本發(fā)明涉及材料合成方法，具體的是一種Ce摻雜PI/CuO復(fù)合薄膜的制備方法。

背景技術(shù)：

聚酰亞胺（PI）作為一種綜合性能優(yōu)異的高分子材料，廣泛用于航空、航天、納米、微電子和激光等領(lǐng)域。半導(dǎo)體氧化物是重要的催化劑，尤其是納米金屬氧化物，較大的比表面積賦予其特殊的理化性質(zhì)，增強(qiáng)了催化性能。將２種不同的金屬氧化物進(jìn)行摻雜，可以實(shí)現(xiàn)電子－空穴對更好的分離，擴(kuò)大催化劑對光的響應(yīng)范圍，提高了光的利用率。

當(dāng)前，我國污水處理亟需低能耗、生態(tài)型的污水處理技術(shù)。光催化反應(yīng)是利用光催化劑在紫外線照射下具有的氧化還原能力達(dá)到分解凈化污染物的效果，利用光催化降解可以將有機(jī)污染物分解為二氧化碳和水等小分子，凈化效果徹底。將金屬氧化物負(fù)載于ＰＩ薄膜表面，既拓寬了ＰＩ的應(yīng)用范圍，也解決了光催化劑的回收利用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種Ce摻雜PI/CuO復(fù)合薄膜的制備方法，提供一種新的制備方法。

本發(fā)明采用的制備方法，包括如下步驟：

將PI薄膜在超聲波下清洗15-20min,然后將其放入5-6mol/L KOH溶液中處理25-30min，沖洗過后將薄膜放入Cu(CH₃COO)₂·H2O、Ce(NO₃)₃·6H₂O（Ce³⁺量為7-9％（wt,質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同）、離子液濃度為0.45mol/L）溶液中離子交換，取出清洗并烘干，最后通過階段升溫對薄膜進(jìn)行熱處理，先從室溫用1h升溫到130℃，保持1h；再從130℃經(jīng)過1h升溫到340℃，保持4h，即制得Ce摻雜PI/CuO薄膜。

本發(fā)明的有益效果是：合成工藝簡單，反應(yīng)條件溫和，生產(chǎn)成本較低，可重復(fù)性好，制得的Ce摻雜PI/CuO復(fù)合薄膜亞甲基藍(lán)降解率可達(dá)93.2-93.8％，TOC去除率79.2-80.1％。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合實(shí)例進(jìn)一步說明本發(fā)明的內(nèi)容，由技術(shù)常識可知，本發(fā)明也可通過其它 的不脫離本發(fā)明技術(shù)特征的方案來描述，因此所有在本發(fā)明范圍內(nèi)或等同本發(fā)明范圍內(nèi)的 改變均被本發(fā)明包含。

實(shí)施例1：

將PI薄膜在超聲波下清洗15min,然后將其放入5mol/L KOH溶液中處理25min，沖洗過后將薄膜放入Cu(CH₃COO)₂·H2O、Ce(NO₃)₃·6H₂O（Ce³⁺量為7％（wt,質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同）、離子液濃度為0.45mol/L）溶液中離子交換，取出清洗并烘干，最后通過階段升溫對薄膜進(jìn)行熱處理，先從室溫用1h升溫到130℃，保持1h；再從130℃經(jīng)過1h升溫到340℃，保持4h，即制得Ce摻雜PI/CuO薄膜。

實(shí)施例2：

將PI薄膜在超聲波下清洗20min,然后將其放入6mol/L KOH溶液中處理30min，沖洗過后將薄膜放入Cu(CH₃COO)₂·H2O、Ce(NO₃)₃·6H₂O（Ce³⁺量為9％（wt,質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同）、離子液濃度為0.45mol/L）溶液中離子交換，取出清洗并烘干，最后通過階段升溫對薄膜進(jìn)行熱處理，先從室溫用1h升溫到130℃，保持1h；再從130℃經(jīng)過1h升溫到340℃，保持4h，即制得Ce摻雜PI/CuO薄膜。

采用本發(fā)明方法制備Ce摻雜PI/CuO薄膜，薄膜表面生成了氧化物晶體，根據(jù)謝樂公式計算得，平均晶粒尺寸為19-20nm；光催化活性通過實(shí)驗(yàn)，亞甲基藍(lán)降解率可達(dá)93.2-93.8％，TOC去除率79.2-80.1％。