本發(fā)明涉及化學(xué)領(lǐng)域，特別涉及一種晶圓高溫保護(hù)膜及其制作方法、使用方法。
背景技術(shù)：
：圓晶是制作硅半導(dǎo)體所用的硅片，形狀似圓形，故稱晶圓。將硅單晶棒制備成硅晶圓片的工藝即為晶圓成型。晶圓切割保護(hù)膜就是在半導(dǎo)體制作過程中起到保護(hù)作用。SOI技術(shù)是降低晶體管漏電流的有效措施，而應(yīng)變硅技術(shù)是提高晶體管速度的有效途徑。目前制造SOI晶圓的方法主要有兩種：一是注氧隔離法，另一種是智能剝離法，注氧隔離法是采用大束流專用氧離子注入機把氧離子注入到硅晶圓中，然后在惰性氣體中進(jìn)行不小于1300℃高溫退火，從而在硅晶圓頂部形成厚度均勻的極薄表面硅層和Sio2埋層。這兩種方法的優(yōu)點是硅薄層和Sio2埋層的厚度可精確控制，缺點在于由于氧注入會引起對硅晶格的破壞，導(dǎo)致硅薄層缺陷密度增高。在這兩種方法中，若晶圓切割時不進(jìn)行固定，則容易產(chǎn)生飛料、背崩的問題，而且產(chǎn)品切割后也不容易拾取。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的主要目的是提出一種適用于半導(dǎo)體制作的保護(hù)膜及其制作方法，旨在解決晶圓在切割時的固定問題。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種晶圓高溫保護(hù)膜膠帶，用于晶圓的切割工藝，其為一面為聚酰亞胺膜，另一面為溶劑型丙烯酸酯膠黏劑及其共聚交聯(lián)劑形成的膠粘劑層。本發(fā)明應(yīng)用于半導(dǎo)體的切割工藝或光學(xué)和電氣設(shè)備制造工藝中，其固定工件的作用，可保障保護(hù)產(chǎn)品切割后的完整，防止產(chǎn)品在切割過程中發(fā)生飛料、背崩；而且產(chǎn)品切割后容易拾取，不殘膠。根據(jù)本發(fā)明的晶圓高溫保護(hù)膜膠帶，本發(fā)明還提出一種加工所述晶圓高溫保護(hù)膜膠帶的方法，其包括如下步驟：步驟一：膠水準(zhǔn)備，將溶劑型丙烯酸酯膠黏劑及其共聚交聯(lián)劑進(jìn)行混合攪拌，攪拌量為每次40-60KG，攪拌完成后靜置20min待用，并且2小時內(nèi)用完；步驟二：裝好逗號刮刀式涂布機的料槽、擋板；把聚酰亞胺膜從放卷裝置料；將攪拌好的膠水材料經(jīng)過400目篩網(wǎng)過濾導(dǎo)入所述料槽中，并保持料槽七分滿；步驟三：在烤箱及涂布設(shè)備控制器上設(shè)定涂布溫度、風(fēng)量、速比、涂布張力、速度；步驟四：試涂，試涂兩段聚酰亞胺膜，長度分別為5M-7M；采用所述烤箱烘干并檢驗涂長、涂寬、間隙、厚度；步驟五：正式涂布，試涂合格開始正式涂布，所述放卷裝置中的聚酰亞胺膜，經(jīng)所述逗號刮刀式涂布機的刮刀涂上步驟一中準(zhǔn)備的膠水后，經(jīng)所述烤箱烘烤后收卷成成品卷材。優(yōu)選地，步驟一中的所述共聚交聯(lián)劑的劑量為膠水總量的0.5%-1%。優(yōu)選地，所述烤箱為六節(jié)可單獨控制溫度的烤箱。優(yōu)選地，所述烤箱中的六節(jié)烘烤空間的溫度依次分別為：55℃-70℃、80℃-100℃、100℃-120℃、120℃-140℃、120℃-100℃、100℃-80℃。根據(jù)本發(fā)明的晶圓高溫保護(hù)膜膠帶，本發(fā)明進(jìn)一步提出一種使用方法：將未切割的晶圓粘合于所述晶圓高溫保護(hù)膜膠帶的膠粘劑層，在切割晶圓前，撕去所述晶圓高溫保護(hù)膜膠帶的聚酰亞胺膜，將未切割的晶圓粘合于切割工位。通過本發(fā)明的保護(hù)膜，可固定晶圓的切割工位，保障保護(hù)產(chǎn)品切割后的完整，防止飛料、背崩等問題。除晶圓的切割工藝外，本發(fā)明還適用于以下領(lǐng)域：1、電腦機箱、機柜等金屬表面的高溫粉未噴涂、烤漆遮蔽保護(hù)；2、電子產(chǎn)品、汽車行業(yè)、涂裝等產(chǎn)品高溫噴涂時的遮蔽保護(hù)及絕緣等；3、印刷電路板、電子零件、電阻電容器生產(chǎn)時的固定，及PCB板含浸過程中遮蔽金手指部分和防止電鍍液浸入及污染，印刷電路板鍍金遮蔽保護(hù)用；4、家電、機械、電子等行業(yè)需高溫涂裝噴漆保護(hù)，高溫捆綁固定作用。附圖說明圖1為本發(fā)明晶圓高溫保護(hù)膜膠帶的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式下面將結(jié)合附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明提出一種晶圓高溫保護(hù)膜膠帶，其為一面為聚酰亞胺膜1，另一面為溶劑型丙烯酸酯膠黏劑及其共聚交聯(lián)劑形成的膠粘劑層2；該保護(hù)膜膠帶應(yīng)用于半導(dǎo)體制作過程中，對硅起到保護(hù)作用。根據(jù)這種晶圓高溫保護(hù)膜膠帶，本發(fā)明還提出這種晶圓高溫保護(hù)膜膠帶的加工方法，其包括如下步驟：步驟一：膠水準(zhǔn)備，將溶劑型丙烯酸酯膠黏劑及其共聚交聯(lián)劑進(jìn)行混合攪拌，攪拌量為每次40-60KG，其中所述共聚交聯(lián)劑的劑量為膠水總量的0.5%-1%。詳細(xì)參數(shù)見下表一，攪拌完成后靜置20min待用，并且2小時內(nèi)用完；表一.膠水準(zhǔn)備的參數(shù)步驟二：裝好逗號刮刀式涂布機的料槽、擋板；把聚酰亞胺膜從放卷裝置料；將攪拌好的膠水材料經(jīng)過400目篩網(wǎng)過濾導(dǎo)入料槽中，并保持料槽七分滿；所述逗號刮刀式涂布機的涂布刮刀可控制涂布的厚度，聚酰亞胺膜為撕去背面離型層的卷料。步驟三：在烤箱和涂布設(shè)備控制器上設(shè)定涂布溫度、風(fēng)量、速比、涂布張力、速度；所述烤箱最好為六節(jié)可單獨控制溫度的烤箱。其具體參數(shù)如下：表二.烤箱溫度參數(shù)烤箱節(jié)數(shù)第一節(jié)第二節(jié)第三節(jié)第四節(jié)第五節(jié)第六節(jié)溫度55-70℃80-100℃100-120℃120-140℃120-100℃100-80℃風(fēng)量70±10%60±10%50±10%50±10%60±10%60±10%表三.涂布機參數(shù)項目速比張力速度數(shù)值90-95%20-30kgf20-25M/min步驟四：試涂，試涂兩段聚酰亞胺膜，長度分別為5M-7M；采用烤箱烘干并檢驗涂長、涂寬、間隙、厚度；首件的涂長、涂寬、間隙、厚度等等相關(guān)參數(shù)，若不符合工藝要求則修改至符合要求止；試涂涂長為5M-7M，正常量產(chǎn)的涂長可按指令單數(shù)量，一般為6000M，涂寬標(biāo)準(zhǔn)為1000MM，厚度范圍為20-25um。?步驟五：正式涂布，試涂合格開始正式涂布，所述放卷裝置中的聚酰亞胺膜1，經(jīng)所述逗號刮刀式涂布機的刮刀涂上步驟一中準(zhǔn)備的膠水后，牽引至按上述要求設(shè)定好參數(shù)的烤箱中烘烤，烘干后檢驗，經(jīng)所述烤箱烘烤后收卷成成品卷材。在涂布過程中隨時檢查膠面、烘烤程度、涂膠厚度氣泡等現(xiàn)象；直至涂布完成。最后進(jìn)行復(fù)卷步驟，把材料分成需要的小支料規(guī)格，例如寬度1000mm*長度50M的小卷料，在對分卷好的材料進(jìn)行緊密復(fù)合，形成更加平整光滑之表面的成品。本發(fā)明的具體使用方法如下：將未切割的晶圓放置于膠粘劑層2上，使晶圓粘合于膠粘劑上；切割晶圓時，將保護(hù)膜背面的聚酰亞胺膜1撕去，以便將未切割的晶圓粘合于切割工位，使晶圓在切割過程中不會移位，提高切割精度，并吸附一定量的切割碎屑。本發(fā)明的保護(hù)膜應(yīng)用于其它的遮蔽保護(hù)等工藝時，可先將保護(hù)膜貼合于需要保護(hù)的區(qū)域，待切割、噴涂、腐蝕等工藝完成后再撕去背面的聚酰亞胺膜，可達(dá)到較好的保護(hù)效果。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是在本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思下，利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變換，或直接/間接運用在其他相關(guān)的
技術(shù)領(lǐng)域：
均包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3