于本實(shí)施例，其可以采用任意能夠利用藥劑與氟離子的反應(yīng)以降低氟離子濃度的處理方法。與之相對(duì)應(yīng)地，當(dāng)所述二段去氟離子處理發(fā)生變化時(shí)，所述藥劑的種類也應(yīng)根據(jù)所述二段去氟離子處理作出調(diào)整。
[0104]在本實(shí)施例中，利用氟離子電極測(cè)量所述一、二段去氟離子處理后的所述含氟廢水的氟離子濃度。
[0105]需說明的是，在本發(fā)明的技術(shù)方案中，所述第一、二位置的數(shù)量均不應(yīng)局限于一個(gè)，當(dāng)所述第一、二位置的數(shù)量為兩個(gè)或以上時(shí)，各個(gè)位置在含氟廢水的排放路徑上間隔設(shè)置，可以僅向最上游的所述第一、二位置加入所述藥劑，也可以同時(shí)向多個(gè)所述第一、二位置加入所述藥劑。
[0106]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種含氟廢水處理系統(tǒng)，其特征在于，包括: 一段去氟離子裝置； 加藥裝置，用于向所述一段去氟離子裝置內(nèi)加入藥劑，所述一段去氟離子裝置用于利用所述藥劑對(duì)排入的含氟廢水進(jìn)行一段去氟離子處理后將含氟廢水排出； 測(cè)量裝置，用于實(shí)時(shí)地測(cè)量所述一段去氟離子處理后的所述含氟廢水的氟離子濃度，以獲得一段測(cè)量值； 控制裝置，用于根據(jù)所述一段測(cè)量值調(diào)節(jié)所述加藥裝置向所述一段去氟離子裝置內(nèi)加入所述藥劑的藥劑量，直至使經(jīng)所述一段去氟離子處理后的所述含氟廢水的氟離子濃度達(dá)到目標(biāo)值，所述目標(biāo)值不大于排放標(biāo)準(zhǔn)。2.如權(quán)利要求1所述的含氟廢水處理系統(tǒng)，其特征在于，所述一段去氟離子處理為化學(xué)混凝處理； 所述一段去氟離子裝置包括:一段反應(yīng)槽以及與所述一段反應(yīng)槽連通的一段沉降槽，所述一段沉降槽在含氟廢水的排放路徑上位于一段反應(yīng)槽的下游； 所述加藥裝置用于向所述一段反應(yīng)槽內(nèi)加入所述藥劑，所述藥劑包括鈣鹽，所述鈣鹽能與所述含氟廢水中的氟離子發(fā)生反應(yīng)以生成氟化鈣沉淀物； 所述一段沉降槽用于將所述氟化鈣沉淀物凝集并沉降下來以進(jìn)行泥水分離，然后將所述含氟廢水排出，所述一段測(cè)量值為所述一段沉降槽的排水口處含氟廢水的氟離子濃度。3.如權(quán)利要求2所述的含氟廢水處理系統(tǒng)，其特征在于，所述測(cè)量裝置包括:設(shè)置在所述一段沉降槽的排水口處的一段測(cè)量單元，所述一段測(cè)量單元用于獲得所述一段測(cè)量值。4.如權(quán)利要求3所述的含氟廢水處理系統(tǒng)，其特征在于，所述一段測(cè)量單元為氟離子電極。5.如權(quán)利要求4所述的含氟廢水處理系統(tǒng)，其特征在于，所述一段測(cè)量單元自帶清洗裝置，所述清洗裝置用于自動(dòng)去除所述一段測(cè)量單元表面的結(jié)垢。6.如權(quán)利要求1所述的含氟廢水處理系統(tǒng)，其特征在于，所述控制裝置包括PID控制器、分段控制器中的至少一個(gè)； 所述分段控制器包括:存儲(chǔ)單元，用于存儲(chǔ)氟離子濃度與藥劑量之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系； 獲取單元，用于根據(jù)所述對(duì)應(yīng)關(guān)系確定出所述一段測(cè)量值所對(duì)應(yīng)的藥劑量，以獲取目標(biāo)藥劑量； 控制單元，用于控制所述加藥裝置按照所述目標(biāo)藥劑量加入所述藥劑。7.如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的含氟廢水處理系統(tǒng)，其特征在于，還包括:與所述一段去氟離子裝置連通的二段去氟離子裝置，所述二段去氟離子裝置用于:利用所述藥劑對(duì)經(jīng)所述一段去氟離子處理后的含氟廢水進(jìn)行二段去氟離子處理后將含氟廢水排出； 所述加藥裝置還用于向所述二段去氟離子裝置內(nèi)加入所述藥劑； 所述測(cè)量裝置還用于:實(shí)時(shí)地測(cè)量所述二段去氟離子處理后的所述含氟廢水的氟離子濃度，以獲得二段測(cè)量值； 所述控制裝置還用于:將所述二段測(cè)量值與所述目標(biāo)值進(jìn)行比較，并在所述二段測(cè)量值大于所述目標(biāo)值時(shí)，控制所述加藥裝置同時(shí)向所述一、二段去氟離子裝置內(nèi)加入所述藥劑。8.如權(quán)利要求7所述的含氟廢水處理系統(tǒng)，其特征在于，所述二段去氟離子處理為化學(xué)混凝處理； 所述二段去氟離子裝置包括:二段反應(yīng)槽以及與所述二段反應(yīng)槽連通的二段沉降槽，所述二段沉降槽在含氟廢水的排放路徑上位于二段反應(yīng)槽的下游； 所述加藥裝置還用于向所述二段反應(yīng)槽內(nèi)加入所述藥劑，所述藥劑包括鈣鹽，所述鈣鹽能與所述含氟廢水中的氟離子發(fā)生反應(yīng)以生成氟化鈣沉淀物； 所述二段沉降槽用于將所述氟化鈣沉淀物凝集并沉降下來以進(jìn)行泥水分離，然后將所述含氟廢水排出，所述二段測(cè)量值為所述二段沉降槽的排水口處含氟廢水的氟離子濃度。9.如權(quán)利要求8所述的含氟廢水處理系統(tǒng)，其特征在于，所述測(cè)量裝置包括:設(shè)置在所述二段沉降槽的排水口處的二段測(cè)量單元，所述二段測(cè)量單元用于獲得所述二段測(cè)量值。10.如權(quán)利要求9所述的含氟廢水處理系統(tǒng)，其特征在于，所述二段測(cè)量單元為氟離子電極。11.如權(quán)利要求10所述的含氟廢水處理系統(tǒng)，其特征在于，所述二段測(cè)量單元自帶清洗裝置，所述清洗裝置用于自動(dòng)去除所述二段測(cè)量單元表面的結(jié)垢。12.一種含氟廢水處理方法，其特征在于，包括: 在含氟廢水的排放路徑的第一位置上向所述含氟廢水內(nèi)加入藥劑，以利用所述藥劑對(duì)含氟廢水進(jìn)行一段去氟離子處理后將含氟廢水排出； 實(shí)時(shí)地測(cè)量所述一段去氟離子處理后的所述含氟廢水的氟離子濃度，以獲得一段測(cè)量值； 根據(jù)所述一段測(cè)量值調(diào)節(jié)加入所述藥劑的藥劑量，直至使經(jīng)所述一段去氟離子處理后的所述含氟廢水的氟離子濃度達(dá)到目標(biāo)值，所述目標(biāo)值不大于排放標(biāo)準(zhǔn)。13.如權(quán)利要求12所述的含氟廢水處理方法，其特征在于，所述一段去氟離子處理為化學(xué)混凝處理，所述藥劑包括鈣鹽； 所述化學(xué)混凝處理包括:使所述鈣鹽與所述含氟廢水中的氟離子發(fā)生反應(yīng)以生成氟化鈣沉淀物;將所述氟化鈣沉淀物凝集并沉降下來以進(jìn)行泥水分離，然后將所述含氟廢水排出，所述一段測(cè)量值為所述泥水分離后排出的含氟廢水的氟離子濃度。14.如權(quán)利要求12所述的含氟廢水處理方法，其特征在于，利用氟離子電極測(cè)量所述一段去氟離子處理后的所述含氟廢水的氟離子濃度。15.如權(quán)利要求12所述的含氟廢水處理方法，其特征在于，按照PID控制方法或分段控制方法來根據(jù)所述一段測(cè)量值調(diào)節(jié)加入所述藥劑的藥劑量； 所述分段控制方法包括:設(shè)定氟離子濃度與藥劑量之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系;根據(jù)所述對(duì)應(yīng)關(guān)系確定出所述一段測(cè)量值所對(duì)應(yīng)的藥劑量，以獲取目標(biāo)藥劑量;按照所述目標(biāo)藥劑量加入所述藥劑。16.如權(quán)利要求12至15任一項(xiàng)所述的含氟廢水處理方法，其特征在于，還包括: 對(duì)所述一段去氟離子處理后的含氟廢水進(jìn)行二段去氟離子處理； 將經(jīng)所述二段去氟離子處理后的含氟廢水排出； 實(shí)時(shí)地測(cè)量所述二段去氟離子處理后的所述含氟廢水的氟離子濃度，以獲得二段測(cè)量值； 將所述二段測(cè)量值與所述目標(biāo)值進(jìn)行比較，并在所述二段測(cè)量值大于所述目標(biāo)值時(shí)，在所述第一位置向所述含氟廢水內(nèi)加入所述藥劑的同時(shí)，在含氟廢水的排放路徑的第二位置上向含氟廢水內(nèi)加入所述藥劑，所述第二位置在含氟廢水的排放路徑上位于第一位置的下游。17.如權(quán)利要求16所述的含氟廢水處理方法，其特征在于，所述二段去氟離子處理為化學(xué)混凝處理，所述藥劑包括鈣鹽； 所述化學(xué)混凝處理包括:使所述鈣鹽與所述含氟廢水中的氟離子發(fā)生反應(yīng)以生成氟化鈣沉淀物;將所述氟化鈣凝集并沉降下來以進(jìn)行泥水分離，然后將所述含氟廢水排出，所述二段測(cè)量值為所述泥水分離后排出的含氟廢水的氟離子濃度。18.如權(quán)利要求16所述的含氟廢水處理方法，其特征在于，利用氟離子電極測(cè)量所述二段去氟離子處理后的所述含氟廢水的氟離子濃度。
【專利摘要】一種含氟廢水處理系統(tǒng)及方法，該系統(tǒng)包括：加藥裝置，用于向一段去氟離子裝置內(nèi)加入藥劑，一段去氟離子裝置用于利用藥劑對(duì)輸入的含氟廢水進(jìn)行一段去氟離子處理后將含氟廢水排出；測(cè)量裝置，用于實(shí)時(shí)地測(cè)量一段去氟離子處理后的含氟廢水的氟離子濃度，以獲得一段測(cè)量值；控制裝置，用于根據(jù)一段測(cè)量值調(diào)節(jié)加藥裝置向一段去氟離子裝置內(nèi)加入藥劑的藥劑量，使經(jīng)一段去氟離子處理后的含氟廢水中的氟離子濃度達(dá)到目標(biāo)值。藥劑量是根據(jù)含氟廢水中的氟離子濃度來實(shí)時(shí)自動(dòng)調(diào)節(jié)的，實(shí)現(xiàn)了藥劑量的自動(dòng)化控制，不僅節(jié)省了人力，使用更為方便，而且藥劑量的調(diào)節(jié)不存在滯后。另外，能在排放不超標(biāo)和控制廢水處理成本之間取得良好的平衡。
【IPC分類】C02F1/58, C02F1/52
【公開號(hào)】CN105540801
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610060678
【發(fā)明人】董川順, 李鵬, 汪建發(fā), 黃磊
【申請(qǐng)人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請(qǐng)日】2016年1月28日