專利名稱：：用于led應(yīng)用的紅光熒光體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本示例性實(shí)施例涉及熒光體組合物，尤其涉及用于發(fā)光應(yīng)用的熒光體。更具體地，本實(shí)施例涉及發(fā)紅光熒光體和采用這些熒光體的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
：發(fā)光二極管(LED)是通常用作諸如白熾燈的其他光源的替代品的半導(dǎo)體發(fā)光體。它們尤其被用作顯示燈、報(bào)警燈和指示燈或者用在期望4尋到有色光的其〗也應(yīng)用中。由LED產(chǎn)生的光的顏色取決于在LED的制造過程中所使用的半導(dǎo)體材料的類型。包括發(fā)光二極管和激光器(兩者在本文中被統(tǒng)稱為LED)的有色半導(dǎo)體發(fā)光器件已由諸如氮化鎵的第III-V族合金制成。對于基于GaN的LED,所發(fā)射的光通常在電磁光譜的UV至綠色范圍內(nèi)。直到最近，由于由LED所產(chǎn)生的光的固有顏色，LED已不適合需要明亮白光的發(fā)光用應(yīng)。近來，已開發(fā)了用于將從LED發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為用于照明的有用光的技術(shù)。在一種技術(shù)中，LED涂覆或覆蓋有熒光體層。熒光體是吸收電》茲光i普的一部分中的輻射能量并發(fā)射電^茲光譜的另一部分中的能量的發(fā)光材料。一種重要的熒光體是具有非常高化學(xué)純度和可控組成的結(jié)晶無枳j化合物，其中，該化合物中添加有少量其他成分(被稱為"活化劑，，)以將其轉(zhuǎn)換為有效的熒光材料。利用活化劑和無機(jī)化合物的適當(dāng)組合，能夠控制發(fā)光的顏色。最有用和公知焚光體響應(yīng)于在可見范圍外的電磁輻射的激發(fā)而發(fā)出在電^茲光i普的可見部分內(nèi)的輻射。'通過4參入由LED產(chǎn)生的輻射所激發(fā)的熒光體，可以產(chǎn)生例如在光:^普的可見范圍內(nèi)的具有不同波長的光。有色LED通常^皮用在玩具、指示燈和其他裝置中。持續(xù)的性能改善使其已能夠用于在交通燈、出口標(biāo)志、商店標(biāo)識等的々包和色的LED的新應(yīng)用。除了有色LED之外，LED產(chǎn)生的光和熒光體產(chǎn)生的光的合成可以用于產(chǎn)生白光。最常見的白色LED由發(fā)藍(lán)色光的GalnN芯片組成。該發(fā)藍(lán)光的芯片涂覆有將一些藍(lán)色輻射轉(zhuǎn)換為互補(bǔ)色(例如，發(fā)黃色光)的熒光體。藍(lán)色和黃色輻射一起產(chǎn)生白光。還存在白色LED,其利用近UV發(fā)射芯片和包括4皮設(shè)計(jì)用于將UV輻射轉(zhuǎn)換為可見光的紅色熒光體(紅色熒光粉)、綠色熒光體和藍(lán)色熒光體的焚光體混合物。已知的白光發(fā)光器件包括與黃色發(fā)光熒光體(諸如，鈰(III)摻雜的釔鋁石榴石("YAG:Ce，，)、鈰(III)摻雜的鋱鋁石榴石("TAG:Ce")或者銪(II)摻雜的原石圭酸鋇("BOS"))結(jié)合的藍(lán)色發(fā)光LED,該藍(lán)色發(fā)光LED在近藍(lán)色范圍內(nèi)具有最大發(fā)光波長(從約440nm至約480nm)。熒光體吸收,人LED發(fā)出的輻射的一部分，并將所吸收的輻射轉(zhuǎn)換為黃光。由LED發(fā)射的藍(lán)光的其余部分透過熒光體，并與由熒光體發(fā)射的黃光混合。觀看者將藍(lán)光和黃光混9合感知為白光。來自熒光材料和LED芯片的光的總和提供了具有相應(yīng)的色彩坐標(biāo)系(x和y)和相關(guān)色溫(CCT)的色點(diǎn)，并且其光譜分布提供了由顯色指數(shù)(CRI)衡量的顯色能力。這才羊的系統(tǒng)可以用于制造具有>4500K的CCT且CRI范圍為約72至82的白色光源，其中輻射的發(fā)光效能("LER",也稱為發(fā)光度)為約3301m/W。pt。當(dāng)此范圍適合于許多應(yīng)用時(shí)，一般的照明光源通常需要更低的CCT和更高的CRI，優(yōu)選地，具有類似的或更好的LER。由藍(lán)色發(fā)射芯片和黃色發(fā)射熒光體制成的白色LED器件的一種特別優(yōu)選的應(yīng)用是用于例如蜂窩式電話、個(gè)人數(shù)字助理等中的背光源。這些應(yīng)用需要高CCT值(大于5000K),這容易由上述具有280lm/W。pt或更大的LER值的LED^是供。然而，由于黃色熒光體(例如，具有在550nm與610nm之間的最大發(fā)射)的使用，所以這些LED的光譜包含在光i普的黃色區(qū)域內(nèi)的過度發(fā)射，這大大地降4氐了背光的色i或(colorgamut)。色域是在色度圖(例如，CIE1931x，y圖)中顯示的對黃S爭紅色、綠色和藍(lán)色像素的色點(diǎn)之間的區(qū)域。用于顯示的歷史上的"黃金標(biāo)準(zhǔn)，，是NTSC色域，其由三組色點(diǎn)坐標(biāo)(在CIE1931x,y色度圖中，纟工色的x=0.674iLy=0.326，纟錄色的x=0.218JLy=0.712，以及藍(lán)色的x=0.140JLy=0.080)卩艮定。通常i人為，3于于i午多背光應(yīng)用而言，大于70%的NTSC的色域可接受的，而對于大多數(shù)的任何這樣的應(yīng)用而言，大于90%的NTSC的色域是可接受的。為了改善4吏用黃色熒光體的LED背光源的色域，-使黃光纟皮過濾，從而減小了LED背光源的有效LER。因此，開發(fā)在CCT〉5000K處能夠4是供280lm/W。pt以上的LER而在封裝件中不具有黃色熒光體的LED背光源是有益的。紅光熒光體特別適用于當(dāng)與藍(lán)色或近UVLED芯片一起使用時(shí)同時(shí)獲得這樣的LER值，如果需要的話，結(jié)合至少一種綠色熒光體或藍(lán)色熒光體。其他白光LED發(fā)光系統(tǒng)-使用UV或可見光LED芯片與紅色、纟錄色和/或藍(lán)色熒光體的摻和物，該4參和物可以一皮近UV輻射有效激發(fā)以產(chǎn)生白光。盡管國際上^L定了14個(gè)標(biāo)準(zhǔn)色樣并且能夠計(jì)算更廣的CRI(Rw4)作為它們的平均值，CRI通常被義定為8個(gè)標(biāo)準(zhǔn)色樣(RM)的平均值，通常稱為通用顯色指數(shù)并簡稱為Ra。具體地，衡量深紅色(strongred)的顯色的R9值對于應(yīng)用范圍是非常重要的，尤其是醫(yī)學(xué)屬性。隨著CCT減小以及/或者CRI增大，LED值通常減小，導(dǎo)致"暖白色"LED的值(CCT<4500K)顯著l氐于那些"冷白色"LED的值(CCT〉4500K)?？梢酝ㄟ^使用具有線形發(fā)射光譜的紅色熒光體來提高LER值，這與具有寬帶發(fā)射的紅色熒光體相反。后一種熒光體的發(fā)射能量的大部分易于落入人眼的4文感度非常低的光語的深紅色部分，從而減小了LER值。因此，在許多白光應(yīng)用中，優(yōu)選具有線形發(fā)射光語的熒光體(例如，Y203:Eu3+)作為紅色成分，因?yàn)樵诟信d趣的CCR范圍(例如，3000-6500K)內(nèi)，它4吏在可4妾受的CRI4直(例如，80-86)處的LER最大化。目前的4參雜有Ei^+的紅色熒光燈熒光體不能成功地用在UVLED燈中，因?yàn)樗鼈儗?shí)際上不吸收近UV(370-420nm)光，這導(dǎo)致由于由熒光體帶來的散射而引起的不可接受的光損耗。發(fā)深紅色光的氟氧化物熒光體(例如，3.5MgO*0.5MgF2*GeO2:Mn4+(MFG))可以用在LED燈中，^f旦是由于其發(fā)射大多出現(xiàn)在光語的紅色區(qū)域內(nèi)的太遠(yuǎn)處(超過650nm),所以要考慮對LER的影響?；趽诫s有Mn"氧化物和鹵氧化物主晶格的其他類似熒光體還具有在大于650nm的波長處的主發(fā)射峰值。優(yōu)選地，使用在較低波長(例如，在610至650nm范圍內(nèi))處具有線形發(fā)射最大值的紅色熒光體，其在UV至藍(lán)色范圍內(nèi)具有對LED芯片發(fā)射的良好吸收性。這在改善LER的同時(shí)將通常的CRI維持在80或更高。因此，對于新的紅光熒光體、以及它們與顯示高量子歲丈率的UV和可見LED芯片結(jié)合使用的纟參和物存在持續(xù)的需求，乂人而制造在任何給定CCR處具有高CRI和改善的LER的白光LED以及具有最小黃色發(fā)射和高LER的背光源LED。
發(fā)明內(nèi)容在第一方面，提供了一種包括半導(dǎo)體光源的背光發(fā)射器件；其中，背光源包括峰值發(fā)射波長在610nm與650nm之間的紅光熒光體；峰值發(fā)射波長在510nm與550nm之間的綠光熒光體；以及a)峰值發(fā)射波長在440nm與480nm之間的藍(lán)色LED芯片，或者b)峰值發(fā)射波長在440nm與480nm之間的藍(lán)光熒光體和具有從約370nm至約440nm的最大發(fā)射峰值發(fā)射波長的紫色到近UV發(fā)射LED芯片。在一種具體實(shí)施方式中，用Mn"激活的復(fù)合氟化物熒光體材料被用作紅光熒光體。,在第二方面，提供了一種發(fā)光器件，包括半導(dǎo)體光源以及用Mn"激活的復(fù)合氟化物熒光體材料。在一個(gè)實(shí)施例中，該復(fù)合氟化物熒光體可以包4舌以下中的至少一種(1)A2[MF5]:Mn4+，其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它們的纟且合；而M選自Al、Ga、In及它們的組合；(2)A3[MF6]:Mn4+:其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它們的組合，而M選自Al、Ga、In及它們的組合；(3)Zn2[MF7]:Mn4+，其中，M選自Al、Ga、In及它們的組合；或者(4)A[In2F7]:Mn4+,其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、朋4及它們的組合。12在第三方面，提供了一種熒光體混合體，包括上述用Mn"激活的復(fù)合氟化物熒光體中的至少一種以及至少一種其他熒光體。在第四方面，提供了一種熒光體材料，其包括以下中的至少一種(1)A2[MF5]:Mn4+，其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它們的組合，而M選自Al、Ga、In及它們的組合；(2)A3[MF6]:Mn4+:其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它們的組合，而M選自Al、Ga、In及它們的組合；(3)Zn2[MF7]:Mn4+,其中，M選自Al、Ga、In及它們的組合；或者(4)A[In2F7]:Mn4+,其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它們的纟且合。圖1是才艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的照明系統(tǒng)的示意性截面圖。圖2是才艮據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的照明系統(tǒng)的示意性截面圖。圖3是才艮據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的照明系統(tǒng)的示意性截面圖。圖4是才艮據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的照明系統(tǒng)的剖面透#見圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的K3[AlF6]:Mn"+的激發(fā)和發(fā)射光譜的曲線圖。圖6是使用藍(lán)色芯片與熒光體K2[TiF6]:Mn"和STG的摻和物的LED的實(shí)-瞼性光i普功率分布。圖7是在CIE1931x，y色度圖中NTSC標(biāo)準(zhǔn)的色域與LED的色域的曲線表示圖，該LED4吏用藍(lán)色芯片與K2[TiF6]:Mn4+和STG的摻和物。圖8是表面貼裝器件(SMD)背光源LED的示意性透視圖。具體實(shí)施例方式熒光體將輻射(能量)轉(zhuǎn)換為可見光。萸光體的不同組合提供了不同的有色光發(fā)射。本文中提出了新的熒光體組合物和摻和物以及它們在LED和其4也光源中的用途。所產(chǎn)生的可見光的顏色取決于熒光體材料的特定成分。熒光體材料可以僅包括一種熒光體組合物或者包括兩種或多種基色熒光體，例如，與黃色和紅色熒光體中的一種或多種特定混合以發(fā)射期望顏色(色調(diào))的光。如本文中所使用的，術(shù)語"熒光體"和"熒光體材料，，可以用于表示一種焚光體組合物以及兩種或多種熒光體纟且合物的纟參和物。已確定產(chǎn)生白光的LED燈用于為作為光源的LED貝武予期望的質(zhì)量。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，7>開了用于|是供白光的由發(fā)光材泮牛熒光體轉(zhuǎn)換材料摻和物(熒光體摻和物)涂覆的LED芯片。在此實(shí)施例中所提出的熒光體摻和物使得能夠在由近UV至綠色LED所發(fā)射的從約250nm至550nm的輻射激發(fā)時(shí)，得到在任何感興趣的CCT處具有CRI和LER的最佳結(jié)合的白光。參考圖1,根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選結(jié)構(gòu)示出了示例性的基于LED的發(fā)光組件或燈10。發(fā)光組件10包括半導(dǎo)體UV或可見輻射源，諸如發(fā)光二極管(LED)芯片12和電連接至LED芯片的引線14。引線14可以包括由(一個(gè)或多個(gè))較厚的引線框支撐的細(xì)導(dǎo)線，或者引線可以包括自支撐的電極而省去引線框。引線14為LED芯片12提供電流，并由此使LED芯片12發(fā)出輻射。的輻射指向焚光體上時(shí)產(chǎn)生白光。本發(fā)明的LED芯片的優(yōu)選峰值發(fā)射取決于在所纟皮露的實(shí)施例中的熒光體的一致性(identity),并且范圍可以為乂人例如250nm-550nm。然而，在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，LED的發(fā)射將在近UV至藍(lán)色-綠色區(qū)域內(nèi)，并且在從約370nm到500nm的范圍內(nèi)具有峰值波長。通常，半導(dǎo)體光源包括摻雜有各種雜質(zhì)的LED。因此，LED可以包含基于4壬何合適的III-V、II-VI或IV-IV半導(dǎo)體層并具有約250nm至550nm的峰值發(fā)射波長的半導(dǎo)體二極管。優(yōu)選地，LED可以包含至少一個(gè)半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層包括:GaN、ZnO或SiC。例如，該LED可以包括由式In;GajAlkN(其中，OS;O^j;O^k,且i+j+k=l)表示的氮化合物半導(dǎo)體，其具有大于約250nm且小于約550nm的峰值發(fā)射波長。這樣的LED半導(dǎo)體在本領(lǐng)域內(nèi)是已知的。為了方便，本文中將輻射源描述為LED。然而，如本文中所-使用的，術(shù)語是指包括所有半導(dǎo)體輻射源，包括例如半導(dǎo)體激光二^l管。雖然在本文中所述的本發(fā)明的示例性結(jié)構(gòu)的一4殳討i侖是針對基于無機(jī)LED的光源，但是應(yīng)該理解，除非另外指出，LED芯片可以由有4幾發(fā)光結(jié)構(gòu)或其他輻射源^C替，并且當(dāng)才是到任〗可LED芯片或半導(dǎo)體時(shí)僅僅代表任何適當(dāng)?shù)妮椛湓?。LED芯片12可以^皮包封在殼體18內(nèi)，該殼體將LED芯片和密封劑材料20包封起來。殼體18可以是例如玻璃或塑料。優(yōu)選地，LED12基本上位于密封劑20的中心。優(yōu)選地，密封劑20是環(huán)氧樹脂、塑料、低溫玻璃、聚合物、熱塑性塑料、熱固性材料、樹脂或本領(lǐng)域中已知的其他類型的LED封裝材料?？蛇x地，密封劑20是旋涂玻璃或具有高折射率的一些其他材料。在一個(gè)實(shí)施例中，密封劑材料20是聚合物材料，諸如，環(huán)氧樹脂、石圭樹脂、或環(huán)氧有才幾硅樹月旨(siliconeepoxy)，盡管可以4吏用其他有才幾或無才幾密去j"劑。優(yōu)選地，殼體18和密封劑20是透明的或者相對于LED芯片12和熒光體材料22(以下描述)所產(chǎn)生的光的波長基本上是透光的。在一個(gè)可替代的實(shí)施例中，燈104又可以包括密封劑材料，而不具有外殼18。LED芯片12可以例如由引線才匡16、自支4掌電才及、殼體18的底部、或者由安裝于該殼體或引線框的基座(未示出)支撐。照明系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)包括輻射狀耦連至LED芯片12的熒光體材泮牛22。輻射狀耦連意味著多個(gè)元件彼此相聯(lián)，以使得從一個(gè)元件發(fā)出的輻射的至少一部分透射至另一個(gè)元件。該熒光體材沖牛224皮通過4壬4可適當(dāng)方法沉積在LED12上。例如，可以形成(一種或多種)熒光體的懸浮液，并且作為熒光體層將其施加于LED表面。在一種這樣的方法中，(直接地或者用例如丙酮、MIBK或醋酸丁酯的無才幾溶劑稀釋后)4吏用硅樹脂、環(huán)氧樹脂或其他基質(zhì)材料來制造其中熒光體顆粒隨機(jī)地懸浮并位于LED周圍的漿體。該方法僅是對熒光體材料22和LED12的可能位置的示例。因此，可以通過在LED芯片上面涂覆熒光體懸浮液并4吏其干燥或固化來將熒光體材料22涂覆在LED芯片12的發(fā)光面上或直接涂覆在LED芯片12上。殼體18和密封劑20都應(yīng)該是透明的，以使光24透過那些元件。盡管不是用于限制，但是4吏用光散射方法或經(jīng)由顯樣i鏡(電子或光學(xué))測量所測量的熒光體材料的中值粒度可以為/人約1樣t米到約20孩史米。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選方面的系統(tǒng)的第二種優(yōu)選結(jié)構(gòu)。除非另外i兌明，圖1-圖4的》十應(yīng)標(biāo)號(例如，圖1中的12和圖2中的112)與每幅圖中的對應(yīng)結(jié)構(gòu)有關(guān)。圖2的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)類如乂于圖1的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，除了熒光體材料122分散在密封劑材料120內(nèi)，而不是直4妄形成在LED芯片112上。熒光體材料(4分末的形式)可以被散分在密封劑材料120的一個(gè)區(qū)域內(nèi)，或者更優(yōu)選地，分布16在密封劑材料的整個(gè)體積內(nèi)。由LED芯片112所發(fā)出的輻射126與由熒光體材^牛122所發(fā)出的光混合，并且所混合的光表現(xiàn)為白光124。如果熒光體被分散在密封劑材料120內(nèi)，則可將熒光體粉末加入到裝載在LED芯片112周圍的聚合物前體中，然后，可以使聚合物前體固化以使聚合物材料凝固。還可以使用其他已知的熒光體分散方法，諸如傳遞^t塑。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選方面的系統(tǒng)的第三種優(yōu)選結(jié)構(gòu)。如3所示的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)類似于圖1的結(jié)構(gòu)，除了熒光體材并牛222一皮涂4隻到殼體218的表面上，而不是形成在LED芯片212上之外。優(yōu)選地，該熒光體材^H皮涂覆在殼體218的內(nèi)表面上，盡管如果需要的話，熒光體可以凈皮涂覆在殼體的外表面上。熒光體材沖+222可被涂覆在殼體的整個(gè)表面上，或者僅涂覆在殼體的表面的頂部上。由LED芯片212所發(fā)出的輻射226與由焚光體材料222所發(fā)射的光混合，并且所混合的光表現(xiàn)為白光224。當(dāng)然，可將圖1-圖3的結(jié)構(gòu)組合，并且熒光體可以位于4壬意兩個(gè)或全部三個(gè)位置中，或者任何其他合適的位置中，諸如，與殼體分離或者集成到LED中。在上述結(jié)構(gòu)的任一種中，燈10還可以包括「埋入密封劑材料中的多個(gè)散射顆來i(未示出)。該散射顆4立可以包4"舌例如A1203顆粒(諸如氧化鋁粉)或者Ti02顆粒。散射顆粒有效地使從LED芯片發(fā)射的相干光發(fā)生散射，優(yōu)選地具有可忽略的吸收量。如圖4的第四種優(yōu)選結(jié)構(gòu)中所示，LED芯片412可以^皮安裝在反射杯430中。該杯430可以由反射材料制成或者涂覆有反射材料，諸如，氧化鋁、氧化鈦或本領(lǐng)域中已知的其他電介質(zhì)粉末。優(yōu)選的反射材料為A1203。圖4的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的其余部分與前面的圖中yf壬一個(gè)的結(jié)構(gòu)的其余部分相同，并且包4舌兩條引線416、^!尋LED芯片412與第二引線電連接的導(dǎo)線432以及密封劑材料420。17另一種優(yōu)選的結(jié)構(gòu)(特別是用于背光應(yīng)用)是表面貼裝器件("SMD，，)型發(fā)光二才及管550，侈寸^口，^口圖8戶斤示。t匕SMD是"個(gè)'J發(fā)射型"，并在導(dǎo)光部件554的突出部分上具有光發(fā)射窗552。SMD型發(fā)光二才及管550可以通過將之前已利用流體焊4妄等形成的LED力文置在JE皮璃環(huán)氧樹脂基4反上來制成，該3皮璃環(huán)氧杉于脂基才反上已形成有導(dǎo)電圖樣并覆蓋具有窗552的所述LED。還存在還適合用于本實(shí)施例的本領(lǐng)域已知的"頂發(fā)射"SMD封裝件，例如，Nichia公司制造的SMD封裝件。SMD封裝件可以包括如上文所限定的LED芯在一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種新的熒光體材料，其可以用在上述器件中的熒光體組合物中。該熒光體材料是一種用Mn"激活的復(fù)合氟4匕物熒光體，并且可以包4舌以下中的一種或多種(1)A2[MF5]:Mn4+,其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它們的組合，而M選自Al、Ga、In及它們的組合；(2)A3[MF6]:Mn4+:其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它們的組合，而M選自Al、Ga、In及它們的組合；(3)Zn2[MF7]:Mn4+，其中，M選自A1、Ga、In及它們的組合；或者(4)A[In2F7]:Mn4+，其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NHU及它O的纟且合。在另一個(gè)實(shí)施例中，另一種非限制性的熒光體組合物是四價(jià)配位中心的復(fù)合氟化物，例如，A2[MF6]:Mn4+，其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它Cl的纟且合，而M選自Ge、Si、Sn、Ti、Zr及它們的纟且合。利用"復(fù)合氟化物熒光體"，意味著熒光體是一種配位化合物，包含至少一個(gè)配4立中心(例如，在以上第一種熒光體中的Al)，該:配位中心圍繞著用作配位體的氟化物離子，并且由所需要的抗衡-粒子(例如以上實(shí)施例中的A)電荷補(bǔ)償。復(fù)合氟化物有時(shí)^皮寫成簡單的纟且合、二元氟4b物(例長口，用3NaF-AlF3^<^^Na3[AlF6]),4旦是這種表示法并未示出在配位中心周圍的配位體的配位數(shù)(在此實(shí)施例中，為6)。方括號(有時(shí)為了簡化而省略)表示它們所包括的復(fù)合離子是一種不同于簡單氟化物離子的新的化學(xué)物質(zhì)?；罨瘎╇x子(Mn4+)還起到配位中心的作用，替代主晶格的中心(例如，Al3+)的一部分。主晶格(包括抗衡離子)還可以改變活化劑離子的激發(fā)和發(fā)射特性。當(dāng)與在250nm至550nm處發(fā)射的LED芯片和一種或多種其他熒光體(諸如藍(lán)光焚光體和綠光熒光體)一起使用時(shí)，以上熒光體材坤+的^f吏用可用于白色LED。下文中將更詳細(xì)i也描述與上述焚光體一起使用的其他熒光體。下表1中詳述了此實(shí)施例的示例性Mn"激活的組合物。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>圖5示出了K3[AlF6]:Mn"熒光體的激發(fā)和發(fā)射光譜。上述用Mn"激活的復(fù)合氟化物熒光體組合物可以通過以足以確?；罨瘎╇x子的所需摻入水平的比率(例如，總M含量的0.1到30mol%之間，更優(yōu)選地，在2至15mol。/。之間)采用適當(dāng)?shù)脑牧蟻碇苽?。在一種示例性制備方法中，將原材料一起溶解于含水氫氟酸中(例如，按重量計(jì)30%至50%的HF)，而熒光體是通過在塑料或聚四氟乙烯內(nèi)襯管中將反應(yīng)混合物蒸發(fā)至干燥來制造的，優(yōu)選在溶液的沸點(diǎn)以下持續(xù)加熱-例如，在水浴中。然后，可將粗制焚光體磨成期望的粒度(優(yōu)選為干磨)，用有機(jī)溶劑(例如，乙醇或丙酮)沖洗以去除4壬一阿殘余量的HF,并且在空氣中干火喿后用于LED。各種其他原始材料可以用于由HF的水溶液和/或其他氟化物(例如，由氧化物、氫氧化物、醇鹽、碳酸鹽以及金屬成分的二元氟化物或氟化氫原位或移位(ex-situ)制備)、以及具有化學(xué)計(jì)量的量的H202或其他過氧化物的高4孟酸鹽或4孟酸鹽經(jīng)由共結(jié)晶來制造此實(shí)施例中的復(fù)合氟化物熒光體，以才是供在適當(dāng)氧化狀態(tài)的Mn活化劑(+4)。本文中所示的摻雜有Mn"的復(fù)合氟化物焚光體的實(shí)例并不是限制性的。在其他組成離子沒有引入對用Mn"激活的熒光體的激發(fā)和/或發(fā)射有害的電子躍遷或振動躍遷的條件下，它們也可以用于構(gòu)建復(fù)合氟化物主晶格(作為配位中心或抗衡離子)。在熒光體材料中的每種熒光體的相對量可以才艮據(jù)譜權(quán)(spectralweight)來描述。譜權(quán)是每種熒光體對熒光體摻和物的整體發(fā)射光:潛的貢獻(xiàn)的相對量。所有單獨(dú)的熒光體的i普一又量總計(jì)應(yīng)該為1。優(yōu)選的4參和物包含具有乂人約500nm至610nm的峰^f直發(fā)射的熒光體的乂人0.01至0.80的"i普沐又、具有乂人約430nm至500nm的峰4直發(fā)射的可選熒光體(其不需要利用具有從約430nm至約500nm的峰值發(fā)射的藍(lán)色或藍(lán)色-綠色LED的激發(fā))的從0到0.19的語權(quán)、以及上述復(fù)合氟化物熒光體中的一種的4參和物的平^f,如實(shí)現(xiàn)目標(biāo)CCT值所需要的。可以使用適合用于近UV到綠色LED系統(tǒng)并在以上波長范圍內(nèi)進(jìn)行發(fā)射的任何已知熒光體。至少用Ce^激活并且在約500nm至610nm處具有發(fā)射最大^直的石榴石(例:^，本4貞i或中已知的YAG:Ce、TAG:Ce以及它們的組成改性)是尤其優(yōu)選的熒光體。Eu2+激活的；威土金屬正硅酸鹽，例如，本領(lǐng)域中已知的(Ba，Sr,Ca)2Si04:Eu2+("BOS")及它們的組成改性。應(yīng)該注意，本文中描述的各種熒光體中的不同元素被包括在圓括號內(nèi)并由逗號隔開，諸如，在(Ba,Sr，Ca)2Si04:Eu"的情況下。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的，這種類型的符號意味著焚光體可以包括任何比率的在化學(xué)式中的特定元素中的任何一種或全部。即，例如，以上熒光體的這種類型的符號具有如與(BaaSrbCaLa—b)2Si04:Eu"相同的意義，其中，a和b可以/人0到1變4匕，包4舌0和1的<直。峰^f直發(fā)射波長在610nm與650nm之間的紅光焚光體可以與至少綠光熒光體(例如，具有在510nm與550nm之間的峰值發(fā)射波長)以及藍(lán)色LED芯片或藍(lán)光熒光體(例如，具有在440nm與480nm之間峰值發(fā)射波長)以及紫色到近UV發(fā)射LED芯片(例如，具有從約370nm至約440nm的峰值發(fā)射波長)一起用于制備背光源LED。有利地，實(shí)際上用Mn"激活的任何復(fù)合氟化物熒光體都是適合于該紅光焚光體的實(shí)例。適合的紅光熒光體的非限制性實(shí)例包括本文中所描述的熒光體、以及在原申請美國專利申請第11/364,611號、第11/049,598號和第11/285,442號中所描述的那些紅光熒光體，其全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。這樣的熒光體的特別優(yōu)選的實(shí)例是配4立凄t為6的復(fù)合氟4匕物，例如，A2[MF6]:Mn4+,其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它0的纟且合；而M選自Ge、Si、Sn、Ti、Zr及它們的組合。適合的綠光焚光體的非限制性實(shí)例是堿土金屬硫代鎵酸鹽、硫代鋁酸鹽或用Eu"激活的它們的固溶體，例如，用Eu2+激活的石克化鎵酸鍶("STG，，)SrGa2S4:Eu2+，以及適合的藍(lán)光熒光體的非限制性實(shí)例是用Eu2+激活的氯磷酸鍶(strontiumchloroapatite)("SECA")Sr5(P04)3Cl:Eu2+。21由用Mn"敫活的復(fù)合氟化物熒光體制造的背光源能夠具有與典型的藍(lán)色芯片/黃色熒光體LED的LER(例如，在高于5000K的CCT處為大于280lm/W。pt)相等或更好的LER。然而，如之前所說明的，不同于基于黃色熒光體的LED,它們將在不期望用于背光應(yīng)用的光譜的黃色區(qū)域中幾乎沒有發(fā)射。優(yōu)選地，這樣的背光源將具有比NTSC標(biāo)準(zhǔn)的色域大70%的色域，更優(yōu)選地，在CIE1931x,y圖中比NTSC標(biāo)準(zhǔn)大90%。圖6示出了l吏用藍(lán)色芯片以及熒光體K2[TiF6]:Mn"和STG的摻和物的LED的實(shí)-瞼性光譜。如圖7所示，其在CIE1931x,y圖中的色度坐標(biāo)為x=0.315且y-0.335(對應(yīng)于6300K的CCT)、LER為292lm/W。pt且色域?yàn)镹TSC的色域的101%。另外，在基本上不同于本發(fā)明中所描述的熒光體的波長的波長處，在整個(gè)可見光i普區(qū)發(fā)射的其他熒光體可以用于摻和物中，以才艮據(jù)用戶需求定制所得到的光的白色并制造具有改善的光質(zhì)量的光源。雖然不是為了進(jìn)行限制，但是用于具有本熒光體的摻和物中的適合的熒光體包括22(Ba，Sr'Ca)g(P04)3(C!,F,Br，OH):￡u2*,Mn2+(Sr，Ca)to(P04)6'vB203:Eu^(其中0<v^1)2SrO*0.84P2CV0,16Bz03:Eo^(Y，Gd上u,Sc,La)8C^Ce3*,Tb3*(Ba,Sr,Ca)2SiK04《:Eu2+(兵中0試幼,2>(Ba.Sr,Ca》Si207:Et^(Sf,Ca'BaXA'Ga，ln)2S4:Eu2+(Y,GdJb,U,Sm,Pr,Lu)a(Sc'A〖,Ga)5^0i2她:Ce"《其中(Lu，Sc,Y,Tb》2-u'vCevCa"uLfwMg2P"Si,Ge^^O，snM2其中-0.5^1^1:0<vS0.1:以及0Sw幼2(Ca，Sr)g(Mg,Zn)(Si04》Cl2:Eu^,Mn2，《Gd，Y,Lu,La)202S:Eu".B嚴(yán)(Ca,Sr)S:￡us*,CZnS:CtT,CrZnS:Ag+,CrSrY2S4:eu2+(Y，bi)2WOs:Eu,Mo6+(Ba'Sr'CafeSy^:Eu"(其中2p+4，3p)Ca3(Si04)a2:Eu2+(y'Uf,Gd)2，Ca^i4M^d一C8^(其中0紳鄰,5》摻雜有Eu^以及/或者03+的(Ui，Ca,UMg,Y)a〖pha-S固OMGai令fCecEuiA裂i+cSh《N3,《其中0《<ss0,2,Ca，.^CehEiifAh"f^g,Zn》hSiN3,(其中0<hsQ,2,0srSG,2》Caf.z^C8s(U,Na)sEutAISiN3,(其中0Sss0.2,0sfe0,2,s+t>0)Cak-x呻Ge。(UNa)^Eu^Ali峙iSh^N3，《其中0ScrS0,2,0《x幼'4,0S(fisa2)對于本申請，應(yīng)該理解，當(dāng)熒光體具有兩種或多種摻雜劑離子(在以上組合物中在冒號之后的那些離子)時(shí)，這意味著該焚光體具有該材料中的那些摻雜劑離子的至少一種(但不一定具有所有的)。即，本領(lǐng)域j支術(shù)人員應(yīng)該理解，這種類型的表示方法意P未著4壬一種或全部。當(dāng)熒光體組合物包括兩種或多種熒光體的摻和物時(shí)，熒光體摻和物中的每一種焚光體的比率可以根據(jù)期望的光輸出的特性而變化?？梢哉{(diào)整在各個(gè)實(shí)施例的焚光體摻和物中的各種焚光體的相對比例，以使得當(dāng)它們的發(fā)射被混合并在發(fā)光器件中被采用時(shí)，制造出在CIE色度圖上預(yù)定x和y值的可見光。如所述，優(yōu)選產(chǎn)生白光。例如，該白光的xll范圍可以為約0.30至約0.55，以及y《直范圍可以為約0.30至約0.55。優(yōu)選地，白光的色點(diǎn)將位于普朗克(也稱為黑體)4九跡上或基本JM立于其上，例如，在CIE1931色度圖的垂直(y)方向上的0.020單位內(nèi)，更優(yōu)選地，在垂直方向上的0.010個(gè)單位內(nèi)。然而，若所述，熒光體組合物中的每種熒光體的一致性和量可以才艮據(jù)最終用戶的需要而不同。由于供應(yīng)者4是供的各種熒光體的效率在很大幅度上不同，所以所需的每種熒光體的精確量是根據(jù)經(jīng)驗(yàn)來最佳確定的，例如通過標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)技術(shù)來確定?？梢云谕麑㈩伈?或?yàn)V光材并+添加到熒光體組合物中。當(dāng)LED是UV發(fā)射LED時(shí)，熒光體層22還可以包含按重量計(jì)從0到10%(基于熒光體的總重量)的顏料或能夠吸收或反射波長為200nm與450nm之間的UV輻射的其他UV吸收劑材料。適合的顏料或?yàn)V光材料包括能夠吸收在200nm與450nm之間產(chǎn)生輻射的本領(lǐng)域中已知的任何顏料或?yàn)V光材料。這樣的顏料包括例如4太酸4臬或4告酸4普。顏沖?？梢砸杂行н^濾在200nm至500nm范圍內(nèi)產(chǎn)生的輻射的10%至100%的量來4吏用。24實(shí)施例實(shí)施例l-K2[AlF5]:Mn"熒光體的制備在熱板上的特氟龍盤的加熱和攪拌條件下將原料(3.52g的Al(OH)3和6.23g的K2C03)小心地逐漸添加到40ml的50%含水HF中來溶解。將溶液蒸發(fā)至干燥，以形成K2[AlFs]主體復(fù)合物，接著在加熱的條件下邊攪拌邊將其與0.97g的K2[MnF6]—起溶解于50ml的50%HF中，其中K2[MnF6]是才艮據(jù)Bode方法制備的[H.Bode,H.Jenssen，F(xiàn).Bandte,Angew.Chem.，N11(1953),304]。將第二種溶液在水浴鍋上蒸發(fā)至干燥。實(shí)施例2-K3[AlF6]:Mn"熒光體的制備對于該熒光體，在熱板上的特氟龍盤的加熱和攪拌條件下將2.79g的Al(OH)3和7.41g的K2C03小心i也逐沐斤添力口到40ml的50%含水HF中來溶解。將該溶液蒸發(fā)至干燥，以形成K3[A1F6]主體復(fù)合物，-接著與0.77g的K2[MnF6]—起溶解于50ml的50%HF中并在水浴鍋上蒸發(fā)至干燥。實(shí)施例3-K3[GaF6]:Mn"熒光體的制備該制備過程以與前述實(shí)施例中相同的方式來進(jìn)4亍，在第一步中<吏用2.91g的Ga203和6.43g的K2C03(溶解于50ml的50%HF中)，接著在第二步中使用0.67g的K2[MnF6]。實(shí)施例4-Zn2[AlF7]:Mn4+熒光體的制備該熒光體是通過將2.57g的Al(OH)3和0.34g的K2[MnF6]溶解到50ml的45%HF中，并且在水浴4咼上^)夸該〉容液力。熱到60°C來制備的。然后，緩慢地少量添加5.37g的ZnO，并且將所形成的溶液蒸發(fā)至干燥。實(shí)施例5-K[In2F7]:Mn"熒光體的制備在水浴鍋中邊加熱邊將6.91g的111203才羊品溶解于100ml的50%HF中，然后，逐漸地少量添加3.44g的K2C03。將溶液在水浴鍋上蒸發(fā)至干燥，并用100ml乙醇進(jìn)行沉淀來去除過量的KF，接著進(jìn)行過濾。收集濾液，蒸發(fā)至干燥，并且在加熱和攪拌下與0.51g的K2[MnF6]—起;容解于50ml的40%HF中。最終的溶液再次祐:蒸發(fā)至干燥。除了用于一^:照明的白光摻和物，這些熒光體可以單獨(dú)4吏用或者用在用于交通信號、標(biāo)識的LED的纟參和物中，并且特別用于LCD背光源應(yīng)用。對于這些應(yīng)用而言，具有々包和色的窄紅線發(fā)射是非常期望的。除了LED應(yīng)用之外，上述的熒光體材料還可以用于其他應(yīng)用中。例如，該材料可以用作熒光燈中、陰極射線管中、等離子體顯示裝置中或在液晶顯示器(LCD)的熒光體。這些應(yīng)用僅僅是示例性的而不是窮竭的。已參照各種示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明。當(dāng)閱讀并理解該說明書后會將想到其他變型和改變。本發(fā)明旨在包括在所附4又利要求及其等同物的范圍內(nèi)的所有這才羊的變型和改變。權(quán)利要求1.一種用于發(fā)射白光的發(fā)光裝置，包括半導(dǎo)體光源；以及輻射性連接至所述光源的熒光體材料，其中，所述熒光體材料包括選自由以下各項(xiàng)組成的組中的至少一種熒光體(A)A2[MF5]:Mn4+，其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它們的組合；而M選自Al、Ga、In或它們的組合；(B)A3[MF6]:Mn4+，其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它們的組合；而M選自Al、Ga、In或它們的組合；(C)Zn2[MF7]:Mn4+，其中，M選自Al、Ga、In或它們的組合；以及(D)A[In2F7]:Mn4+，其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4或它們的組合。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述光源為發(fā)射波長范圍為從約370nm至約550nm的輻射的半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述半導(dǎo)體光源包括由化學(xué)式InjGajAlkN表示的氮化合物半導(dǎo)體，其中，0S,0Sj,0Sk,JLi+j+k=l。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述光源為有機(jī)發(fā)射結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述熒光體材料被涂覆在所述光源的表面上。6.才艮據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，還包括包圍所述光源和所述熒光體材料的密封劑。7.才艮據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述熒光體材料被分散在所述密封劑中。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，還包括反射杯。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述熒光體材料還包括一種或多種其他熒光體。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其中，所述一種或多種其他熒光體在430nm至500nm的范圍內(nèi)具有發(fā)射最大值。11.才艮據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其中，所述一種或多種其他焚光體在500nm至610nm的范圍內(nèi)具有發(fā)射最大4直。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其中，所述一種或多種其他熒光體是用Ce"激活的石榴石或用Eu"激活的堿土金屬正石圭酸鹽中的一種或多種。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其中，所述一種或多種其他熒光體選自包4舌以下各項(xiàng)的組(Ba,SnCa)5(P04)3(aF.Br,OH):Eu氣Mr^;《Ba'Sr'Ca)BP05;Eu2*，Mn2*;(Sr,Ca)10(PO4)e*vB2O3:Eu2*(其中0vS1);Sr2SbOa*2SrC!a:Eu2+;(Ca,Sr,Ba)3MgSbOa:Eu2+,Mn2*;BaAlsO:Eu";2SrO*0,84P2O5,0.1e^Oa^u2*:(B白,Sr,Ca)MgAI化0":Eu^,Mn2,(Ba,Sr,Ca)AI204:Eu2+;(Y,Gd,Lu,Sc,La》B03:Ce3*'Tb3，;ZnS:Cu+,Cf';ZnS:Cu+,A^;ZnS:Ag+'cr;ZnS:Ag+，A產(chǎn)；(Ba.SfvCafeSi^CVzCEu2*(其中(Ba,Sr.Ca)2(Mg,Zn)Slz07:Eu2*:(Sr,Ca,Ba)(AI,Ga,ln)2S4:&J2+:(Y'Gd,Tb,La,Sm,Pr,Lu)3<AI'Ga)s^Ot2_3aa:Ce3+<其中0Scc幼.5);《Ca，Sr)8(Mg,2n)(Si04》4C,2:Eu2+,Mn2*;Na^^BzC^Ce^Tb3*;(Sr,Ca.Ba,Mg,Zn)jP207:Eu2+,Mn2+;(Gd,Y,Lu,La>203fu3,Bi3*;〖Gd,Y,Ui,La)202S:Eu3+'Bi3+;{Gd,Y,Ui,La)V04:Bu3*,Bi3*;(Ca,Sr)S:Eu2*,Ce3*:SrYzS^Eu2*;CaLaaS^Ce";(Ba,Sr'Ca)MgP207:Eu2*，Mn2*:(Y.LufeWO^EW.Mo6*:(Ba,Sr,Ca)pSi^l^:Eu^(其中2p+4"3)i):CaMSK^CfeEu2*;(Lu,Sc,Y,Tb》^vCevCa^UwMg2鄰Pw(Si,Ge)3^0，2^(其中"0,5SUS1,CKvs(X1,以及0SwS0,2);(Y,Lu,Gd)2，CawSf4N—C":Ce》，(其中0^>幼.5):(Lu,Ca,U,Mg，Y)alpha-SiA!ON摻雜有￡u2+以及/或者Ce3*:(Ca,Sr,Ba)Sf02N2:Eu",Ce3,、3.5MgO*0.5MgiVGeO2:Mn4*:Ca，^ecEu,AI^Sh.cM3,(其中0<cs0.2,0sfis0.2);Ca1.h《CehEurAh4Mg,Zn)hSiN3.(其中CKh幼.2'0Srs(X2);Ca仁^tCes(UNa)^UtAlSiN3^(其中0SsS0.2,0SfS0,2.s+t>0》；以及Ca"々爭Ce"UNa)jE,t十o^Sh,N3,(其中0SoS0.2,0<-0'4,0S-0.2)，14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光裝置產(chǎn)生白光。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其中，所述白光具有小于4500K的CCT。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其中，所述白光具有大于80的一般CRI(Ra)。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其中，所述白光具有大于90的一般CRI。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其中，所述白光具有大于330lm/W叩t的LER。19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其中，所述白光具有位于普朗克4九跡上或基本位于所述普朗克4九跡上的色點(diǎn)。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光裝置，其中，所述白光的色點(diǎn)位于CIE1931色度圖的垂直方向上距所述普朗克軌跡的0.01的范圍內(nèi)。21.—種熒光體材沖牛，包含選自由以下各項(xiàng)ia成的組中的至少一種熒光體(A)A2[MF5]:Mn4+，其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它們的組合；而M選自Al、Ga、In或它們的組合；(B)A3[MF6]:Mn4+,其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它們的《且合；而M選自A1、Ga、In或它們的《且合；(C)Zn2[MF7]:Mn4+，其中，M選自A1、Ga、In或它們的組合；以及(D)A[In2F7]:Mn4+，其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4或它們的組合。22.—種焚光體混合體，包括選自由(A)-(D)組成的組中的至少一種焚光體材料，其中，至少一種其他熒光體(A)A2[MF5]:Mn4+，其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它們的纟且合；而M選自A1、Ga、In或它們的纟且合；(B)A3[MF6]:Mn4+,其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它們的組合；而M選自Al、Ga、In或它們的組合；(C)Zn2[MF7]:Mn4+，其中，M選自A1、Ga、In或它們的組合；以及(D)A[In2F7]:Mn4+,其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4或它們的組合。23.—種背光器件，包括用Mn"激活的紅光復(fù)合氟化物熒光體材料，其具有在610nm與650nm之間的峰值發(fā)射波長；綠光焚光體，具有在510nm與550nm之間的峰值發(fā)射波長；以及a)峰值發(fā)射波長在440nm與480nm之間的藍(lán)色LED芯片，或者b)峰值發(fā)射波長在440nm與480之間的藍(lán)光熒光體以及峰值發(fā)射波長在乂人約370nm至約440nm的紫色到近UV發(fā)射LED芯片。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的背光器件，其中，所述用Mn"激活的熒光體材料包含配位數(shù)為6的復(fù)合氟化物。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的背光器件，其中，所述用Mn"激活的熒光體材料包括A2[MF6]:Mn4+，其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4或它們的纟且合；而M選自Ge、Si、Sn、Ti、Zr或它們的組合。26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的背光器件，其中，所述器件具有大于5000K的CCT和大于280lm/W。pt的LER。27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的背光器件，其中，所述綠光熒光體包含Eu"激活的堿土金屬硫代鎵酸鹽、硫代鋁酸鹽或用它們的固溶體。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的背光器件，其中，所述綠光熒光體包括用Eu"激活的硫代鎵酸鍶。29.根據(jù)權(quán)利要求23所述的背光器件，其中，所述器件具有在CIE1931x，y圖中比NTSC的色域大70%的色域。30.根據(jù)權(quán)利要求23所述的背光器件，其中，所述器件具有在CIE1931x,y圖中比NTSC的色域大90%的色域。全文摘要發(fā)光器件包括背光源，該背光源具有光源以及包括用Mn⁴⁺激活的復(fù)合氟化物熒光體的熒光體材料，該復(fù)合氟化物熒光體可以包括以下中的至少一種(A)A₂[MF₅]:Mn⁴⁺，其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH₄及它們的組合；以及其中，M選自Al、Ga、In或它們的組合；(B)A₃[MF₆]:Mn⁴⁺其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH₄及它們的組合，以及其中，M選自Al、Ga、In或它們的組合；(C)Zn₂[MF₇]:Mn⁴⁺，其中，M選自Al、Ga、In或它們的組合；以及(D)A[In₂F₇]:Mn⁴⁺，其中，A選自Li、Na、K、Rb、Cs、NH₄或它們的組合。文檔編號C09K11/62GK101646747SQ200880010725公開日2010年2月10日申請日期2008年2月13日優(yōu)先權(quán)日2007年2月13日發(fā)明者埃米爾·韋爾吉洛夫·拉德科夫,柳德米爾·斯拉夫切夫·格里戈羅夫,阿南特·阿奇尤特·塞特勒爾,阿洛克·馬尼·斯里瓦斯塔瓦申請人:照明有限責(zé)任公司