專利名稱：晶圓加工用膠帶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶圓用的晶圓加工用膠帶。
背景技術(shù)：
開發(fā)出了這樣的晶圓加工用膠帶該晶圓加工用膠帶兼具在將半導(dǎo)體晶圓切割成一片片芯片時用于固定半導(dǎo)體晶圓的切割帶和用于將切割后的芯片接合到基板等的晶片接合膜這兩者的功能。晶圓加工用膠帶具有剝離膜、作為切割帶發(fā)揮作用的粘接帶、作為晶片接合膜發(fā)揮作用的接合劑層。近年來，要求用于便攜設(shè)備的存儲器等電子設(shè)備進(jìn)一步薄型化和高容量化。因此， 對于將厚度50 μ m以下的半導(dǎo)體芯片多級層疊的安裝技術(shù)的要求日益增高。為了應(yīng)對這樣的要求，開發(fā)且公開了如下所述的晶圓加工用膠帶該晶圓加工用膠帶能實(shí)現(xiàn)薄膜化且具有如下所述的接合劑層，該接合劑層具有可嵌入半導(dǎo)體芯片的電路表面的凹凸這樣的柔軟性(例如參照專利文獻(xiàn)1和2)。如果不能嵌入電路表面的凹凸，則在半導(dǎo)體芯片與接合劑層之間產(chǎn)生空隙，從而接合強(qiáng)度顯著降低。通常，將厚度50μπι以下的半導(dǎo)體芯片多級層疊的工藝所要求的接合劑層的厚度為25μπι以下，考慮到充分地嵌入半導(dǎo)體芯片的電路表面的凹凸，優(yōu)選這樣的接合劑層在60°C的熱固化前的儲能模量小于2X 10^。在粘接帶上層疊了半導(dǎo)體芯片用的接合劑層的晶圓加工用膠帶、即所謂的切割/ 晶片接合片，可在將半導(dǎo)體晶圓分割為芯片的工序和將分割后的半導(dǎo)體芯片接合到基板等的工序這兩者中使用，對于改善半導(dǎo)體安裝工序的操作性非常有用。尤其是，如下所述的切割/晶片接合片在操作性方面顯著優(yōu)越其接合劑層與半導(dǎo)體晶圓相對應(yīng)地被預(yù)切割成圓形的標(biāo)簽形狀，粘接帶與環(huán)框(其為了提高半導(dǎo)體晶圓加工時的易操作性而被安裝在粘接帶上)相對應(yīng)地被預(yù)切割成比接合劑層大的圓形的標(biāo)簽形狀。如圖9所示，這樣的切割/ 晶片接合片在長條的剝離膜201上以規(guī)定的間隔設(shè)置有多個接合劑層202，粘接帶203被層疊構(gòu)成，使得以同心圓狀覆蓋各接合劑層202，并且外緣部與剝離膜201接觸(例如，參照專利文獻(xiàn)3和4)。專利文獻(xiàn)1日本特開2000_巧4；356號公報專利文獻(xiàn)2日本特開2003-60127號公報專利文獻(xiàn)3日本特開2007-2173號公報專利文獻(xiàn)4日本特開2007-288170號公報近年來，為了將因薄膜化而變脆的半導(dǎo)體芯片連同接合劑層一起進(jìn)行拾取而不使其破損，要求切割/晶片接合片的粘接帶具有更低的粘接力。但是，在將薄且柔軟性高的接合劑層層疊在粘接力低的粘接帶上而形成切割/晶片接合片(晶圓加工用膠帶)的情況下，有時會發(fā)生下述粘合不良的問題在將這樣的切割 /晶片接合片從剝離膜剝離而粘貼到半導(dǎo)體晶圓的時候，接合劑層被剝離膜拉扯而從粘接帶卷起，從而不能與半導(dǎo)體晶圓粘合。
這種粘合不良大多從下述位置開始產(chǎn)生，即將粘接帶和接合劑層的層疊體粘貼到半導(dǎo)體晶圓時的、在最接近粘合開始點(diǎn)的接合劑層的外周部，即一般在標(biāo)簽的圓周部中首先接近半導(dǎo)體晶圓的一端(參照圖10)。關(guān)于這種粘合不良的原因是由于在接合劑層的沖切加工時，為了將刀具按壓在剝離膜上而切割涂成剝離膜狀的接合劑層，接合劑層在外緣部與剝離膜粘連，在粘貼時，接合膜的末端在粘連部分被剝離膜拉扯，由此產(chǎn)生與粘接帶剝離的起點(diǎn)。而且，還可以列舉由于如下兩種情況，使得一旦在接合劑層與粘接帶之間產(chǎn)生剝離的起點(diǎn)時，該剝離很容易擴(kuò)大， 所述兩種情況為為了降低該粘接帶的粘接力而使剝離膜-接合劑層之間的剝離力與接合劑層-粘接帶之間的剝離力的差減小、以及由于接合劑層薄且柔軟而容易追隨剝離膜。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種晶圓加工用膠帶，在將剝離膜從晶圓加工用膠帶剝離時，該晶圓加工用膠帶能夠抑制接合劑層從粘接帶剝離。為了解決上述課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶圓加工用膠帶，其具有剝離膜；設(shè)置在所述剝離膜上的接合劑層；粘接帶，其被設(shè)置成從上方覆蓋所述接合劑層，外緣在所述接合劑層的外側(cè)與所述剝離膜接觸，該晶圓加工用膠帶的特征在于，所述剝離膜沿長度方向被卷繞成卷筒狀，在平面視中，所述接合劑層具有主要部、和與所述主要部連接的至少一個突出部，所述突出部中的至少一個的突出長度為4mm以上，所述突出部的末端角度為80°以上且不足120°，所述突出部的末端的曲率半徑不足4mm，所述突出部的末端與所述粘接帶的外緣之間的距離為5mm以上，所述突出部形成于所述接合劑層中的所述剝離膜的剝下方向的上游側(cè)。根據(jù)本發(fā)明的晶圓加工用膠帶，在平面視中，接合劑層具有主要部、和與所述主要部連接的突出部，所述突出部的面積比所述主要部的面積小，所述突出部的突出長度為4mm 以上，所述突出部的末端角度θ為80°以上且不足120°，所述突出部的末端的曲率半徑不足4mm。由此，即使剝離膜與接合劑層粘連，由于成為接合劑層與粘接帶之間的剝離起點(diǎn)的末端部被最小化，因此，難以產(chǎn)生剝離的起點(diǎn)，在將剝離膜從晶圓加工用膠帶剝離時，可以抑制接合劑層從粘接帶剝離。而且，如果接合劑層的突出部的最末端與剝離膜之間分離， 則隨后其余的接合劑層也隨之與剝離膜分離，所以即使在突出部的最末端之外的部位，與粘接帶之間也不會發(fā)生剝離。


圖1是示出晶圓加工用膠帶的概略結(jié)構(gòu)的圖。圖2是示出接合劑層和粘接帶的概略形狀的平面圖。圖3是示出剝離膜、接合劑和粘接帶的概略層疊結(jié)構(gòu)的縱剖面圖。
圖4是示出在晶圓和環(huán)框上粘合晶圓加工用膠帶的概略狀態(tài)的縱剖面圖。圖5是用于概略地說明在晶圓和環(huán)框上粘合晶圓加工用膠帶的裝置/方法的圖。圖6是示出圖2的變形例(1)的平面圖。圖7是示出圖2的變形例O)的平面圖。圖8是示出圖2的變形例(3)的平面圖。圖9是從接合劑層觀察的示出現(xiàn)有技術(shù)和比較例1 6的接合劑層的形狀的平面圖。圖10是示出在現(xiàn)有技術(shù)中接合劑層從粘接帶剝落的照片。標(biāo)號說明1晶圓加工用膠帶；2剝離膜；2a正面；3接合劑層；3a主要部；3b (北1、北2)突出部；3c末端部；3d突出部；!Be末端部；4粘接帶；如標(biāo)簽部；4b周邊部；10卷芯；100卷繞輥； 101剝離用楔子；102吸附載臺；103粘合輥；201剝離膜；202接合劑層；203粘接帶；A剝離膜的拉出方向；B剝離膜的剝下方向
具體實(shí)施例方式下面，參照

本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。圖1是示出晶圓加工用膠帶的概要的圖。如圖1所示，晶圓加工用膠帶1在作為芯材的卷芯10上被卷繞成卷筒狀。晶圓加工用膠帶1具有剝離膜2、接合劑層3和粘接帶4。另外，層疊接合劑層3和粘接帶4而構(gòu)成切割晶片接合膠帶(Dicing Die Bonding Tape)ο剝離膜⑵剝離膜2形成為矩形的帶狀，且形成為一個方向足夠長。剝離膜2在制造時和使用時起到作為承載膜的作用。作為剝離膜2，可以使用聚苯二甲酸乙二醇酯合成纖維(PET)系、聚乙烯系、其它的進(jìn)行了防粘處理的膜等公知的膜。剝離膜2的厚度可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定而并沒有特別的限定，但是優(yōu)選為25 50μπι。接合劑層(3)接合劑層3形成在剝離膜2的正面2a(圖1的紙面的正面)上。“剝離膜2的正面加”是指形成有接合劑層3和粘接帶4的面，是在圖1中所示出的面。在半導(dǎo)體晶圓W(參照圖4)被粘合且切割后，拾取芯片，此時，接合劑層3附著在芯片的背面，被用作將該芯片固定在基板或?qū)Ь€框時的接合劑。接合劑層3的厚度被形成為25 μ m以下。接合劑層3由60°C的熱固化前的儲能模量小于2 X IO6Pa的材料形成?！皟δ苣Ａ俊?是在分析兼具彈性和粘性的高分子的力學(xué)特性的動態(tài)粘彈性測定中與彈性對應(yīng)的參數(shù)。作為接合劑層3，雖然沒有被特別限定，但是只要是通常用于切割晶片接合膠帶的膜狀接合劑即可，優(yōu)選為丙烯酸系粘接劑、環(huán)氧樹脂/苯酚樹脂/丙烯酸樹脂的混合系粘接劑等。接合劑層3的厚度可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，但是優(yōu)選為5 μ m左右 25 μ m左右。接合劑層3只要是通過下述步驟來形成即可將接合劑的涂液涂在剝離膜2上，使其干燥并成膜，將成膜后的物質(zhì)在形成于基材膜上的粘接劑層上進(jìn)行層壓，從而形成接合劑層3。優(yōu)選的是，層壓時的溫度在10 100°C范圍內(nèi)，并施加0. 1 lOOkgf/cm的線壓。接合劑層3具有被切割(預(yù)切割)成與晶圓W對應(yīng)的形狀的形狀。優(yōu)選的是，使用規(guī)定形狀的刀具將接合劑層3壓在剝離膜2上，由此進(jìn)行切割。這時候，為了完全地切割接合膜，需要對剝離膜2至少切入1 μ m或更深，在剝離膜2上，形成沿著接合劑層3的外緣的、至少1 μ m以上的切槽。切割后，除去接合劑層3的不需要的部分。在該情況下，在使用切割晶片接合膠帶的時候，在粘合有晶圓W的部分具有接合劑層3，在粘合切割用的環(huán)框5的部分沒有接合劑層3，只有粘接帶4，環(huán)框5被粘合在膠帶 4上而被使用。通常，由于接合劑層3很難與被粘接體剝離，因此在環(huán)框5等上容易形成接合劑的殘留物。通過使用被預(yù)切割的接合劑層3，可以將環(huán)框5粘合在粘接帶4上，且能夠獲得這樣的效果在剝離使用后的膠帶時，難以在環(huán)框5上形成接合劑的殘留物。如圖1、圖2所示，接合劑層3具有與晶圓W(參照圖4)的形狀對應(yīng)的圓形的主要部3a。如圖3所示，接合劑層3被粘接帶4從上方覆蓋。即，接合劑層3處于被剝離膜2與粘接帶夾著的狀態(tài)。接合劑層3具有圓形的主要部3a，在主要部3a上一體地形成有突出部北。突出部北的面積比主要部3a的面積小。突出部北是接合劑層3的、除去主要部3a的部分。另外，主要部3a的形狀并不限定于圓形，也包括多邊形等。突出部北被配置/形成在接合劑層3中的、剝離膜2的拉出方向A(參照圖1)的上游側(cè)，且在剝離膜2的剝下方向B(參照圖1)的上游側(cè)。從剝離膜2的拉出方向A的下游側(cè)到上游側(cè)，突出部北的寬度漸漸變窄。另外，剝離膜2的拉出方向A、剝離膜2的剝下方向B與剝離膜2的長度方向一致 (平行)。此外，雖然從卷芯10拉出剝離膜2的拉出方向A與剝離膜2的剝下方向B為反方向的關(guān)系，但是如圖5所示，剝離膜2被向拉出方向A拉出后，在規(guī)定位置被折回而向剝下方向B拉伸，被從粘接帶4和接合劑層3剝下。因此，接合劑層3的突出部北在剝離膜2 的拉出方向A上位于上游側(cè)，且位于剝離膜2的剝下方向B的上游側(cè)。所謂剝離膜2的拉出方向A或剝下方向B的上游側(cè)，是指接合劑層3的各部位中先從剝離膜2被剝下的一側(cè)。如圖2所示，剝離膜2的長度方向上的突出部北形成為突出長度d為4mm以上。突出部北的末端部3c呈現(xiàn)圓弧狀。突出部北的末端部3c的末端角度θ落在80°以上且不足120°的范圍內(nèi)，末端部3c的曲率半徑r為小于4mm。在突出部北的末端部3c與粘接帶4的外緣之間確保5mm以上的間隔(距離1)， 且被形成為，接合劑層3不會因接觸到切割用的環(huán)框5(參照圖4)而污染了環(huán)框5。粘接帶⑷粘接帶4設(shè)置在接合劑層3之上。如圖1、圖3所示，粘接帶4具有標(biāo)簽部4a，其覆蓋接合劑層3，并且在接合劑層 3的周圍的整個區(qū)域與剝離膜2接觸，與切割用的環(huán)框5的形狀對應(yīng)；周邊部4b，其形成為包圍標(biāo)簽部如的外周。這樣的粘接帶4可以通過利用預(yù)加工從膜狀粘接劑除去標(biāo)簽部如的周邊區(qū)域來形成。
作為粘接帶4，沒有特別的限制，只要如下所述的膠帶就可該膠帶在切割晶圓W 時，具有足夠的粘接力而不會使晶圓W剝離，在切割后拾取芯片時，具有低的粘接力而能夠容易地從接合劑層3剝離。以粘接帶4與接合劑層3之間的剝離強(qiáng)度比剝離膜2與接合劑層3之間的剝離強(qiáng)度大的方式來選定粘接劑。另外，粘接帶4與接合劑層3之間的剝離強(qiáng)度小于1. 0N/25mm。通過在基材膜上涂敷粘接劑來制造粘接帶4。作為基材膜，可以列舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基-ι-戊烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離聚物等α -烯烴的均聚物或共聚物或它們的混合物、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等熱塑性彈性體、以及它們的混合物。另外，也可以使用將它們設(shè)置為多層而形成的基材膜。另外，為了擴(kuò)大元件間隙，優(yōu)選頸縮現(xiàn)象(因放射狀地延伸基材膜時引起的力的傳播性不良而發(fā)生的局部伸長)盡可能少的基材膜，可以例示聚氨酯、限定了分子量和苯乙烯含量的苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物等，如果使用交聯(lián)后的基材膜，則可有效地防止切割時的伸長或彎曲。關(guān)于基材膜，在使用放射線固化性粘接劑來作為粘接劑層的情況下，需要選擇在該粘接劑進(jìn)行固化的波長下的放射線透過性優(yōu)良的基材膜。而且，為了提高與粘接劑的接合性，可以在基材膜的表面適當(dāng)?shù)貙?shí)施電暈處理或設(shè)置底涂層等處理。關(guān)于基材膜的厚度，考慮到強(qiáng)伸度特性以及放射線透過性，通常取 30 300um較合適。為了提高切割后的拾取性，優(yōu)選粘接劑具有放射線固化性。粘接帶4的粘接劑由在放射線照射下與接合劑層3之間的粘接力會降低這樣的材料構(gòu)成。照射放射線前的接合劑層3和粘接帶4之間的剝離強(qiáng)度比剝離膜2和接合劑層3之間的剝離強(qiáng)度大，通過放射線的照射而使粘接力降低之前的粘接帶4和接合劑層3之間的剝離強(qiáng)度小于1. 0N/25mm。例如，優(yōu)選在粘接劑中含有這樣的聚合物通過使分子中具有碘價為0. 5 20的放射線固化性碳-碳雙鍵的化合物(A)與從多異氰酸酯類、三聚氰胺甲醛樹脂和環(huán)氧樹脂中選出的至少一種化合物(B)加成反應(yīng)而得到的聚合物。粘接劑(化合物(A))對作為粘接劑所含有的聚合物的主成分之一的化合物(A)進(jìn)行說明?；衔?A)的放射線固化性碳-碳雙鍵的優(yōu)選導(dǎo)入量以碘價來表示為0. 5 20， 更優(yōu)選為0.8 10。當(dāng)?shù)鈨r為0.5以上時，可以獲得放射線照射后的粘接力降低的效果， 當(dāng)?shù)鈨r為20以下時，放射線照射后的粘接劑的流動性充分，可充分地獲得延伸后的元件間隙，因此能夠抑制拾取時各元件的圖像識別困難這樣的問題。而且，在化合物(A)中具有穩(wěn)定性，容易制造。關(guān)于上述化合物(A)，優(yōu)選玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)為_70°C 0°C，更優(yōu)選為_66°C _28°C。 如果玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)(以下稱為“Tg”)為-70°C以上，則耐放射線照射所產(chǎn)生的熱之耐熱性充分，如果為0°C以下，則可充分地獲得防止表面狀態(tài)粗糙的晶圓W被切割后的元件的飛散。雖然上述化合物㈧可以通過任意方法來制造，例如可以使用通過使化合物⑴ 和化合物( 反應(yīng)而得到的化合物(A)，其中，所述化合物(1)為丙烯酸系共聚物或異丁烯酸系共聚物等具有放射線固化性碳-碳雙鍵并且具有官能團(tuán)的化合物，化合物( 具有與化合物(1)的官能團(tuán)反應(yīng)而獲得的官能團(tuán)。其中，所述具有放射線固化性碳-碳雙鍵和官能團(tuán)的化合物(1)可以通過使單體 ((1)-1)和具有官能團(tuán)的單體((1)- 聚合而獲得，所述單體((1)-1)為丙烯酸烷基酯或異丁烯酸烷基酯等具有放射線固化性碳-碳雙鍵的單體。作為單體((1)-1)，可以列舉碳數(shù)為6 12的丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸十二烷酯、丙烯酸癸酯、或者作為碳數(shù)為5以下的單體的丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯或者與它們同樣的異丁烯酸等。作為單體((1)-1)，因?yàn)槭褂锰紨?shù)越大的單體，玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)就越低，因此可以制作所希望的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)的聚合物。此外，除了玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)之外，為了提高相容性和各種性能，在單體((1)-1)總重量的5重量％以下的范圍內(nèi)也可以配合醋酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等具有碳-碳雙鍵的低分子化合物。作為單體((1)- 所具有的官能團(tuán)，可以列舉羧基、羥基、氨基、環(huán)酸酐基、環(huán)氧基、異氰酸酯基等，作為單體((1)-2)的具體例，可以列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、桂皮酸、衣康酸、富馬酸、鄰苯二甲酸、丙烯酸-2-羥基烷基酯類、甲基丙烯酸-2-羥基甲酯類、乙二醇單丙烯酸酯類、乙二醇單丙烯酸甲酯類、N-羥甲基丙烯酰胺、N-羥甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、丙烯酸-N-烷氨基乙酯類、甲基丙烯酸-N-烷氨基乙酯類、丙烯酰胺類、甲基丙烯酰胺類、馬來酐、衣康酸酐、富馬酸酐、酞酐、丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油醚、利用具有羥基或羧基以及放射線固化性碳-碳雙鍵的單體來將多異氰酸酯化合物的異氰酸酯基的一部分進(jìn)行了氨基甲酸酯化后的物質(zhì)等。作為在化合物O)中所使用的官能團(tuán)，在((1)-2)所具有的官能團(tuán)為羧基或環(huán)狀酸酐基的情況下，可以列舉羥基、環(huán)氧基、異氰酸酯基等，在為羥基的情況下，可以列舉環(huán)酸酐基、異氰酸酯基等，在為氨基的情況下，可以列舉環(huán)氧基、異氰酸酯基等，在為環(huán)氧基的情況下，可以列舉羧基、環(huán)酸酐基、氨基等，作為具體例，可以列舉與單體((1)- 的具體例中所列舉的物質(zhì)相同的物質(zhì)。在化合物⑴和化合物(2)的反應(yīng)中，通過殘留未反應(yīng)的官能團(tuán)，可以制造本發(fā)明中規(guī)定了酸值或羥值等相關(guān)特性的物質(zhì)。在上述的化合物(A)的合成中，作為通過溶液聚合來進(jìn)行反應(yīng)時的有機(jī)溶劑，可以使用酮系、酯系、乙醇系、芳香族系的溶劑，但是，其中，優(yōu)選甲苯、醋酸乙酯、異丙醇、苯甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基甲酮等通常的丙烯酸系聚合物的良溶劑并且是沸點(diǎn)為60 120°C的溶劑，作為聚合引發(fā)劑，通常使用α，α ’-偶氮二異丁腈等偶氮系、過氧化苯甲酰等有機(jī)過氧化物系等的自由基產(chǎn)生劑。此時，根據(jù)需要，可以同時使用催化劑和阻聚劑，通過調(diào)節(jié)聚合溫度和聚合時間，可獲得所希望的分子量的化合物(A)。另外，關(guān)于調(diào)節(jié)分子量，優(yōu)選使用硫醇、四氯化碳系的溶劑。另外，該反應(yīng)并不限于溶液聚合，采用本體聚合、 懸浮液聚合等其他方法也可。按照上述的方式，可以獲得化合物(A)，優(yōu)選化合物(A)的分子量為30萬左右 100萬左右。在小于30萬的情況下，照射放射線所產(chǎn)生的凝聚力變小，在切割晶圓W時，容易產(chǎn)生元件的偏移，圖像識別變得更困難。為了盡量防止該元件的偏移，優(yōu)選分子量為40萬以上。另外，如果分子量超過100萬，則在合成時和涂敷時，有可能凝膠化。此外，本實(shí)施方式中的“分子量”是指聚苯乙烯換算的重量平均分子量。此外，化合物㈧如果具有羥值為5 100的OH基，則通過減少照射放射線后的粘接力，能夠進(jìn)一步降低拾取錯誤的危險性，因此為優(yōu)選。另外，優(yōu)選化合物(A)具有酸值為0. 5 30的COOH基。在這里，如果化合物(A)的羥值過低，則照射放射線后的粘接力的降低效果不充分，如果過高，則存在損害照射放射線后的粘接劑的流動性的傾向。另外，如果酸值過低，則膠帶復(fù)原性的改善效果不充分，如果過高，則存在損害粘接劑的流動性的傾向。粘接劑(化合物(B))下面，對作為粘接劑的另一主成分的化合物⑶進(jìn)行說明?；衔?B)是從多異氰酸酯類、三聚氰胺-甲醛樹脂和環(huán)氧樹脂中選出的化合物， 可以單獨(dú)或?qū)煞N以上的物質(zhì)組合起來使用。該化合物(B)作為交聯(lián)劑進(jìn)行工作，通過與化合物(A)或剝離膜2進(jìn)行反應(yīng)而形成的交聯(lián)結(jié)構(gòu)，能夠在涂敷粘接劑后提高以化合物(A) 和化合物(B)為主成分的粘接劑的凝聚力。作為多異氰酸酯類，沒有特別的限制，例如可以列舉4，4’ - 二苯甲烷二異氰酸酯、 甲苯二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、4，4_ 二苯醚二異氰酸酯、4，4’ _[2，2_雙(4-苯氧基苯)丙烷]二異氰酸酯等芳香族異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、2，2，4_三甲基-六亞甲基二異氰酸酯、異氟爾酮二異氰酸酯、4，4’ - 二環(huán)己甲烷二異氰酸酯、2，4’ - 二環(huán)己甲烷二異氰酸酯、賴氨酸二異氰酸酯、賴氨酸三異氰酸酯等。作為多異氰酸酯類，具體而言，作為上市商品，可以使用二口彳、一卜L(日本# 'J 々l·夕> (Polyurethane)株式會社的產(chǎn)品名)等。作為三聚氰胺-甲醛樹脂，具體而言，作為上市商品，可以使用二 ”、、“ MX-45(三和》S力^ (化學(xué))株式會社的商品名)、> 7 > (日立化成工業(yè)株式會社的商
品名)等。作為環(huán)氧樹脂，可以使用TETRAD_X(三菱化學(xué)株式會社的商品名)等。在本實(shí)施方式中，特別優(yōu)選使用多異氰酸酯類。關(guān)于⑶的添加量，優(yōu)選相對于化合物(A) 100重量份，設(shè)為0. 1 10重量份，更優(yōu)選設(shè)為0. 4 3重量份。這是因?yàn)?，?dāng)該量不足0. 1重量份時，存在凝聚力提高的效果不充分的傾向，如果超過10重量份，則在調(diào)配粘接劑以及進(jìn)行涂敷作業(yè)時，固化反應(yīng)快速地進(jìn)行，形成了交鏈結(jié)構(gòu)，因此不利于操作性。粘接劑(光聚合引發(fā)劑(C)在本實(shí)施方式中，優(yōu)選在粘接劑中包含光聚合引發(fā)劑(C)。對包含于粘接劑中的光聚合引發(fā)劑(C)沒有特別的限制，可以使用現(xiàn)有的物質(zhì)。 例如，可以列舉二苯甲酮、4，4’-二甲氨基二苯甲酮、4，4’-二乙氨基二苯甲酮、4，4’-二氯二苯甲酮等二苯甲酮類、苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等苯乙酮類、2-乙基蒽醌、叔丁基蒽醌等蒽醌類、2-氯噻噸酮、苯偶姻乙醚、安息香異丙醚、聯(lián)苯酰、2，4，5-三芳基-咪唑二聚物(口 7 ^ >二聚物)、吖啶系化合物等，它們可以單獨(dú)地使用或把兩種以上的物質(zhì)組合起來使用。關(guān)于(C)的添加量，優(yōu)選相對于化合物(A) 100重量份，設(shè)為0. 1 10重量份，更優(yōu)選設(shè)為0. 5 5重量份。粘接劑(其它)而且，根據(jù)需要，可在用于本實(shí)施方式的放射線固化性的粘接劑中配合粘接賦予劑、粘接調(diào)整劑、表面活性劑等、或者其它改性劑和慣用成分。另外，也可以適當(dāng)?shù)叵蛘辰觿┲刑砑訜o機(jī)化合物填充劑。關(guān)于粘接劑層的厚度，在有時與通常的晶圓加工并用來進(jìn)行處理的情況下，至少為5 μ m，更優(yōu)選為10 μ m以上。另夕卜，在只進(jìn)行激光切割加工的情況下，至少為5 μ m以下， 更優(yōu)選在不失去芯片保持力的范圍內(nèi)盡可能設(shè)置得薄些。此外，粘接劑層也可以是層疊了多層的結(jié)構(gòu)。晶圓加工用膠帶⑴的使用方法在進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓W的切割之前，將晶圓加工用膠帶1貼在半導(dǎo)體晶圓W和環(huán)框 5上。更具體地說，如圖5所示，利用卷繞輥100將晶圓加工用膠帶1從晶圓加工用膠帶 1的卷筒體拉出。在該拉出路徑上，設(shè)置有剝離用楔子101，將該剝離用楔子101的末端部作為折回點(diǎn)，只有剝離膜2被剝下，且被卷繞在卷繞輥100上。在剝離用楔子101的末端部的下方，設(shè)置有吸附載臺102，在該吸附載臺102的上表面，設(shè)置有環(huán)框5和晶圓W。利用剝離用楔子101剝下了剝離膜2之后的接合劑層3以及粘接帶4被引導(dǎo)到晶圓W上，通過粘合輥103被粘合在晶圓W上。隨后，在將接合劑層3以及粘接帶4貼在環(huán)框5和晶圓W上的狀態(tài)下，切割晶圓W。之后，對粘接帶4實(shí)施放射線照射等固化處理，拾取半導(dǎo)體芯片。這時候，粘接帶4 因固化處理其粘接力下降，因此，容易從接合劑層3剝離，半導(dǎo)體芯片在背面粘附了接合劑層3的狀態(tài)下被拾取。隨后，在將半導(dǎo)體芯片粘結(jié)到導(dǎo)線框或封裝基板或其它半導(dǎo)體芯片上的時候，被粘附在半導(dǎo)體芯片的背面的接合劑層3作為晶片接合膜發(fā)揮作用。作用/效果根據(jù)上面所述的晶圓加工用膠帶1，接合劑層3具有主要部3a和與主要部3a連接的突出部3b，與主要部3a相比，突出部北具有較小的面積，突出部北的突出長度d為4mm 以上，突出部北的末端角度θ為80°以上且不足120°，突出部北的末端部3c的曲率半徑r不足4mm，因此，即使剝離膜2與接合劑層3粘連，由于可成為接合劑層3與粘接帶4之間的剝離的起點(diǎn)的末端部被最小化，因此，難以產(chǎn)生剝離的起點(diǎn)。如果接合劑層3的末端部的突出部北與剝離膜2之間分離，則隨后其余的接合劑層3也隨之與剝離膜2分離，所以即使在突出部北以外的部位，與粘接帶4之間也不會發(fā)生剝離。如果突出部北的末端角度θ為120°以上或末端部3c的曲率半徑r為4mm以上，則容易產(chǎn)生接合劑層3與粘接帶4之間的剝離的起點(diǎn)，不能抑制粘接帶4與接合劑層3 相剝離的錯誤。在突出部北的末端角度θ不足80°或突出部北的突出長度d不足4mm的情況下，由于粘接帶4與接合劑層3接觸的面積過小，保持力不足，因此確實(shí)不能抑制上述錯誤。所以，使突出部北的突出長度d或末端角度θ、末端部3c的曲率半徑r等最優(yōu)化，由此，在從晶圓加工用膠帶1剝離剝離膜2時，能夠抑制接合劑層3從粘接帶4剝離。另外，突出部北位于接合劑層3中的、成為剝離膜2的剝下方向B的上游側(cè)的位置，因此，可成為接合劑層3與粘接帶4之間的剝離起點(diǎn)的末端部被最小化，所以在剝離剝離膜2時，可以抑制接合劑層3隨著剝離膜2 —起從粘接帶4剝離。此外，由于接合劑層3的厚度為25 μ m以下，并且60°C的熱固化前的儲能模量不足2 X IO6Pa,因此，可以充分地嵌入半導(dǎo)體芯片的電路表面的凹凸，能夠防止半導(dǎo)體芯片和晶圓加工用膠帶1之間的接合強(qiáng)度的降低。此外，因?yàn)榻雍蟿?與粘接帶4之間的剝離強(qiáng)度比剝離膜2與接合劑層3之間的剝離強(qiáng)度大，所以在剝離剝離膜2的時候，可以抑制接合劑層3隨著剝離膜2 —起從粘接帶4剝離。即使粘接帶4由在放射線照射下與接合劑層3之間的粘接力會降低這樣的材料來形成，也與上述情況相同。由于粘接帶4和接合劑層3之間的剝離強(qiáng)度不足1. 0N/25mm,因此，容易進(jìn)行切割后的半導(dǎo)體芯片的拾取。另外，接合劑層3和粘接帶4的形狀并不限于圖2的形狀，也可以是圖6 圖8那樣的形狀(參照變形例1 3)。變形例1也可以在接合劑層3上形成多個突出部北。例如，如圖6所示，在接合劑層3上形成有兩個突出部北1、北2的情況下，將主要部3a的面積設(shè)置得比兩個突出部3bl、3lD2相加的總面積大。將突出部的突出長度dl和突出部北2的突出長度d2之中的任一方設(shè)為4mm 以上，優(yōu)選將兩者都設(shè)為4mm以上。突出部的末端部3cl的末端角度θ 1和突出部北2的末端部3c2的末端角度 θ 2都落在80°以上且不足120°的范圍內(nèi)。突出部的末端部3cl的曲率半徑rl與突出部北2的末端部3c2的曲率半徑 r2都不足4mm。突出部的末端部3cl與粘接帶4的外緣的距離11、以及突出部北2的末端部 3c2與粘接帶4的外緣的距離12都被確保在5mm以上。變形例2在接合劑層3中的剝離膜2的剝下方向B的下游側(cè)也可以形成與突出部北相同的突出部。例如，如圖7所示，在接合劑層3中的剝離膜2的剝下方向B的上游側(cè)和下游側(cè)分別形成有一個突出部北1、北2的情況下，將主要部3a的面積設(shè)置得比兩個突出部3bl、3lD2 相加的總面積大。將突出部的突出長度dl和突出部北2的突出長度d2之中的任一方設(shè)為4mm 以上，優(yōu)選將突出長度dl設(shè)為4mm以上，更優(yōu)選將兩者都設(shè)為4mm以上。在突出部的末端部3cl的末端角度θ 1和突出部北2的末端部3c2的末端角度Θ2之中，優(yōu)選使末端角度θ 1落在80°以上且不足120°的范圍內(nèi)，更優(yōu)選使兩者都落在80°以上且不足120°的范圍內(nèi)。在突出部的末端部3cl的曲率半徑rl與突出部北2的末端部3c2的曲率半徑r2之中，優(yōu)選使曲率半徑rl不足4mm，更優(yōu)選使兩者都不足4mm。突出部的末端部3c 1與粘接帶4的外緣之間的距離11、以及突出部北2的末端部3c2與粘接帶4的外緣之間的距離12都被確保在5mm以上。變形例3也可以將突出部北的形狀設(shè)置為四邊形以上的多邊形的形狀。例如，如圖8所示，在將突出部北的形狀設(shè)置成呈五邊形的突出部3d的情況下， 將主要部3a的面積設(shè)置得比突出部3d的面積大。“突出部3d的面積”是從主要部3a突出的五邊形部分的面積，包含與主要部3a的連接部分中和主要部3a部分重合的部分的面積。將突出部3d的突出長度d設(shè)為4mm以上。突出部3d的末端部!Be的末端角度θ落在80°以上且不足120°的范圍內(nèi)。突出部3d的末端部!Be的曲率半徑r不足4mm。突出部3d的末端部!Be與粘接帶4的外緣之間的距離1被確保在5mm以上。接著，對根據(jù)上述實(shí)施方式來具體地實(shí)施本發(fā)明的晶圓加工用膠帶的實(shí)施例進(jìn)行說明。為了示出本發(fā)明的晶圓加工用膠帶的優(yōu)點(diǎn)，列舉具有不同結(jié)構(gòu)的接合劑層的晶圓加工用膠帶的例子來作為比較例，并針對評價項(xiàng)目進(jìn)行比較。(1)樣品的原材料(1.1)粘接劑 Al制作了如下所述的丙烯系共聚物化合物該化合物由丙烯酸異壬酯、丙烯酸-2-羥基乙酯和異丁烯酸甲酯構(gòu)成，重均分子量為80萬，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-30°C。然后， 相對于該共聚物化合物100重量份，添加9重量份的多異氰酸酯化合物二 α才、一卜L(日本 ^J々 > 夕> (Polyurethane)株式會社的產(chǎn)品名)作為固化劑，從而獲得粘接劑Al。(1.2)粘接劑 A2制作了如下所述的丙烯系共聚物化合物該化合物由丙烯酸異辛酯、丙烯酸-2-羥基乙酯和異丁烯酸甲酯構(gòu)成，重均分子量為80萬，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-30°C。然后， 相對于該共聚物化合物100重量份，添加3重量份的多異氰酸酯化合物二 α才、一卜L(日本 ^J々 > 夕> (Polyurethane)株式會社的產(chǎn)品名)作為固化劑，從而獲得粘接劑A2。(1.3)粘接劑 B制作了如下所述的丙烯系共聚物化合物該化合物由丙烯酸異辛酯、丙烯酸-2-羥基乙酯和異丁烯酸甲酯構(gòu)成，重均分子量為80萬，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-30°C。然后，相對于該共聚物化合物100重量份，添加20重量份的三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯作為具有放射線固化性碳-碳雙鍵化合物，添加7重量份的多異氰酸酯化合物二口才、一卜L(日本水。U々 > 夕> (Polyurethane)株式會社的產(chǎn)品名)作為固化劑，還添加 5重量份的4 >力‘# Λ 7 (Irgacure) 184(日本f 力￥— (ciba-geigy)株式會社的產(chǎn)品名)作為光聚合引發(fā)劑，從而獲得放射線固化性的粘接劑B。(1.4)基材膜將由聚丙烯樹脂和氫化苯乙烯-丁二烯共聚物構(gòu)成的樹脂組成物熔融、混勻并成型，從而獲得厚度為100 μ m的基材膜。然后，對基材膜涂敷粘接劑，利用熱風(fēng)干燥爐進(jìn)行干燥，獲得作為干燥后的厚度為 10 μ m的粘接劑層與基材膜的層疊體的粘接帶。(1.5)接合劑層 Cl
接合劑層(管芯焊接膜)有多種，采用任意方式制造均可，但是，此處，在100重量份的丙烯系共聚物(丙烯酸縮水甘油酯系共聚物)、100重量份的甲酚-線型酚醛環(huán)氧樹脂、10重量份的二甲苯酚醛型苯酚樹脂(* * > > 7 #，7夕型7 - 7 —>樹脂)中調(diào)配 5重量份的2-苯基咪唑和0. 5重量份的二甲苯二胺作為環(huán)氧固化劑，并添加20重量份的平均粒徑為0. 012 μ m的納米二氧化硅填充劑，從而獲得接合劑Cl。將該接合劑Cl涂敷在剝離膜上，然后在110°C下干燥2分鐘，從而制成厚度為10 μ m的接合劑層。之后，根據(jù)后述的樣品的形狀，將接合劑層切割成圖2、圖6 圖9所示的規(guī)定的形狀，留下連續(xù)排列的島狀的標(biāo)簽，并從剝離膜上除去該接合劑層的島狀以外的部分。(1.6)接合劑層 C2在100重量份的丙烯系共聚物(丙烯酸縮水甘油酯系共聚物)、100重量份的甲酚-線型酚醛環(huán)氧樹脂、10重量份的二甲苯酚醛型苯酚樹脂中調(diào)配5重量份的2-苯基咪唑和0. 5重量份的二甲苯二胺作為環(huán)氧固化劑，并添加60重量份的平均粒徑為0. 012 μ m的納米二氧化硅填充劑，從而獲得接合劑C2。將該接合劑C12涂敷在剝離膜上，然后在110°C 下干燥2分鐘，從而制成厚度為10 μ m的接合劑層。之后，根據(jù)后述的樣品形狀，將接合劑層切割成圖9所示的形狀，留下連續(xù)排列的島狀的標(biāo)簽，從剝離膜上除去該接合劑層的島狀以外的部分。(2)樣品的制作(2. 1)實(shí)施例 1在剝離膜上層疊被切成圖2所示的標(biāo)簽形狀的接合劑層Cl和涂敷了粘接劑Al的粘接帶，將粘接帶切割成圖2所示的標(biāo)簽形狀，除去不需要的部分。將接合劑層的主要部的直徑Φ 設(shè)為220mm，將粘接帶的直徑Ob設(shè)為270mm，將突出部的長度d設(shè)為4mm，將突出部的末端角度θ設(shè)為110°，將突出部的末端的曲率半徑 r設(shè)為1mm，將接合劑層的突出部與粘接帶的外緣之間的距離1設(shè)為21mm，將設(shè)置有由接合劑層和粘接帶層疊而成的層疊體的剝離膜的寬度c設(shè)為290mm。(2. 2)實(shí)施例 2在剝離膜上層疊被切成圖2所示的標(biāo)簽形狀的接合劑層Cl和涂敷了粘接劑Al的粘接帶，將粘接帶切割成圖2所示的標(biāo)簽形狀，除去不需要的部分。將接合劑層的主要部的直徑Φ 設(shè)為220mm，將粘接帶的直徑Ob設(shè)為270mm，將突出部的長度d設(shè)為4mm，將突出部的末端角度θ設(shè)為80°，將突出部的末端的曲率半徑 r設(shè)為1mm，將接合劑層的突出部與粘接帶的外緣之間的距離1設(shè)為21mm，將設(shè)置有由接合劑層和粘接帶層疊而成的層疊體的剝離膜的寬度c設(shè)為^K)mm。(2. 3)實(shí)施例 3在剝離膜上層疊被切成圖2所示的標(biāo)簽形狀的接合劑層Cl和涂敷了粘接劑Al的粘接帶，將粘接帶切割成圖2所示的標(biāo)簽形狀，除去不需要的部分。將接合劑層的主要部的直徑Φ 設(shè)為220mm，將粘接帶的直徑Ob設(shè)為270mm，將突出部的長度d設(shè)為10mm，將突出部的末端角度θ設(shè)為110°，將突出部的末端的曲率半徑r設(shè)為3mm，將接合劑層的突出部與粘接帶的外緣之間的距離1設(shè)為15mm，將設(shè)置有由接合劑層和粘接帶層疊而成的層疊體的剝離膜的寬度c設(shè)為290mm。(2. 4)實(shí)施例 4
在剝離膜上層疊被切成圖2所示的標(biāo)簽形狀的接合劑層Cl和涂敷了粘接劑B的粘接帶，將粘接帶切割成圖2所示的標(biāo)簽形狀，除去不需要的部分。將接合劑層的主要部的直徑Φ 設(shè)為220mm，將粘接帶的直徑Ob設(shè)為270mm，將突出部的長度d設(shè)為10mm，將突出部的末端角度θ設(shè)為110°，將突出部的末端的曲率半徑r設(shè)為3mm，將接合劑層的突出部與粘接帶的外緣之間的距離1設(shè)為15mm，將設(shè)置有由接合劑層和粘接帶層疊而成的層疊體的剝離膜的寬度c設(shè)為290mm。(2. 5)實(shí)施例 5在剝離膜上層疊被切成圖6所示的標(biāo)簽形狀的接合劑層Cl和涂敷了粘接劑Al的粘接帶，將粘接帶切割成圖6所示的標(biāo)簽形狀，除去不需要的部分。將接合劑層的主要部的直徑Φ 設(shè)為220mm，將粘接帶的直徑Ob設(shè)為270mm，將突出部的長度dl和d2設(shè)為10mm，將突出部的末端角度Θ1和θ 2設(shè)為110°，將突出部的末端的曲率半徑rl和r2設(shè)為1mm，將接合劑層的突出部與粘接帶的外緣之間的距離11 和12設(shè)為15mm，將設(shè)置有由接合劑層和粘接帶層疊而成的層疊體的剝離膜的寬度c設(shè)為 290mmo(2. 6)實(shí)施例 6在剝離膜上層疊被切成圖7所示的標(biāo)簽形狀的接合劑層Cl和涂敷了粘接劑Al的粘接帶，將粘接帶切割成圖7所示的標(biāo)簽形狀，除去不需要的部分。將接合劑層的主要部的直徑Φ 設(shè)為220mm，將粘接帶的直徑Ob設(shè)為270mm，將一個突出部的長度dl設(shè)為10mm，將一個突出部的末端角度θ 1設(shè)為110°，將一個突出部的末端的曲率半徑rl設(shè)為1mm，將另一個突出部的長度d2設(shè)為10mm，將另一個突出部的末端角度θ 2設(shè)為120°，將另一個突出部的末端的曲率半徑r2設(shè)為5mm，將接合劑層的一個突出部與粘接帶的外緣之間的距離U設(shè)為15mm，將接合劑層的另一個突出部與粘接帶的外緣之間的距離12設(shè)為15mm，將設(shè)置有由接合劑層和粘接帶層疊而成的層疊體的剝離膜的寬度c設(shè)為四0讓。(2. 7)實(shí)施例 7在剝離膜上層疊被切成圖8所示的標(biāo)簽形狀的接合劑層Cl和涂敷了粘接劑Al的粘接帶，將粘接帶切割成圖8所示的標(biāo)簽形狀，除去不需要的部分。將接合劑層的主要部的直徑Φ 設(shè)為220mm，將粘接帶的直徑Ob設(shè)為270mm，將突出部的長度d設(shè)為20mm，將突出部的末端角度θ設(shè)為110°，將突出部的末端的曲率半徑r設(shè)為1mm，將接合劑層的突出部與粘接帶的外緣之間的距離1設(shè)為5mm，將設(shè)置有由接合劑層和粘接帶層疊而成的層疊體的剝離膜的寬度c設(shè)為^K)mm。(2. 8)比較例 1在剝離膜上層疊被切成圖9所示的標(biāo)簽形狀的接合劑層Cl和涂敷了粘接劑Al的粘接帶，將粘接帶切割成圖9所示的標(biāo)簽形狀，除去不需要的部分。在接合劑層上不形成突出部。將接合劑層的直徑Φ 設(shè)為220mm，將粘接帶的直徑Ob設(shè)為270mm，將設(shè)置有由接合劑層和粘接帶層疊而成的層疊體的剝離膜的寬度c設(shè)為^K)mm。(2. 9)比較例 2將比較例1的樣品中的粘接劑Al變更為粘接劑A2。
除此之外，設(shè)成與比較例1的樣品相同的結(jié)構(gòu)。(2. 10)比較例 3將比較例1的樣品中的粘接劑Al變更為粘接劑B。除此之外，設(shè)成與比較例1的樣品相同的結(jié)構(gòu)。(2.11)比較例 4將比較例1的樣品中的接合劑層Cl變更為接合劑層C2。除此之外，設(shè)成與比較例1的樣品相同的結(jié)構(gòu)。O. 12)比較例 5分別將比較例1的樣品中的接合劑層Cl變更為接合劑層C2，將粘接劑Al變更為粘接劑A2。除此之外，設(shè)成與比較例1的樣品相同的結(jié)構(gòu)。(2. 13)比較例 6分別將比較例1的樣品中的接合劑層Cl變更為接合劑層C2，將粘接劑Al變更為粘接劑B。除此之外，設(shè)成與比較例1的樣品相同的結(jié)構(gòu)。(2. 14)比較例 7在剝離膜上層疊被切成圖2所示的標(biāo)簽形狀的接合劑層Cl和涂敷了粘接劑Al的粘接帶，將粘接帶切割成圖2所示的標(biāo)簽形狀，除去不需要的部分。將接合劑層的主要部的直徑Φ 設(shè)為220mm，將粘接帶的直徑Ob設(shè)為270mm，將突出部的長度d設(shè)為3mm，將突出部的末端角度θ設(shè)為110°，將突出部末端的曲率半徑r 設(shè)為1mm，將接合劑層的突出部與粘接帶的外緣之間的距離1設(shè)為22mm，將設(shè)置有由接合劑層和粘接帶層疊而成的層疊體的剝離膜的寬度c設(shè)為^K)mm。(2. 15)比較例 8在剝離膜上層疊被切成圖2所示的標(biāo)簽形狀的接合劑層Cl和涂敷了粘接劑Al的粘接帶，將粘接帶切割成圖2所示的標(biāo)簽形狀，除去不需要的部分。將接合劑層的主要部的直徑Φ 設(shè)為220mm，將粘接帶的直徑Ob設(shè)為270mm，將突出部的長度d設(shè)為4mm，將突出部的末端角度θ設(shè)為120°，將突出部末端的曲率半徑r 設(shè)為1mm，將接合劑層的突出部與粘接帶的外緣之間的距離1設(shè)為21mm，將設(shè)置有由接合劑層和粘接帶層疊而成的層疊體的剝離膜的寬度c設(shè)為290mm。(2. 16)比較例 9在剝離膜上層疊被切成圖2所示的標(biāo)簽形狀的接合劑層Cl和涂敷了粘接劑Al的粘接帶，將粘接帶切割成圖2所示的標(biāo)簽形狀，除去不需要的部分。將接合劑層的主要部的直徑Φ 設(shè)為220mm，將粘接帶的直徑Ob設(shè)為270mm，將突出部的長度d設(shè)為4mm，將突出部的末端角度θ設(shè)為90°，將突出部末端的曲率半徑r 設(shè)為4mm，將接合劑層的突出部與粘接帶的外緣之間的距離1設(shè)為21mm，將設(shè)置有由接合劑層和粘接帶層疊而成的層疊體的剝離膜的寬度c設(shè)為^K)mm。(2. 17)比較例 10在剝離膜上層疊被切成圖2所示的標(biāo)簽形狀的接合劑層Cl和涂敷了粘接劑Al的粘接帶，將粘接帶切割成圖2所示的標(biāo)簽形狀，除去不需要的部分。
將接合劑層的主要部的直徑Φ 設(shè)為220mm，將粘接帶的直徑Ob設(shè)為270mm，將突出部的長度d設(shè)為4mm，將突出部的末端角度θ設(shè)為70°，將突出部末端的曲率半徑r 設(shè)為1mm，將接合劑層的突出部與粘接帶的外緣之間的距離1設(shè)為21mm，將設(shè)置有由接合劑層和粘接帶層疊而成的層疊體的剝離膜的寬度c設(shè)為^K)mm。(2. 18)比較例 11在剝離膜上層疊被切成圖8所示的標(biāo)簽形狀的接合劑層Cl和涂敷了粘接劑Al的粘接帶，將粘接帶切割成圖8所示的標(biāo)簽形狀，除去不需要的部分。將接合劑層的主要部的直徑Φ 設(shè)為220mm，將粘接帶的直徑Ob設(shè)為270mm，將突出部的長度d設(shè)為21mm，將突出部的末端角度θ設(shè)為110°，將突出部末端的曲率半徑r 設(shè)為1mm，將接合劑層的突出部與粘接帶的外緣之間的距離1設(shè)為4mm，將設(shè)置有由接合劑層和粘接帶層疊而成的層疊體的剝離膜的寬度c設(shè)為290mm。(3)評價實(shí)驗(yàn) 通過下述方法來評價實(shí)施例合比較例的各樣品。(3. 1)測定剝離力將實(shí)施例和比較例的各樣品粘合在已被加熱到70°C的直徑為200mm的硅晶圓上20秒，依據(jù)JIS-0237測定了接合劑層和粘接帶的剝離力(90°剝離，剝離速度為50mm/ min) ο對于使用了粘接劑B的實(shí)施例4和比較例3、6的樣品，使用金屬鹵化物燈照射 200mJ/cm2的紫外線，在該作業(yè)的前后，測定了剝離力。測定結(jié)果顯示在表1 3中。(3. 2)粘合實(shí)驗(yàn)、切割框污垢的確認(rèn)利用圖5所示的裝置/方法，以70°C的加熱溫度和12mm/s的粘合速度，對實(shí)施例和比較例的各樣品粘合厚度為50 μ m、直徑為200mm的硅晶圓。對上述粘合作業(yè)執(zhí)行了 10次，并確認(rèn)接合劑層是否以一部分從粘接帶卷起的狀態(tài)粘合在硅晶圓上。測定在10次的粘合作業(yè)中接合劑層的一部分從粘接帶卷起的次數(shù)。測定結(jié)果顯示在表1 3中。并且，在粘合作業(yè)時，確認(rèn)是否切割框因附著在接合劑層上而被弄臟了。確認(rèn)結(jié)果顯示在表1 3中。(3. 3)拾取實(shí)驗(yàn)使用切割裝置(Disco制，DFD6340)將粘合了半導(dǎo)體晶圓的實(shí)施例和比較例的各樣品切割成5mm X 5mm的尺寸。使用金屬鹵化物燈對切割后的樣品中的、使用了粘接劑B的實(shí)施例4和比較例3、6的樣品照射200mJ/cm2的紫外線。然后，使用拾取裝置(* ~ 7 * f U —(佳能機(jī)械)株式會社制，CAP-300II) 對切割后的各樣品的100個芯片試行拾取操作，測定其中拾取成功的芯片數(shù)。測定結(jié)果顯示在表1 3中。(3.4)接合力的測定在實(shí)施例和比較例的樣品中，以150°C -100gf-3秒的條件，將在切割后被拾取了的芯片安裝在另外準(zhǔn)備好的12mmX12mm的硅芯片上，然后在180°C下加熱1小時，使接合劑層固化，獲得測定用的樣品。使用剪切接合力實(shí)驗(yàn)機(jī)口一)，” (ARCTEC)株式會社制，4000系列)對獲得的測定用的樣品測定剪切接合力。測定結(jié)果顯示在表1 3中。
表1
權(quán)利要求
1.一種晶圓加工用膠帶，其具有 剝離膜；設(shè)置在所述剝離膜上的接合劑層；粘接帶，其被設(shè)置成從上方覆蓋所述接合劑層，外緣在所述接合劑層的外側(cè)與所述剝離膜接觸，該晶圓加工用膠帶的特征在于， 所述剝離膜沿長度方向被卷繞成卷筒狀，在平面視中，所述接合劑層具有主要部、和與所述主要部連接的至少一個突出部，所述突出部中的至少一個的突出長度為4mm以上，所述突出部的末端角度為80°以上且不足120°，所述突出部的末端的曲率半徑不足4mm，所述突出部的末端與所述粘接帶的外緣之間的距離為5mm以上，所述突出部形成于所述接合劑層中的所述剝離膜的剝下方向的上游側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加工用膠帶，其特征在于，沿所述接合劑層的外緣，該晶圓加工用膠帶在所述剝離膜上具有Iym以上的切槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加工用膠帶，其特征在于，所述接合劑層的厚度為25μπι以下，并且所述接合劑層的、60°C的熱固化前的儲能模量不足2X106Pa。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加工用膠帶，其特征在于，所述接合劑層與所述粘接帶之間的剝離強(qiáng)度比所述剝離膜與所述接合劑層之間的剝離強(qiáng)度大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加工用膠帶，其特征在于， 所述接合劑層與所述粘接帶之間的剝離強(qiáng)度不足1. 0N/25mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加工用膠帶，其特征在于，所述粘接帶由在放射線照射下與所述接合劑層之間的粘接力會降低的材料形成， 所述放射線照射之前的所述接合劑層與所述粘接帶之間的剝離強(qiáng)度比所述剝離膜和所述接合劑層之間的剝離強(qiáng)度大。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓加工用膠帶，其特征在于，所述放射線照射之前的所述接合劑層與所述粘接帶之間的剝離強(qiáng)度不足1. 0N/25mm。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶圓加工用膠帶。本發(fā)明的課題是在將剝離膜從晶圓加工用膠帶剝離時，抑制接合劑層從粘接帶剝離。作為解決手段，在該晶圓加工用膠帶中，剝離膜(2)沿長度方向被卷繞成卷筒狀，在平面視中，接合劑層(3)具有主要部(3a)和與主要部(3a)連接的至少一個突出部(3b)，突出部(3b)中的至少一個的突出長度d為4mm以上，突出部(3b)的末端角度θ為80°以上且不足120°，突出部(3b)的末端的曲率半徑r不足4mm，突出部(3b)的末端與粘接帶(4)的外緣之間的距離l為5mm以上，突出部(3b)形成于接合劑層(3)中的剝離膜(2)的剝下方向的上游側(cè)。
文檔編號C09J7/02GK102373016SQ20111003620
公開日2012年3月14日 申請日期2011年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月11日
發(fā)明者三原尚明, 井之前千佳子, 建部一貴, 矢吹朗 申請人:古河電氣工業(yè)株式會社