本發(fā)明涉及一種膜狀黏合劑、切割晶粒接合一體型膜、以及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、近年來(lái)，多層層疊半導(dǎo)體芯片而成的堆疊式mcp(multi?chip?package：多芯片封裝)正在普及，并且作為移動(dòng)電話、便攜式音頻設(shè)備用存儲(chǔ)器半導(dǎo)體封裝件等而搭載。并且，伴隨移動(dòng)電話等的多功能化，也推進(jìn)半導(dǎo)體封裝件的高速化、高密度化、高集成化等。

2、目前，作為半導(dǎo)體裝置的制造方法，通常使用半導(dǎo)體晶圓背面貼附方式，該半導(dǎo)體晶圓背面貼附方式是將具備黏合劑層及壓敏膠黏劑層的切割晶粒接合一體型膜貼附在半導(dǎo)體晶圓的背面，之后，切割半導(dǎo)體晶圓、黏合劑層及壓敏膠黏劑層的一部分而使其單片化。例如，在專利文獻(xiàn)1、2中公開(kāi)了用于這種方式的黏合劑層的膜狀黏合劑。

3、以往技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開(kāi)第2013/133275號(hào)

6、專利文獻(xiàn)2：國(guó)際公開(kāi)第2020/013250號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)課題

2、在堆疊式mcp中，由于半導(dǎo)體芯片多層層疊，因此對(duì)于所使用的膜狀黏合劑要求薄膜化(例如，厚度20μm以下)。與此同時(shí)，對(duì)于薄膜的膜狀黏合劑，要求在加工工序(例如，卷取從支撐膜剝離的膜狀黏合劑本身等)中不會(huì)斷裂的抗斷裂性。

3、并且，在堆疊式mcp中，在引線接合連接半導(dǎo)體芯片時(shí)，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生引線接合不良的事情。據(jù)推測(cè)這是因?yàn)?，由于半?dǎo)體芯片的薄化、及半導(dǎo)體芯片內(nèi)部的電路層數(shù)的增加，半導(dǎo)體芯片變得脆弱，產(chǎn)生由引線接合時(shí)的振動(dòng)引起的接合不良或芯片裂紋。從抑制這種引線接合不良的觀點(diǎn)出發(fā)，要求在切割晶粒接合一體型膜中所使用的膜狀黏合劑中，固化后的高溫儲(chǔ)能模量充分高(例如，固化后的150℃下的儲(chǔ)能模量為100mpa以上)。

4、因此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種抗斷裂性優(yōu)異且固化后的高溫儲(chǔ)能模量充分高的膜狀黏合劑。

5、用于解決技術(shù)課題的手段

6、本發(fā)明的一方面涉及一種膜狀黏合劑。該膜狀黏合劑含有熱固性樹(shù)脂成分、彈性體、及無(wú)機(jī)填料。熱固性樹(shù)脂成分及彈性體的合計(jì)含量以熱固性樹(shù)脂成分、彈性體及無(wú)機(jī)填料的總量為基準(zhǔn)計(jì)為58質(zhì)量％以上。熱固性樹(shù)脂成分對(duì)彈性體的質(zhì)量比為1.3以上。在膜狀黏合劑中，若熱固性樹(shù)脂成分及彈性體的合計(jì)含量以熱固性樹(shù)脂成分、彈性體、及無(wú)機(jī)填料的總量為基準(zhǔn)計(jì)為58質(zhì)量％以上，則具有抗斷裂性優(yōu)異的傾向。并且，在膜狀黏合劑中，若熱固性樹(shù)脂成分對(duì)彈性體的質(zhì)量比為1.3以上，則具有固化后的高溫儲(chǔ)能模量充分高的傾向。熱固性樹(shù)脂成分及彈性體的合計(jì)含量以熱固性樹(shù)脂成分、彈性體、及無(wú)機(jī)填料的總量為基準(zhǔn)計(jì)可以為95質(zhì)量％以下。熱固性樹(shù)脂成分對(duì)彈性體的質(zhì)量比可以為4.0以下。

7、從兼顧抗斷裂性及固化后的高溫儲(chǔ)能模量的觀點(diǎn)出發(fā)，無(wú)機(jī)填料的平均粒徑可以為0.35μm以下。

8、熱固性樹(shù)脂成分可以為環(huán)氧樹(shù)脂及酚醛樹(shù)脂。熱固性樹(shù)脂成分也可以包含具有萘骨架的環(huán)氧樹(shù)脂作為環(huán)氧樹(shù)脂。在該情況下，具有萘骨架的環(huán)氧樹(shù)脂的含量以熱固性樹(shù)脂成分中所包含的環(huán)氧樹(shù)脂的總量為基準(zhǔn)計(jì)可以為20～80質(zhì)量％。

9、膜狀黏合劑也可以進(jìn)一步含有固化促進(jìn)劑。

10、膜狀黏合劑的厚度可以為20μm以下。

11、膜狀黏合劑可以用于層疊多個(gè)半導(dǎo)體芯片而成的半導(dǎo)體裝置的制造工藝。半導(dǎo)體裝置可以為三維nand型存儲(chǔ)器。

12、本發(fā)明的另一方面涉及一種切割晶粒接合一體型膜。該切割晶粒接合一體型膜依次具備基材層、壓敏膠黏劑層、及由上述膜狀黏合劑形成的黏合劑層。

13、本發(fā)明的另一方面涉及一種半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置具備：半導(dǎo)體芯片；支撐部件，搭載半導(dǎo)體芯片；及上述的膜狀黏合劑的固化物，設(shè)置于半導(dǎo)體芯片及支撐部件之間，并黏合半導(dǎo)體芯片與支撐部件。半導(dǎo)體裝置也可以進(jìn)一步具備層疊于半導(dǎo)體芯片的表面上的其他半導(dǎo)體芯片。

14、本發(fā)明的另一方面涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。該半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：將上述的切割晶粒接合一體型膜的黏合劑層貼附于半導(dǎo)體晶圓的工序；通過(guò)切割貼附有黏合劑層的半導(dǎo)體晶圓，制作多個(gè)單片化的帶黏合劑片的半導(dǎo)體芯片的工序；及介由黏合劑片將帶黏合劑片的半導(dǎo)體芯片黏合于支撐部件的工序。該半導(dǎo)體裝置的制造方法也可以進(jìn)一步包括介由黏合劑片將其他帶黏合劑片的半導(dǎo)體芯片黏合于與支撐部件黏合的半導(dǎo)體芯片的表面的工序。

15、發(fā)明效果

16、根據(jù)本發(fā)明，提供一種抗斷裂性優(yōu)異且固化后的高溫儲(chǔ)能模量充分高的膜狀黏合劑。并且，根據(jù)本發(fā)明，提供一種使用這種膜狀黏合劑的切割晶粒接合一體型膜及半導(dǎo)體裝置。此外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種使用這種切割晶粒接合一體型膜而成的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

技術(shù)特征：

1.一種膜狀黏合劑，其含有熱固性樹(shù)脂成分、彈性體、及無(wú)機(jī)填料，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜狀黏合劑，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的膜狀黏合劑，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的膜狀黏合劑，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的膜狀黏合劑，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的膜狀黏合劑，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的膜狀黏合劑，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的膜狀黏合劑，其還含有固化促進(jìn)劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的膜狀黏合劑，其厚度為20μm以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的膜狀黏合劑，其用于層疊多個(gè)半導(dǎo)體芯片而成的半導(dǎo)體裝置的制造工藝。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的膜狀黏合劑，其中，

12.一種切割晶粒接合一體型膜，其依次具備基材層、壓敏膠黏劑層、及由權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的膜狀黏合劑形成的黏合劑層。

13.一種半導(dǎo)體裝置，其具備：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其還具備層疊于所述半導(dǎo)體芯片的表面上的其他半導(dǎo)體芯片。

15.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其還包括：介由黏合劑片將其他所述帶黏合劑片的半導(dǎo)體芯片黏合于與所述支撐部件黏合的半導(dǎo)體芯片的表面的工序。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)一種膜狀黏合劑。該膜狀黏合劑含有熱固性樹(shù)脂成分、彈性體、及無(wú)機(jī)填料。熱固性樹(shù)脂成分及彈性體的合計(jì)含量以熱固性樹(shù)脂成分、彈性體及無(wú)機(jī)填料的總量為基準(zhǔn)計(jì)為58質(zhì)量％以上。熱固性樹(shù)脂成分對(duì)彈性體的質(zhì)量比為1.3以上。

技術(shù)研發(fā)人員：丹羽孝明,黑田孝博,谷口纮平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社力森諾科
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/9