專利名稱:紅色發(fā)光SiAlON基材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及材料,特別是用于發(fā)光器件的材料。
背景技術(shù):
包括硅酸鹽、磷酸鹽(例如磷灰石)以及鋁酸鹽作為主體材料,過渡金屬或稀土金 屬添加到主體材料作為活化材料的磷光體是廣為人知的。特別地,由于藍色LED近年來已 經(jīng)變得實用,使用這種藍色LED與這種磷光體材料組合的白色光源的發(fā)展正被積極推行。特別是基于所謂“SiAlON”體系的發(fā)光材料,由于其良好的光學(xué)特征,已經(jīng)成為該 領(lǐng)域中關(guān)注的焦點。然而,仍然持續(xù)需要這樣的發(fā)光材料,其在寬范圍應(yīng)用中是可使用的并特別使得 可制作具有最優(yōu)化的發(fā)光效率和顯色的磷光體曖白色pcLED。特別是在綠色發(fā)光磷光體領(lǐng)域中,已經(jīng)研究了若干種材料。例如在EP1696016A1中,材料CaAlSiN3 = Eu被描述為一種新的紅色磷光體粉末。該 材料顯示出高飽和度的紅色發(fā)射,然而這意味著發(fā)射光譜的流明當(dāng)量低,且因此使用這種 磷光體的光源的流明輸出低。對于普通照明應(yīng)用而言,更高的流明當(dāng)量是有利的,因為更高 的流明當(dāng)量能夠使得效率更高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種材料,該材料具有改進的光學(xué)特征以及良好的可制作性 和穩(wěn)定性。由根據(jù)本發(fā)明權(quán)利要求1的材料來達成該目的。因此,提供一種基本上具有成分 為 a (M11N273) * b (M111N) * c (MivN473) * Cl1 CeO372 * d2EuO * χ MivO2 * y M111O372 的主相的 紅色發(fā)光材料,其中Mn為選自Ca、Mg、Sr和Ba或其混合物的群組的堿土金屬,Miv為選自包含Si、 Ge、C、Zr、Hf或其混合物的群組,以及Mm為選自包含Al、B、Sc、Ga和Lu或其混合物的群 組,其中0. 95 c ^ a+di+d;, ^ 1. 2 b a+d^ ^ c+x,(b+y) (c+x)彡 1,(b+y) ( 1+10 * Cl1,b 彡 5 * y,c 彡 10 * x,(I1 > 0,d2 ^ 0. OOlo措辭“紅色發(fā)光的”特別是指和/或包含材料在可見光范圍內(nèi)(在受到合適的激 發(fā)時)顯示出具有介于590nm和670nm之間的最大值的發(fā)射。
措辭“基本上,,特別是指> 90%,優(yōu)選地> 95%,以及最優(yōu)選地> 99%的該材料 具有所期望的結(jié)構(gòu)和/或成分。措辭“主相”暗示可能存在另外的相,例如上述材料與可在例如陶瓷加工期間添加 的添加劑的混合物得到的另外的相。這些添加劑可以全部或者部分地被并入最終材料內(nèi), 該最終材料于是也可以是若干化學(xué)上不同物質(zhì)的復(fù)合物(主相微晶嵌在成分略微不同的 玻璃態(tài)基體內(nèi),該玻璃態(tài)基體通常氧含量更為富足)且特別是包含本領(lǐng)域中作為助熔劑而 已知的那些物質(zhì)。合適的助熔劑包含堿土金屬或者堿金屬氧化物以及氟化物、SiO2, SiON等。這種材料已經(jīng)顯示出對于本發(fā)明內(nèi)的廣泛范圍的應(yīng)用具有至少一種下述優(yōu)點_與現(xiàn)有技術(shù)的材料相比,該材料的穩(wěn)定性通常得到改進。該材料通常具有非常高 的熱穩(wěn)定性,特別是光熱穩(wěn)定性。-與現(xiàn)有技術(shù)的材料相比,流明當(dāng)量大幅增加(對于相當(dāng)?shù)乃{色到紅色的轉(zhuǎn)換 率)。-例如通過泵浦LED的藍色光的轉(zhuǎn)換效率也大幅增加(對于相當(dāng)?shù)纳c)。不受任何理論約束,發(fā)明人認為在本發(fā)明許多應(yīng)用中可以發(fā)現(xiàn)的驚奇效果至少部 分是因為,由泵浦LED發(fā)射的藍色光不僅僅被紅色發(fā)光的Eu(II)吸收,而且也被Ce(III) 吸收。然而,在第二步驟中,由Ce(III)吸收的輻射能量或者通過黃色Ce (III)發(fā)射的再次 吸收或者直接通過量子力學(xué)能量轉(zhuǎn)移而被高效地轉(zhuǎn)移到Eu(II)。因此,如本發(fā)明中描述的材料的使用,對于許多應(yīng)用允許利用陶瓷內(nèi)僅僅低的 Eu(II)濃度而高效地吸收藍色LED光,這導(dǎo)致流明輸出的提高。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,d2滿足d2 * 0. 1 < Cl1 < d2 * 10。這進一步增加對于 本發(fā)明內(nèi)的許多應(yīng)用的材料的效率。更優(yōu)選地d2滿足d2 * 0. 3 < Cl1 < d2 * 3,且最優(yōu)選 地 d2 * 0. 7 彡 Cl1 彡 d2 * 1。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,Cl1滿足0. 001 ^ Cl1 ^ 0.01o這已經(jīng)表明對于本發(fā)明內(nèi) 的許多應(yīng)用是有利的。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,d2滿足0. 001 ^ d2 ^ 0. 005。這已經(jīng)表明對于本發(fā)明 內(nèi)的許多應(yīng)用是有利的。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,流明當(dāng)量LE為彡1001m/W,優(yōu)選地為彡1201m/W。也稱為輻射的發(fā)光效率的流明當(dāng)量是光通量與輻射功率的理論最大比例,具有給 定光譜分布的光源以100 %輻射效率可以獲得該理論最大比例。應(yīng)注意的是,在本發(fā)明的上下文中,與Eu(II)相比,對于Ce(III)的電荷補償是通 過調(diào)節(jié)Al/Si比例來實現(xiàn)的。用Al(III)取代Si(IV)將產(chǎn)生一個凈負電荷-如果陰離子 晶格保持不變_其可將Ce (III)容納在Ca(II)位上。此類型的電荷補償對于本發(fā)明內(nèi)的許多應(yīng)用是有利的,因為Al/Si比例的改變由 于兩種離子的相似性而僅僅最低限度地影響晶格;附加離子的引入也得以避免,導(dǎo)致材料 的更佳的相純度和穩(wěn)定性。本發(fā)明另外涉及基本上具有成分為a(CaN2/3) * b (AlN) * c (SiN473) * (I1CeO372 * d2 EuO * χ SiO2 * y AlO372的主相的紅色發(fā)光材料,其中
0. 95 c ≤ a+di+d2≤1.2 b a+d2≥c+x,(b+y) (c+x)≥ 1,(b+y) ( 1+10 * Cl1,b ≥ 5 * y,c ≥ 10 * x,0. 001 ≤Cl1 ≤ 0. 010. 001 ≤ d2 ≤0. 005d1≤ d20. 01 * d2 ≤ d1 ≤10 * d20 ≤d1+d2+x+y) ≤0. 4。這已經(jīng)表明特別地增加該材料的光學(xué)特征。本發(fā)明另外涉及包含根據(jù)本發(fā)明的紅色發(fā)光材料的陶瓷材料,該紅色發(fā)光材料基 本上具有成分為 a (ΜπΝ2/3) * b (MmN) * c (MivN473) * (I1CeO372 * d2 EuO * χ MivO2 * y M111O372 的主相,其中Mn為選自包含Ca、Mg、Sr和Ba或其混合物的群組的堿土金屬,Miv為選自包 含Si、Ge、C、&、Hf或其混合物的群組,以及Mni為選自包含Al、B、Sc、Ga和Lu或其混合物 的群組,其中0. 95 c ≤ a+d1+d2≤1. 2 b且 a+d2+d2≥ c+x,(b+y) (c+x)≥ 1,(b+y) ≤ 1+10 * Cl1,b ≥ 5 * y,c ≥ 10 * x,d1 > 0,d2 ≥ 0. OO1。措辭“陶瓷材料”從本發(fā)明的意義上說特別是指和/或包含結(jié)晶或多晶緊湊材料 或具有可控數(shù)量的孔或沒有任何孔的復(fù)合材料。措辭“多晶材料”從本發(fā)明的意義上說特別是指和/或包含體積密度大于主要組 成的百分之90的材料,該主要組成由大于百分之80的單晶疇構(gòu)成,每個疇直徑大于0.5μπι 并可具有不同的晶體學(xué)取向。單晶疇可以通過無定形或玻璃態(tài)材料或者通過附加的結(jié)晶組 成來連接。這種材料已經(jīng)顯示出對于本發(fā)明內(nèi)的廣泛范圍的應(yīng)用具有至少一種下述優(yōu)點_與現(xiàn)有技術(shù)的材料相比,該材料的穩(wěn)定性通常得到改進。該材料通常具有非常高 的熱穩(wěn)定性,特別是光熱穩(wěn)定性。-與現(xiàn)有技術(shù)的材料相比,流明當(dāng)量大幅增加(對于相當(dāng)?shù)乃{色到紅色的轉(zhuǎn)換 率)。-例如通過泵浦LED的藍色光的轉(zhuǎn)換效率也大幅增加(對于相當(dāng)?shù)纳c)。不受任何理論約束,發(fā)明人認為在本發(fā)明許多應(yīng)用中可以發(fā)現(xiàn)的驚奇效果至少部 分是因為,由泵浦LED發(fā)射的藍色光不僅僅被紅色發(fā)光的Eu(II)吸收,而且也被Ce(III)吸收。然而,在第二步驟中,由Ce(III)吸收的輻射能量或者通過黃色Ce (III)發(fā)射的再次 吸收或者直接通過量子力學(xué)能量轉(zhuǎn)移而被高效地轉(zhuǎn)移到Eu(II)。因此,如本發(fā)明中描述的陶瓷材料的使用,對于許多應(yīng)用允許利用陶瓷內(nèi)僅僅低 的Eu(II)濃度而高效地吸收藍色LED光,這導(dǎo)致流明輸出的提高。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,d2滿足d2 * 0. 1 < Cl1 < d2 * 10。這進一步增加對于 本發(fā)明內(nèi)的許多應(yīng)用的陶瓷材料的效率。更加優(yōu)選地d2滿足d2 * 0. 3 < Cl1 < d2 * 3且, 最優(yōu)選地d2 * 0. 7彡Cl1彡d2 * 1。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,Cl1滿足0. 001 ^ Cl1 ^ 0.01o這已經(jīng)表明對于本發(fā)明內(nèi) 的許多應(yīng)用是有利的。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,d2滿足0. 001 ^ d2 ^ 0. 005。這已經(jīng)表明對于本發(fā)明 內(nèi)的許多應(yīng)用是有利的。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,流明當(dāng)量LE為彡1001m/W,優(yōu)選地彡1201m/W。也稱為輻射的發(fā)光效率的流明當(dāng)量是光通量與輻射功率的理論最大比例,具有給 定光譜分布的光源以100 %輻射效率可以獲得該理論最大比例。應(yīng)注意的是,在本發(fā)明的上下文中,與Eu(II)相比,對于Ce(III)的電荷補償是通 過調(diào)節(jié)Al/Si比例來實現(xiàn)的。用Al(III)取代Si(IV)將產(chǎn)生一個凈負電荷-如果陰離子 晶格保持不變_其可將Ce (III)容納在Ca(II)位上。此類型的電荷補償對于本發(fā)明內(nèi)的許多應(yīng)用是有利的,因為Al/Si比例改變由于 兩種離子的相似性而僅僅最低限度地影響晶格;附加離子的引入也得以避免,導(dǎo)致材料的 更佳的相純度和穩(wěn)定性。本發(fā)明另外涉及包含根據(jù)本發(fā)明的紅色發(fā)光材料的陶瓷材料,該紅色發(fā)光材料基 本上具有成分為 a (CaN2/3) * b (AlN) * c (SiN473) * (I1CeO372 * d2 EuO * χ SiO2 * y AlO372 的主相,其中0. 95 c ^ a+di+d;, ^ 1. 2 b a+d^ ^ c+x,(b+y) (c+x) ^ 1,(b+y) ( 1+10 * d”b 彡 5 * y,c 彡 10 * x,0. OOK Cl1 < 0. 01,0. 001 彡 d2 彡 0. 005,(I1Sd2,0. 01 * d2 < Cl1 < 10 * d2,0 ( (di+^+x+y) < 0. 4。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,在以lOW/cm2的光功率密度以及2. 75eV的平均光子能 量在200°C暴露陶瓷材料1000小時之后,陶瓷材料的光熱穩(wěn)定性為> 80%至< 100%。措辭“光熱穩(wěn)定性”從本發(fā)明的意義上說特別是指和/或包含在同時施加熱和高 強度激發(fā)下的發(fā)光強度守恒,即100%的光熱穩(wěn)定性表明該材料幾乎不受同時輻射和加熱 的影響。
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根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,在以lOW/cm2的光功率密度以及2. 75eV的平均光子能 量在200°C暴露陶瓷材料1000小時之后,陶瓷材料的光熱穩(wěn)定性為> 82. 5%至< 95%,優(yōu) 選地為彡85%至彡97%。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,陶瓷材料在室溫的熱導(dǎo)率為彡2ffm-1K-1至彡TOffm^r1.根據(jù)本發(fā)明一個實施例,陶瓷材料示出對于從> 650nm至彡IOOOnm波長范圍內(nèi)的 光在空氣中垂直入射時的透明度為彡10%至< 85%。優(yōu)選地,對于從彡650nm至彡IOOOnm波長范圍內(nèi)的光,在空氣中垂直入射時的透 明度為彡20 %至彡80 %,對于從彡650nm至彡IOOOnm波長范圍內(nèi)的光,更優(yōu)選地為彡30 % 至< 75%以及最優(yōu)選地為> 40%至< 70%。措辭“透明度”從本發(fā)明的意義上說特別是指不能被該材料吸收的某一波長入射 光的彡10 %,優(yōu)選地彡20 %,更優(yōu)選地彡30 %,最優(yōu)選地彡40 %且< 85 %,對于在空氣中垂 直入射而言,透射穿過該樣品(以任意角度)。該波長優(yōu)選地在彡650nm且彡IOOOnm的范 圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,陶瓷材料具有彡3g/cm3,優(yōu)選地彡3. lg/cm3的密度。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,陶瓷材料具有為理論密度的> 95%且< 101%的密度。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例,陶瓷材料具有為理論密度的> 97%且< 100%的密度。根據(jù)本發(fā)明的所描述優(yōu)選實施例,低于100%的密度優(yōu)選地通過將陶瓷燒結(jié)到 孔仍存在于陶瓷基體中的狀態(tài)來獲得。最優(yōu)選地是,密度在> 98.0%至<99. 8%的范圍 內(nèi),陶瓷基體中總的孔體積在> 0. 2%至彡2%的范圍內(nèi)。優(yōu)選的平均孔徑在> 400nm至 (1500nm的范圍內(nèi)。本發(fā)明進一步涉及包含燒結(jié)步驟的生產(chǎn)用于根據(jù)本發(fā)明發(fā)光器件的材料的方法。措辭“燒結(jié)步驟”從本發(fā)明的意義上說特別是指在熱影響下致密化前驅(qū)體粉末,而 不達到燒結(jié)材料的主要組成的液態(tài),該致密化可以與單軸或等靜壓力的施加相結(jié)合。根據(jù)本發(fā)明的實施例,燒結(jié)步驟為無壓力的,優(yōu)選地是在還原或惰性氣氛中。根據(jù)本發(fā)明的實施例,該方法進一步包括在燒結(jié)之前壓制前驅(qū)體材料到其理論密 度的彡50%至< 70%,根據(jù)本發(fā)明一實施例彡55%至< 60%的步驟。在實踐中已經(jīng)示出, 這改善了對于如結(jié)合本發(fā)明所描述的大多數(shù)材料的燒結(jié)步驟。根據(jù)本發(fā)明的實施例,生產(chǎn)用于根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件的材料的方法包含下述步 驟(a)混合用于該材料的前驅(qū)體材料。(b)可選地?zé)魄膀?qū)體材料,優(yōu)選地在彡1300°C至彡1800°C的溫度,以除去揮發(fā) 性材料。(c)可選的研磨和清洗。(d)第一壓制步驟,優(yōu)選地在> IOkN使用具有期望形狀(例如桿狀或小球狀)模 具的合適的粉末壓實工具的單軸壓制步驟,并且/或者優(yōu)選地在> 3000bar至< 3500bar 的冷等靜壓壓制步驟。(e)在彡1500°C至彡2200°C的無壓力燒結(jié)步驟。
(f)熱壓制步驟,優(yōu)選地在≥IOObar至≤ 2500bar且優(yōu)選地在≥1500°C至 ≤2000°C的溫度的熱等靜壓壓制步驟,并且/或者優(yōu)選地在≥IOObar至≤ 2500bar且優(yōu)選 地在≥1500°C至≤2000°C的溫度的熱單軸壓制步驟。(g)可選地,在> 10001至< 1700°C在惰性氣氛或還原氣氛中的后退火步驟。本發(fā)明另外涉及進一步包含根據(jù)本發(fā)明的紅色發(fā)光材料的陶瓷材料的發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件以及根據(jù)本發(fā)明的材料和/或陶瓷材料,和/或使用本發(fā)明 方法生產(chǎn)的材料,可以用于各種各樣的系統(tǒng)和/或應(yīng)用中,以下為它們之中的一種或多種-辦公室照明系統(tǒng),-家庭應(yīng)用系統(tǒng),-商店照明系統(tǒng),-居家照明系統(tǒng),-重點照明系統(tǒng),-聚光照明系統(tǒng),-劇院照明系統(tǒng),-光纖應(yīng)用系統(tǒng),-投影系統(tǒng),-自點亮顯示系統(tǒng),-像素化顯示系統(tǒng),-分段顯示系統(tǒng),-警告標(biāo)志系統(tǒng),_醫(yī)療照明應(yīng)用系統(tǒng),-指示器標(biāo)志系統(tǒng),以及-裝飾照明系統(tǒng),_便攜式系統(tǒng),-汽車應(yīng)用,-溫室照明系統(tǒng)。前面提到的部件、以及要求保護的部件和在所述實施例中根據(jù)本發(fā)明使用的部 件,就它們的尺寸、形狀、材料選擇和技術(shù)構(gòu)思而言不存在任何特殊例外,使得相關(guān)領(lǐng)域中 已知的選擇標(biāo)準(zhǔn)可以不受限制地被應(yīng)用。
在從屬權(quán)利要求、圖和對各圖及實例的以下描述中披露了本發(fā)明的目的的其它細 節(jié)、特征、特性和優(yōu)勢,其中各圖及實例以示例性方式示出在根據(jù)本發(fā)明的材料的一個實施 例和實例。圖1示出對于一個發(fā)明實例⑴和比較例(II)的相對強度(RI)與波長λ (nm) 的函數(shù)關(guān)系。
具體實施例方式實例I
連同實例I將更好地理解本發(fā)明,其中實例I以純粹說明性方式地作為本發(fā)明的 紅色發(fā)光材料的一個實例。實例I 涉及具有標(biāo)稱成分為 0. 99(CaN2/3) * 1. 04 (AlN) * 0. 93 (SiN473) * 0.005 CeO372 * 0. 005 EuO * 0. 02 SiO2 * 0. 02 AlO372的材料,其以陶瓷小板的形式按照下列方 式制備所有動作在干燥的惰性氣體氣氛中執(zhí)行。4.991克Ca3N2(2N)、4. 304克包含 0. 082% w/w 0 的 AlN (3N)、4· 496 克包含 1. 26% w/w 0 的 Si3N4、0. 086 克 CeO2 (4N)和 0. 088 克Eu2O3 (4N)例如使用例如四氫呋喃的適當(dāng)分散液通過行星球磨而緊密地混合。液體通過 蒸發(fā)除去,且該混合物隨后在形成氣體氣氛(N2 H2 95 5 ν/ν)中在1500°C燒制4小時。 獲得的粉末在輥臺上去團聚1小時。在除去溶劑和研磨介質(zhì)之后,粉末通過20 μ m篩子過 篩,分散在熔劑中,并加入粘合劑。該溶劑使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器來除去,該粉末使用300ym篩子 顆?;?,在110°C干燥且最后再在輥臺上輥軋15分鐘。獲得的顆粒通過單軸壓制在5kN下 被壓制為小球,且隨后在3600bar冷等靜壓壓制。所述小球在形成氣體氣氛中在1650°C燒 結(jié)10小時,可選地隨后在lkbar N2和1650°C熱等靜壓壓制4小時。在燒結(jié)之后,陶瓷片被 磨到100 μ m厚度并切成1.1X1. Imm2的小板。圖1示出發(fā)明實例I (虛線)和比較例II (直線)的相對發(fā)射輻射通量(RI)與波 長λ的關(guān)系的圖示。比較例II的成分與發(fā)明實例I的成分不同在于不使用鈰。圖1中的兩個光譜是 從具有相同厚度和相同密度、用硅樹脂膠粘到藍色LED的陶瓷小板(如上所述制作的)測 得的,并朝向彼此地被歸一化到紅色發(fā)射峰。圖1中低于500nm的輻射通量是由陶瓷小板 透射的LED光形成的。從圖1可以清楚地看出,在450nm處對(例如來自泵浦LED的)藍色光的吸收令 人驚奇地高得多。這導(dǎo)致在高流明當(dāng)量時大幅增大的紅色發(fā)射效率。按照這種方式,LED燈 的流明輸出增大。在上文詳述的實施例中的要素和特征的特定組合僅為示例性的;這些教導(dǎo)與本專 利/專利申請和其它專利/專利申請(以引用方式結(jié)合于此)中的其它教導(dǎo)的互換和替代 也被清楚地考慮到。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以想到此處所述方 案的變型、修改和其它實施方式,而不背離所要求保護的本發(fā)明的精神和范圍。因此,前述 描述僅僅是通過示例的方式,而非意圖是限制性的。本發(fā)明的范圍在下述權(quán)利要求及其等 同物中限定。此外,說明書和權(quán)利要求中使用的附圖標(biāo)記不限制所要求保護的本發(fā)明的范 圍。
權(quán)利要求
一種紅色發(fā)光材料,基本上具有成分為a(MIIN2/3)*b(MIIIN)*c(MIVN4/3)*d1 CeO3/2*d2 EuO*x MIVO2*y MIIIO3/2的主相,其中MII為選自包含Ca、Mg、Sr和Ba或其混合物的群組的堿土金屬,MIV為選自包含Si、Ge、C、Zr、Hf或其混合物的群組,以及MIII為選自包含Al、B、Sc、Ga和Lu或其混合物的群組,其中0.95*c≤a+d1+d2≤1.2*b且a+d1+d2≥c+x,(b+y)∶(c+x)≥1,(b+y)≤1+10*d1,b≥5*y,c≥10*x,d1>0,d2≥0.001。
2.如權(quán)利要求1所述的材料,其中d2* 0. 1彡Cl1彡d2 * 10。
3.如權(quán)利要求1或2所述的材料,具有>1001m/ff的流明當(dāng)量LE。
4.如權(quán)利要求1至3中任意一項所述的材料,基本上具有成分為a(CaN2/3) ^ b (AlN)*c (SiN473) * Cl1 CeO372 * d2 EuO * χ SiO2 * y AlO372 的主相,其中0. 95 c ^ a+di+d;, ^ 1. 2 b a+d^ ^ c+x, (b+y) (c+x)彡 1, (b+y)彡 1+10 * Cl1, b ^ 5 · y, c 彡 10 * x, 0. 001 ^ Cl1 ^ 0. 01, 0. 001 彡 d2 彡 0. 005, di ( d2,0. 01 * d2 彡 Cl1 彡 10 * d2,0 ( (di+^+x+y) ^ 0. 4o
5.一種陶瓷材料,包含根據(jù)權(quán)利要求1的紅色發(fā)光材料。
6.如權(quán)利要求5所述的陶瓷材料,其中在以lOW/cm2的光功率密度以及2.75eV的平 均光子能量在200°C暴露陶瓷材料1000小時之后,該陶瓷材料的光熱穩(wěn)定性為> 80%至 彡 100%。
7.如權(quán)利要求5或6中任意一項所述的陶瓷材料,其中該陶瓷材料在室溫的熱傳導(dǎo)率 為彡 2ffcm_1r1 至彡 TOWcnr1Ir1。
8.如權(quán)利要求5至7中任意一項所述的陶瓷材料,其中該陶瓷材料具有為理論密度的 彡95%至彡101%的密度。
9.一種發(fā)光器件,特別是LED,包含根據(jù)權(quán)利要求5的陶瓷材料,該陶瓷材料包含根據(jù) 權(quán)利要求1的紅色發(fā)光材料。
10.一種包含根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項的材料和/或陶瓷材料以及/或者根據(jù)權(quán)利要求9的發(fā)光器件的系統(tǒng),該系統(tǒng)用于一種或多種下述應(yīng)用 -辦公室照明系統(tǒng) -家庭應(yīng)用系統(tǒng) -商店照明系統(tǒng), -居家照明系統(tǒng), -重點照明系統(tǒng), -聚光照明系統(tǒng), -劇院照明系統(tǒng), -光纖應(yīng)用系統(tǒng), -投影系統(tǒng), -自點亮顯示系統(tǒng), -像素化顯示系統(tǒng), -分段顯示系統(tǒng), -警告標(biāo)志系統(tǒng), -醫(yī)療照明應(yīng)用系統(tǒng), -指示器標(biāo)志系統(tǒng),以及 -裝飾照明系統(tǒng), _便攜式系統(tǒng), -汽車應(yīng)用, -溫室照明系統(tǒng)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種成分為a(MIIN2/3)*b (MIIIN)*c (MIVN4/3)*d1 CeO3/2*d2 EuO*x MIVO2*y MIIIO3/2的紅色發(fā)光材料,該材料中存在鈰和銪。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)該材料具有增大的流明當(dāng)量和對藍色光的吸收效率。
文檔編號C09K11/77GK101903493SQ200880121374
公開日2010年12月1日 申請日期2008年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月19日
發(fā)明者B-S·施賴尼馬克, H-H·貝克特爾, J·邁耶, M·海德曼, P·J·施米特, W·邁爾 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司