專利名稱：一種氧化鋁陶瓷基板及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于陶瓷制備領(lǐng)域，尤其涉及一種液相燒結(jié)的氧化鋁陶瓷基板的制備方法。
背景技術(shù)：
氧化鋁陶瓷基板的制備，現(xiàn)有技術(shù)大都采用流延工藝制備生坯，然后通過排膠、高溫?zé)Y(jié)而成，而燒結(jié)過程中一般采用固相燒結(jié)方式，固相燒結(jié)時(shí)需要溫度達(dá)到固相反應(yīng)的相應(yīng)溫度才能保證粉料之間發(fā)生固相反應(yīng)進(jìn)而使粉料燒結(jié)致密，較高的固相燒結(jié)溫度(1650°C -1800°C)提高了陶瓷基板的制備成本，而且對(duì)燒結(jié)設(shè)備的要求高。為了獲得較低的燒結(jié)溫度，現(xiàn)有技術(shù)中也有采用液相燒結(jié)的方式，現(xiàn)有技術(shù)中的液相燒結(jié)采用直接加入配方粉料的方式，配方粉料與主相陶瓷粉在燒結(jié)溫度下作用形成液相，從而進(jìn)行液相體系燒結(jié)，這樣將導(dǎo)致一部分主相陶瓷粉與配方粉形成共燒相，破壞陶瓷的相關(guān)組成，從而影響陶瓷的性能。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中氧化鋁陶瓷基板體積密度小、表面粗糙和抗擊穿強(qiáng)度低的問題，本發(fā)明提供了一種氧化鋁陶瓷基板及其制備方法。本發(fā)明的氧化招陶瓷基板成分包括重量百分比90_96wt%的氧化招和4-10wt%的第一燒結(jié)助劑，所述第一燒結(jié)助劑的成分為XCa0.YMgO* ZSiO2 ,0.1 ^ X ^ 0.4,0.1 ^ Y ^ 0.4, 0.5 ^ Z ^ 0.7, X+Y+Z=l，其中X:Y:Z為質(zhì)量比；所述氧化鋁陶瓷基板體積密度大于3.7g/cm3,表面粗糙度小于0.m,抗擊穿強(qiáng)度大于30KV/mm。所述制備方法為將陶瓷基板粉料與第一有機(jī)體系混合后的漿料制坯、排膠、燒結(jié)，所述陶瓷基板粉料包括氧化鋁粉料和第一燒結(jié)助劑，所述第一燒結(jié)助劑的成分為XCaO YMgO ZSiO2，0.1 芻 X 芻 0.4，0.1 芻 Y 芻 0.4，0.5 芻 Z 芻 0.7，X+Y+Z=l，其中 X:
Y=Z為質(zhì)量比，所述第一燒結(jié)助劑為玻璃態(tài)。本發(fā)明的第一燒結(jié)助劑在較低的溫度下熔融為液態(tài)，可使氧化鋁陶瓷的制備過程中燒結(jié)溫度比固相燒結(jié)溫度低200-300°C，且呈液態(tài)的第一燒結(jié)助劑填充進(jìn)陶瓷基板漿料燒結(jié)過程中產(chǎn)生的孔隙中，使燒結(jié)后氧化鋁陶瓷體積密度大，表面平滑度好，抗擊穿強(qiáng)度聞。優(yōu)選情況下，本發(fā)明的氧化鋁陶瓷基板在燒結(jié)過程中還添加有第二燒結(jié)助劑，所述第二燒結(jié)助劑為BaO，所述BaO粉料的粒徑為1_3微米，BaO的加入進(jìn)一步提高了氧化鋁陶瓷的表面平滑度。優(yōu)選情況下，本發(fā)明的氧化鋁陶瓷的制備方法采用隔板燒結(jié)生坯，所述隔板燒結(jié)中使用的隔燒板為表面涂敷有納米氧化鋁粉料的隔燒板，采用表面涂敷有納米氧化鋁粉料的隔燒板進(jìn)行隔板燒結(jié)，進(jìn)一步增大了氧化鋁陶瓷基板的體積密度和表面平滑度。本發(fā)明提供的氧化鋁陶瓷基板具有較大的體積密度、表面平滑度和抗擊穿強(qiáng)度；如本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例陶瓷基板的體積密度為3.76g/cm3，如本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例本發(fā)明的陶瓷基板的表面粗糙度為0.32pm，又如本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例陶瓷基板的抗擊穿強(qiáng)度為36KV/mm。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。本發(fā)明提供了一種氧化鋁陶瓷基板，成分包括重量百分比90_96wt%的氧化鋁和4-10被％的第一燒結(jié)助劑，所述第一燒結(jié)助劑的成分為XCaO -YMgO-ZSiO2 ,0.1 ^ X ^ 0.4,
0.1 ^ Y ^ 0.4, 0.5 ^ Z ^ 0.7, X+Y+Z=l，其中 X:Y:Z 為質(zhì)量比。制備氧化鋁陶瓷基板過程中，原料第一燒結(jié)助劑為玻璃態(tài)粉料。優(yōu)選情況下，所述氧化鋁陶瓷基板的成分還包括第二燒結(jié)助劑BaO，具體組分為重量百分比90-96wt%的氧化鋁、3-9wt%的第一燒結(jié)助劑和0.5-1.5wt%的第二燒結(jié)助劑BaO。本發(fā)明提供的氧化鋁陶瓷基板的制備方法，將陶瓷基板粉料與第一有機(jī)體系混合后的漿料制坯、排膠、燒結(jié)，所述陶瓷基板粉料包括氧化鋁粉料和第一燒結(jié)助劑，所述第一燒結(jié)助劑的成分為 XCaO YMgO ZSiO2 ,0.1 ^ X ^ 0.4, 0.1 ^ Y ^ 04, 0.5 ^ Z ^ 0.7,X+Y+Z=l，其中X:Y:Z為質(zhì)量比，所述第一燒結(jié)助劑為玻璃態(tài)。本發(fā)明通 過自制液相燒結(jié)助劑，大大降低了氧化鋁陶瓷的燒結(jié)溫度；同時(shí)燒結(jié)后氧化鋁陶瓷結(jié)構(gòu)致密，表面平滑度好，抗擊穿強(qiáng)度高。首先，制備第一燒結(jié)助劑的玻璃態(tài)粉料，按照配比稱取一定的CaO、MgO和SiO2后混合，將混合物進(jìn)行球磨分散，球磨時(shí)間為3-5h，然后將球磨后的混合物在1450°C -1600°C下熔化后直接進(jìn)行淬水冷，冷卻后得到玻璃態(tài)的第一燒結(jié)助劑碎片，將第一燒結(jié)助劑玻璃碎片進(jìn)行濕法球磨24h，濕法球磨過程中使用的介質(zhì)可以為水或乙醇，球磨后得到本發(fā)明的第一燒結(jié)助劑，所述第一燒結(jié)助劑的粒徑為1-3微米。然后配置陶瓷基板漿料，所述漿料包括陶瓷基板粉料和第一有機(jī)體系，所述陶瓷基板的粉料包括重量比90-96wt%的氧化鋁粉料，4-10wt%的第一燒結(jié)助劑。優(yōu)選情況下，本發(fā)明的氧化鋁陶瓷基板的制備方法中還添加有第二燒結(jié)助劑，所述第二燒結(jié)助劑為BaO，所述BaO粉料的粒徑為1_3微米，BaO的添加進(jìn)一步改善了燒結(jié)后陶瓷基板的表面平滑度。所述陶瓷基板漿料包括陶瓷基板粉料和第一有機(jī)體系，所述陶瓷基板的粉料包括重量比90-96wt%的氧化鋁粉料，3-9wt%的第一燒結(jié)助劑和0.5-1.5wt%的第二燒結(jié)助劑BaO0第一有機(jī)體系的配方以陶瓷基板粉料的重量百分比為基準(zhǔn)，包括40_50wt%的溶齊U，所述溶劑為乙醇和二甲苯以質(zhì)量比1:1或1:2比例混合的混合物；3-5被％的分散劑，所述分散劑為三油酸甘油酯，蓖麻油，司盤80中的一種或幾種；6-8被％的粘結(jié)劑，所述粘結(jié)劑為型號(hào)B30H和B60H的聚乙烯縮丁醇以質(zhì)量比1:3混合后的混合物；5_8wt%的增塑劑，所述增塑劑為鄰苯二甲酸二乙酯，鄰苯二甲酸二丁酯，聚已二醇的一種或幾種。將陶瓷基板粉料與溶劑和分散劑混合后加入到球磨機(jī)中進(jìn)行一次球磨，一次球磨時(shí)間為8-24h，之后加入粘結(jié)劑和增塑劑進(jìn)行二次球磨，二次球磨16-24h ;將球磨后的漿料進(jìn)行真空脫泡15_20min，然后將真空脫泡后的漿料流延成型并干燥得到陶瓷基板生坯。制備納米氧化鋁漿料，納米氧化鋁漿料包括30_90wt%的納米氧化鋁，其余為第二有機(jī)體系；所述第二有機(jī)體系包括85-90wt%的松油醇、2-5wt%的乙基纖維素、6-10wt%的鄰苯二甲酸二丁酯和0.1-0.5wt%的流平劑。本發(fā)明的氧化鋁陶瓷基板的燒結(jié)方法采用隔板燒結(jié)，將氧化鋁陶瓷基板坯片與隔燒板層疊后隔燒，所述隔燒板為表面涂敷有納米氧化鋁粉末的隔燒板，隔燒板可以采用現(xiàn)有技術(shù)中常用的隔燒板，例如99瓷氧化鋁片；將納米氧化鋁漿料以絲網(wǎng)印刷的方式涂敷于隔燒板的兩面上，涂層厚度在20iim左右，之后在500-900°C下保溫l_2h排膠后即可；將兩面涂敷有納米氧化鋁漿料的隔燒板在燒結(jié)爐中烘干后切割成與陶瓷基板生坯相匹配的尺寸并與生坯隔層疊放后放入燒結(jié)爐中燒結(jié)，先以75V /h的升溫速率升溫至600°C保溫2h進(jìn)行排膠，再以120°C /h的升溫速率升溫至1500°C至1700°C進(jìn)行燒結(jié)，且保溫3h ;冷卻后分離出燒結(jié)好的陶瓷片，將陶瓷片進(jìn)行噴砂、水洗和干板，所述噴砂為采用石英砂噴砂且噴射壓力位0.4Mpa,水洗和干板在專用設(shè)備中完成,水洗壓力為0.3Mpa,干板米用80°C的熱風(fēng)干板；最后將經(jīng)過處理的陶瓷片疊層后再次放入燒結(jié)爐中以120°C /h的升溫速率升溫至1350-1600°C進(jìn)行復(fù)燒，復(fù)燒后即獲得本發(fā)明的氧化鋁陶瓷基板。下面通過具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述:
實(shí)施例1:
首先制備第一燒結(jié)助劑XCa0.YMg0.ZSiO2, X=0.3,Y=0.2,Z=0.5 (X:Y:Z為質(zhì)量比)，按照上述配比分別稱取Ca0、Mg0、Si02后混合，放入球磨機(jī)中進(jìn)行滾磨分散4h，然后在1500°C下熔化后直接進(jìn)行淬 水冷得到第一燒結(jié)助劑的玻璃碎片，然后將玻璃碎片進(jìn)行濕法球磨24h，濕法球磨過程中以水為介質(zhì)，干燥過篩后得到粒徑為2 y m左右的第一燒結(jié)助劑。之后，按照一定的陶瓷基板粉料配方，稱取氧化鋁粉料95g，第一燒結(jié)助劑4g，第二燒結(jié)助劑BaO為lg。配置第一有機(jī)體系，溶劑:乙醇25g，二甲苯25g ;分散劑:三油酸甘油酯3g ;粘結(jié)劑:7.5g聚乙烯縮丁醇，以商購型號(hào)B30H和B60H以質(zhì)量比1:3加入；增塑劑:鄰苯二甲酸二丁酯和聚乙二醇以質(zhì)量比1:1的混合物5g。將上述配置好的陶瓷基板粉料、溶劑和分散劑放入球磨機(jī)中進(jìn)行一次球磨12h，加入粘結(jié)劑和增塑劑進(jìn)行二次球磨12h，接著真空脫泡20min后采用流延工藝成型并干燥，得到氧化鋁陶瓷基板生坯。配置第二有機(jī)體系，稱取松油醇100g，乙基纖維素4g，鄰苯二甲酸二丁酯Sg，流平劑0.5g,混合后攪拌均勻。在三輥研磨機(jī)上，加入適量的第二有機(jī)體系，輥轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)加入262.5g納米氧化鋁粉末，三輥研磨后調(diào)節(jié)粘度為8000-1OOOOmpa.S，制得納米氧化鋁漿料。采用絲網(wǎng)印刷的方式在隔燒板的兩面印刷20 ii m左右厚度的納米氧化鋁漿料，隔燒板采用99瓷氧化鋁片，之后將涂敷有納米氧化鋁漿料的隔燒板放入燒結(jié)爐中，以5°C /min的升溫速率，升溫至800°C，且保溫Ih后隨爐冷卻，之后切割成與氧化鋁陶瓷基板生坯相匹配的尺寸，與生坯隔層疊放后一起放入燒結(jié)爐中，以75°C /h的升溫速率升溫至600°C，且保溫2h，再以120°C /h的升溫速率升溫至1500°C進(jìn)行燒結(jié)，且保溫3h，冷卻后去掉隔燒板分理出陶瓷片，再經(jīng)過噴砂、水洗和干板后，再將經(jīng)過處理的陶瓷片疊層后放入燒結(jié)爐中以120°C /h的升溫速率升溫至1400°C進(jìn)行疊層復(fù)燒整平，保溫3h，冷卻后即可獲得本發(fā)明的氧化鋁陶瓷基板Al。實(shí)施例2:
首先制備第一燒結(jié)助劑XCa0.YMg0.ZSiO2,X=0.4,Y=0.UZ=0.5 (X:Y:Z為質(zhì)量比)，按照上述配比分別稱取Ca0、Mg0、Si02后混合，放入球磨機(jī)中進(jìn)行滾磨分散4h，然后在1450°C下熔化后直接進(jìn)行淬水冷得到第一燒結(jié)助劑玻璃碎片，然后將玻璃碎片進(jìn)行濕法球磨24h，濕法球磨過程中以乙醇為介質(zhì)，干燥過篩后得到粒徑為2 u m左右的第一燒結(jié)助劑。之后，按照一定的陶瓷基板粉料配方，稱取氧化鋁粉料96g，第一燒結(jié)助劑3.5g，第二燒結(jié)助劑BaO0.5g。配置第一有機(jī)體系，溶劑:乙醇25g，二甲苯25g ;分散劑:3g司盤80 ;粘結(jié)劑:7.5g聚乙烯縮丁醇，以型號(hào)B30H和B60H以質(zhì)量比1:3加入；增塑劑:鄰苯二甲酸二丁酯和聚乙二醇以質(zhì)量比1:1的混合物5g。將上述配置好的陶瓷基板粉料、溶劑和分散劑放入球磨機(jī)中進(jìn)行一次球磨10h，加入粘結(jié)劑和增塑劑進(jìn)行二次球磨16h，接著真空脫泡20min后采用流延工藝成型并干燥，得到氧化鋁陶瓷基板生坯。配置第二有機(jī)體系，稱取松油醇100g，乙基纖維素4g，鄰苯二甲酸二丁酯Sg，流平劑0.5g,混合后攪拌均勻。在三輥研磨機(jī)上，加入適量的第二有機(jī)體系，輥轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)加入262.5g納米氧化鋁粉末，三輥研磨后調(diào)節(jié)粘度為8000-1OOOOmpa.S，制得納米氧化鋁漿料。采用絲網(wǎng)印刷的方式在隔燒板的兩面印刷20 y m左右厚度的納米氧化鋁漿料，隔燒板采用99瓷氧化鋁片，之后將涂 敷有納米氧化鋁漿料的隔燒板放入燒結(jié)爐中，以5°C /min的升溫速率，升溫至800°C，且保溫Ih后隨爐冷卻，之后切割成與氧化鋁陶瓷基板生坯相匹配的尺寸，與生坯隔層疊放后一起放入燒結(jié)爐中，以75°C /h的升溫速率升溫至600°C，保溫2h，再以120°C /h的升溫速率升溫至1550°C進(jìn)行燒結(jié)，保溫3h，冷卻后去掉隔燒板分理出陶瓷片，再經(jīng)過噴砂、水洗和干板后，再將經(jīng)過處理的陶瓷片疊層后放入燒結(jié)爐中以120°C /h的升溫速率升溫至1400°C進(jìn)行疊層復(fù)燒整平，保溫3h，冷卻后即可獲得本發(fā)明的氧化鋁陶瓷基板A2。實(shí)施例3:
首先制備第一燒結(jié)助劑XCa0.YMg0.ZSiO2,X=0.UY=0.4,Z=0.5 (X:Y:Z為質(zhì)量比)，按照上述配比分別稱取Ca0、Mg0、Si02后混合，放入球磨機(jī)中進(jìn)行滾磨分散4h，然后在1450°C下熔化后直接進(jìn)行淬水冷得到第一燒結(jié)助劑玻璃碎片，然后將玻璃碎片進(jìn)行濕法球磨24h，濕法球磨過程中以乙醇為介質(zhì)，干燥過篩后得到粒徑為2 u m左右的第一燒結(jié)助劑。之后，按照一定的陶瓷基板粉料配方，稱取氧化鋁粉料96g，第一燒結(jié)助劑3.5g，第二燒結(jié)助劑BaO0.5g。配置第一有機(jī)體系，溶劑:乙醇25g，二甲苯25g ;分散劑:3g司盤80 ;粘結(jié)劑:7.5g聚乙烯縮丁醇，以型號(hào)B30H和B60H以質(zhì)量比1:3加入；增塑劑:鄰苯二甲酸二丁酯和聚乙二醇以質(zhì)量比1:1的混合物5g。將上述配置好的陶瓷基板粉料、溶劑和分散劑放入球磨機(jī)中進(jìn)行一次球磨10h，加入粘結(jié)劑和增塑劑進(jìn)行二次球磨16h，接著真空脫泡20min后采用流延工藝成型并干燥，得到氧化鋁陶瓷基板生坯。配置第二有機(jī)體系，稱取松油醇100g，乙基纖維素4g，鄰苯二甲酸二丁酯Sg，流平劑0.5g,混合后攪拌均勻。在三輥研磨機(jī)上，加入適量的第二有機(jī)體系，輥轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)加入262.5g納米氧化鋁粉末，三輥研磨后調(diào)節(jié)粘度為8000-1OOOOmpa.S，制得納米氧化鋁漿料。采用絲網(wǎng)印刷的方式在隔燒板的兩面印刷20 y m左右厚度的納米氧化鋁漿料，隔燒板采用99瓷氧化鋁片，之后將涂敷有納米氧化鋁漿料的隔燒板放入燒結(jié)爐中，以5°C /min的升溫速率，升溫至800°C，且保溫Ih后隨爐冷卻，之后切割成與氧化鋁陶瓷基板生坯相匹配的尺寸，與生坯隔層疊放后一起放入燒結(jié)爐中，以75°C /h的升溫速率升溫至600°C，且保溫2h，再以120°C /h的升溫速率升溫至1600°C進(jìn)行燒結(jié)，且保溫3h，冷卻后去掉隔燒板分理出陶瓷片，再經(jīng)過噴砂、水洗和干板后，再將經(jīng)過處理的陶瓷片疊層后放入燒結(jié)爐中以120°C /h的溫度升溫至1400°C進(jìn)行疊層復(fù)燒整平，保溫3h，冷卻后即可獲得本發(fā)明的氧化鋁陶瓷基板A3。對(duì)比例1:
制備95瓷氧化鋁陶瓷基板，配方為:95g氧化鋁，4g氧化釔，Ig氧化鎂；采用實(shí)施例1中的第一有機(jī)體系和流延工藝制備陶瓷基板生坯，以隔層撒納米氧化鋁粉末的方式將陶瓷基板生坯與隔燒板隔層疊放并一起放入燒結(jié)爐中，以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行排膠、燒結(jié)、復(fù)燒工藝，得到陶瓷基板DI。對(duì)比例2:
制備96瓷氧化鋁陶瓷基板，配方為:96g氧化鋁，3g氧化釔，Ig氧化鎂。采用實(shí)施例2中的第一有機(jī)體系和流延 工藝制備陶瓷基板生坯，以隔層撒納米氧化鋁粉末的方式將陶瓷基板生坯與隔燒板隔層疊放并一起放入燒結(jié)爐中，以與實(shí)施例2同樣的方式進(jìn)行排膠、燒結(jié)、復(fù)燒工藝，得到陶瓷基板D2。對(duì)比例3:
第一燒結(jié)助劑為 XCaO YMgO ZSiO2, X=0.7、Y=0.1、Z=0.2 (X:Y:Z 為質(zhì)量比)，其余工藝與實(shí)施例1相同制備得到陶瓷基板D3。對(duì)比例4:
第一燒結(jié)助劑為 XCaO YMgO ZSiO2, X=0.5、Y=0.3、Z=0.2 (X:Y:Z 為質(zhì)量比)，其余工藝與實(shí)施例1相同制備得到陶瓷基板D4。對(duì)陶瓷基板1-6做如下測(cè)試，測(cè)試結(jié)果如表一所示:
體積密度測(cè)試:采用GB2493進(jìn)行體積密度測(cè)試。表面粗糙度測(cè)試:采用GB1031進(jìn)行表面粗糙度測(cè)試。擊穿強(qiáng)度測(cè)試:按照GB5593中第3.15條直流條件下進(jìn)行擊穿強(qiáng)度測(cè)試。表一:陶瓷基板1-7性能測(cè)試結(jié)果
權(quán)利要求
1.一種氧化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述氧化鋁陶瓷基板的成分包括重量百分比90-96wt%的氧化鋁和4-10wt%的第一燒結(jié)助劑，所述第一燒結(jié)助劑的成分為XCaO YMgO ZSiO2，0.1 芻 X 芻 0.4，0.1 芻 Y 芻 0.4，0.5 芻 Z 芻 0.7，X+Y+Z=l，其中 X:Y:Z為質(zhì)量比；所述氧化鋁陶瓷基板體積密度大于3.7g/cm3,表面粗糙度小于0.4 ym，抗擊穿強(qiáng)度大于30KV/mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述氧化鋁陶瓷基板的成分還包括第二燒結(jié)助劑BaO，具體組分為重量百分比90-96wt%的氧化鋁、3_9wt%的第一燒結(jié)助劑和0.5-1.5wt%的第二燒結(jié)助劑BaO。
3.一種氧化鋁陶瓷基板的制備方法，將陶瓷基板粉料與第一有機(jī)體系混合后的漿料制坯、排膠、燒結(jié)，所述陶瓷基板粉料包括氧化鋁粉料和第一燒結(jié)助劑，所述第一有機(jī)體系包括溶劑、分散劑、粘結(jié)劑和增塑劑，其特征在于，所述第一燒結(jié)助劑的成分為XCaO YMgO ZSiO2，0.1 芻 X 芻 0.4，0.1 芻 Y 芻 0.4，0.5 芻 Z 芻 0.7，X+Y+Z=l，其中 X:Y=Z為質(zhì)量比，所述第一燒結(jié)助劑為玻璃態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述第一燒結(jié)助劑的粒徑為1-3微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，氧化鋁陶瓷基板的成分包括重量百分比90-96wt%的氧化招和4-10wt%的第一燒結(jié)助劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述陶瓷基板粉料還包括第二燒結(jié)助劑，所述第二燒結(jié)助劑為BaO。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，以陶瓷基板粉料的總重量為基準(zhǔn)，所述氧化鋁粉料的含量為90-96wt%，第一燒結(jié)助劑的含量為3-9wt%，BaO的含量為0.5-1.5wt%。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述第一有機(jī)體系包括溶劑、分散劑、粘結(jié)劑和增塑劑；所述溶劑為乙醇和二甲苯的混合物，所述分散劑為三油酸甘油酯，蓖麻油，司盤80中的一種或幾種，所述粘結(jié)劑為聚乙烯縮丁醇，增塑劑為鄰苯二甲酸二乙酯、鄰苯二甲酸二丁酯、聚已二醇的一種或幾種。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，以陶瓷基板粉料的總重量為基準(zhǔn)，所述第一有機(jī)體系中溶劑的含量占40-50wt%，分散劑的含量占3 5wt%，粘結(jié)劑的含量占6 8wt%，增塑劑的含量占5 8wt%。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述燒結(jié)方式為隔板燒結(jié)，所述隔板燒結(jié)中使用的隔燒板為表面涂敷有納米氧化鋁粉料的隔燒板。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述表面涂敷有納米氧化鋁粉料的隔燒板的制備方法為將納米氧化鋁粉末與第二有機(jī)體系混合制得納米氧化鋁漿料，然后將納米氧化鋁漿料涂敷于隔燒板上并高溫排膠得到表面涂敷有納米氧化鋁粉料的隔燒板。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，納米氧化鋁漿料中，納米氧化招的總量為30-90wt%,其余為第二有機(jī)體系；所述第二有機(jī)體系包括松油醇、乙基纖維素、鄰苯二甲酸二丁酯和流平劑；以第二有機(jī)體系的總重量為基準(zhǔn)，松油醇占85-90wt%,乙基纖維素占2-5wt%，鄰苯二甲酸二丁酯占6-1(^七％，流平劑占0.1-0.5wt%。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種氧化鋁陶瓷基板的制備方法及由該方法制備的陶瓷基板，在陶瓷基板粉料中添加第一燒結(jié)助劑和第二燒結(jié)助劑，所述第一燒結(jié)助劑為XCaO·YMgO·ZSiO2的玻璃態(tài)粉末，0.1≦X≦0.4，0.1≦Y≦0.4，0.5≦Z≦0.7，X+Y+Z=1，其中XYZ為質(zhì)量比；第二燒結(jié)助劑為BaO；并采用陶瓷基板生坯與表面涂敷有納米氧化鋁粉末的隔燒板隔層疊放后一起放入燒結(jié)爐中燒結(jié)的方式，所制得的氧化鋁陶瓷基片體積密度大，表面平滑度好，抗擊穿強(qiáng)度高。
文檔編號(hào)C04B35/10GK103183500SQ201110443640
公開日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2011年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月27日
發(fā)明者徐強(qiáng), 任永鵬, 林信平, 王書敏 申請(qǐng)人:比亞迪股份有限公司