專利名稱：半導體背面用切割帶集成膜的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體背面用切割帶集成膜，其包括倒裝芯片型半導體背面用膜。將 倒裝芯片型半導體背面用膜用于保護芯片形工件(例如半導體芯片)的背面和增強強度等 的目的。此外，本發(fā)明涉及使用半導體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導體器件的方法和安裝 倒裝芯片的半導體器件。
背景技術：
近年來，日益要求半導體器件及其封裝的薄型化和小型化。因此，作為半導體器件 及其封裝，已經(jīng)廣泛地利用其中通過倒裝芯片接合將芯片形工件例如半導體芯片安裝(倒 裝芯片接合)于基板上的倒裝芯片型半導體器件。在此類倒裝芯片接合中，將半導體芯片 以該半導體芯片的電路面與基板的電極形成面相對的形式固定至基板。在此類半導體器件 等中，可以存在半導體芯片(芯片形工件)的背面用保護膜保護以防止半導體芯片損壞等
的情況(參見，例如，專利文獻1至10)。
專利文獻1 JP-A--2008--166451
專利文獻2 JP-A--2008- 06386
專利文獻3 JP-A--2007--261035
專利文獻4 JP-A--2007--250970
專利文獻5 JP-A--2007--158026
專利文獻6 JP-A--2004--221169
專利文獻7 JP-A--2004--214288
專利文獻8 JP-A--2004--142430
專利文獻9 JP-A--2004- 72108
專利文獻10JP-A-2004[-06355
發(fā)明內(nèi)容
然而，將用于保護半導體芯片背面的背面保護膜粘貼至通過在切割步驟中切割半 導體晶片獲得的半導體芯片的背面導致增加粘貼步驟，以致步驟的數(shù)量增加，成本等增加。 此外，由于薄型化，在切割步驟后的半導體芯片的拾取步驟中，在一些情況下可能損害半導 體芯片。因此，期望在拾取步驟前增強半導體晶片或半導體芯片。考慮到前述問題，本發(fā)明的目的在于提供從半導體晶片的切割步驟至半導體芯片 的倒裝芯片接合步驟均能夠利用的半導體背面用切割帶集成膜。此外，本發(fā)明的另一目的在于提供半導體背面用切割帶集成膜，其能夠在半導體 晶片的切割步驟中顯示出優(yōu)良的保持力并能夠在半導體芯片的倒裝芯片接合步驟后顯示 出優(yōu)良的激光標識性和優(yōu)良的外觀性。為了解決前述問題，本發(fā)明人進行了廣泛深入的研究。結果，已發(fā)現(xiàn)，當將具有特 定多層結構的倒裝芯片型半導體背面用膜層壓至包括基材和壓敏粘合劑層的切割帶的壓敏粘合劑層上從而以集成形式形成切割帶和倒裝芯片型半導體背面用膜時，從半導體晶片 的切割步驟至半導體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠利用其中以集成形式形成切割帶和 半導體背面用膜的層壓體(半導體背面用切割帶集成膜)，在半導體晶片的切割步驟中能 夠顯示出優(yōu)良的保持力，在半導體芯片的倒裝芯片接合步驟后能夠顯示出優(yōu)良的激光標識 性和優(yōu)良的外觀性，使得完成本發(fā)明。S卩，本發(fā)明提供半導體背面用切割帶集成膜，其包括切割帶，所述切割帶包括基材和設置于所述基材上的壓敏粘合劑層；和倒裝芯片型半導體背面用膜，所述倒裝芯片型半導體背面用膜設置于所述壓敏粘 合劑層上，其中所述倒裝芯片型半導體背面用膜具有包括晶片粘合層和激光標識層的多層 結構，其中所述晶片粘合層由包含熱固性樹脂組分和作為可選組分的熱塑性樹脂組分 的樹脂組合物形成，所述熱塑性樹脂組分的量為相對于樹脂組分總量小于30重量％，和其中所述激光標識層由包含熱塑性樹脂組分和作為可選組分的熱固性樹脂組分 的樹脂組合物形成，所述熱塑性樹脂組分的量為相對于樹脂組分總量的30重量％以上。如上所述，在本發(fā)明的半導體背面用切割帶集成膜中，倒裝芯片型半導體背面用 膜和包括基材和壓敏粘合劑層的切割帶以集成方式形成，倒裝芯片型半導體背面用膜具有 包括晶片粘合層和激光標識層的多層結構。因此，在切割半導體晶片(工件)時，半導體晶 片能夠通過利用晶片粘合層將半導體背面用切割帶集成膜以優(yōu)良的緊密粘合性粘貼至半 導體晶片來保持和有效地切割。此外，在切割半導體晶片以形成芯片形工件(例如，半導體 芯片)后，通過將芯片形工件與倒裝芯片型半導體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層 剝離，能夠容易地獲得背面受到保護的芯片形工件。此外，由于包括激光標識層，芯片形工 件的背面(即，激光標識層)能夠以優(yōu)良的激光標識性進行激光標識。此外，能夠有效地提 高外觀性等。在本發(fā)明中，晶片粘合層由包含熱固性樹脂組分和作為可選組分的熱塑性樹脂組 分的樹脂組合物形成，所述熱塑性樹脂組分的量為相對于樹脂組分總量小于30重量％ (在 熱塑性樹脂組分的量為0重量％的情況下，不包含熱塑性樹脂組分)，激光標識層由包含熱 塑性樹脂組分和作為可選組分的熱固性樹脂組分的樹脂組合物形成，所述熱塑性樹脂組分 的量為相對于樹脂組分總量的30重量％以上(在熱塑性樹脂組分的量為100重量％的情 況下，不包含熱固性樹脂組分)。在一實施方案中，晶片粘合層相對于半導體晶片具有1N/I0mm-寬度以上的粘合 力；當用具有波長為532nm的釩酸釔激光器在照射強度為1. Off的條件下照射時，激光標識 層具有2μπι以上的加工深度。在一實施方案中，晶片粘合層和激光標識層分別包含添加至其的著色劑。在一實施方案中，在倒裝芯片接合時使用半導體背面用切割帶集成膜。本發(fā)明還提供使用上述半導體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導體器件的方法，該方 法包括將工件粘貼至半導體背面用切割帶集成膜的倒裝芯片型半導體背面用膜的晶片 粘合層上，
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切割所述工件以形成芯片形工件，將芯片形工件與倒裝芯片型背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離，和將所述芯片形工件通過倒裝芯片接合固定至被粘物。本發(fā)明進一步提供安裝倒裝芯片的半導體器件，其通過上述方法制造。根據(jù)本發(fā)明的半導體背面用切割帶集成膜，不僅切割帶和倒裝芯片型半導體背面 用膜以集成方式形成，而且倒裝芯片型半導體背面用膜具有包括晶片粘合層和激光標識層 的多層結構。因此，從工件例如半導體晶片的切割步驟至芯片形工件例如半導體芯片的倒 裝芯片接合步驟均能夠利用本發(fā)明的半導體背面用切割帶集成膜。具體地，本發(fā)明的半導 體背面用切割帶集成膜在工件的切割步驟中能夠顯示出優(yōu)良的保持力，并且在芯片形工件 的倒裝芯片接合步驟期間和之后還能夠顯示出優(yōu)良的激光標識性和優(yōu)良的外觀性。此外， 在倒裝芯片接合步驟等中，由于芯片形工件的背面用倒裝芯片型半導體背面用膜保護，因 此能夠有效抑制或防止芯片形工件的破壞(breakage)、碎裂(chipping)和翹曲(warp)等。 自然，在除芯片形工件的切割步驟至倒裝芯片接合步驟的步驟之外的步驟中，本發(fā)明的半 導體背面用切割帶集成膜能夠有效地顯示出其功能。


圖1為示出本發(fā)明的半導體背面用切割帶集成膜的一個實施方案的橫截面示意 圖。圖2A-2D為示出使用本發(fā)明的半導體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導體器件的方 法的一個實施方案的橫截面示意圖。附圖標記說明1 半導體背面用切割帶集成膜2 半導體背面用膜21 激光標識層22:晶片粘合層3 切割帶31 基材32 壓敏粘合劑層4:半導體晶片(工件)5 半導體芯片(芯片形工件)51 在半導體芯片5的電路面形成的凸塊(bump)6 被粘物61 粘合至被粘物6的連接墊(connecting pad)的連結用導電性材料
具體實施例方式半導體背面用切割帶集成膜參考圖1描述本發(fā)明的實施方案，但本發(fā)明不限于該實施方案。圖1為示出本發(fā) 明半導體背面用切割帶集成膜的實施方案的橫截面示意圖。在圖1中，1為半導體背面用切 割帶集成膜(下文中有時也稱作“切割帶集成的半導體背面保護膜”、“具有切割帶的半導體
5背面用膜”或“具有切割帶的半導體背面保護膜”)；2為倒裝芯片型半導體背面用膜(下文 中有時稱作“半導體背面用膜”或“半導體背面保護膜”)；21為激光標識層；22為晶片粘合 層；3為切割帶；31為基材；32為壓敏粘合劑層。此外，在本說明書的附圖中，沒有給出不需要描述的部分，為了容易描述，存在通 過放大、縮小等示出的部分。如圖1所示，半導體背面用切割帶集成膜1具有包括以下的構造包括在基材31 上形成的壓敏粘合劑層32的切割帶3，和包括在激光標識層21上形成的晶片粘合層22的 半導體背面用膜。此外，半導體背面用切割帶集成膜1以壓敏粘合劑層32和激光標識層21 彼此接觸的形式構成。在直至將半導體背面用膜2的表面(要粘貼至半導體晶片(工件) 背面的表面；即，晶片粘合層22的表面)粘貼至晶片背面的期間內(nèi)，將其用隔離體等保護。半導體背面用切割帶集成膜1可以具有其中在切割帶3的壓敏粘合劑層32的整 個表面上形成半導體背面用膜2的構造，或者可以具有如圖1所示的其中僅在切割帶3的 壓敏粘合劑層32的一部分上形成半導體背面用膜2的構造，要將半導體晶片粘貼至該半導 體背面用膜2。倒裝芯片型半導體背面用膜半導體背面用膜2具有膜形狀。如前所述，由于半導體背面用膜2具有包括激光 標識層21和晶片粘合層22的多層結構，在將粘貼至半導體背面用膜2 (即，晶片粘合層22) 上的半導體晶片切斷的切斷-加工步驟(切割步驟)中，半導體背面用膜2具有支承緊密 粘合至該半導體背面用膜2的半導體晶片的功能，并能夠顯示出粘合性以使切斷件不會飛 散。此外，在切割步驟后的拾取步驟中，已通過切割而個體化的半導體芯片(芯片形工件) 能夠與半導體背面用膜2 —起從切割帶3容易地剝離。此外，在拾取步驟后(已通過切割 而個體化的半導體芯片與半導體背面用膜2 —起從切割帶3剝離后)，半導體背面用膜2具 有保護半導體芯片背面的功能。此外，由于激光標識層21變?yōu)榘雽w芯片背面?zhèn)壬系淖钔?層，因此能夠示出顯示出優(yōu)良的激光標識性的功能。此外，由于將晶片粘合層22以優(yōu)良的 緊密粘合性粘貼至半導體芯片的背面上，因此沒有觀察到由于不良粘合導致的浮起等，半 導體芯片能夠顯示出優(yōu)良的外觀性。如上所述，由于半導體背面用膜2具有優(yōu)良的激光標 識性，所以能夠借助半導體背面用膜2(更具體地，半導體背面用膜2的激光標識層21)，通 過利用激光標識法進行激光標識，以將各種信息例如文字信息和圖形信息賦予至半導體芯 片或使用半導體芯片的半導體器件的非電路側(cè)上的面。根據(jù)本發(fā)明，在半導體背面用膜2中，優(yōu)選將激光標識21著色；更優(yōu)選將晶片粘合 層22和激光標識層21著色。如上所述，在半導體背面用膜2中，當將激光標識層21 (優(yōu)選 地，晶片粘合層22和激光標識層21)著色時，能夠更多地展示出優(yōu)良的激光標識性。特別 地，通過控制著色的顏色，可以觀察具有優(yōu)良可見度的通過標識而賦予的信息(例如，文字 信息和圖形信息)。特別地，由于半導體背面用膜2相對于半導體晶片或半導體芯片具有優(yōu)良的緊密 粘合性，因此沒有觀察到浮起等。此外，由于半導體背面用膜2能夠顯示出優(yōu)良的外觀性， 因此能夠獲得具有優(yōu)良的增值外觀的半導體器件。例如，作為半導體器件，可以通過使用不 同的顏色將其產(chǎn)品分類。此外，通過將激光標識層21和晶片粘合層22著色，切割帶3和半導體背面用膜2能夠彼此容易地區(qū)分，并且作業(yè)性等能夠得到提高。如上所述，半導體背面用膜2不用于將半導體芯片模片接合至被粘物例如基板， 而用于保護將要安裝倒裝芯片(或已經(jīng)安裝倒裝芯片)的半導體芯片的背面(非電路面)， 并且該半導體背面用膜2因而具有優(yōu)化的功能和組成。在這點上，模片接合膜為用于將半 導體芯片強烈地粘合至被粘物例如基板上的用途的粘合劑層。此外，在使用模片接合膜的 半導體器件中，由于其最終使用包封樹脂封裝，因此模片接合膜的功能和組成與目的在于 保護各半導體晶片和半導體芯片的背面的本發(fā)明的半導體背面用膜2不同。因此，不優(yōu)選 將本發(fā)明的半導體背面用膜2用作模片接合膜。半導體背面用膜2的厚度(總厚度)沒有特別限定，但能夠例如在約5μπι-500μπι 的范圍內(nèi)適當選擇。此外，半導體背面用膜2的厚度優(yōu)選為約5 μ m-150 μ m，更優(yōu)選約 5 μ m-100 μ m,進一步優(yōu)選約5 μ m-50 μ m,甚至進一步優(yōu)選約10 μ m-30 μ m,并且特別優(yōu)選
15 μ m-25 μ m。本發(fā)明的半導體背面用膜2的在23°C下的彈性模量(拉伸貯能彈性模量E')優(yōu) 選為IGPa以上，更優(yōu)選2GPa以上，特別優(yōu)選3GPa以上。當半導體背面用膜2的拉伸貯能 彈性模量為IGPa以上時，在當將半導體元件與半導體背面用膜2—起從切割帶的壓敏粘合 劑層剝離，然后將半導體背面用膜2放置在支承體(例如載帶)上進行輸送等時，能夠有效 地抑制或防止半導體背面用膜2粘貼至支承體(例如，載體帶的頂帶(top tape)或底帶 (bottomtape))。在如前所述半導體背面用膜2由包含熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情 況下，由于熱固性樹脂通常處于未固化或部分固化的狀態(tài)，半導體背面用膜2的在23°C下 的拉伸貯能彈性模量通常為處于熱固性樹脂未固化或部分固化的狀態(tài)的值。半導體背面用膜2的在23°C下的彈性模量(拉伸貯能彈性模量E')通過以下方 式測定制備由晶片粘合層22和激光標識層21形成但不層壓至切割帶上的半導體背面用 膜2，并使用由Rheometrics Co.，Ltd.制造的動態(tài)粘彈性測量設備〃 SolidAnalyzer RS A2"，在預定溫度(23°C )下，在氮氣氣氛下，在樣品寬度10mm、樣品長度22. 5mm、樣品厚度 0. 2mm、頻率IHz和升溫速率10°C /min的條件下，以拉伸模式測量彈性模量，并將該彈性模 量作為獲得的拉伸貯能彈性模量E'的值。此外，處于未固化狀態(tài)的前述半導體背面用膜2的拉伸貯能彈性模量(23°C )能夠 通過適當設定樹脂組分(熱塑性樹脂和/或熱固性樹脂)的種類和含量或填料例如二氧化 硅填料的種類和含量來控制。半導體背面用膜2在可見光區(qū)域(波長400nm-800nm)的透光率(可見光透過率) 沒有特別限定，但例如，優(yōu)選在不大于20% (0% -20% )的范圍內(nèi)、更優(yōu)選在不大于10% (0%-10%)的范圍內(nèi)，特別優(yōu)選不大于5% (0%-5%)的范圍內(nèi)。當半導體背面用膜2 在可見光區(qū)域中的透光率為不大于20%時，可見光透過半導體背面用膜2并到達半導體芯 片，從而能夠減少對半導體芯片的不利影響。半導體背面用膜2的可見光透過率(％ )能夠通過構成半導體背面用膜2的樹脂 組分的種類和含量、著色劑(例如，顏料和染料)的種類和含量，填料的種類和含量等來控 制?？梢姽馔高^率(％)能夠例如以以下方式計算。即，制備厚度(平均厚度)為 20 μ m的半導體背面用膜2，而不將其層壓至切割帶上。接著，將半導體背面用膜2使用〃 ABSORPTION SPECTROPHOTOMETER"(商品名Shimadzu Corporation)利用可見光照 射?？梢姽饩哂?00nm-800nm的波長。通過該照射透過半導體背面用膜2的可見光的光強 度能夠根據(jù)以下表達式計算?？梢姽馔高^率(％)=[(透過半導體背面用膜2后的可見光的光強度)/(可見光 的初始光強度)]X100透光率(％ )的前述計算方法還能夠應用于厚度不是20 μ m的半導體背面用膜的 透光率(％ )的計算。具體地，根據(jù)朗伯_比爾定律(Lambert-Beer law)，在厚度為20 μ m 的情況下吸光度A2tl能夠如下計算。A20 = α XL20XC (1)(在該式中，L2tl為光程長度，α為吸收系數(shù)(absorbanceindex)，C為樣品濃度。)此外，在厚度為Χ(μπι)的情況下的吸光度A5Jg夠如下計算。Ax = α XLxXC (2)此外，在厚度為20 μ m的情況下的吸光度A2tl能夠如下計算。A20 = -Iog10T20 (3)(在該式中，T2tl為在厚度為20μ m的情況下的透光率。)從上述式(1)_(3)，吸光度Ax可以由下式表示。Ax = A20X (Lx/L20) = -[Iog10 (T20) ] X (Lx/L20)因此，在厚度為Χμ m的情況下的透光率Tx(% )能夠如下計算。Tx = 10 Αχ其中Ax = -[Iog10(T20)] X (Lx/L20)此外，在透光率(％)的前述計算方法中半導體背面用膜的厚度調(diào)整為20 μ m的事 實并不特別限定本發(fā)明的半導體背面用膜2的厚度?！?0 μ m"的值是為了在測量時方便 起見而采用的厚度。此外，半導體背面用膜2優(yōu)選具有低的吸濕度。具體地，吸濕度優(yōu)選不大于1重 量％，更優(yōu)選不大于0. 8重量％。通過將吸濕度調(diào)整至不大于1重量％，能夠提高激光標識 性。此外，例如，在再流步驟(reflow step)中能夠抑制或防止空隙的產(chǎn)生。吸濕度能夠例 如通過改變有機填料的添加量來調(diào)整。吸濕度為由當將膜在85°C和85% RH的環(huán)境下靜置 168小時時的重量變化計算的值(參見下述表達式)。此外，在半導體背面用膜2由包含熱 固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，吸濕度為由當將膜在熱固化后在85°C和85% RH的 環(huán)境下靜置168小時時的重量變化計算的值。吸濕度(重量％ ) = [{(使半導體背面用有色膜靜置后的重量)_(使半導體背面 用有色膜靜置前的重量)} / (使半導體背面用有色膜靜置前的重量)]X100此外，半導體背面用膜2優(yōu)選具有小比例的揮發(fā)性物質(zhì)。具體地，在溫度250°C下 加熱1小時后的重量減少的比例(重量減少率)優(yōu)選不大于1重量％，更優(yōu)選不大于0.8 重量％。通過將重量減少率調(diào)整至不大于1重量％，能夠提高激光標識性。此外，例如，在 再流步驟中能夠抑制或防止封裝時裂紋的產(chǎn)生。重量減少率能夠例如通過在無鉛焊料再流 時添加能夠降低裂紋產(chǎn)生的無機材料來調(diào)整。重量減少率為由當將膜在250°C的條件下加 熱1小時時的重量變化計算的值(參見下述表達式)。此外，在半導體背面用膜2由包含熱 固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，重量減少率為由當將膜在熱固化后在250°C的條件
8下靜置1小時時的重量變化計算的值。重量減少率(重量％ ) = [{(使半導體背面用有色膜靜置前的重量)_(使半導體 背面用有色膜靜置后的重量)} / (使半導體背面用有色膜靜置前的重量)]X100半導體背面用膜2 (特別地，晶片粘合層22)優(yōu)選通過隔離體(剝離襯墊)(在圖中 未示出)保護。隔離體具有作為保護半導體背面用膜2 (特別地，晶片粘合層22)直至其實 際使用的保護材料的功能。此外，隔離體能夠進一步用作在將半導體背面用膜2轉(zhuǎn)移至在 基材31上的壓敏粘合劑層32時的支承基材。當將半導體晶片粘貼至半導體背面用切割帶 集成膜1的半導體背面用膜2上時，剝離隔離體。作為隔離體，能夠使用聚乙烯或聚丙烯、 其表面用脫模劑例如氟類脫模劑和長鏈烷基丙烯酸酯類脫模劑涂布的塑料膜(例如，聚對 苯二甲酸乙二酯)或紙。隔離體可通過常規(guī)已知的方法形成。此外，隔離體的厚度等沒有 特別限定。在半導體背面用膜2由包含熱固性樹脂組分例如環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成的 情況下(稍后將描述細節(jié))，在半導體背面用膜2中，熱固性樹脂在將其施涂于半導體晶片 前的階段為未固化或部分固化的狀態(tài)。在該情況下，在將它施涂至半導體晶片之后(具體 地，通常，在倒裝芯片接合步驟中將包封材料固化時)，半導體背面用膜2中的熱固性樹脂 組分完全或幾乎完全固化。如上所述，由于即使當半導體背面用膜2包含熱固性樹脂組分時，該膜也處于熱 固性樹脂組分未固化或部分固化的狀態(tài)，因此半導體背面用膜2的凝膠分數(shù)沒有特別限 定，但能夠例如在不大于50重量％ (0重量％-50重量％)的范圍內(nèi)選擇，它優(yōu)選不大于30 重量％ (0重量％-30重量％ )，特別優(yōu)選不大于10重量％ (0重量％至10重量％ )。半導體背面用膜2的凝膠分數(shù)能夠以下述測量方法測量。即，從半導體背面用膜 2中取樣約0. Ig樣品，并精確稱重(樣品重量)，將樣品包裹在網(wǎng)型片(mesh-type sheet) 中后，將它在室溫下在約50ml甲苯中浸漬1周。此后，從甲苯中取出溶劑不溶性物質(zhì)(網(wǎng) 型片中的內(nèi)容物)，并在130°C下干燥約2小時，將干燥后的溶劑不溶性物質(zhì)稱重(浸漬并 干燥后的重量)，然后根據(jù)下述表達式(a)計算凝膠分數(shù)(重量％ )。凝膠分數(shù)(重量％) = {(浸漬并干燥后的重量)/(樣品重量)}X100 (a)半導體背面用膜2的凝膠分數(shù)能夠通過樹脂組分的種類和含量以及交聯(lián)劑的種 類和含量，以及除此之外的加熱溫度和加熱時間等來控制。(晶片粘合層)晶片粘合層22為顯示出對半導體晶片的優(yōu)良粘合性(緊密粘合性)的層并 且是與半導體晶片背面接觸的層。晶片粘合層22相對于半導體晶片的粘合力優(yōu)選為 1N/I0mm-寬度以上(例如，1N/I0mm-寬度至10N/10mm-寬度)。晶片粘合層22相對于半導 體晶片的粘合力更優(yōu)選為2N/10mm-寬度以上(例如，2N/10mm_寬度至10N/10mm-寬度)， 進一步優(yōu)選為4N/10mm-寬度以上(例如，4N/10mm_寬度至10N/10mm-寬度)。當晶片粘合 層22相對于晶片的粘合力小于1N/I0mm-寬度時，可能存在不能將它用作晶片粘合層22的 情況。半導體背面用膜2相對于半導體晶片的粘合力為例如以以下方式測量的值。艮口， 將壓敏粘合帶(商品名BT315，由NittoDenko Corporation制造)粘貼至半導體背面用膜2的一個面上，從而增強背面。其后，通過熱層壓法，通過使2Kg的輥在50°C下往復一次，將 厚度為0. 6mm的半導體晶片粘貼至長度為150mm和寬度為IOmm的背面增強的半導體背面 用膜2的表面上。其后，將層壓體在熱盤(50°C)上靜置2分鐘，然后將其在常溫(約23°C) 下靜置20分鐘。靜置后，在溫度23°C下，在剝離角為180°和拉伸速率為300mm/min的條 件下，通過使用剝離試驗機(商品名AUT0GRAPH AGS-J，由Shimadzu Corporation制造)， 將背面增強的半導體背面用膜2剝離。粘合力為此時通過在半導體背面用膜2和半導體晶 片之間的界面處剝離而測量的值(N/10mm-寬度)。通常，晶片粘合層22優(yōu)選用隔離體保護。在這種情況下，當剝離隔離體時，晶片粘 合層22起到半導體背面用切割帶集成膜1的一側(cè)上的最外層的作用，并在將半導體背面用 切割帶集成膜1粘貼至半導體晶片時使用。晶片粘合層22能夠由樹脂組合物形成。作為用于形成晶片粘合層22的樹脂組合 物(下文有時稱作"晶片粘合層用樹脂組合物")，能夠適當使用包含熱塑性樹脂組分作 為可選組分和熱固性樹脂組分的樹脂組合物。在晶片粘合層用樹脂組合物中，在以下(熱 塑性樹脂組分)部分中描述(或示例)的熱塑性樹脂等能夠用作熱塑性樹脂組分，而以下 (熱固性樹脂組分)部分中描述(或示例)的熱固性樹脂等能夠用作熱固性樹脂組分。在本發(fā)明中，如下所述，丙烯酸類樹脂適合作為在晶片粘合層用樹脂組合物中的 熱塑性樹脂組分。另一方面，環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂適合作為在晶片粘合層用樹脂組合物中 的熱固性樹脂組分。因此，包含環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂和丙烯酸類樹脂的樹脂組合物適合作為 晶片粘合層用樹脂組合物。由于這些樹脂組分其離子性雜質(zhì)小和耐熱性高，因此能夠確保 半導體元件的可靠性。在晶片粘合層用樹脂組合物中，從對半導體晶片的粘合性的角度，熱塑性樹脂組 分的比例優(yōu)選為小于30重量％ (例如，0重量％以上至小于30重量％ )，更優(yōu)選不大于28 重量％ (特別優(yōu)選不大于25重量％)，相對于樹脂組分的總量。在晶片粘合層用樹脂組合 物中，當熱塑性樹脂組分的比例過小時，存在降低成膜性的情況。從成膜性的角度，在晶片 粘合層用樹脂組合物中，熱塑性樹脂組分相對于樹脂組分總量的比例的下限值優(yōu)選為5重 量％以上，更優(yōu)選10重量％以上(特別優(yōu)選15重量％以上)?？傊?，在晶片粘合層用樹脂 組合物中熱塑性樹脂組分的比例能夠例如在5重量％以上至小于30重量％ (優(yōu)選10重 量％以上至小于30重量％，更優(yōu)選15重量％以上至小于30重量％ )的范圍內(nèi)選擇。在晶片粘合層用樹脂組合物中熱固性樹脂組分的比例為通過從100重量％中減 去熱塑性樹脂組分的比例獲得的余數(shù)，100重量％為樹脂組分的總量的比例。在熱塑性樹脂 組分相對于樹脂組分的總量的比例為0重量％時，晶片粘合層用樹脂組合物為僅包含熱固 性樹脂組分(不包含熱塑性樹脂組分)作為樹脂組分的樹脂組合物(熱固性樹脂組合物)。如果需要，除了交聯(lián)劑和著色劑之外，晶片粘合層用樹脂組合物可以包含添加劑 例如填料、阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑、離子捕集劑，增量劑、防老劑、抗氧化劑和表面活性劑作為 除樹脂組分之外的組分。例如，在以下(交聯(lián)劑)部分中描述(或示例)的交聯(lián)劑等能夠 用作交聯(lián)劑。例如，以下(著色劑)部分中描述(或示例)的著色劑等能夠用作著色劑。通過使用交聯(lián)劑，可以設法提高高溫下的粘合特性和改進耐熱性。在一實施方案 中，出于用交聯(lián)劑交聯(lián)樹脂組分的目的，在樹脂組分的聚合物中，將能夠與交聯(lián)劑反應的官 能團引入分子鏈末端等。
晶片粘合層22可通過利用以下常規(guī)方法形成，在所述常規(guī)方法中，將熱固性樹脂 組分例如環(huán)氧樹脂和熱塑性樹脂組分例如丙烯酸類樹脂混合并任選地進一步與溶劑和其 它添加劑混合，從而制備樹脂組合物，然后將其成形為膜狀層。具體地，例如，晶片粘合層 22能夠通過以下方法形成，所述方法為將樹脂組合物涂布于在切割帶3的壓敏粘合劑層 32上形成的激光標識層21上的方法；或者將樹脂組合物涂布于適當?shù)母綦x體(例如，剝離 紙)上以形成樹脂層(或粘合劑層)，然后將其轉(zhuǎn)移(粘合或嵌入)至激光標識層21上的 方法；等。晶片粘合層22的厚度沒有特別限定，但是其能夠例如在1 μ m-50 μ m(優(yōu)選 3 μ m-30 μ m,更優(yōu)選5 μ m-20 μ m)的范圍內(nèi)選擇，并且特別優(yōu)選7 μ m-15 μ m。當晶片粘合層 22的厚度過小時，存在激光標識時暴露晶片的可能性，而當該厚度過大時，存在在熱固化后 晶片翹曲的可能性。晶片粘合層22可為單層或多層的任意形式。(激光標識層)激光標識層21為顯示出優(yōu)良的激光標識性的層和在半導體芯片的背面上進行激 光標識時使用的層。即，激光標識層21為具有良好的激光加工性的層。關于激光標識層21 的激光加工性，優(yōu)選當用YV04(釩酸釔)激光器[波長532nm ；激光發(fā)射裝置，由Keyence Corporation (商品名MD_S9900)]在強度為1. Off的條件下照射激光標識層21時，加工深 度(深度)為2μπι以上。加工深度的上限沒有特別限定，但可以為與激光標識層21的厚度 相同的值。具體地，激光標識層21的激光加工深度能夠為例如在2 μ m-25 μ m的范圍內(nèi)選 擇，并且它優(yōu)選3 μ m以上(例如，3 μ m-20 μ m)，更優(yōu)選5 μ m以上(例如，5 μ m-15 μ m)。當作 為激光標識層21的激光加工性指數(shù)的加工深度[波長532nm ；激光發(fā)射裝置，由Keyence Corporation制造(商品名MD_S9900)]在強度為1. Off的條件下小于2 μ m時，可能存在 所得物不能用作激光標識層21的情況。當激光標識層21的激光加工深度為與激光標識層 21的厚度相同的值時，可能存在在用激光器照射時激光到達與激光標識層21層壓的晶片 粘合層22，從而還加工了晶片粘合層22。此外，當用激光器照射時加工激光標識層21時， 加工方法的實例包括通過激光器灼燒有機組分等，從而使組成改變的加工方法。作為激光標識層21的激光加工性指數(shù)的加工深度為通過以下而測定的值用激 光器[波長:532nm ；激光發(fā)射裝置，由Keyence Corporation制造(商品名:MD_S9900)]在 強度為1. Off的條件下照射激光標識層21 (其可以為與晶片粘合層22的層壓體)并測量通 過該激光器照射加工的加工深度。在半導體背面用切割帶集成膜1中，將激光標識層21粘貼至切割帶3的壓敏粘合 劑層32，但在切割步驟后拾取的半導體芯片中，激光標識層21變?yōu)榘雽w芯片背面?zhèn)壬系?br> 最外層。激光標識層21能夠由樹脂組合物形成。作為用于形成激光標識層21的樹脂組 合物(下文有時稱作"激光標識層用樹脂組合物")，能夠適當使用包含熱塑性樹脂組分 和作為可選組分的熱固性樹脂組分的樹脂組合物。在激光標識層用樹脂組合物中，在以下 (熱塑性樹脂組分)部分中描述(或示例)的熱塑性樹脂等能夠用作熱塑性樹脂組分，而以 下(熱固性樹脂組分)部分中描述(或示例)的熱固性樹脂等能夠用作熱固性樹脂組分。在本發(fā)明中，如下所述，丙烯酸類樹脂適合作為在激光標識層用樹脂組合物中的 熱塑性樹脂組分。另一方面，環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂適合作為在激光標識層用樹脂組合物中
11的熱固性樹脂組分。因此，包含環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂和丙烯酸類樹脂的樹脂組合物適合作為 激光標識層用樹脂組合物。由于這些樹脂組分其離子性雜質(zhì)小和耐熱性高，因此能夠確保 半導體元件的可靠性。在激光標識層用樹脂組合物中，從激光標識性的角度，熱塑性樹脂組分的比例優(yōu) 選為30重量％以上(例如，30重量％以上至不大于100重量％ )，相對于樹脂組分的總量。 在激光標識層用樹脂組合物中，當熱塑性樹脂組分的比例過大時，耐熱性能降低。因此，從 耐熱性的角度，作為在激光標識層用樹脂組合物中熱塑性樹脂組分相對于樹脂組分總量的 比例的上限值優(yōu)選為不大于90重量％，更優(yōu)選不大于80重量％，進一步更優(yōu)選不大于60 重量％ (特別優(yōu)選不大于50重量％)。因此，在激光標識層用樹脂組合物中熱塑性樹脂組 分的比例能夠例如在30重量％以上至不大于90重量％ (優(yōu)選30重量％以上至不大于80 重量%，更優(yōu)選30重量%以上至不大于60重量％，特別優(yōu)選30重量%以上至不大于50重 量％)的范圍內(nèi)選擇。在激光標識層用樹脂組合物中熱固性樹脂組分的比例為通過從100重量％中減 去熱塑性樹脂組分的比例獲得的余數(shù)，100重量％為樹脂組分的總量的比例。在熱塑性樹脂 組分相對于樹脂組分總量的比例為100重量％時，激光標識層用樹脂組合物為僅包含熱塑 性樹脂組分(不包含熱固性樹脂組分)作為樹脂組分的樹脂組合物(熱塑性樹脂組合物)。如果需要，除了交聯(lián)劑和著色劑之外，激光標識層用樹脂組合物還可以包含添加 劑例如填料、阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑、離子捕集劑，增量劑、防老劑、抗氧化劑和表面活性劑作 為除樹脂組分之外的組分。例如，在以下(交聯(lián)劑)部分中描述(或示例)的交聯(lián)劑等能 夠用作交聯(lián)劑。例如，以下(著色劑)部分中描述(或示例)的著色劑等能夠用作著色劑。激光標識層21可通過利用以下常規(guī)方法形成，在所述常規(guī)方法形成中，將熱固性 樹脂組分例如環(huán)氧樹脂和熱塑性樹脂組分例如丙烯酸類樹脂混合并任選地進一步與溶劑 和其它添加劑混合，從而制備樹脂組合物，然后將其成形為膜狀層。具體地，例如，激光標識 層21能夠通過以下方法形成，所述方法為將樹脂組合物涂布于切割帶3的壓敏粘合劑層 32上的方法；或?qū)渲M合物涂布于適當?shù)母綦x體(例如，剝離紙)上以形成樹脂層(或 粘合劑層)，然后將其轉(zhuǎn)移(粘合或嵌入)至切割帶3的壓敏粘合劑層32或晶片粘合層22 上的方法；等。激光標識層21的厚度沒有特別限定，但是其能夠例如在1 μ m-50 μ m(優(yōu)選 3 μ m-30 μ m,更優(yōu)選5 μ m-20 μ m)的范圍內(nèi)選擇，并且特別優(yōu)選7 μ m-15 μ m。當激光標識層 21的厚度過小時，存在激光標識時暴露半導體晶片的可能性，而當該厚度過大時，存在在熱 固化后半導體晶片翹曲的可能性。激光標識層21可為單層或多層的任意形式。(熱塑性樹脂組分)在晶片粘合層用樹脂組合物或激光標識層用樹脂組合物中，熱塑性樹脂組分的實 例包括天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯_乙酸乙烯酯共聚物、乙烯_丙 烯酸共聚物、乙烯_丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、 聚酰胺樹脂如6-尼龍和6，6_尼龍、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、飽和聚酯樹脂如PET和 PBT、聚酰胺-酰亞胺樹脂和氟碳樹脂。這些熱塑性樹脂組分可以單獨使用或以其兩種以上 組合使用。在這些熱塑性樹脂組分中，特別優(yōu)選包含少量離子性雜質(zhì)、具有高耐熱性和能夠 確保半導體元件可靠性的丙烯酸類樹脂。
丙烯酸類樹脂沒有特別限定，其實例包括包含一種或兩種以上其中烷基為具有30 個以下碳原子，特別是4至18個碳原子的直鏈或支化烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯 作為組分的聚合物。所述烷基的實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁 基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一 烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。此外，形成丙烯酸類樹脂的其它單體組分(除其中烷基為具有30個以下碳原子 的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的單體組分)沒有特別限定，其實例包括含羧 基單體如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和巴 豆酸；酸酐單體如馬來酸酐和衣康酸酐；含羥基單體如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基) 丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸 8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥月桂酯和(4-羥甲基環(huán)己 基)_甲基丙烯酸酯；含磺酸單體如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰氨基-2-甲 基丙磺酸、(甲基)丙烯酰氨基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺 酸；和含磷酸基團單體如2-羥乙基丙烯酰磷酸酯(2-hydroethylacryloylphosphate)。(熱固性樹脂組分)在晶片粘合層用樹脂組合物或激光標識層用樹脂組合物中，除了環(huán)氧樹脂和酚醛 樹脂之外，熱固性樹脂組分的實例包括，氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、硅酮樹脂 和熱固性聚酰亞胺樹脂。這些熱固性樹脂組分可以單獨使用或以其兩種以上組合使用。作 為熱固性樹脂組分，包含少量腐蝕半導體元件的離子性雜質(zhì)的環(huán)氧樹脂是合適的。此外，酚 醛樹脂適合用作環(huán)氧樹脂的固化劑。環(huán)氧樹脂沒有特別限定，例如，可使用雙官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂如雙酚A 型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹脂、氫化雙酚A型 環(huán)氧樹脂、雙酚AF型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧樹脂、可溶可熔 酚醛(phenol Novolak)型環(huán)氧樹脂、鄰甲酚可溶酚醛(o_cresol Novolak)型環(huán)氧樹脂、 三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹脂和四羥苯基乙烷(tetraphenylolethane)型環(huán)氧樹脂，或環(huán)氧樹 脂如乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹脂、三縮水甘油基異氰脲酸酯型環(huán)氧樹脂或縮水甘油基胺型環(huán)氧樹 脂。作為環(huán)氧樹脂，在以上示例的那些中，雙酚A型環(huán)氧樹脂、酚醛型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯 型環(huán)氧樹脂、三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹脂和四羥苯基乙烷型環(huán)氧樹脂是優(yōu)選的。這是因為這 些環(huán)氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂具有高反應性，且耐熱性等優(yōu)良。此外，上述酚醛樹脂起到環(huán)氧樹脂的固化劑的作用，其實例包括可溶可熔型酚醛 樹脂如可溶可熔酚醛樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚可溶酚醛樹脂、叔丁基可溶可熔酚醛樹脂 和壬基可溶可熔酚醛樹脂；甲階型酚醛樹脂；和聚氧苯乙烯(polyoxystyrenes)如聚對氧 苯乙烯。酚醛樹脂可單獨或以其兩種以上組合使用。在這些酚醛樹脂中，可溶可熔酚醛樹 脂和苯酚芳烷基樹脂是特別優(yōu)選的。這是因為可改進半導體器件的連接可靠性。環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的混合比優(yōu)選使得例如酚醛樹脂中的羥基變?yōu)?. 5至2. 0當 量，基于每當量環(huán)氧樹脂組分中的環(huán)氧基團。其更優(yōu)選0.8至1.2當量。S卩，當混合比變?yōu)?在該范圍之外時，固化反應不能充分進行，環(huán)氧樹脂固化產(chǎn)物的特性趨于劣化。環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的熱固化促進催化劑沒有特別限定，可適當選自已知的熱固化促進催化劑并使用。熱固化促進催化劑可單獨或兩種以上的組合使用。作為熱固化促進 催化劑，例如，可使用胺類固化促進催化劑、磷類固化促進催化劑、咪唑類固化促進催化劑、 硼類固化促進催化劑或磷_硼類固化促進催化劑。(交聯(lián)劑)在晶片粘合層用樹脂組合物或激光標識層用樹脂組合物中，能夠添加前述交聯(lián) 劑。通過使用交聯(lián)劑，可以設法提高高溫下的粘合特性(緊密粘合性)和改進耐熱性。在 一實施方案中，出于通過使用交聯(lián)劑交聯(lián)樹脂組分的目的，在樹脂組分的聚合物中，將能夠 與交聯(lián)劑反應的官能團引入分子鏈末端等。交聯(lián)劑沒有特別限定，可以任意選擇已知的交聯(lián)劑。具體地，作為交聯(lián)劑，不僅可 提及異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過氧化物類交聯(lián)劑，還提及脲 類交聯(lián)劑、金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、 噁唑啉類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑和胺類交聯(lián)劑等。作為交聯(lián)劑，異氰酸酯類交聯(lián)劑或環(huán)氧 類交聯(lián)劑是適合的。交聯(lián)劑可以單獨使用或兩種以上組合使用。異氰酸酯類交聯(lián)劑的實例包括低級脂肪族多異氰酸酯例如1，2_亞乙基二異氰酸 酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族多異氰酸酯例如亞環(huán)戊基 二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯和氫化苯二 甲撐二異氰酸酯；和芳香族多異氰酸酯例如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、 4,4' -二苯甲烷二異氰酸酯和苯二甲撐二異氰酸酯。此外，也使用三羥甲基丙烷/甲苯二 異氰酸酯三聚體加合物[商品名"C0L0NATE L”，由 NipponPolyurethane Industry Co.， Ltd.制造]、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“C0L0NATE HL”， 由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，環(huán)氧類交聯(lián)劑的實例包括 N，N，N' ,N'-四縮水甘油基-間-苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油 基氨甲基)環(huán)己烷、1，6_己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油 醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮 水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖 醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘 油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S-二縮 水甘油醚，以及在分子中具有兩個以上的環(huán)氧基團的環(huán)氧類樹脂。交聯(lián)劑的量不特別限定，可依賴于交聯(lián)程度適當選擇。具體地，優(yōu)選交聯(lián)劑的量為 例如0. 05至7重量份，基于100重量份樹脂組分(聚合物組分)(特別地，在分子鏈末端具 有官能團的聚合物)。當交聯(lián)劑的量基于100重量份樹脂組分大于7重量份時，粘合力降 低，而當其低于0. 05重量份時，內(nèi)聚力降低。在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與使用交聯(lián)劑一起，也可以通過用電子束或紫外 光照射來進行交聯(lián)處理。(著色劑)在本發(fā)明中，優(yōu)選將半導體背面用膜著色。具體地，優(yōu)選將晶片粘合層22和激光 標識層21的至少之一著色；首先，優(yōu)選將至少激光標識層21著色；特別地，優(yōu)選將晶片粘 合層22和激光標識層21 二者均著色。如上所述，在將半導體背面用膜著色的情況(半導 體背面用膜既不是無色的也不是透明的情況)下，通過著色顯示的顏色沒有特別限定，但
14例如優(yōu)選暗色如黑色、藍色或紅色，黑色是特別優(yōu)選的。在本發(fā)明中，暗色主要指具有60以下(0至60)，優(yōu)選50以下(0至50)，更優(yōu)選40 以下(0至40)的在LW顏色空間中定義的L*的暗色。此外，黑色主要是指具有35以下(0至35)，優(yōu)選30以下(0至30)，更優(yōu)選25以 下(0至25)的在LW顏色空間中定義的L*的黑色系顏色。在這點上，在黑色中，在LW 顏色空間中定義的各a*和b*可根據(jù)L*的值適當選擇。例如，a*和b*兩者均在-10至10， 更優(yōu)選_5至5，特別優(yōu)選-3至3 (特別地0或約0)的范圍內(nèi)。在本發(fā)明中，在LW顏色空間中定義的f和b*可通過用色差計(商品 名“CR-200”，由Minolta Ltd制造；色差計)測量來確定。LW顏色空間為在1976 年由 Commissionlnternationale de 1，Eclairage (CIE)建議的顏色空間，是指稱為 CIE1976(L*aV)顏色空間的顏色空間。此外，在日本工業(yè)標準(Japanese Industrial Standards) JIS Z8729 中定義了 L*a*b* 顏色空間。在晶片粘合層22或激光標識層21著色時，根據(jù)目標顏色，可使用著色劑(著色 試劑)。作為該著色劑，可適合使用各種暗色著色劑如黑色著色劑、藍色著色劑和紅色著色 劑，黑色著色劑是特別適合的。著色劑可為任意顏料和染料。著色劑可單獨使用或兩種以 上組合使用。在這點上，作為染料，可以使用任何形式的染料如酸性染料、反應性染料、直接 染料、分散染料和陽離子染料。此外，同樣關于顏料，其形式不特別限制，可在已知顏料中適 當選擇和使用。黑色著色劑不特別限制，例如，可適當選自無機黑色顏料和黑色染料。此外，黑色 著色劑可為其中將青色著色劑(藍-綠著色劑)、品紅色著色劑(紅-紫著色劑)和黃色 著色劑(黃著色劑)混合的著色劑混合物。黑色著色劑可單獨使用或以兩種以上的組合使 用。當然，黑色著色劑可與除黑色之外其它顏色的著色劑組合使用。黑色著色劑的具體實例包括炭黑(如爐黑、槽黑、乙炔黑、熱裂炭黑或燈黑)、石 墨、氧化銅、二氧化錳、偶氮型顏料(例如，偶氮甲堿偶氮黑)、苯胺黑、茈黑、鈦黑、花青黑、 活性炭、鐵素體(如非磁性鐵素體或磁性鐵素體)、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻配 合物、復合氧化物型黑色顏料和蒽醌型有機黑色顏料。在使用其中將青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑混合的著色劑混合物作為 黑色著色劑的情況下，青色著色劑的實例包括青色染料如C. I.溶劑藍25、36、60、70、93、 95 ；C. I.酸性藍 6 和 45 ；青色顏料如 C. I.顏料藍 1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、 15:6、16、17、17:1、18、22、25、56、60、63、65、66 ；C. I.甕藍 4、60 ；C. I.顏料綠 7。此外，在品紅色著色劑中，品紅色染料的實例包括C. I.溶劑紅1、3、8、23、24、25、 27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122 ；C. I.分散紅 9 ；C. I.溶劑紫 8、 13、14、21、27 ；C. I.分散紫 1 ；C. I.堿性紅 1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、 32、34、35、36、37、38、39、40 ；C. I.堿性紫 1、3、7、10、14、15、21、25、26、27 和 28。作為品紅色著色劑，品紅色顏料的實例包括C. I.顏料紅1、2、3、4、5、6、7、8、9、 10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、 48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、 64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、 144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、
15187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245 ；C. I.顏料紫 3、9、19、23、31、32、 33、36、38、43、50 ；C. I.甕紅 1、2、10、13、15、23、29 和 35。此外，黃色著色劑的實例包括黃色染料如C.I.溶劑黃19、44、77、79、81、82、93、 98、103、104、112 和 162 ；黃色顏料如 C. I.顏料橙 31,43 ；C. I.顏料黃 1、2、3、4、5、6、7、10、 11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、 98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、 151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195 ；C. I.甕黃 1、3 和 20。各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑可分別單獨使用或以兩種 以上的組合使用。在此點上，在使用各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑 的兩種以上的情況下，這些著色劑的混合比(或共混比)沒有特別限定，可根據(jù)各著色劑的 種類和目標顏色等適當選擇。此外，在黑色著色劑為通過混合青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑形成的 著色劑混合物的情況下，這些著色劑可單獨使用或以兩種以上的組合使用。青色著色劑、品 紅色著色劑和黃色著色劑在混合墨組合物中的混合比(或共混比)沒有特別限定，只要能 夠顯示黑色系顏色(例如，具有在上述范圍內(nèi)的在LW顏色空間中定義的a*和b*的 黑色系顏色)即可，可根據(jù)各著色劑的類型等適當選擇。青色著色劑、品紅色著色劑和黃色 著色劑在混合墨組合物中的含量例如可在以下范圍內(nèi)適當選擇相對于著色劑總量，青色 著色劑/品紅色著色劑/黃色著色劑=10重量％ -50重量％ /10重量％ -50重量％ /10 重量％ -50重量％ (優(yōu)選20重量％ -40重量％ /20重量％ -40重量％ /20重量％ -40重 量％ )。作為黑色著色劑，可使用以下黑色染料如C.I.溶劑黑3、7、22、27、29、34、43、70， C. I.直接黑 17、19、22、32、38、51、71，C. I.酸性黑 1、2、24、26、31、48、52、107、109、110、119、 154，和C. I.分散黑1、3、10、24 ；和黑色顏料如C. I.顏料黑1、7 ；等。作為此類黑色著色劑，例如，商品名“Oil Black BY”、商品名“Oil Black BS”、商 品名 “Oil Black HBB”、商品名 “Oil Black803”、商品名 “Oil Black 860”、商品名 “Oil Black 5970”、商品名“Oil Black 5906” 和商品名“Oil Black 5905”(由 OrientChemical Industries Co.，Ltd.制造)等是商購可得的。(其它添加劑)在本發(fā)明中，如前所述，在晶片粘合層用樹脂組合物或激光標識層用樹脂組合物 中，除了填料、阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑和離子捕集劑之外，還能夠使用添加劑如增量劑、防老 劑、抗氧化劑和表面活性劑。填料可為任意無機填料和有機填料，但無機填料是合適的。通過共混填料如無機 填料，能夠?qū)崿F(xiàn)賦予半導體背面用膜以導電性、改進半導體背面用膜的導熱性、控制半導體 背面用膜的彈性模量等。在這點上，半導體背面用膜可為導電性的或非導電性的。無機填 料的實例包括由以下組成的各種無機粉末二氧化硅，粘土，石膏，碳酸鈣，硫酸鋇，氧化鋁， 氧化鈹，陶瓷如碳化硅和氮化硅，金屬或合金如鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀，和焊料 及碳等。填料可以單獨使用或兩種以上組合使用。特別地，填料適合為二氧化硅，特別適合 為熔凝硅石。無機填料的平均粒徑優(yōu)選在0. 1至80 y m的范圍內(nèi)。無機填料的平均粒徑可 通過激光衍射型粒徑分布測量設備來測量。
填料(特別地，無機填料)的共混量優(yōu)選為不大于80重量份(例如，0重量份至 80重量份)，特別優(yōu)選為0重量份至70重量份，基于100重量份樹脂組分。阻燃劑的實例包括三氧化銻、五氧化銻和溴化環(huán)氧樹脂。阻燃劑可以單獨使用或 兩種以上組合使用。硅烷偶聯(lián)劑的實例包括0-(3，4_環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、
環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和環(huán)氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶聯(lián)劑可以 單獨使用或兩種以上組合使用。離子捕集劑的實例包括水滑石和氫氧化鉍。離子捕集劑可 以單獨使用或兩種以上組合使用。切割帶切割帶3由基材31和形成于基材31上的壓敏粘合劑層32構成。因而，切割帶3 充分具有層壓基材31和壓敏粘合劑層32的構造。基材31 (支承基材)能夠用作壓敏粘合劑 層32等的支承材料。作為基材31，例如，可使用合適的薄材料，例如紙類基材如紙；纖維類 基材如織物、無紡布、氈和網(wǎng)；金屬類基材如金屬箔和金屬板；塑料類材料如塑料膜和片； 橡膠類基材如橡膠片；發(fā)泡體(foamed body)如發(fā)泡片；及其層壓體[特別地，塑料類材料 與其它基材的層壓體，塑料膜(或片)彼此的層壓體等]。在本發(fā)明中，作為基材，可適合使 用塑料類材料如塑料膜和片。此類塑料材料的原料實例包括烯屬樹脂如聚乙烯(PE)、聚丙 烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作為單體組分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚 物(EVA)、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，和乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)，交 替)共聚物；聚酯如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚對苯二甲酸 丁二醇酯(PBT)；丙烯酸類樹脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；酰胺 類樹脂如聚酰胺(尼龍)和全芳族聚酰胺(whole aromatic polyamides)(芳族聚酰胺)； 聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亞胺；聚醚酰亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共 聚物)；纖維素類樹脂；硅酮樹脂；和氟化樹脂。此外，作為基材的材料，也可以使用聚合物 如各上述樹脂的交聯(lián)體。這些原料可以單獨使用或兩種以上組合使用。在將塑料基材31用作基材的情況下，變形性如伸長度(elongation degree)可通 過拉伸處理等控制?；?1的厚度沒有特別限定，可依賴于強度、屈撓性及預期的使用用途等適當選 擇。例如，厚度通常為1000 i! m以下(例如1至1000 u m)，優(yōu)選1至500 y m，進一步優(yōu)選3 至300 u m,特別地約5至250 ii m,但不限于此。在這點上，基材31可具有單層形式和層壓 層形式的任何形式?？稍诨?1的表面上實施常規(guī)使用的表面處理，例如化學或物理處理如鉻酸鹽 處理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高壓電擊或電離輻射處理，或用底漆劑(undercoating agent)的涂布處理，以改進與鄰接層的緊密粘合性、保持性等。此外，在不損害本發(fā)明的優(yōu)點等的范圍內(nèi)，基材31可包含各種添加劑(著色劑、填 料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。壓敏粘合劑層32由壓敏粘合劑形成，并具有壓敏粘合性。該壓敏粘合劑沒有特 別限定，可在已知壓敏粘合劑中適當選擇。具體地，作為壓敏粘合劑，具有上述特性的壓 敏粘合劑可在例如以下的已知壓敏粘合劑中適當選擇并使用丙烯酸類壓敏粘合劑、橡膠 類壓敏粘合劑、乙烯基烷基醚類壓敏粘合劑、硅酮類壓敏粘合劑、聚酯類壓敏粘合劑、聚酰 胺類壓敏粘合劑、聚氨酯類壓敏粘合劑、氟類壓敏粘合劑、苯乙烯_ 二烯嵌段共聚物類壓敏粘合劑，和其中將具有約200°C以下熔點的熱熔融性樹脂混入這些壓敏粘合劑中的蠕變 特性改進的壓敏粘合劑(參見例如，JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、 JP-A-56-13040等，將其每一個引入此處以作參考)。此外，作為壓敏粘合劑，也可使用照射 固化型壓敏粘合劑(或能量射線固化型壓敏粘合劑)或熱膨脹性壓敏粘合劑。壓敏粘合劑 可單獨或以兩種以上的組合使用。在本發(fā)明中，作為壓敏粘合劑，可適當使用丙烯酸類壓敏粘合劑和橡膠類壓敏粘 合劑，特別地，丙烯酸類壓敏粘合劑是適合的。作為丙烯酸類壓敏粘合劑，可提及其中將使 用一種或多種烷基(甲基)丙烯酸酯((甲基)丙烯酸烷基酯)作為單體組分的丙烯酸類 聚合物(均聚物或共聚物)用作基礎聚合物的丙烯酸類壓敏粘合劑。在上述丙烯酸類壓敏粘合劑中的(甲基)丙烯酸烷基酯的實例包括(甲基)丙烯 酸烷基酯，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙 烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基) 丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基) 丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、 (甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一 烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲 基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸 十八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯和(甲基)丙烯酸二十烷酯。作為(甲基)丙烯酸烷 基酯，具有具有4至18個碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯是適合的。此外，(甲基) 丙烯酸烷基酯的烷基可為線性或支化的。為了改善內(nèi)聚力、耐熱性及交聯(lián)性等目的，上述丙烯酸類聚合物可包含與上述 (甲基)丙烯酸烷基酯可聚合的其它單體組分(可共聚合單體組分)對應的單元。此類可 共聚合單體組分的實例包括含羧基單體如(甲基)丙烯酸(丙烯酸或甲基丙烯酸)、丙烯酸 羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和巴豆酸；含酸酐基團單體如馬來酸酐和衣 康酸酐；含羥基單體如(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸羥 丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯、(甲基)丙烯酸羥辛酯、(甲基)丙烯酸羥癸酯、(甲基)丙 烯酸羥月桂酯和甲基丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯；含磺酸基團單體如苯乙烯磺酸、烯丙 基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺 丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基團單體如2-羥乙基丙烯酰磷酸酯；(N-取代 的)酰胺類單體如(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙 烯酰胺、N-羥甲基(甲基)丙烯酰胺和N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸 氨基烷基酯類單體如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲氨基乙酯和(甲 基)丙烯酸叔丁氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯類單體如(甲基)丙烯酸甲氧基 乙酯和(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；氰基丙烯酸酯類單體如丙烯腈和甲基丙烯腈；含環(huán)氧 基丙烯酸類單體如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；苯乙烯類單體如苯乙烯和a -甲基苯乙烯； 乙烯基酯類單體例如乙酸乙烯酯和丙酸乙烯酯；烯烴類單體如異戊二烯、丁二烯和異丁烯； 乙烯基醚類單體例如乙烯基醚；含氮單體如N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙 烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、 乙烯基噁唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基羧酸酰胺和N-乙烯基己內(nèi)酰胺；馬來酰亞胺類單體如N-環(huán)己基馬來酰亞胺、N-異丙基馬來酰亞胺、N-月桂基馬來酰亞胺和N-苯基馬來酰亞胺； 衣康酰亞胺類單體如N-甲基衣康酰亞胺、N-乙基衣康酰亞胺、N- 丁基衣康酰亞胺、N-辛 基衣康酰亞胺、N-2-乙基己基衣康酰亞胺、N-環(huán)己基衣康酰亞胺和N-月桂基衣康酰亞胺； 琥珀酰亞胺類單體如N-(甲基)丙烯酰氧亞甲基琥珀酰亞胺、N-(甲基)丙烯?；?6-氧 六亞甲基琥珀酰亞胺和N-(甲基)丙烯?；?8-氧八亞甲基琥珀酰亞胺；二醇類丙烯酸酯 單體如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙 烯酸酯(methoxyethylene glycol (meth) acrylate)和甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯 (methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate)；具有雜環(huán)、商原子或娃原子等的丙；??；希酸 酯類單體，如(甲基)丙烯酸四氫糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯(fluorine (meth) acrylate) 和含硅酮(甲基)丙烯酸酯(silicone (meth) acrylate)；多官能單體如己二醇二 (甲基) 丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇 二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、 季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯 酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯和二(甲基)丙烯酸己酯 等。這些可共聚合單體組分可單獨或以兩種以上的組合使用。在將照射固化型壓敏粘合劑(或能量射線固化型壓敏粘合劑)用作壓敏粘合劑的 情況下，照射固化型壓敏粘合劑(組合物)的實例包括其中在聚合物側(cè)鏈或主鏈中具有自 由基反應性碳-碳雙鍵的聚合物用作基礎聚合物的內(nèi)部照射固化型壓敏粘合劑，及其中將 UV固化型單體組分或低聚物組分共混入壓敏粘合劑中的照射固化型壓敏粘合劑等。此外， 在將熱膨脹性壓敏粘合劑用作壓敏粘合劑的情況下，提及包含壓敏粘合劑和發(fā)泡劑(特別 地，熱膨脹性微球)等的熱膨脹性壓敏粘合劑作為熱膨脹性壓敏粘合劑。在本發(fā)明中，在不損害本發(fā)明優(yōu)點的范圍內(nèi)，壓敏粘合劑層可包含各種添加劑 (例如，增粘劑、著色劑、增稠劑、增量劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯(lián) 劑等)。交聯(lián)劑沒有特別限定，可使用已知的交聯(lián)劑。具體地，作為交聯(lián)劑，不僅可提及異 氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過氧化物類交聯(lián)劑，還提及脲類交聯(lián) 劑、金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、噁唑啉 類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑和胺類交聯(lián)劑等，異氰酸酯類交聯(lián)劑和環(huán)氧類交聯(lián)劑是合適的。 交聯(lián)劑可以單獨使用或兩種以上組合使用。此外，交聯(lián)劑的量沒有特別限定。異氰酸酯類交聯(lián)劑的實例包括低級脂肪族多異氰酸酯例如1，2_亞乙基二異氰酸 酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族多異氰酸酯例如亞環(huán)戊基 二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯和氫化苯二 甲撐二異氰酸酯；芳香族多異氰酸酯例如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、4， 4' -二苯甲烷二異氰酸酯和苯二甲撐二異氰酸酯。此外，也使用三羥甲基丙烷/甲苯二 異氰酸酯三聚體加合物[商品名 “C0L0NATE L”，由 NipponPolyurethane Industry Co., Ltd.制造]、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“C0L0NATE HL”， 由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，環(huán)氧類交聯(lián)劑的實例包括 N，N，N' ,N'-四縮水甘油基-間-苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油 基氨甲基)環(huán)己烷、1，6_己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮 水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖 醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘 油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S-二縮 水甘油醚，以及在分子中具有兩個以上的環(huán)氧基團的環(huán)氧類樹脂。在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與使用交聯(lián)劑一起，也可以通過用電子束或紫外 光照射進行交聯(lián)處理。壓敏粘合劑層32例如可通過利用包括混合壓敏粘合劑和任選的溶劑及其它添加 劑，然后將該混合物成形為片狀層的通常使用的方法形成。具體地，壓敏粘合劑層32例如 可通過以下方法形成，所述方法為包括將包含壓敏粘合劑和任選的溶劑及其它添加劑的 混合物施涂至基材上的方法，包括施涂上述混合物至適當隔離體(如剝離紙)上以形成壓 敏粘合劑層32，然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換)至基材上的方法，或類似方法。壓敏粘合劑層32的厚度沒有特別限定，例如，為約5至300 y m，優(yōu)選5至80 y m， 更優(yōu)選15至50 y m。當壓敏粘合劑層32的厚度在上述范圍內(nèi)時，能夠有效地顯示適當?shù)膲?敏粘合力。壓敏粘合劑層32可為單層或多層。根據(jù)本發(fā)明，可使半導體背面用切割帶集成膜1具有抗靜電功能。由于該構造，能 夠防止電路由于以下原因?qū)е碌亩搪酚捎谠谄湔澈蠒r和剝離時靜電能的產(chǎn)生或由于半導 體晶片通過靜電能的帶電。賦予抗靜電功能可通過適當?shù)姆绞饺缫韵路椒ㄟM行添加抗靜 電劑或?qū)щ娦晕镔|(zhì)至基材31、壓敏粘合劑層32和半導體背面用膜(晶片粘合層22和激光 標識層21)的方法，或在基材31上設置由電荷轉(zhuǎn)移配合物(complex)組成的導電層或金屬 膜等的方法。作為這些方法，優(yōu)選難以產(chǎn)生具有改變半導體晶片品質(zhì)風險的雜質(zhì)離子的方 法。為了賦予導電性和改進熱傳導性等的目的而共混的導電性物質(zhì)(導電性填料)的實 例包括銀、鋁、金、銅、鎳或?qū)щ娦院辖鸬鹊那蛐巍⑨樞?、薄片形金屬粉末；金屬氧化物如氧?鋁；無定形炭黑和石墨。然而，從不具有漏電性的觀點，半導體背面用膜優(yōu)選非導電性的。此外，半導體背面用切割帶集成膜1可以以卷繞成卷形物(roll)的形式形成或可 以以將片材(膜)層壓的形式形成。例如，在膜具有卷繞成卷形物的形式的情況下，根據(jù)需 要，以通過隔離體保護半導體背面用膜2的狀態(tài)將膜卷繞成卷形物，由此可制備膜作為處 于卷繞成卷形物狀態(tài)或形式的半導體背面用切割帶集成膜1。在這點上，處于卷繞成卷形物 狀態(tài)或形式的半導體背面用切割帶集成膜1可由基材31、在基材31的一個表面上形成的壓 敏粘合劑層32、在壓敏粘合劑層32上形成的半導體背面用膜2，和在基材31的另一表面上 形成的可剝離處理層(后表面處理層)構成。半導體背面用切割帶集成膜1的厚度(半導體背面用膜2的厚度和由基材31 和壓敏粘合劑層32組成的切割帶3的厚度的總厚度)可在例如lliim-300iim的范圍內(nèi) 選擇，其優(yōu)選lliim-200iim，更優(yōu)選15 y m_200 y m，進一步優(yōu)選15 y m_100 y m(特別優(yōu)選 20 y m-80 y m)。在半導體背面用切割帶集成膜1中，半導體背面用膜2的厚度與切割帶3中的壓 敏粘合劑層32的厚度的比沒有特別限定，但例如，可在以{(半導體背面用膜2的厚度)/ (在切割帶3中的壓敏粘合劑層32的厚度)}的比例計為150/5至3/100的范圍內(nèi)適當選 擇。半導體背面用膜2的厚度與在切割帶3中的壓敏粘合劑層32的厚度的比例優(yōu)選100/5
20至3/50，更優(yōu)選60/5至3/40。當半導體背面用膜2的厚度與在切割帶3中的壓敏粘合劑 層32的厚度的比例在前述范圍內(nèi)時，能夠顯示適當?shù)膲好粽澈狭Γ⒛軌蝻@示優(yōu)良的切割 性和拾取性。在半導體背面用切割帶集成膜1中，半導體背面用膜2的厚度與切割帶3的厚度 的比沒有特別限定，但例如，可在以{(半導體背面用膜2的厚度)/(切割帶3的厚度)}的 比例計為150/50至3/500的范圍內(nèi)適當選擇。半導體背面用膜2的厚度與切割帶3的厚 度的比例優(yōu)選100/50至3/300，更優(yōu)選60/50至3/150。通過將半導體背面用膜2的厚度 與切割帶3的厚度的比例調(diào)整至不大于3/500，可以抑制拾取性的降低。另一方面，通過將 半導體背面用膜2的厚度與切割帶3的厚度的比例調(diào)整至150/50以上，可以抑制切割時橫 向殘余物(lateral residue)的產(chǎn)生或其量的增加。如上所述，在半導體背面用切割帶集成膜1中，通過調(diào)整半導體背面用膜2的厚度 與切割帶3中壓敏粘合劑層32的厚度的比例或半導體背面用膜2的厚度與切割帶3的厚 度的比例，在切割步驟時的切割性和在拾取步驟時的拾取性能夠得到提高。此外，從工件例 如半導體晶片的切割步驟至半導體元件例如半導體芯片的倒裝芯片接合步驟，均能夠有效 地利用半導體背面用切割帶集成膜1。糊本葡_害1滯__爐誠使用半導體背面用切割帶集成膜1作為實例描述本發(fā)明的半導體背面用切割帶 集成膜的生產(chǎn)方法。首先，基材31可通過常規(guī)已知的成膜方法形成。成膜方法的實例包括 壓延成膜法、在有機溶劑中的流延法、在嚴格密閉體系中的膨脹擠出法、T-模擠出法、共擠 出法和干法層壓法。接著，壓敏粘合劑層32通過以下形成將壓敏粘合劑組合物施涂至基材31上， 接著干燥(根據(jù)需要，在加熱下交聯(lián))。施涂方法的實例包括輥涂、絲網(wǎng)涂布(screen coating)和凹版涂布(gravure coating)。在這點上，壓敏粘合劑組合物的施涂可直接在 基材31上進行，以在基材31上形成壓敏粘合劑層32，或可將壓敏粘合劑組合物施涂至表 面已進行剝離處理的剝離紙等上以形成壓敏粘合劑層32，然后將其轉(zhuǎn)移至基材31上，從而 在基材31上形成壓敏粘合劑層32。因而，切割帶3通過在基材31上形成壓敏粘合劑層32 來制備。另一方面，晶片粘合層22可通過以下形成將作為用于形成晶片粘合層22的形 成材料的樹脂組合物(晶片粘合層用樹脂組合物)涂布在剝離紙上以在干燥后具有規(guī)定厚 度，并在規(guī)定條件下進一步將其干燥(在需要熱固化的情況等情況下，根據(jù)需要進行加熱 處理以實現(xiàn)干燥)。隨后，激光標識層21通過以下形成將作為用于形成激光標識層21的 形成材料的樹脂組合物(激光標識層用樹脂組合物)涂布在晶片粘合層22上以在干燥后 具有規(guī)定厚度，并在規(guī)定條件下進一步將其干燥(在需要熱固化的情況等情況下，根據(jù)需 要進行加熱處理以實現(xiàn)干燥)，從而制備具有激光標識層21和晶片粘合層22的層壓結構的 半導體背面用膜2。將半導體背面用膜2以激光標識層21與壓敏粘合劑層32接觸的形式 轉(zhuǎn)移至壓敏粘合劑層32上，從而在壓敏粘合劑層32上形成半導體背面用膜2。在這點上， 半導體背面用膜2也能夠通過在壓敏粘合劑層32上涂布激光標識層用樹脂組合物以形成 激光標識層21，并在激光標識層21上進一步涂布晶片粘合層用樹脂組合物以形成晶片粘 合層22而形成于壓敏粘合劑層32上。在這點上，在需要激光標識層21或晶片粘合層22的熱固化等的情況下，根據(jù)需要，優(yōu)選進行加熱處理以實現(xiàn)干燥。因此，獲得根據(jù)本發(fā)明的 半導體背面用切割帶集成膜1。在半導體背面用膜2形成時進行熱固化的情況下，重要的是 進行熱固化至其處于部分固化狀態(tài)的程度。然而，優(yōu)選不進行熱固化。半導體背面用切割帶集成膜1能夠在包括倒裝芯片接合步驟的半導體器件生產(chǎn) 時適當使用。即，在安裝倒裝芯片的半導體器件的生產(chǎn)時使用半導體背面用切割帶集成膜 1，因此以將半導體背面用膜2粘貼至半導體芯片背面的狀態(tài)或形式生產(chǎn)安裝倒裝芯片的 半導體器件。因此，將根據(jù)本發(fā)明的半導體背面用切割帶集成膜1用于安裝倒裝芯片的半 導體器件(處于通過倒裝芯片接合法將半導體芯片固定于被粘物如基板的狀態(tài)或形式的 半導體器件)。半導體晶片半導體晶片沒有特別限定，只要其為已知或通常使用的半導體晶片即可，并可在 由各種材料制成的半導體晶片中適當?shù)剡x擇和使用。在本發(fā)明中，作為半導體晶片，可適當 地使用硅晶片。半導體器件的牛產(chǎn)方法用于生產(chǎn)本發(fā)明半導體器件的方法沒有特別限定，只要其為使用上述半導體背面 用切割帶集成膜生產(chǎn)半導體器件的方法即可。例如，可提及包括以下步驟的生產(chǎn)方法等將工件(半導體晶片)粘貼至半導體背面用切割帶集成膜的半導體背面用膜上 (即，半導體背面用膜的晶片粘合層22上)的步驟(安裝步驟)；切割工件以形成芯片形工件(半導體芯片)的步驟(切割步驟)；將芯片形工件與半導體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離的步驟(拾 取步驟)；和通過倒裝芯片接合將芯片形工件固定至被粘物的步驟(倒裝芯片接合步驟)。更具體地，作為半導體器件的生產(chǎn)方法，例如，半導體器件可以如下在適當剝離任 選地設置于半導體背面用膜上(即，在半導體背面用膜的晶片粘合層22上)的隔離體后使 用本發(fā)明的半導體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)。下文中，參考圖2A至2D，使用半導體背面用 切割帶集成膜1作為實例描述該方法。圖2A-2D為示出使用本發(fā)明的半導體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導體器件的方 法的一個實施方案的橫截面示意圖。在圖2A至2D中，如上所述，4為半導體晶片(工件)， 5為半導體芯片(芯片形工件)，51為在半導體芯片5的電路面形成的凸塊，6為被粘物，61 為粘合至被粘物6的連接墊的連結用導電性材料，1、2、21、22、3、31和32分別為半導體背 面用切割帶集成膜、半導體背面用膜、激光標識層、晶片粘合層、切割帶、基材和壓敏粘合劑 層。(安裝步驟)首先，如圖2A所示，將半導體晶片4粘貼(特別是壓接)至半導體背面用切割帶 集成膜1中的半導體背面用膜2的晶片粘合層22上，以通過粘合(緊密粘合)和保持來固 定半導體晶片(安裝步驟)。通常在用加壓裝置如加壓輥加壓的同時進行本步驟。(切割步驟)接著，如圖2B所示，切割半導體晶片4。從而，將半導體晶片4切斷成規(guī)定尺寸并 個體化(成形為小片)，以生產(chǎn)半導體芯片5。例如，所述切割根據(jù)常規(guī)方法從半導體晶片4
22的電路面?zhèn)冗M行。另外，本步驟可采取例如形成達到半導體背面用切割帶集成膜1的切口 (slit)的稱作完全切斷的切斷方法。用于本步驟的切割設備沒有特別限定，可使用常規(guī)已 知的設備。此外，由于半導體晶片4通過半導體背面用切割帶集成膜1粘合(緊密粘合)并 固定，可抑制芯片破裂和切屑飛散，以及還可抑制半導體晶片4破損。在這點上，當半導體 背面用膜2 (激光標識層21和晶片粘合層22)由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成時，即使 當將其通過切割切斷時，也抑制或防止在切斷面處發(fā)生粘合劑從半導體背面用膜2擠出。 結果，可抑制或防止切斷面自身的再粘貼(粘連(blocking))，從而可更加方便地進行以下 要描述的拾取。在半導體背面用切割帶集成膜1擴展(expanding)的情況下，擴展可使用常規(guī)已 知的擴展設備進行。所述擴展設備具有能夠推動半導體背面用切割帶集成膜向下通過切割 環(huán)的環(huán)形外環(huán)，和直徑小于外環(huán)并支撐半導體背面用切割帶集成膜的內(nèi)環(huán)。由于該擴展步 驟，可以防止相鄰的半導體芯片在以下要描述的拾取步驟中通過彼此接觸而損壞。(拾取步驟)如圖2C所示進行半導體芯片5的拾取，以將半導體芯片5與半導體背面用膜2 — 起從切割帶3剝離，從而收集粘合(緊密粘合)并固定至半導體背面用切割帶集成膜1的 半導體芯片5。拾取方法沒有特別限定，可采用常規(guī)已知的各種方法。例如，可提及包括用 針狀物從半導體背面用切割帶集成膜1的基材31側(cè)向上推動各半導體芯片5，并用拾取設 備拾取推起的半導體芯片5的方法。在這點上，拾取的半導體芯片5的背面(也稱為無電 路面、無電極形成面等)用包括激光標識層21和晶片粘合層22的半導體背面用膜2保護。(倒裝芯片接合步驟)拾取的半導體芯片5通過倒裝芯片接合法(倒裝芯片安裝法)固定于被粘物如基 材。具體地，以半導體芯片5的電路面(也稱為正面、電路圖案形成面、電極形成面等)與被 粘物6相對的形式，根據(jù)常規(guī)方式將半導體芯片5固定于被粘物6上。例如，使在半導體芯 片5的電路面處形成的凸塊51與粘貼至被粘物6的連接墊的導電性材料61 (如焊料)接 觸，并在加壓下熔融導電性材料，由此能夠確保半導體芯片5和被粘物6之間的電連接，并 能夠?qū)雽w芯片5固定于被粘物6上。在這點上，在將半導體芯片5固定至被粘物6時， 重要的是將半導體芯片5和被粘物6的相對面以及間隙預先洗滌，然后將包封材料(如包 封樹脂)填充入該間隙中。作為被粘物6，可使用各種基板如引線框和電路板(如布線電路板)。基板的材料 沒有特別限定，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的實例包括環(huán)氧基板、雙馬來酰亞胺 三嗪基板和聚酰亞胺基板。在倒裝芯片接合中，凸塊的材料和導電性材料沒有特別限定，其實例包括焊料 (合金)如錫_鉛類金屬材料、錫_銀類金屬材料、錫_銀_銅類金屬材料、錫_鋅類金屬材 料和錫-鋅-鉍類金屬材料，以及金類金屬材料和銅類金屬材料。此外，在本步驟中，將導電性材料熔融以連接半導體芯片5的電路面處的凸塊和 在被粘物6表面上的導電性材料。導電性材料熔融時的溫度通常為約260°C (例如，250°C 至300°C )。通過形成具有環(huán)氧樹脂等的半導體背面用膜，可使本發(fā)明的半導體背面用切割 帶集成膜具有能夠承受在倒裝芯片接合步驟中的高溫的耐熱性。此外，在倒裝芯片接合中在洗滌半導體芯片5和被粘物6之間的相對面(電極形成面)以及間隙時使用的洗滌液沒有特別限定，該液體可為有機洗滌液或可為水性洗滌 液。在本發(fā)明的半導體背面用切割帶集成膜中的半導體背面用膜具有對洗滌液的耐溶劑 性，并且對這些洗滌液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各種洗滌液作為該洗滌 液，并可通過任何常規(guī)方法而無需任何特別的洗滌液實現(xiàn)該洗滌。在本發(fā)明中，在封裝半導體芯片5和被粘物6之間的間隙時使用的封裝材料沒有 特別限定，只要該材料為具有絕緣性的樹脂(絕緣樹脂)即可，可在已知封裝材料如封裝樹 脂中適當選擇和使用。封裝樹脂優(yōu)選具有彈性的絕緣樹脂。封裝樹脂的實例包括含環(huán)氧樹 脂的樹脂組合物。作為環(huán)氧樹脂，可提及以上示例的環(huán)氧樹脂。此外，由包含環(huán)氧樹脂的樹 脂組合物組成的封裝樹脂可包含除了環(huán)氧樹脂之外的熱固性樹脂(如酚醛樹脂)或除了環(huán) 氧樹脂之外的熱塑性樹脂。此外，可利用酚醛樹脂作為環(huán)氧樹脂用固化劑，作為該酚醛樹 脂，可提及以上示例的酚醛樹脂。在用封裝樹脂的封裝步驟中，封裝樹脂通常通過加熱來固化以實現(xiàn)封裝。在很多 情況下，封裝樹脂的固化通常在175°C下進行60秒至90秒。然而，在本發(fā)明中，不限于此， 例如，固化可在165至185°C的溫度下進行幾分鐘。在半導體背面用膜2中，由于激光標識 層21由包含熱塑性樹脂組分和作為可選組分的熱固性樹脂組分的樹脂組合物形成，在包 含熱固性樹脂組分的情況下，在固化該封裝樹脂時，熱固性樹脂組分可完全或幾乎完全固 化。此外，由于晶片粘合層22由包含作為可選組分的熱塑性樹脂組分和熱固性樹脂組分的 樹脂組合物形成，在固化該封裝樹脂時熱固性樹脂組分可完全或幾乎完全固化。半導體芯片5和被粘物6之間間隙的距離通常為約30 u m-300 u m。由此形成的半導體器件能夠適合用作電子部件或其材料。在本發(fā)明的使用半導體背面用切割帶集成膜制造的半導體器件(安裝倒裝芯片 的半導體器件)中，將半導體背面用膜以激光標識層21為最外層的形式粘貼至半導體芯片 背面，因此，可以以優(yōu)良的可見度實施激光標識。特別地，激光標識能夠以優(yōu)良的對比度實 施，并可以觀察通過具有良好可見度的激光標識實施的各種信息(例如文字信息和圖形信 息)。在激光標識時，可利用已知激光標識設備。此外，作為激光器，可以利用各種激光器 如氣體激光器、固態(tài)激光器和液體激光器。具體地，作為氣體激光器，可利用任何已知的氣 體激光器而沒有特別限制，但二氧化碳激光器(C02激光器)和準分子激光器(ArF激光器、 KrF激光器、XeCl激光器、XeF激光器等)是合適的。作為固態(tài)激光器，可利用任何已知的 固態(tài)激光器而沒有特別限定，但YAG激光器(如Nd:YAG激光器)和YV04激光器是合適的。由于使用本發(fā)明的半導體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)的半導體器件為通過倒裝芯 片安裝法安裝的半導體器件，所以該器件與通過模片接合安裝法安裝的半導體器件相比具 有薄型化和小型化的形狀。因此，可適當采用安裝倒裝芯片的半導體器件作為各種電子器 件和電子部件或其材料和構件。具體地，作為利用本發(fā)明的安裝倒裝芯片的半導體器件的 電子器件，可提及所謂的“移動電話”和“PHS”，小型計算機[所謂的“PDA” (手持終端)， 所謂的“筆記本尺寸的個人計算機”，所謂的“Net Book (商標)，，和所謂的“可穿戴計算機” 等]，具有“移動電話”和計算機集成形式的小型電子器件，所謂的“Digital Camera (商 標)”，所謂的“數(shù)碼攝像機”，小型電視機，小尺寸游戲機，小型數(shù)字音頻播放機，所謂的“電 子記事本”，所謂的“電子詞典”，用于所謂的“電子書”的電子器件終端，移動電子器件(可 攜帶電子器件)如小型數(shù)字型手表等。不必說，也可提及除了移動器件之外的電子器件(固定型電子器件等)，例如所謂的“桌面?zhèn)€人計算機”、薄型電視機、用于記錄和復制的電子器 件(硬盤錄像機(hard diskrecorders)、DVD播放機等)、投影儀和微型機等。此外，電子 部件或用于電子器件和電子部件的材料和構件不特別限制，其實例包括用于所謂“CPU”的 部件和用于各種記憶器件(所謂的“存儲器”、硬盤等)的構件。實施例以下將詳細地示例性描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，在這些實施例中描述的材 料和混合量等不意欲將本發(fā)明的范圍僅限制于此，除非另外說明，它們僅為說明性實例。此 外，除非另外說明，在各實施例中的份為重量標準。(生產(chǎn)例1)基于100份包含丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合 物(商品名PARACR0N W-197CM，由 Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.制造)，將 193 份雙酚A型環(huán)氧樹脂(商品名EPIK0TE 1004，由JER Co.，Ltd.制造)、207份苯酚芳烷基 樹脂(phenol aralkyl resin)(商品名:MIREXXLC_4L，由 Mitsui Chemicals, Inc.制造)、 370份球形二氧化硅(商品名S0-25R，由Admatechs Company Limited制造)、8份染料 1(商品名0IL GREEN 502，由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)和 8 份染料 2(商品名0IL BLACK BS，由 OrientChemical Industries Co.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮 中，以制備固體濃度為23.6重量％的樹脂組合物溶液(下文中有時稱作"樹脂組合物溶液 A")。在該樹脂組合物溶液A中，熱塑性樹脂(即，丙烯酸酯類聚合物)在樹脂組分中的比 例為20重量％，相對于全部樹脂組分。(生產(chǎn)例2)基于100份包含丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合 物(商品名PARACR0N W-197CM，由 Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.制造)，將 135 份雙酚A型環(huán)氧樹脂(商品名EPIK0TE 1004，由JER Co.，Ltd.制造)、144份苯酚芳烷基 樹脂(商品名:MIREX XLC-4L，由Mitsui Chemicals, Inc.制造)、280份球形二氧化硅(商 品名S0-25R，由 AdmatechsCompany Limited 制造)、6 份染料 1 (商品名0IL GREEN 502， 由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)和 6 份染料 2 (商品名0IL BLACK BS，由 Orient Chemical Industries Co. , Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備固體濃度為23. 6 重量％的樹脂組合物溶液(下文中有時稱作"樹脂組合物溶液B")。在該樹脂組合物溶 液B中，熱塑性樹脂(S卩，丙烯酸酯類聚合物)在樹脂組分中的比例為26. 4重量％，相對于 全部樹脂組分。(生產(chǎn)例3)基于100份包含丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合 物(商品名PARACR0N W-197CM，由 Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.制造)，將 110 份雙酚A型環(huán)氧樹脂(商品名EPIK0TE 1004，由JER Co.，Ltd.制造)、118份苯酚芳烷基 樹脂(商品名:MIREX XLC-4L，由Mitsui Chemicals, Inc.制造)、246份球形二氧化硅(商 品名S0-25R，由 AdmatechsCompany Limited 制造)、5 份染料 1 (商品名0IL GREEN 502， 由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)和 5份染料2 (商品名0IL BLACK BS，由 Orient Chemical Industries Co. , Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備固體濃度為23. 6 重量％的樹脂組合物溶液(下文中有時稱作"樹脂組合物溶液C")。在該樹脂組合物溶
25液C中，熱塑性樹脂(S卩，丙烯酸酯類聚合物)在樹脂組分中的比例為30. 5重量％，相對于 全部樹脂組分。(生產(chǎn)例4)基于100份包含丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合 物(商品名PARACR0N W-197CM，由 Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.制造)，將 93 份雙酚A型環(huán)氧樹脂(商品名EPIK0TE 1004，由JER Co.，Ltd.制造)、101份苯酚芳烷基 樹脂(商品名:MIREX XLC-4L,由MitsuiChemicals, Inc.制造)、280份球形二氧化硅(商 品名S0-25R，由 Admatechs Company Limited 制造)、6 份染料 1 (商品名0ILGREEN 502， 由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)和 6 份染料 2 (商品名0IL BLACK BS, 由Orient Chemical IndustriesCo.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備固體濃度為23. 6 重量％的樹脂組合物溶液(下文中有時稱作"樹脂組合物溶液D")。在該樹脂組合物溶 液D中，熱塑性樹脂(S卩，丙烯酸酯類聚合物)在樹脂組分中的比例為34重量％，相對于全 部樹脂組分。(晶片粘合性的評價)關于在生產(chǎn)例1-4中制備的樹脂組合物溶液A-D的各樹脂層，通過以下粘合力的 測量方法測量對于晶片的粘合力，并根據(jù)以下粘合性的評價標準評價該樹脂層是否具有作 為晶片粘合層的足夠粘合力。評價或測量結果示于表1中?！凑澈狭Φ臏y量方法〉將聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度38i!m;下文中有時稱作〃 PET膜〃)粘貼至在 生產(chǎn)例1-4中制備的樹脂組合物溶液A-D的各樹脂層的一面上，從而獲得粘貼樹脂層的PET 膜。將硅晶片(厚度0.6mm)作為晶片放置在熱盤上并在預定溫度(50°C)下以其中通過 使2kg的輥在50°C下往復一次使粘貼樹脂層的PET膜的樹脂層與晶片接觸的形式粘貼。其 后，將層壓體在熱盤(50°C)上靜置2分鐘，然后將其在常溫(約23°C)下靜置20分鐘。靜 置后，在溫度23°C下在剝離角為180°和拉伸速率為300mm/min的條件下通過使用剝離試 驗機(商品名:AUT0 GRAPH AGS-J，由Shimadzu Corporation制造)將樹脂層粘貼的PET 膜剝離(在樹脂層和晶片之間的界面處剝離)。測量剝離時載荷的最大載荷(從其中除去 測量開始時峰頂?shù)妮d荷的最大值)，將該最大載荷作為樹脂層和晶片之間的粘合力(樹脂 層相對于晶片的粘合力)時確定樹脂的粘合力(N/10mm-寬度)?！凑澈闲缘脑u價標準〉良好相對于晶片的粘合力為1N/I0mm-寬度以上。差相對于晶片的粘合力為小于1N/I0mm-寬度。在該粘合力的測量方法中，雖然樹脂層用PET膜增強，但是即使當使用壓敏粘合 帶(商品名:BT315,由Nitto DenkoCorporation制造)代替PET膜時，也可獲得相同的粘 合力值。 從表1顯而易見，在生產(chǎn)例1-2中制備的樹脂組合物溶液A-B的樹脂層相對于晶 片的粘合力是有利的，因此它們適合作為晶片粘合層。結果，這些樹脂層能夠用作晶片粘合層。另一方面，在生產(chǎn)例3-4中制備的樹脂組合物溶液C-D的樹脂層相對于晶片的粘 合力低，因此它們不適合作為晶片粘合層。結果，這些樹脂層不能夠用作晶片粘合層。<激光標識性的評價>關于在生產(chǎn)例1-4中制備的樹脂組合物溶液A-D的各樹脂層，通過以下激光加工 性的評價或測量方法評價或測量激光標識性，并根據(jù)以下激光加工性的評價標準評價該樹 脂層是否具有作為激光標識層的充分的激光標識性。評價或測量結果示于表2中。〈激光加工性的評價或測量方法〉在生產(chǎn)例1-4中制備的樹脂組合物溶液A-D的各樹脂層用激光器照射，并使用激 光顯微鏡測量該激光照射時加工的加工深度。使用YV04(釩酸釔)激光器在波長為532nm 和照射強度為1. OW的條件下進行照射。此外，使用由Keyence Corporation制造的激光發(fā) 射裝置(商品名:MD-S9900)。<激光加工性的評價標準>良好激光加工深度為2 μ m以上。差激光加工深度為小于2 μ m。
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表2 從表2顯而易見，在生產(chǎn)例3-4中制備的樹脂組合物溶液C-D的樹脂層在激光加 工性方面是有利的，因此它們適合作為激光標識層。結果，這些樹脂層能夠用作激光標識層。另一方面，在生產(chǎn)例1-2中制備的樹脂組合物溶液A-B的樹脂層在激光加工性方 面是低的，因此它們不適合作為激光標識層。結果，這些樹脂層不能夠用作激光標識層。(實施例1)<倒裝芯片型半導體背面用膜的制備>將在生產(chǎn)例1中制備的樹脂組合物溶液A涂布至作為可剝離襯墊(隔離體)已進 行硅酮剝離處理的由具有厚度50μπι的聚對苯二甲酸乙二酯膜組成的可剝離處理膜上，然 后在130°C下干燥2分鐘，以形成具有厚度10 μ m的晶片側(cè)樹脂層。其后，將在生產(chǎn)例3中 制備的樹脂組合物溶液C涂布在晶片側(cè)樹脂層上，然后在130°C下干燥2分鐘，以形成具有 厚度10 μ m的外部樹脂層。由此制備厚度(平均厚度)為20 μ m的倒裝芯片型半導體背面 用膜(下文中有時稱作"半導體背面用膜A")。<半導體背面用切割帶集成膜的制備>將前述半導體背面用膜A通過使用手動輥以外部樹脂層與切割帶(商品名 V-8-T,由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度65 μ m，壓敏粘合劑層的平均 厚度=IOym)的壓敏粘合劑層接觸的形式粘貼至切割帶的壓敏粘合劑層上，從而制備半導 體背面用切割帶集成膜。在根據(jù)本實施例1的半導體背面用切割帶集成膜中，半導體背面用有色膜的厚度 (平均厚度)為20μπι。此外，在切割帶(商品名V-8-T，由Nitto Denko Corporation制 造)中，基材的平均厚度為65 μ m;壓敏粘合劑層的平均厚度為10 μ m;總厚度為75 μ m。因 此，半導體背面用有色膜的厚度與壓敏粘合劑層的厚度的比例(平均厚度比)為20/10;半 導體背面用有色膜的厚度與切割帶的厚度的比例(平均厚度比)為20/75。(實施例2)<倒裝芯片型半導體背面用膜的制備>將在生產(chǎn)例1中制備的樹脂組合物溶液A涂布至由具有厚度50μπι的聚對苯二甲酸乙二酯膜組成的作為可剝離襯墊(隔離體)的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2 分鐘，以形成具有厚度ΙΟμπι的晶片側(cè)樹脂層，所述可剝離處理膜已進行硅酮剝離處理。其 后，將在生產(chǎn)例4中制備的樹脂組合物溶液D涂布在晶片側(cè)樹脂層上，然后在130°C下干燥 2分鐘，以形成具有厚度IOym的外部樹脂層。由此制備厚度(平均厚度)為20 μ m的倒裝 芯片型半導體背面用膜(下文中有時稱作"半導體背面用膜B")。<半導體背面用切割帶集成膜的制備>將前述半導體背面用膜B通過使用手動輥以外部樹脂層與切割帶(商品名 V-8-T,由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度65 μ m，壓敏粘合劑層的平均 厚度=IOym)的壓敏粘合劑層接觸的形式粘貼至切割帶的壓敏粘合劑層上，從而制備半導 體背面用切割帶集成膜。在根據(jù)本實施例2的半導體背面用切割帶集成膜中，半導體背面用有色膜的厚度 (平均厚度)為20μπι。此外，在切割帶(商品名V-8-T，由Nitto Denko Corporation制 造)中，基材的平均厚度為65 μ m;壓敏粘合劑層的平均厚度為10 μ m;總厚度為75 μ m。因 此，半導體背面用有色膜的厚度與壓敏粘合劑層的厚度的比例(平均厚度比)為20/10;半 導體背面用有色膜的厚度與切割帶的厚度的比例(平均厚度比)為20/75。(比較例1)<倒裝芯片型半導體背面用膜的制備>將在生產(chǎn)例1中制備的樹脂組合物溶液A涂布至由具有厚度50μπι的聚對苯二甲 酸乙二酯膜組成的作為可剝離襯墊(隔離體)的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2 分鐘，以形成具有厚度ΙΟμπι的晶片側(cè)樹脂層，所述可剝離處理膜已進行硅酮剝離處理。其 后，將在生產(chǎn)例2中制備的樹脂組合物溶液B涂布在晶片側(cè)樹脂層上，然后在130°C下干燥 2分鐘，以形成具有厚度10 μ m的外部樹脂層。由此制備厚度(平均厚度)為20 μ m的倒裝 芯片型半導體背面用膜(下文中有時稱作"半導體背面用膜C")。<半導體背面用切割帶集成膜的制備>將前述半導體背面用膜C通過使用手動輥以外部樹脂層與切割帶(商品名 V-8-T,由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度65 μ m，壓敏粘合劑層的平均 厚度=IOym)的壓敏粘合劑層接觸的形式粘貼至切割帶的壓敏粘合劑層上，從而制備半導 體背面用切割帶集成膜。在根據(jù)本比較例1的半導體背面用切割帶集成膜中，半導體背面用有色膜的厚度 (平均厚度)為20μπι。此外，在切割帶(商品名V-8-T，由Nitto Denko Corporation制 造)中，基材的平均厚度為65 μ m;壓敏粘合劑層的平均厚度為10 μ m;總厚度為75 μ m。因 此，半導體背面用有色膜的厚度與壓敏粘合劑層的厚度的比例(平均厚度比)為20/10;半 導體背面用有色膜的厚度與切割帶的厚度的比例(平均厚度比)為20/75。(比較例2)<半導體背面用膜的制備>將在生產(chǎn)例3中制備的樹脂組合物溶液C涂布至作為可剝離襯墊(隔離體)已進 行硅酮剝離處理的由具有厚度50μπι的聚對苯二甲酸乙二酯膜組成的可剝離處理膜上，然 后在130°C下干燥2分鐘，以形成具有厚度10 μ m的晶片側(cè)樹脂層。其后，將在生產(chǎn)例3中 制備的樹脂組合物溶液C涂布在晶片側(cè)樹脂層上，然后在130°C下干燥2分鐘，以形成具有
29厚度10 μ m的外部樹脂層。由此制備厚度(平均厚度)為20 μ m的半導體背面用膜(下文 中有時稱作"半導體背面用膜D")。<半導體背面用切割帶集成膜的制備>將前述半導體背面用膜D通過使用手動輥以外部樹脂層與切割帶(商品名 V-8-T,由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度65 μ m，壓敏粘合劑層的平均 厚度=IOym)的壓敏粘合劑層接觸的形式粘貼至切割帶的壓敏粘合劑層上，從而制備半導 體背面用切割帶集成膜。在根據(jù)本比較例2的半導體背面用切割帶集成膜中，半導體背面用有色膜的厚度 (平均厚度)為20μπι。此外，在切割帶(商品名V-8-T，由Nitto Denko Corporation制 造)中，基材的平均厚度為65 μ m;壓敏粘合劑層的平均厚度為10 μ m;總厚度為75 μ m。因 此，半導體背面用有色膜的厚度與壓敏粘合劑層的厚度的比例(平均厚度比)為20/10;半 導體背面用有色膜的厚度與切割帶的厚度的比例(平均厚度比)為20/75。(比較例3)<半導體背面用膜的制備>將在生產(chǎn)例3中制備的樹脂組合物溶液C涂布至由具有厚度50 μ m的聚對苯二甲 酸乙二酯膜組成的作為可剝離襯墊(隔離體)的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2 分鐘，以形成具有厚度ΙΟμπι的晶片側(cè)樹脂層，所述可剝離處理膜已進行硅酮剝離處理。其 后，將在生產(chǎn)例4中制備的樹脂組合物溶液D涂布在晶片側(cè)樹脂層上，然后在130°C下干燥 2分鐘，以形成具有厚度IOym的外部樹脂層。由此制備厚度(平均厚度)為20 μ m的半導 體背面用膜(下文中有時稱作"半導體背面用膜E")。<半導體背面用切割帶集成膜的制備>將前述半導體背面用膜E通過使用手動輥以外部樹脂層與切割帶(商品名 V-8-T,由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度65 μ m，壓敏粘合劑層的平均 厚度=IOym)的壓敏粘合劑層接觸的形式粘貼至切割帶的壓敏粘合劑層上，從而制備半導 體背面用切割帶集成膜。在根據(jù)本比較例3的半導體背面用切割帶集成膜中，半導體背面用有色膜的厚度 (平均厚度)為20μπι。此外，在切割帶(商品名V-8-T，由Nitto Denko Corporation制 造)中，基材的平均厚度為65 μ m;壓敏粘合劑層的平均厚度為10 μ m;總厚度為75 μ m。因 此，半導體背面用有色膜的厚度與壓敏粘合劑層的厚度的比例(平均厚度比)為20/10 ；半 導體背面用有色膜的厚度與切割帶的厚度的比例(平均厚度比)為20/75。(比較例4)<半導體背面用膜的制備>將在生產(chǎn)例4中制備的樹脂組合物溶液D涂布至由具有厚度50 μ m的聚對苯二甲 酸乙二酯膜組成的作為可剝離襯墊(隔離體)的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2 分鐘，以形成具有厚度10 μ m的晶片側(cè)樹脂層，所述可剝離處理膜已進行硅酮剝離處理。其 后，將在生產(chǎn)例4中制備的樹脂組合物溶液D涂布在晶片側(cè)樹脂層上，然后在130°C下干燥 2分鐘，以形成具有厚度IOym的外部樹脂層。由此制備厚度(平均厚度)為20 μ m的半導 體背面用膜(下文中有時稱作"半導體背面用膜F")。<半導體背面用切割帶集成膜的制備>
將前述半導體背面用膜F通過使用手動輥以外部樹脂層與切割帶(商品名 V-8-T,由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度65 μ m，壓敏粘合劑層的平均 厚度=IOym)的壓敏粘合劑層接觸的形式粘貼至切割帶的壓敏粘合劑層上，從而制備半導 體背面用切割帶集成膜。在根據(jù)本比較例4的半導體背面用切割帶集成膜中，半導體背面用有色膜的厚度 (平均厚度)為20μπι。此外，在切割帶(商品名V-8-T，由Nitto Denko Corporation制 造)中，基材的平均厚度為65 μ m;壓敏粘合劑層的平均厚度為10 μ m;總厚度為75 μ m。因 此，半導體背面用有色膜的厚度與壓敏粘合劑層的厚度的比例(平均厚度比)為20/10 ；半 導體背面用有色膜的厚度與切割帶的厚度的比例(平均厚度比)為20/75。(半導體背面用有色膜的物理性質(zhì)的測量)關于在實施例1-2和比較例1-4中制備的半導體背面用切割帶集成膜中的各半導 體背面用有色膜，分別以以下方式測量可見光透過率(％ )、吸濕度(重量％ )和重量減少 率(重量％)。測量結果示于下表3中。<可見光透過率的測量方法>在實施例1-2和比較例1-4中制備的各半導體背面用有色膜A-F(平均厚度 20 μ m)使用“ABSORPTION SPECTROPHOTOMETER”(商品名，由 Shimadzu Corporation 制造) 利用可見光照射。將可見光的波長調(diào)整為400nm-800nm。測量并根據(jù)以下表達式計算通過 該照射而透過半導體背面用有色膜2的可見光的光強度?？梢姽馔高^率(％)=[(透過半導體背面用有色膜后的可見光的光強度)/(可見 光的初始光強度)]X100<吸濕度的測量方法>使在實施例1-2和比較例1-4中制備的各半導體背面用有色膜A-F在溫度85°C和 濕度85% RH的恒溫恒濕室中靜置168小時。測量靜置前后的重量，根據(jù)以下表達式計算吸 濕度(重量％)。吸濕度(重量％ ) = [{(使半導體背面用有色膜靜置后的重量)_(使半導體背面 用有色膜靜置前的重量)} / (使半導體背面用有色膜靜置前的重量)]X100<重量減少率的測量方法>使在實施例1-2和比較例1-4中制備的各半導體背面用有色膜A-F在溫度250°C 的干燥機中靜置1小時。測量靜置前后的重量，根據(jù)以下表達式計算重量減少率(重量％)。重量減少率(重量％) = [{(使半導體背面用有色膜靜置前的重量)_(使半導體 背面用有色膜靜置后的重量)} / (使半導體背面用有色膜靜置前的重量)]X100
(評價)關于在實施例1-2和比較例1-4中制備的各半導體背面用切割帶集成膜，通過以下評價或測量方法來評價或測量切割性、拾取性、倒裝芯片接合性、晶片背面的標識性能和 晶片背面的外觀性。評價或測量結果示于表4中。<切割性和拾取性的評價方法>通過使用實施例1-2和比較例1-4的各半導體背面用切割帶集成膜，通過實際切 割半導體晶片評價切割性，然后評價剝離性，從而評價半導體背面用切割帶集成膜的切割 性能和拾取性能。將半導體晶片(直徑8英寸，厚度0. 6mm ；硅鏡面晶片)進行背面拋光處理，并使 用具有厚度0. 2mm的鏡面晶片作為工件。從半導體背面用切割帶集成膜剝離隔離體后，將 鏡面晶片(工件)在70°C下通過輥壓接合粘貼至半導體背面用膜(即，半導體背面用膜的 晶片粘合層)上，并進一步進行切割。此處，所述切割作為完全切斷進行，以成為IOmm見方 的芯片尺寸。在這點上，半導體晶片磨削條件、粘貼條件和切割條件如下。(半導體晶片的磨削條件)磨削設備商品名“DFG-8560”，由 DISCO Corporation 制造半導體晶片8英寸直徑(將背面從厚度0. 6mm磨削至厚度0. 2mm)(粘貼條件)粘貼設備商品名“MA-3000II”，由 Nitto Seiki Co.，Ltd.制造粘貼速度10mm/min粘貼壓力0·I5MPa粘貼時的階段溫度70°C(切割條件)切割設備商品名“DFD-6361”，由 DISCO Corporation 制造切割環(huán)“2-8-1”(由 DISCO Corporation 制造)切割速度:30mm/sec切割刀Zl ；"2030-SE 27HCDD”，由 DISCO Corporation 制造Z2 ；"2030-SE 27HCBB”，由 DISCO Corporation 制造切割刀旋轉(zhuǎn)速度Zl ；40, 000r/minZl ；45, 000r/min切割方法階梯切割(st印cutting)晶片芯片尺寸10. Omm見方在切割中，確認鏡面晶片(工件)是否牢固保持在半導體背面用切割帶集成膜上 而未剝離以進行令人滿意的切割。將良好進行切割的情況評級為“良好”，將未良好進行切 割的情況評級為“差”，由此評價切割性。接下來，通過用針狀物從半導體背面用切割帶集成膜的切割帶側(cè)向上推動工件， 將通過切割獲得的芯片形工件與半導體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離，由此 拾取處于背面用半導體背面用膜保護的狀態(tài)的芯片形工件。測定此時的芯片(總計400片) 的拾取率(％ )，以評價拾取性。因此，當拾取率越接近于100%時，拾取性越好。此處，拾取條件如下。
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(半導體晶片的拾取條件)拾取設備商品名“SPA-300”，由 Shinkawa Co.，Ltd.制造拾取針狀物的數(shù)量9個針狀物針狀物的向上推動速度20mm/s針狀物的向上推動距離500 μ m拾取時間1秒切割帶擴展量3mm<倒裝芯片接合性的評價方法>關于通過使用根據(jù)各實施例和比較例的半導體背面用切割帶集成膜的上述 < 切 割性/拾取性的評價方法 > 獲得的根據(jù)各實施例和比較例的芯片形工件，以芯片形工件的 表面(電路面)與具有對應于電路面的布線的電路板表面相對的形式，使在芯片形工件的 電路面處形成的凸塊與連接至電路板連接墊的導電性材料(焊料)接觸，使導電性材料通 過升高溫度至260°C在加壓下熔融，然后冷卻至室溫，由此將芯片形工件固定至電路板上， 從而制造半導體器件。根據(jù)以下評價標準評價此時的倒裝芯片接合性。(倒裝芯片接合性的評價標準)良好通過倒裝芯片接合法能夠?qū)崿F(xiàn)安裝而沒有任何問題；差通過倒裝芯片接合法不能實現(xiàn)安裝。<晶片背面標識性能的評價方法>在通過上述 < 倒裝芯片接合性的評價方法 > 獲得的半導體器件中的芯片形工件的 背面(即，半導體背面用膜的最外層的表面)上使用YAG激光器實施激光標識。關于通過 激光標識(條形碼信息)獲得的信息，根據(jù)以下評價標準評價使用根據(jù)各實施例和比較例 的半導體背面用切割帶集成膜獲得的半導體器件的標識性能(激光標識性)。(標識性的評價標準)良好判斷通過激光標識獲得的信息為滿意可見的人員數(shù)量為在隨機選擇的10 個成人中的8個人以上。差判斷通過激光標識獲得的信息為滿意可見的人員數(shù)量為在隨機選擇的10個 成人中的7個人以下。<晶片背面外觀性的評價方法>關于通過使用根據(jù)各實施例和比較例的半導體背面用切割帶集成膜的上述 < 切 割性/拾取性的評價方法 > 獲得的根據(jù)各實施例和比較例的芯片形工件，根據(jù)以下評價標 準目視評價芯片形工件背面的外觀性。(外觀性的評價標準)良好在芯片形工件中的晶片(硅晶片)背面和半導體背面用膜之間沒有觀察到 剝離(浮起)；差在芯片形工件中的晶片(硅晶片)背面和半導體背面用膜之間觀察到剝離 (浮起)。
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從表4中可以看出，根據(jù)實施例1-2的半導體背面用切割帶集成膜以優(yōu)良的水平 具有作為切割帶的功能和作為半導體背面用膜的功能(例如，相對于晶片的粘合性和激光標識性)。由于在本發(fā)明的半導體背面用切割帶集成膜中將切割帶和半導體背面用膜以集 成的方式形成以及半導體背面用膜具有包括晶片粘合層和激光標識層的多層結構，因此從 半導體晶片的切割步驟至半導體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠利用半導體背面用切割 帶集成膜。即，在通過倒裝芯片接合法生產(chǎn)半導體器件時，本發(fā)明的半導體背面用切割帶集 成膜可適合用作具有切割帶和半導體背面用膜兩種功能的半導體背面用切割帶集成膜。雖然已詳細地并參考其具體實施方案描述本發(fā)明，但對于本領域技術人員，其中 可進行各種變化和改進而不背離其范圍將顯而易見。本申請基于2009年5月29日提交的日本專利申請2009-130900和2010年4月 28日提交的日本專利申請2010-103901，在此將其全部內(nèi)容引入以作參考。
權利要求
一種半導體背面用切割帶集成膜，其包括切割帶，所述切割帶包括基材和設置于所述基材上的壓敏粘合劑層；和倒裝芯片型半導體背面用膜，所述倒裝芯片型半導體背面用膜設置于所述壓敏粘合劑層上，其中所述倒裝芯片型半導體背面用膜具有包括晶片粘合層和激光標識層的多層結構，其中所述晶片粘合層由包含熱固性樹脂組分和作為可選組分的熱塑性樹脂組分的樹脂組合物形成，所述熱塑性樹脂組分的量為相對于樹脂組分總量小于30重量％，和其中所述激光標識層由包含熱塑性樹脂組分和作為可選組分的熱固性樹脂組分的樹脂組合物形成，所述熱塑性樹脂組分的量為相對于樹脂組分總量的30重量％以上。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體背面用切割帶集成膜，其中所述晶片粘合層相對于半導體晶片具有1N/I0mm-寬度以上的粘合力；和其中當用具有波長為532nm的釩酸釔激光器在照射強度為1. Off的條件下照射時，所述 激光標識層具有2 μ m以上的加工深度。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體背面用切割帶集成膜，其中所述晶片粘合層和所述激 光標識層分別包含添加至其的著色劑。
4.根據(jù)權利要求2所述的半導體背面用切割帶集成膜，其中所述晶片粘合層和所述激 光標識層分別包含添加至其的著色劑。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體背面用切割帶集成膜，其在倒裝芯片接合時使用。
6.根據(jù)權利要求2所述的半導體背面用切割帶集成膜，其在倒裝芯片接合時使用。
7.根據(jù)權利要求3所述的半導體背面用切割帶集成膜，其在倒裝芯片接合時使用。
8.根據(jù)權利要求4所述的半導體背面用切割帶集成膜，其在倒裝芯片接合時使用。
9.一種生產(chǎn)半導體器件的方法，其使用根據(jù)權利要求1所述的半導體背面用切割帶集 成膜，所述方法包括將工件粘貼至所述半導體背面用切割帶集成膜的倒裝芯片型半導體背面用膜的晶片 粘合層上，切割所述工件以形成芯片形工件，將所述芯片形工件與所述倒裝芯片型背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑層剝 離，和將所述芯片形工件通過倒裝芯片接合固定至被粘物。
10.一種安裝倒裝芯片的半導體器件，其通過根據(jù)權利要求9所述的方法制造。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導體背面用切割帶集成膜。本發(fā)明提供一種半導體背面用切割帶集成膜，其包括包括基材和設置于所述基材上的壓敏粘合劑層的切割帶；和設置于所述壓敏粘合劑層上的倒裝芯片型半導體背面用膜，其中所述倒裝芯片型半導體背面用膜具有包括晶片粘合層和激光標識層的多層結構，所述晶片粘合層由包含熱固性樹脂組分和作為可選組分的熱塑性樹脂組分的樹脂組合物形成，所述熱塑性樹脂組分的量為相對于樹脂組分總量小于30重量％；所述激光標識層由包含熱塑性樹脂組分和作為可選組分的熱固性樹脂組分的樹脂組合物形成，所述熱塑性樹脂組分的量為相對于樹脂組分總量30重量％以上。
文檔編號C09J7/02GK101901775SQ20101018873
公開日2010年12月1日 申請日期2010年5月28日 優(yōu)先權日2009年5月29日
發(fā)明者三隅貞仁, 高本尚英 申請人:日東電工株式會社