專利名稱：粘合膜、多層電路基板、電子部件和半導體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及粘合膜、多層電路基板、電子部件和半導體裝置。
背景技術(shù)：
伴隨著近年來電子設備的高功能化和輕薄短小化的要求，半導體封裝等電子部件的高密度集成化、高密度貼裝化不斷發(fā)展，這些電子部件的小型化、多管腳化不斷進步。為了得到這些電子部件的電連接，可使用焊錫接合。作為焊錫接合，例如可舉出半導體芯片之間的導通接合部、以倒裝片搭載的封裝之類的半導體芯片和電路基板間的導通接合部、電路基板彼此的導通接合部等。在該焊錫接合部，為了確保電連接強度和機械連接強度，通常注入被稱為底部填充材料的密封樹脂 (底部填充密封)。當用液狀密封樹脂(底部填充材料)強化在該焊錫接合部出現(xiàn)的空隙(間隙)時， 通過在焊錫接合后供給液狀密封樹脂(底部填充材料)、將其固化從而強化焊錫接合部。但是，因為伴隨著電子部件的薄化、小型化，焊錫接合部窄間距化/窄間隙化，所以產(chǎn)生了即使在焊錫接合后供給液狀密封樹脂(底部填充材料)、液狀密封樹脂(底部填充材料)也無法流到到間隙間、難以完全填充的問題。對于這樣的問題，已知有介由各向異性導電膜一并進行端子間的電連接和粘合的方法。例如記載有通過在部件間介入含有焊料粒子的粘合膜并熱壓合從而在兩部件的端子間介入焊料粒子、在其它部分填充樹脂成分的方法，通過使金屬粒子接觸從而取得電連接的方法(例如，專利文獻1、2)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1 日本特開昭61-276873號公報專利文獻2 日本特開平9-31419號公報

發(fā)明內(nèi)容
但是，該方法中，由于在相鄰端子間存在導電性粒子，所以難以確保相鄰端子間的絕緣性，由于在相鄰端子間存在氣泡，所以難以確保電子部件、半導體裝置的可靠性。本發(fā)明的目的在于提供既能密封對置的部件的端子間的連接和部件間的空隙又能兼顧良好的導通連接性和絕緣可靠性的粘合膜、以及使用該粘合膜的多層電路基板、電子部件和半導體裝置。這種目的可通過下述[1] [14]達成。[1] 一種粘合膜，其特征在于，是將支撐體的第一端子和被粘物的第二端子使用焊料進行電連接、將該支撐體和該被粘物粘合的粘合膜，其含有(A)熱固化性樹脂、(B) 固化劑、(C)助焊劑活性化合物和(D)成膜性樹脂，該粘合膜的最低熔融粘度是0.01 10000 · s，并且，將該粘合膜的發(fā)熱峰值溫度(°C)定義為(a)、將該粘合膜的5%重量加熱損失溫度(V )定義為(b)時，滿足下述式(1)。(b)-(a)彡 IOO0C (1)[2]如[1]所述的粘合膜，其中，㈧熱固化性樹脂和(C)助焊劑活性化合物的配合比((A)/(C))是 0.5 20。[3]如[1]或[2]所述的粘合膜，其中，相對于所述粘合膜，(A)熱固化性樹脂的含
量是5 80重量％。[4]如[1] [3]中任一項所述的粘合膜，其中，㈧熱固化性樹脂是環(huán)氧樹脂。[5]如[1] [4]中任一項所述的粘合膜，其中，(C)助焊劑活性化合物是具有羧基和/或酚羥基的助焊劑活性化合物。[6]如[1] [4]中任一項所述的粘合膜，其中，(C)助焊劑活性化合物是1分子中具有2個酚羥基和至少1個與芳香族直接結(jié)合的羧基的助焊劑活性化合物。[7]如[1] [6]中任一項所述的粘合膜，其中，(C)助焊劑活性化合物含有下述通式⑵表示的化合物。HOOC- (CH2)n-COOH (2)(通式⑵中，η是1 20的整數(shù)。)[8]如[1] [6]中任一項所述的粘合膜，其中，(C)助焊劑活性化合物含有下述通式⑶和/或⑷表示的化合物。
權(quán)利要求
1.一種粘合膜，其特征在于，是將支撐體的第一端子和被粘物的第二端子使用焊料進行電連接、將該支撐體和該被粘物粘合的粘合膜，其含有(A)熱固化性樹脂、(B)固化劑、 (C)助焊劑活性化合物和(D)成膜性樹脂，該粘合膜的最低熔融粘度是0.01 IOOOOPa · s，并且，將該粘合膜的發(fā)熱峰值溫度定義為(a)、將該粘合膜的5%重量加熱損失溫度定義為(b)時，滿足下述式(1)，溫度單位是。C，(b)-(a) ^ IOO0C (1)。
2.如權(quán)利要求1所述的粘合膜，其中，(A)熱固化性樹脂和(C)助焊劑活性化合物的配合比(A) / (C)是 0. 5 20。
3.如權(quán)利要求1或2所述的粘合膜，其中，相對于所述粘合膜，(A)熱固化性樹脂的含量為5 80重量％。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項所述的粘合膜，其中，(A)熱固化性樹脂是環(huán)氧樹脂。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項所述的粘合膜，其中，(C)助焊劑活性化合物是具有羧基和/或酚羥基的助焊劑活性化合物。
6.如權(quán)利要求1 4中任一項所述的粘合膜，其中，(C)助焊劑活性化合物是1分子中具有2個酚羥基和至少1個與芳香族直接結(jié)合的羧基的助焊劑活性化合物。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項所述的粘合膜，其中，(C)助焊劑活性化合物含有下述通式(2)表示的化合物，HOOC- (CH2)n-COOH (2)通式⑵中，η是1 20的整數(shù)。
8.如權(quán)利要求1 6中任一項所述的粘合膜，其中，(C)助焊劑活性化合物含有下述通式(3)和/或⑷表示的化合物，
9.如權(quán)利要求1 8中任一項所述的粘合膜，其中，所述粘合膜還含有(G)填充材料。
10.如權(quán)利要求9所述的粘合膜，其中，相對于所述粘合膜，(G)填充材料的含量是0.1 重量％ 80重量％。
11.如權(quán)利要求1 10中任一項所述的粘合膜，其中，所述粘合膜還含有相對于所述粘合膜為0.01重量％ 5重量％的(F)硅烷偶聯(lián)劑。
12.—種多層電路基板，其特征在于，具有權(quán)利要求1 11中任一項所述的粘合膜的固化物。
13.一種電子部件，其特征在于，具有權(quán)利要求1 11中任一項所述的粘合膜的固化物。
14.一種半導體裝置，其特征在于，具有權(quán)利要求1 11中任一項所述的粘合膜的固化物。
全文摘要
本發(fā)明使粘合膜為含有(A)熱固化性樹脂、(B)固化劑、(C)助焊劑活性化合物和(D)成膜性樹脂的構(gòu)成，另外該粘合膜的最低熔融粘度是0.01～10000Pa·S，并且，將該粘合膜的發(fā)熱峰值溫度定義為(a)、將該粘合膜的5％重量加熱損失溫度定義為(b)時，滿足下述式(1)(b)-(a)≥100℃(1)。
文檔編號C09J163/00GK102549091SQ201080040960
公開日2012年7月4日 申請日期2010年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月16日
發(fā)明者前島研三, 桂山悟 申請人:住友電木株式會社