燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，氧氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為0.2Pa，襯底溫度為250°C。得到的樣品的化學(xué)式為In2YF9:0.005Eu3+，0.005Bi3+的發(fā)光薄膜，然后將得到的發(fā)光薄膜在真空度中真空度為0.0lPa，退火溫度為500°C，退火處理lh，然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0086]實施例9
[0087]選用純度為99.99% 的粉體，將 2mmol 的 InF3, Immol 的 YF3,0.05mmol 的 EuF3 和0.03mmol的BiF3粉體，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，氧氣的工作氣體流量為35SCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為4.0Pa，襯底溫度為750°C，得到的樣品的化學(xué)式為In2YF9:0.05Eu3+，0.03Bi3+的發(fā)光薄膜，然后將得到的發(fā)光薄膜在真空度中真空度為0.0lPa，退火溫度為800°C，退火處理3h，然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0088]實施例10
[0089]選用純度為99.99% 的粉體，將 2mmol 的 TlF3, Immol 的 YF3,0.03mmol 的 EuF3 和
0.0lmmol的BiF3粉體，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa,氧氣的工作氣體流量為25SCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為2.0Pa，襯底溫度為500°C，得到的樣品的化學(xué)式為Tl2YF9:
0.03Eu3+，0.0lBi3+的發(fā)光薄膜，然后將得到的發(fā)光薄膜在真空度中真空度為0.0lPa，退火溫度為600°C，退火處理2h，然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0090]實施例11
[0091 ]選用純度為 99.99% 的粉體，將 2mmol 的 TlF3, Immol 的 YF3,0.005mmol 的 EuF3和0.005mmol的BiF3粉體，經(jīng)過均勻混合后，在900 °C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，氧氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為0.2Pa，襯底溫度為250°C。得到的樣品的化學(xué)式為Tl2YF9:
0.005Eu3+，0.005Bi3+的發(fā)光薄膜，然后將得到的發(fā)光薄膜在真空度中真空度為0.0lPa，退火溫度為500°C，退火處理lh，然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0092]實施例12
[0093]選用純度為99.99% 的粉體，將 2mmol 的 TlF3, Immol 的 YF3,0.05mmol 的 EuF3 和
0.03mmol的BiF3粉體，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷靶材，并將靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，氧氣的工作氣體流量為35SCCm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為4.0Pa，襯底溫度為750°C，得到的樣品的化學(xué)式為Tl2YF9:
0.05Eu3+，0.03Bi3+的發(fā)光薄膜，然后將得到的發(fā)光薄膜在真空度中真空度為0.0lPa，退火溫度為800°C，退火處理3h，然后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0094]以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光材料，其特征在于:其化學(xué)式為Me2YF9 =XEu3+,yBi3+, Me2YF9是基質(zhì)，Eu3+和Bi3+離子是激活元素，其中，x為0.005?0.05，y為0.005?0.03，Me為招元素、鎵元素、銦元素和I它元素中的一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光材料，其特征在于:所述X為0.03，y為0.01。
3.—種銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 根據(jù)Me2YF9:xEu3+, yBi3+各元素的化學(xué)計量比稱取MeF3, YF3, EuF3和BiF3粉體并混合均勻，其中，X為0.005?0.05，y為0.005?0.03，Me為鋁元素、鎵元素、銦元素和鉈元素中的一種 '及 將混合均勻的粉體在900°C?1300°C下燒結(jié)0.5小時?5小時即得到化學(xué)式為Me2YF9:xEu3+, yBi3+的銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光材料。
4.一種銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光薄膜，其特征在于，該銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me2YF9:xEu3+, yBi3+，Me2YF9是基質(zhì)，Eu3+和Bi3+離子是激活元素，其中，X為0.005?0.05，y為0.005?0.03,Me為鋁元素、鎵元素、銦元素和鉈元素中的一種。
5.一種銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 根據(jù)Me2YF9:xEu3+, yBi3+各元素的化學(xué)計量比稱取MeF3, YF3, EuF3和BiF3粉體并混合均勻，將混合均勻的粉體在900 V?1300°C下燒結(jié)0.5小時?5小時即得到靶材，其中，x為0.005?0.05，y為0.005?0.03，Me為鋁元素、鎵元素、銦元素和鉈元素中的一種； 將所述靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設(shè)置為 1.0 X KT3Pa ?1.0 X KT5Pa ;及 調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?4Pa，工作氣體的流量為1sccm?35sCCm，襯底溫度為250°C?750°C，接著進(jìn)行制膜，得到化學(xué)式為Me2YF9:xEu3+, yBi3+的銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，還包括步驟:將所述銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光薄膜于50(TC?80(TC下真空退火處理Ih ?3h。
7.一種薄膜電致發(fā)光器件，該薄膜電致發(fā)光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發(fā)光層以及陰極層，其特征在于，所述發(fā)光層的材料為銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光材料，該銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光材料的化學(xué)式為Me2YF9:xEu3+, yBi3+，Me2YF9是基質(zhì)，Eu3+和Bi3+離子是激活元素，其中，X為0.005?0.05，y為0.005?0.03，Me為鋁元素、鎵元素、銦元素和鉈元素中的一種。
8.一種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供具有陽極的襯底； 在所述陽極上形成發(fā)光層，所述發(fā)光層的材料為銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光材料，該銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光材料的化學(xué)式為Me2YF9:xEu3+, yBi3+，Me2YF9是基質(zhì)，Eu3+和Bi3+離子是激活元素，其中，X為0.005?0.05, y為0.005?0.03, Me為招元素、鎵元素、銦元素和鉈元素中的一種； 在所述發(fā)光層上形成陰極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光層的制備包括以下步驟: 根據(jù)Me2YF9:xEu3+, yBi3+各元素的化學(xué)計量比稱取MeF3, YF3, EuF3和BiF3粉體并混合均勻在900°C?1300°C下燒結(jié)0.5小時?5小時制成靶材，其中，x為0.005?0.05，y為0.005?0.03，Me為招元素、鎵元素、銦元素和I它元素中的一種； 將所述靶材以及所述襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設(shè)置為 1.0X KT3Pa ?1.0X KT5Pa ； 調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?4Pa，工作氣體的流量為1sccm?35sCCm，襯底溫度為250°C?750°C，接著進(jìn)行制膜，在所述陽極上形成發(fā)光層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，還包括步驟:將所述銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光薄膜于500°C?800°C下真空退火處理Ih?3h。
【專利摘要】一種銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光材料，其化學(xué)式為Me2YF9：xEu3+，yBi3+，Me2YF9是基質(zhì)，Eu3+和Bi3+離子是激活元素，其中，x為0.005～0.05，y為0.005～0.03，Me為鋁元素、鎵元素、銦元素和鉈元素中的一種。該銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光材料制成的發(fā)光薄膜的電致發(fā)光光譜（EL）中，在480nm和580nm波長區(qū)都有很強(qiáng)的發(fā)光峰，能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器中。本發(fā)明還提供該銪鉍共摻雜三族氟化釔發(fā)光材料的制備方法及其應(yīng)用。
【IPC分類】H01L33-50, C09K11-85
【公開號】CN104650918
【申請?zhí)枴緾N201310581424
【發(fā)明人】周明杰, 陳吉星, 王平, 鐘鐵濤
【申請人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2013年11月18日