9h-三苯并[b,d,f]氮雜卓裝入800mldmf中。隨后，逐份添加132.8g(746.4mmol)的nbs并且在該溫度下繼續(xù)攪拌4小時。隨后，向混合物中添加150ml水并用ch2cl2進行萃取。有機相經mgso4干燥并且減壓除去溶劑。將產物在與熱己烷攪拌下進行萃取并抽吸過濾。產率：122g(295mmol)，理論值的79％，根據¹hnmr的純度為約97％。

以類似方式制備以下化合物：

b)6,12-雙(9,9-二甲基-9h-芴-4-基)-9h-9-氮雜三苯并[a,c,e]環(huán)庚烯

將70.0g(168mmol)的6,12-二溴-9h-9-氮雜三苯并[b,d,f]氮雜卓、71g(343mmol)的9,9'-二甲基芴-4-硼酸和6.8g(71mmol)的k2co3懸浮在200ml甲苯、250ml1,4-二烷和150ml水中。向該懸浮液中添加9.6g(8.3mmol)的四(三苯基膦)鈀(0)。將反應混合物加熱回流16小時。冷卻后，除去有機相，用100ml水洗滌三次，然后濃縮至干燥。殘余物利用甲苯進行熱萃取，從甲苯中重結晶并且最后在高真空下升華。產率為61g(98mmol)，理論值的57％，根據¹hnmr的純度為約98％。

以類似方式制備以下化合物：

6-咔唑-9-基-12-(4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪-2-基)-9h-9-氮雜三苯并[a,c,e]環(huán)庚烯的合成

向含80g(159.5mmol)的6-氯-12-(4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪-2-基)-9h-9-氮雜三苯并[a,c,e]環(huán)庚烯的150ml二正丁基醚中添加67.7g(145mmol)的咔唑，并且將溶液脫氣。隨后向混合物中添加10g(0.158mmol)的銅粉、1.38g(0.007mmol)的碘化銅和22g(159.6mmol)的k2co3，并且將混合物在144℃下在保護性氣體下攪拌4天。有機相經mgso4干燥并且減壓除去溶劑。

產率：32g(50mmol)，理論值的40％。

c)9-(2-氯苯基)-6,12-雙(9,9-二甲基-9h-芴-4-基)-9h-9-氮雜三苯并[a,c,e]環(huán)庚烯

在保護性氣體下，將43.9g(70mmol)的6,12-雙(9,9-二甲基-9h-芴-4-基)-9h-9-氮雜三苯并[a,c,e]環(huán)庚烯和14g(73mmol)的1-溴-2-氯苯、8g(84mmol)的叔丁醇鈉、3.5ml的三叔丁基膦(1m于甲苯中)和0.393mg(1.7mmol)乙酸鈀懸浮在300ml對二甲苯中。將反應混合物在110℃下加熱回流12小時。冷卻后，除去有機相，用200ml水洗滌三次，然后濃縮至干燥。經由利用甲苯/庚烷(1:2)的硅膠柱色譜法純化產物。產率為45g(61.6mmol)，理論值的88％，根據¹hnmr的純度為約94％。

以類似方式，可獲得以下化合物：

d)環(huán)化

在保護性氣體下，將45g(61mmol)的9-(2-氯苯基)-6,12-雙(9,9-二甲基-9h-芴-4-基)-9h-9-氮雜三苯并[a,c,e]環(huán)庚烯溶解在250ml二甲基乙酰胺中。向該溶液中添加21g(154mmol)的k2co3、10ml三叔丁基膦(1mol/l)和2.7g(12.5mmol)的pd(oac)2以及1.8g(18.5mmol)的特戊酸。然后將混合物在130℃下攪拌80小時。此后，將反應混合物冷卻至室溫，用二氯甲烷萃取。將合并的有機相經na2so4干燥并濃縮。殘余物利用甲苯進行熱萃取，從甲苯中重結晶并且最后在高真空下升華。產率為37g(52mmol)，理論值的87％，根據hplc的純度為約99.9％。

以類似方式，可獲得以下化合物：

e)2-[2-(6,12-雙[1,1'；3',1”]三聯(lián)苯-5'-基-9-氮雜-三苯并[a,c,e]環(huán)庚烯-9-基)苯基]丙-2-醇

將177g(213mmol)的2-(6,12-雙[1,1'；3',1”]三聯(lián)苯-5'-基-9-氮雜三苯并[a,c,e]-環(huán)庚烯-9-基)苯甲酸甲酯溶解在1500ml無水thf中并脫氣。將混合物冷卻至-78℃，并且在40分鐘內添加569ml(854mmol)的甲基鋰。使混合物在1小時內升溫至-40℃，并且經由tlc監(jiān)測轉化。在轉化完成時，在-30℃下小心地用meoh淬滅混合物。將反應溶液濃縮至1/3并且添加1l的ch2cl2，洗滌混合物并且有機相經mgso4干燥并濃縮。產率為158g(189mmol)，理論值的89％。

以類似方式，可制備以下化合物：

f)環(huán)化

將36g(43.6mmol)的2-[2-(6,12-雙[1,1'；3',1”]三聯(lián)苯-5'-基-9-氮雜三苯并[a,c,e]環(huán)庚烯-9-基)苯基]丙-2-醇溶解在1200ml脫氣甲苯中，添加40g多聚磷酸和28ml甲磺酸的懸浮液，并且將混合物加熱至60℃持續(xù)1小時。將混合物冷卻并與水混合。沉淀出固體并溶解在ch2cl2/thf(1:1)中。小心地用20％naoh堿化溶液，并且分離各相并經mgso4干燥。殘余物利用甲苯進行熱萃取，從甲苯/庚烷(1:2)中重結晶并且最后在高真空下升華。產率為28g(35mmol)，理論值的81％。

以類似方式，可獲得以下化合物：

g)8-氯-9-(2-硝基苯基)-9h-9-氮雜三苯并[b,d,f]氮雜卓

[163811-00-5]

在保護性氣體下，將24.6g(89mmol)的8-氯-9h-9-氮雜三苯并[b,d,f]氮雜卓、17.9g(89mmol)的1,2-溴硝基苯和0.8g(0.88mmol)的三(二亞芐基丙酮)二鈀、1.79g(7.9mmol)的乙酸鈀懸浮在500ml甲苯中。將反應混合物加熱回流8小時。冷卻后，除去有機相，用200ml水洗滌三次，然后濃縮至干燥。純度為87％。產率：25.5g(63mmol)，理論值的72％。

以類似方式制備以下化合物：

h)2-(8-氯-9h-9-氮雜三苯并[b,d,f]氮雜卓基)苯基胺

將16.7g(42mmol)的8-氯-9-(2-硝基苯基)-9h-9-氮雜三苯并[b,d,f]氮雜卓懸浮在200ml乙醇中。在60℃下攪拌的同時，逐份添加溶解在25ml濃鹽酸中的26g(140mmol)的sncl2，并且使混合物在回流下沸騰8小時。其后，過濾出沉淀物并減壓干燥。純度為90％。產率：14.2g(38mmol)，理論值的92％。

以類似方式，可獲得以下化合物：

i)環(huán)化

在保護性氣體下，將9.9g(27mmol)的2-(8-氯-9h-9-氮雜三苯并[b,d,f]氮雜卓基)苯基胺、0.24g(0.26mmol)的三(二亞芐基丙酮)二鈀、0.53g(2.37mmol)的乙酸鈀懸浮在150ml甲苯中。將反應混合物加熱回流8小時。隨后，添加4g(26mmol)的4-溴苯并且使混合物再在回流下沸騰8小時。冷卻后，除去有機相，用80ml水洗滌三次，然后濃縮至干燥。殘余物利用甲苯進行熱萃取，從甲苯/庚烷(1:2)中重結晶并且最后在高真空下升華。根據hplc，純度為99.9％。產率：7.9g(19.4mmol)，理論值的72％。

以類似方式制備以下化合物:

器件實施例

oled的制造

通過根據wo2004/058911的一般方法制造本發(fā)明的oled和根據現(xiàn)有技術的oled，針對在此描述的情況(層厚度變化，材料)調整所述方法。

在以下實施例c1-i6-4中(參見表1和表2)，呈現(xiàn)各種oled的數(shù)據。為改進處理，將涂有厚度50nm的結構化ito(氧化銦錫)的清潔玻璃板(在實驗室玻璃洗滌器中清潔，merckextran洗滌劑)涂覆20nm的pedot:pss(聚(3,4-亞乙基二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸酯)，以clevios^tmpvpai4083購自德國賀利氏貴金屬公司(heraeuspreciousmetalsgmbhdeutschland)，從水溶液旋涂)。這些涂覆的玻璃板構成施加oled的基底。

所述oled基本上具有以下層結構：基底/任選的空穴注入層(hil)/空穴傳輸層(htl)/任選的中間層(il)/電子阻擋層(ebl)/發(fā)光層(eml)/任選的空穴阻擋層(hbl)/電子傳輸層(etl)/任選的電子注入層(eil)和最后的陰極。所述陰極由厚度為100nm的鋁層形成。所述oled的確切結構可見于表1中。用于制造oled所需的材料示于表3中。

在真空室中通過熱氣相沉積施加所有材料。在這種情況下，發(fā)光層總是由至少一種基質材料(主體材料)和發(fā)光摻雜劑(發(fā)光體)組成，通過共蒸發(fā)將所述發(fā)光摻雜劑(發(fā)光體)以特定體積比例添加至所述一種或多種基質材料。此處以例如st1:cbp:ter1(55％:35％:10％)的形式給出的細節(jié)是指，材料st1以55％的體積比例存在于該層中，cbp以35％的體積比例存在于該層中并且ter1以10％的體積比例存在于該層中。類似地，所述電子傳輸層也可以由兩種材料的混合物組成。

以標準方式表征所述oled。為此目的，測量電致發(fā)光光譜、從呈現(xiàn)朗伯發(fā)射特性的電流-電壓-發(fā)光密度特性線(iul特性線)計算的作為發(fā)光密度函數(shù)的電流效率(以cd/a測量)，和壽命。確定在1000cd/m²的發(fā)光密度下的電致發(fā)光光譜，并從其計算cie1931x和y顏色坐標。表2中的參數(shù)u1000是指1000cd/m²的發(fā)光密度所需要的電壓。ce1000表示在1000cd/m²下達到的電流效率。

壽命lt定義為在恒定電流下工作的過程中發(fā)光密度從起始發(fā)光密度降至特定比例l1后的時間。表x2中的l0；j0＝4000cd/m²和l1＝80％的數(shù)字是指lt欄中所報道的壽命對應于起始發(fā)光密度從4000cd/m²降至3200cd/m²后的時間。類似地，l0；j0＝20ma/cm²，l1＝80％是指，在20ma/cm²下工作的過程中，在時間lt后，起始發(fā)光密度降至其起始值的80％。

借助于本領域技術人員已知的轉換公式，可以將壽命值轉換為其它起始發(fā)光密度的數(shù)值。在這方面，起始發(fā)光密度1000cd/m²的壽命是標準數(shù)值。

各種oled的數(shù)據整理在表2中。實施例c1-c5是根據現(xiàn)有技術的比較例；實施例i1-i6-4顯示了包含本發(fā)明材料的oled的數(shù)據。

為了說明本發(fā)明化合物的優(yōu)點，下文詳細闡述了一些實施例。然而，應該指出，這僅僅是表2所示的數(shù)據的選擇。從表中可以推斷出，即使當使用尚未具體詳述的本發(fā)明化合物時，也實現(xiàn)了相比于現(xiàn)有技術的明顯改善，在一些情況下所有參數(shù)都有改善，但在一些情況下僅觀察到效率或電壓或壽命的改善。然而，所提及的參數(shù)之一的改善已經是顯著的進步，因為各種應用需要關于不同參數(shù)的優(yōu)化。

oledc1-c5是根據現(xiàn)有技術的比較例。

本發(fā)明化合物作為電子傳輸材料的用途

通過在oled的電子傳輸層中使用本發(fā)明的化合物，可以在工作電壓、外量子效率以及因此特別是功率效率方面實現(xiàn)明顯的增加。此外，在磷光摻雜劑的情況下獲得改善的壽命。

本發(fā)明化合物作為空穴阻擋材料的用途

在oled的空穴阻擋側使用本發(fā)明的化合物因此在工作電壓、功率效率、壽命和處理復雜性方面提供顯著改善。

本發(fā)明化合物作為磷光oled中的基質材料的用途

本發(fā)明的材料，當用作磷光oled中的基質材料時，因此相比于現(xiàn)有技術在所有參數(shù)方面，特別是關于壽命以及在一些情況下在功率效率方面提供顯著改善。

表1：oled的結構

表2：oled的數(shù)據

表3：用于oled的材料的結構式