專利名稱：半導(dǎo)體用粘接膜、復(fù)合片及使用它們的半導(dǎo)體芯片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體用粘接膜、復(fù)合片以及使用了它們的半導(dǎo)體芯片的制造方法。
背景技術(shù)：
在將半導(dǎo)體芯片安裝于支承部件上時(shí)，作為粘接半導(dǎo)體芯片和支承部件的管芯焊 接(die bonding)材料，以往主要使用銀膏(silver paste)。但是，隨著半導(dǎo)體芯片的小型 化·高性能化以及所使用的支承部件的小型化 精密化，在使用銀膏的方法中，存在由于膏 劑的滲出、半導(dǎo)體芯片的傾斜引起的引線接合(wire bonding)時(shí)的不佳狀況的產(chǎn)生之類的 問題變得日益明顯。為此，近年來逐漸取代銀膏而使用粘接膜(半導(dǎo)體用粘接膜)。作為使用粘接膜獲得半導(dǎo)體裝置的方式，有單片貼附方式及晶片背面貼附方式。在單片貼附方式中，從卷軸狀的粘接膜中利用切割或沖孔切出單片，將該粘接膜 的單片粘接在支承部件。借助粘接于支承部件上的粘接膜，將另外地利用切割工序單片化 了的半導(dǎo)體芯片接合在支承部件。其后，根據(jù)需要經(jīng)過引線接合工序、密封工序等得到半導(dǎo) 體裝置。但是，在單片貼附方式的情況下，由于需要用于將粘接膜以單片切出而粘接于支承 部件上的專用的組裝裝置，因此與使用銀膏的方法相比，有制造成本變高的問題。在晶片背面貼附方式中，首先，在半導(dǎo)體晶片的背面依次貼附粘接膜及切割膠帶。 此后，將半導(dǎo)體晶片切割而分割為多個(gè)半導(dǎo)體芯片，并且將粘接膜隨著各個(gè)半導(dǎo)體芯片切 斷。其后，將半導(dǎo)體芯片與層疊于其背面的粘接膜一起撿取(pick-up)，借助粘接膜將半導(dǎo) 體芯片接合在支承部件。其后，再經(jīng)過加熱、固化、引線接合等工序而得到半導(dǎo)體裝置。在 晶片背面貼附方式的情況下，不需要用于將粘接膜單片化的組裝裝置，可以直接使用現(xiàn)有 的銀膏用組裝裝置，或者通過附加熱盤等將裝置的一部分改良而使用。由此，在使用了粘接 膜的方法當(dāng)中，作為能夠?qū)⒅圃斐杀究刂频帽容^低的方法而備受關(guān)注。另一方面，近年來，作為將半導(dǎo)體晶片切割的方法，提出過如下的隱形切割 (stealth dicing)方法通過對半導(dǎo)體晶片照射激光而在半導(dǎo)體晶片內(nèi)部選擇性地形成改 質(zhì)部，并沿著改質(zhì)部將半導(dǎo)體晶片切斷(專利文獻(xiàn)1、2)。該方法中，例如，通過拉伸切割膠 帶而對半導(dǎo)體晶片施加應(yīng)力，從而沿著改質(zhì)部將半導(dǎo)體晶片分割為多個(gè)半導(dǎo)體芯片。專利文獻(xiàn)1 日本特開2002-192370號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2003-338467號公報(bào)在上述晶片背面貼附方式的情況下，在半導(dǎo)體晶片的切割之時(shí)需要將粘接膜也同 時(shí)地切斷。但是，如果利用使用了金剛石刀片的普通的切割方法將半導(dǎo)體晶片及粘接膜同 時(shí)地切斷，就會(huì)有在切斷后的半導(dǎo)體芯片側(cè)面中產(chǎn)生裂紋(芯片裂紋)、或在切斷面中粘接膜形成毛口而產(chǎn)生很多毛刺(burr)的問題。如果存在該芯片裂紋或毛刺，則在撿取半導(dǎo)體 芯片之時(shí)半導(dǎo)體芯片變得容易斷裂，導(dǎo)致產(chǎn)品合格率降低。所以，為了抑制芯片裂紋或毛刺的產(chǎn)生，本發(fā)明人等對如下的方法進(jìn)行了研究，該 方法包括準(zhǔn)備疊層體的工序，將半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體用粘接膜及切割膠帶依次層疊，按照 將半導(dǎo)體晶片分割為多個(gè)半導(dǎo)體芯片并且將半導(dǎo)體用粘接膜的厚度方向的至少一部分不 切斷而殘留的方式，從半導(dǎo)體晶片側(cè)形成切槽；通過將切割膠帶沿著使多個(gè)半導(dǎo)體芯片相 互分離的方向拉伸，而將半導(dǎo)體用粘接膜沿著切槽分割的工序。然而，在使用以往的半導(dǎo)體用粘接膜并利用上述方法進(jìn)行切割時(shí)，明顯會(huì)有難以 將半導(dǎo)體用粘接膜沿著切槽完全地?cái)嚅_的問題。另外，期待通過上述隱形切割在某種程度上抑制伴隨著切割而產(chǎn)生的芯片裂紋或 毛刺。但是，在采用通過激光加工在半導(dǎo)體晶片形成改質(zhì)部后拉伸切割膠帶來切割半導(dǎo)體 晶片的方法的情況下，僅利用切割膠帶的拉伸很難將半導(dǎo)體用粘接膜完全地?cái)嚅_，顯而易 見，由此可知得到高合格率的半導(dǎo)體芯片實(shí)際上是困難的。此外，在使用形成了切槽的疊層體的方法或利用隱形切割的方法中，雖然通過在 粘接膜中含有大量的填充劑，粘接膜容易斷裂，可以在一定程度上抑制毛刺的產(chǎn)生，然而該 情況下會(huì)有難以在低溫下將粘接膜貼附在半導(dǎo)體晶片的問題。為了實(shí)現(xiàn)對由半導(dǎo)體晶片的 翹曲或各部件的熱過程引起的損傷的抑制等，最好能夠?qū)⒄辰幽ぴ诒M可能低的溫度下貼附 在半導(dǎo)體晶片。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于如上所述的情況完成的，其目的在于，提供一種半導(dǎo)體用粘接膜，其 能夠在低溫下貼附在半導(dǎo)體晶片，并可以在充分地抑制芯片裂紋或毛刺的產(chǎn)生的同時(shí)，以 良好的產(chǎn)品合格率由半導(dǎo)體晶片得到半導(dǎo)體芯片。另外，本發(fā)明的目的還在于，提供一種方 法，其使用該半導(dǎo)體用粘接膜，可以在充分地抑制芯片裂紋或毛刺的產(chǎn)生的同時(shí)，以良好的 產(chǎn)品合格率由半導(dǎo)體晶片獲得半導(dǎo)體芯片。根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明涉及一種能夠在100°C以下貼附在半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體用 粘接膜。本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接膜含有聚酰亞胺樹脂，可以利用以總體的50質(zhì)量％以上的 比例含有由下述化學(xué)式(I)表示的4，4’ -氧雙鄰苯二甲酸酐的四羧酸二酐與以總體的30 質(zhì)量％以上的比例含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反應(yīng)得到。式(II)中， R表示碳數(shù)為1 5的烷基、碳數(shù)為1 5的烷氧基、苯基或苯氧基，同一分子中的多個(gè)R可 以相同或不同，η及m分別獨(dú)立地表示1 3的整數(shù)。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體用粘接薄膜，其含有聚酰亞胺樹脂，并且能夠在100°c以下貼附于半導(dǎo)體晶片，所述聚酰亞胺樹脂能 夠利用以總體的50質(zhì)量％以上的比例含有由下述化學(xué)式(I)表示的4，4’ -氧雙鄰苯二甲 酸酐的四羧酸二酐與以總體的70質(zhì)量％以上的比例含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二 胺的二胺的反應(yīng)來得到，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜，其中， 所述聚酰亞胺樹脂的玻璃化溫度為30°C以上、80°C以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜，其中， 所述半導(dǎo)體用粘接薄膜還含有熱固化性成分及填充劑，所述填充劑的含量相對于該半導(dǎo)體用粘接薄膜的質(zhì)量小于30質(zhì)量％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜，其用于如下的半導(dǎo)體芯片的制造方法中，所述半導(dǎo)體芯片的制造方法具有準(zhǔn)備層疊體的工序，將半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體用粘接薄膜以及切割膠帶依次層疊，按照將 所述半導(dǎo)體晶片分割為多個(gè)半導(dǎo)體芯片，并且將所述半導(dǎo)體用粘接薄膜的厚度方向的至少 一部分不切斷而保留的方式，從所述半導(dǎo)體晶片側(cè)形成切槽；通過將所述切割膠帶沿著使所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片相互分離的方向拉伸，而將所述半導(dǎo) 體用粘接薄膜沿著所述切槽分割的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜，其用于如下的半導(dǎo)體芯片的制造方法中，所述半導(dǎo)體芯片的制造方法具有準(zhǔn)備層疊體的工序，將半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體用粘接薄膜以及切割膠帶依次層疊，沿著 將所述半導(dǎo)體晶片劃分為多個(gè)半導(dǎo)體芯片的線利用激光加工在所述半導(dǎo)體晶片形成改質(zhì) 部；通過將所述切割膠帶沿著使所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片相互分離的方向拉伸，而將所述半導(dǎo) 體晶片分割為所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片并且將所述半導(dǎo)體用粘接薄膜沿著所述改質(zhì)部分割的 工序。
6.一種復(fù)合片，其具有權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜，和層疊于該半導(dǎo)體用粘接薄膜的一面?zhèn)鹊那懈钅z帶。
7.一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，具有準(zhǔn)備層疊體的工序，將半導(dǎo)體晶片、權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜 以及切割膠帶依次層疊，按照將所述半導(dǎo)體晶片分割為多個(gè)半導(dǎo)體芯片，并且將所述半導(dǎo) 體用粘接薄膜的厚度方向的至少一部分不切斷而保留的方式，從所述半導(dǎo)體晶片側(cè)形成切 槽；通過將所述切割膠帶沿著使所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片相互分離的方向拉伸，而將所述半導(dǎo) 體用粘接薄膜沿著所述切槽分割的工序。
8.一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，具有準(zhǔn)備層疊體的工序，將半導(dǎo)體晶片、權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體用粘接薄膜 以及切割膠帶依次層疊，沿著將所述半導(dǎo)體晶片劃分為多個(gè)半導(dǎo)體芯片的線利用激光加工 在所述半導(dǎo)體晶片形成改質(zhì)部；通過將所述切割膠帶沿著使所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片相互分離的方向拉伸，而將所述半導(dǎo) 體晶片分割為所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片并且將所述半導(dǎo)體用粘接薄膜沿著所述改質(zhì)部分割的 工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體用粘接膜，其能夠在低溫下貼附在半導(dǎo)體晶片，可以在充分地抑制芯片裂紋或毛刺的產(chǎn)生的同時(shí)，以良好的產(chǎn)品合格率由半導(dǎo)體晶片得到半導(dǎo)體芯片。本發(fā)明的半導(dǎo)體用粘接膜含有聚酰亞胺樹脂，可以利用含有由下述化學(xué)式(I)表示的4，4’-氧雙鄰苯二甲酸酐的四羧酸二酐；與含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反應(yīng)得到，能夠在100℃以下貼附在半導(dǎo)體晶片。
文檔編號C09J183/10GK102134451SQ201110040150
公開日2011年7月27日 申請日期2008年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月6日
發(fā)明者中村祐樹, 北勝勉, 片山陽二, 畠山惠一 申請人:日立化成工業(yè)株式會(huì)社