一種耐污防靜電離型膜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明所述的一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，包括基膜層，基膜層上設(shè)置有離型層，離型層由離型劑涂覆而成，離型劑包含下述質(zhì)量份數(shù)的各組分：乙烯基有機硅樹脂：10?20份；聚對苯二甲酸乙二醇酯：15?30份；納米二氧化硅：0.5?4份；納米二氧化鈦：2?6份；導電聚合物：3?8份；低表面張力助劑：0.1?0.6份；偶聯(lián)劑：1?3.5份；消泡劑：0.5?1.5份；溶劑：18?40份。所述耐污防靜電離型膜，使得到的離型膜在與接觸的粘著帶或者膠粘帶分離時不產(chǎn)生粘連；同時添加有納米二氧化鈦及低表面張力助劑，能夠分解附著在離型膜表面的油污，增強離型膜的耐污性能。
【專利說明】
一種耐污防靜電離型膜
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種離型膜，特別涉及一種耐污防靜電離型膜。
【背景技術(shù)】
[0002] 離型膜又稱防粘膜，是以聚對苯二甲酸乙二醇酯塑料(簡稱PET)、雙向拉伸聚丙烯 薄膜塑料（簡稱Β0ΡΡ)、聚乙烯塑料（簡稱PE)、碳酸酯塑料（簡稱PC)、聚苯乙烯塑料（簡稱 PS)、聚丙烯塑料(簡稱CPP)為基材制作的一種表面具有低表面能的特性的材料。將緊鄰的 黏膠從離型面剝離時，可以輕易剝離或移取離型材料，而不傷害黏膠物性。離型膜的特點是 表面平整、潔凈度高，后續(xù)加工尺寸穩(wěn)定，透明度及顏色可調(diào)整，薄膜的厚度與基材的種類 可選擇的范圍廣。利用離型膜這些特點可以向光學與電子領(lǐng)域的零部件的深加工發(fā)展，從 而適應(yīng)這一領(lǐng)域越來越多的自動化生產(chǎn)工藝過程，目前，離型膜能夠廣泛應(yīng)用于覆銅板、印 刷電路板、電子膠黏劑等領(lǐng)域。
[0003] 離型膜包含基材膜和離型層?；哪け砻嬷辽僖幻嬖O(shè)置有離型層，以提供較低的 表面能量?；哪ざ嗖捎眉?、塑料薄膜作為材料，離型層主要采用硅混合物構(gòu)成。一般多用 于產(chǎn)業(yè)用粘著帶或者膠粘帶等的，對離型膜的性能要求較低，只需要其具有高密著性和殘 留膠粘率，但是隨著工業(yè)領(lǐng)域的迅速發(fā)展，離型膜的使用范圍越來越廣，對其其他性能也有 了一定要求。
[0004] 然而，現(xiàn)有的離型膜大多耐污染性能差，進而影響離型膜的使用和存儲，導致與粘 著帶或者膠粘帶等的分離效果不佳，因此需要一種具有耐污性能的離型膜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為解決上述存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種耐污防靜電離型膜。所述耐 污防靜電離型膜，各組分相互配合，使得得到的離型層能夠均勻涂布于基膜層上，進而使得 到的離型膜在與接觸的粘著帶或者膠粘帶分離時不產(chǎn)生粘連；同時添加有納米二氧化鈦及 低表面張力助劑，納米二氧化鈦具有優(yōu)異的光催化性能，能夠分解附著在離型膜表面的油 污，增強離型膜的耐污性能;此外還添加有導電聚合物，賦予離型膜優(yōu)良的防靜電性能，避 免灰塵及污染物靜電吸附在離型膜表面。
[0006]為達到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是：
[0007] -種耐污防靜電離型膜，包括基膜層，所述基膜層上設(shè)置有離型層，所述離型層由 離型劑涂覆而成，所述離型劑包含下述質(zhì)量份數(shù)的各組分：乙烯基有機硅樹脂：10-20份;聚 對苯二甲酸乙二醇酯：15-30份；納米二氧化硅:0.5-4份；納米二氧化鈦：2-6份；導電聚合 物:3-8份;低表面張力助劑:0.1-0.6份;偶聯(lián)劑：1-3.5份;消泡劑:0.5-1.5份;溶劑：18-40 份。
[0008] 進一步地，所述離型劑包含下述重量百分含量的各組分：乙烯基有機硅樹脂：12_ 18份;聚對苯二甲酸乙二醇酯：20-30份;納米二氧化硅：1.5-4份;納米二氧化鈦:3-5份；導 電聚合物:5.5-8份;低表面張力助劑:0.2-0.5份;偶聯(lián)劑：1-2份;消泡劑:0.8-1.2份;溶劑： 18-30 份。
[0009]進一步地，所述離型劑包含下述重量百分含量的各組分：乙烯基有機硅樹脂：16 份;聚對苯二甲酸乙二醇酯：22份;納米二氧化硅:3.2份;納米二氧化鈦:4.8份;導電聚合 物:6份;低表面張力助劑:0.4份;偶聯(lián)劑:1.5份;消泡劑:1.1份;溶劑:27份。
[0010] 再有，所述基膜層材料為PE、PET、TPX、PMMA、Β0ΡΡ或PS中的任一種。
[0011 ] 且有，所述納米二氧化娃的粒徑為40_200nm。
[0012]另，所述納米二氧化鈦的粒徑為10-100nm。
[0013] 同時，所述導電聚合物為聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺或聚苯撐中的任一種。
[0014] 且，所述低表面張力助劑為聚硅氧烷聚醚共聚物;所述偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑;所述 消泡劑為乙二醇二硬脂酸酯或聚氧丙烯聚氧乙烯甘油醚。
[0015] 本發(fā)明的有益效果在于：
[0016] 本發(fā)明提供的一種耐污防靜電離型膜，各組分相互配合，使得得到的離型層能夠 均勻涂布于基膜層上，進而使得到的離型膜在與接觸的粘著帶或者膠粘帶分離時不產(chǎn)生粘 連;同時添加有納米二氧化鈦及低表面張力助劑，納米二氧化鈦具有優(yōu)異的光催化性能，能 夠分解附著在離型膜表面的油污，增強離型膜的耐污性能;此外還添加有導電聚合物，賦予 離型膜優(yōu)良的防靜電性能，避免灰塵及污染物靜電吸附在離型膜表面。
【具體實施方式】
[0017] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合實施例進一步詳 細說明。
[0018] 實施例1
[0019] -種耐污防靜電離型膜，包括基膜層，所述基膜層上設(shè)置有離型層，所述離型層由 離型劑涂覆而成，所述離型劑包含下述質(zhì)量份數(shù)的各組分：乙烯基有機硅樹脂：10份;聚對 苯二甲酸乙二醇酯：18份;納米二氧化硅:1份;納米二氧化鈦:2份;導電聚合物:3份;低表面 張力助劑:〇. 1份;偶聯(lián)劑:1份;消泡劑:〇. 5份;溶劑:18份。
[0020]其中，所述基膜層材料為TPX，所述納米二氧化娃的粒徑為40nm，所述納米二氧化 鈦的粒徑為30nm，所述導電聚合物為聚吡咯，所述低表面張力助劑為聚硅氧烷聚醚共聚物； 所述偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑;所述消泡劑為聚氧丙烯聚氧乙烯甘油醚。
[0021] 實施例2
[0022] -種耐污防靜電離型膜，包括基膜層，所述基膜層上設(shè)置有離型層，所述離型層由 離型劑涂覆而成，所述離型劑包含下述質(zhì)量份數(shù)的各組分：乙烯基有機硅樹脂：12份;聚對 苯二甲酸乙二醇酯：15份;納米二氧化硅:0.5份;納米二氧化鈦:3份;導電聚合物:4份;低表 面張力助劑:〇. 2份;偶聯(lián)劑:1.5份;消泡劑:0.8份;溶劑:22份。
[0023]其中，所述基膜層材料為PMMA，所述納米二氧化娃的粒徑為40nm，所述納米二氧化 鈦的粒徑為l〇nm，所述導電聚合物為聚苯胺，所述低表面張力助劑為聚硅氧烷聚醚共聚物； 所述偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑;所述消泡劑為乙二醇二硬脂酸酯。
[0024] 實施例3
[0025] -種耐污防靜電離型膜，包括基膜層，所述基膜層上設(shè)置有離型層，所述離型層由 離型劑涂覆而成，所述離型劑包含下述質(zhì)量份數(shù)的各組分：乙烯基有機硅樹脂：16份;聚對 苯二甲酸乙二醇酯:22份;納米二氧化硅:3.2份;納米二氧化鈦:4.8份;導電聚合物:6份;低 表面張力助劑:0.4份;偶聯(lián)劑:1.5份;消泡劑:1.1份;溶劑:27份。
[0026]其中，所述基膜層材料為PE，所述納米二氧化娃的粒徑為lOOnm，所述納米二氧化 鈦的粒徑為50nm，所述導電聚合物為聚吡咯，所述低表面張力助劑為聚硅氧烷聚醚共聚物； 所述偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑;所述消泡劑為聚氧丙烯聚氧乙烯甘油醚。
[0027] 實施例4
[0028] -種耐污防靜電離型膜，包括基膜層，所述基膜層上設(shè)置有離型層，所述離型層由 離型劑涂覆而成，所述離型劑包含下述質(zhì)量份數(shù)的各組分：乙烯基有機硅樹脂：18份;聚對 苯二甲酸乙二醇酯:26份;納米二氧化硅:3.8份;納米二氧化鈦:5份;導電聚合物:8份;低表 面張力助劑:〇. 6份;偶聯(lián)劑:2份;消泡劑:1.5份;溶劑:33份。
[0029]其中，所述基膜層材料為B0PP，所述納米二氧化娃的粒徑為150nm，所述納米二氧 化鈦的粒徑為l〇〇nm，所述導電聚合物為聚苯胺，所述低表面張力助劑為聚硅氧烷聚醚共聚 物;所述偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑;所述消泡劑為乙二醇二硬脂酸酯。
[0030] 實施例5
[0031] -種耐污防靜電離型膜，包括基膜層，所述基膜層上設(shè)置有離型層，所述離型層由 離型劑涂覆而成，所述離型劑包含下述質(zhì)量份數(shù)的各組分：乙烯基有機硅樹脂:20份;聚對 苯二甲酸乙二醇酯:30份;納米二氧化硅:4份;納米二氧化鈦:6份;導電聚合物:5份;低表面 張力助劑:〇. 4份;偶聯(lián)劑:3.5份;消泡劑:1.2份;溶劑:40份。
[0032]其中，所述基膜層材料為PS，所述納米二氧化娃的粒徑為200nm，所述納米二氧化 鈦的粒徑為80nm，所述導電聚合物為聚噻吩，所述低表面張力助劑為聚硅氧烷聚醚共聚物； 所述偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑;所述消泡劑為聚氧丙烯聚氧乙烯甘油醚。
[0033]為了對實施例1-5中一種耐污防靜電離型膜的離型力進行測試，使用FINAT-10,在 各實施例離型膜上附著寬50mm X長175mm的標準帶（TESA7475-丙烯酰氯類）。接著，利用 FINAT-10試驗輥(2Kg載荷），以lOmm/sec的速度往返兩次把標準帶壓緊，用兩塊平整的金屬 板夾住離型膜，一邊加上70g/cm 2的壓力，在大約25°C的溫度下保持20h。之后，卸掉壓力，4h 后把離型膜固定到治具，將標準帶從180°的方向按照300mm/min的速度剝離、測試，反復測 試5次取平均值，結(jié)果見表1。
[0034] 利用表面阻抗測試儀器對實施例1-5中一種耐污防靜電離型膜的表面阻抗性能進 行測試，測量標準方法為ASTM-D257，結(jié)果見表1。
[0035] 表1實施例1-5中離型膜的性能測試結(jié)果
[0036]
[0037] 從上表可知，實施例1-5中耐污防靜電離型膜的表面阻抗皆在105-109 Ω范圍內(nèi)，表 明該離型膜具備優(yōu)良的抗靜電能力；同時，各組分相互配合，使得得到的離型層能夠均勻涂 布于基膜層上，進而使得到的離型膜在與接觸的粘著帶或者膠粘帶分離時不產(chǎn)生粘連;此 外添加有納米二氧化鈦及低表面張力助劑，納米二氧化鈦具有優(yōu)異的光催化性能，能夠分 解附著在離型膜表面的油污，增強離型膜的耐污性能。
[0038]需要說明的是，以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制。盡管參照較 佳實施例對本發(fā)明進行了詳細說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解，可以對發(fā)明的技術(shù) 方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán) 利要求范圍中。
【主權(quán)項】
1. 一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，包括基膜層，所述基膜層上設(shè)置有離型層，所 述離型層由離型劑涂覆而成，所述離型劑包含下述質(zhì)量份數(shù)的各組分：乙烯基有機硅樹脂： 10-20份;聚對苯二甲酸乙二醇酯：15-30份;納米二氧化硅:0.5-4份;納米二氧化鈦:2-6份； 導電聚合物:3-8份;低表面張力助劑:0.1-0.6份;偶聯(lián)劑：1-3.5份;消泡劑:0.5-1.5份;溶 劑：18-40 份。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，所述離型劑包含下述重 量百分含量的各組分：乙烯基有機硅樹脂：12-18份;聚對苯二甲酸乙二醇酯：20-30份;納米 二氧化硅：1.5-4份;納米二氧化鈦:3-5份;導電聚合物:5.5-8份;低表面張力助劑:0.2-0.5 份;偶聯(lián)劑：1-2份;消泡劑:0.8-1.2份;溶劑：18-30份。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，所述離型劑包含下述重 量百分含量的各組分：乙烯基有機硅樹脂：16份;聚對苯二甲酸乙二醇酯：22份;納米二氧化 硅:3.2份;納米二氧化鈦:4.8份;導電聚合物:6份;低表面張力助劑:0.4份;偶聯(lián)劑:1.5份； 消泡劑:1.1份;溶劑:27份。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，所述基膜層材料為PE、 PET、TPX、PMMA、BOPP 或 PS 中的任一種。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，所述納米二氧化硅的粒 徑為40-200nm。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，所述納米二氧化鈦的粒 徑為 10-1 OOnm。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，所述導電聚合物為聚乙 炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺或聚苯撐中的任一種。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐污防靜電離型膜，其特征在于，所述低表面張力助劑為 聚硅氧烷聚醚共聚物;所述偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑;所述消泡劑為乙二醇二硬脂酸酯或聚氧 丙烯聚氧乙烯甘油醚。
【文檔編號】C09D7/12GK105906829SQ201610300864
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年5月9日
【發(fā)明人】於險峰
【申請人】吉翔寶（太倉）離型材料科技發(fā)展有限公司