帶樹脂層的支撐基板的制造方法、玻璃層疊體的制造方法及電子器件的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及帶樹脂層的支撐基板的制造方法、玻璃層疊體的制造方法及電子器件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，太陽能電池(PV)、液晶面板(IXD)、有機EL面板(OLED)等器件(電子設(shè)備)正在進行薄型化、輕量化，這些器件中使用的玻璃基板在進行薄板化。如果由于薄板化導(dǎo)致玻璃基板的強度不足，則在器件的制造工序中，玻璃基板的處理性會降低。
[0003]最近，為了應(yīng)對上述問題，提出了下述方法:準(zhǔn)備層疊有玻璃基板和增強板的玻璃層疊體，在玻璃層疊體的玻璃基板上形成顯示裝置等電子器件用構(gòu)件后，自玻璃基板分離增強板(例如參見專利文獻I)。增強板具有支撐基板和固定在該支撐基板上的有機硅樹脂層，有機硅樹脂層與玻璃基板以可剝離的方式密合。增強板在玻璃層疊體的有機硅樹脂層與玻璃基板的界面處被剝離，自玻璃基板分離的增強板可以與新的玻璃基板層疊，作為玻璃層疊體進行再利用。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻1:國際公開第2007/018028號

【發(fā)明內(nèi)容】

_7] 發(fā)明要解決的問題
[0008]而迄今已知有將其表面配置有涂膜的支撐基板載置于多個支撐銷的頂部進行加熱干燥的方法。此外，作為進行加熱干燥的方法，已知有使用設(shè)置有加熱板的加熱處理裝置的方法。
[0009]本發(fā)明人等在按照專利文獻I中記載的方法制作增強板時，將表面配置有通過加熱而形成有機硅樹脂層的涂膜的支撐基板載置于設(shè)置在加熱處理裝置內(nèi)的多個支撐銷的頂部，在涂膜上配置加熱板進行預(yù)烘焙處理，然后在實施后烘焙處理形成有機硅樹脂層之后，在有機硅樹脂層上層疊玻璃基板來制作玻璃層疊體。接著，對所得玻璃層疊體實施加熱處理，評價玻璃基板的剝離性，結(jié)果發(fā)現(xiàn)一部分有機硅樹脂層發(fā)生內(nèi)聚破壞而附著在玻璃基板表面上。
[0010]有機硅樹脂附著在玻璃基板上時，所得電子器件不適宜作為產(chǎn)品使用，因此存在電子器件的成品率降低、生產(chǎn)率降低之虞。
[0011]本發(fā)明是鑒于上述問題而做出的，其目的在于提供帶樹脂層的支撐基板的制造方法，所述帶樹脂層的支撐基板具有支撐基板和有機硅樹脂層，用于制造在剝離玻璃基板時有機硅樹脂層的內(nèi)聚破壞得到進一步抑制的玻璃層疊體。
[0012]此外，本發(fā)明的目的還在于提供玻璃層疊體的制造方法，以及使用該玻璃層疊體的電子器件的制造方法，所述玻璃層疊體使用了通過該帶樹脂層的支撐基板的制造方法制造的帶樹脂層的支撐基板。
_3] 用于解決問題的方案
[0014]本發(fā)明人等為了解決上述問題而進行了深入研宄，從而完成了本發(fā)明。
[0015]S卩，本發(fā)明的第I發(fā)明是一種帶樹脂層的支撐基板的制造方法，所述帶樹脂層的支撐基板具有支撐基板和設(shè)置在支撐基板的單面的有機硅樹脂層，用于在有機硅樹脂層上層疊玻璃基板而制造玻璃層疊體，該方法依次包括下述工序:涂布工序，其中，將含有固化性有機硅和溶劑的固化性有機硅組合物涂布在支撐基板上，在支撐基板上形成固化性有機硅組合物層，得到具備支撐基板和固化性有機硅組合物層的帶固化性層的支撐基板；搬入工序，其中，將帶固化性層的支撐基板搬入加熱處理裝置內(nèi)，在加熱處理裝置內(nèi)的支撐銷上載置帶固化性層的支撐基板；第I加熱工序，其中，在帶固化性層的支撐基板的固化性有機硅組合物層上部配置加熱板，邊進行排氣邊在第I溫度以下對帶固化性層的支撐基板進行加熱處理，去除殘留在固化性有機硅組合物層中的溶劑；移動工序，其中，在第I加熱工序后，使實施了加熱處理的固化性有機硅組合物層與加熱板之間遠離；搬出工序，其中，從加熱處理裝置搬出帶固化性層的支撐基板；第2加熱工序，其中，在比第I溫度高的第2溫度下對帶固化性層的支撐基板進行加熱處理，得到有機硅樹脂層。
[0016]在第I發(fā)明中，優(yōu)選的是，固化性有機硅含有具有鏈烯基的有機鏈烯基聚硅氧烷以及具有與硅原子鍵合的氫原子的有機氫聚硅氧烷。
[0017]在第I發(fā)明中，優(yōu)選的是，第I溫度滿足溶劑的初餾點_30°C<第I溫度<溶劑的初餾點+30°C。
[0018]本發(fā)明的第2發(fā)明是一種玻璃層疊體的制造方法，該方法具有如下的層疊工序:其中，在通過第I發(fā)明制造的帶樹脂層的支撐基板中的有機硅樹脂層上層疊玻璃基板，得到依次具有支撐基板、有機硅樹脂層和玻璃基板的玻璃層疊體。
[0019]本發(fā)明的第3發(fā)明是一種電子器件的制造方法，該方法具備下述工序:構(gòu)件形成工序，其中，在通過第2實施方式制造的玻璃層疊體的玻璃基板的表面上形成電子器件用構(gòu)件，得到帶電子器件用構(gòu)件的層疊體；分離工序，其中，從帶電子器件用構(gòu)件的層疊體去除帶樹脂層的支撐基板，得到具有玻璃基板和電子器件用構(gòu)件的電子器件。
[0020]發(fā)明的效果
[0021]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供帶樹脂層的支撐基板的制造方法，所述帶樹脂層的支撐基板具有支撐基板和有機硅樹脂層，用于制造在剝離玻璃基板時有機硅樹脂層的內(nèi)聚破壞得到進一步抑制的玻璃層疊體。
[0022]此外，根據(jù)本發(fā)明，還能夠提供玻璃層疊體的制造方法，以及使用該玻璃層疊體的電子器件的制造方法，所述玻璃層疊體使用了通過該帶樹脂層的支撐基板的制造方法制造的帶樹脂層的支撐基板。
【附圖說明】
[0023]圖1是示出本發(fā)明的帶樹脂層的支撐基板的制造方法的制造工序的流程圖。
[0024]圖2的(A)和(B)是按工序順序示出本發(fā)明的帶樹脂層的支撐基板的制造方法的一個實施方式的截面示意圖。
[0025]圖3是示出加熱處理裝置的構(gòu)成的截面示意圖。
[0026]圖4是本發(fā)明的玻璃層疊體的截面示意圖。
[0027]圖5的(A)和(B)是按工序順序示出本發(fā)明的電子器件的制造方法的一個實施方式的截面示意圖。
[0028]附圖標(biāo)記說曰月
[0029]10 支撐基板
[0030]12 固化性有機硅組合物層
[0031]14 帶固化性層的支撐基板
[0032]16 有機硅樹脂層
[0033]16a有機娃樹脂層中的與支撐基板側(cè)相反一側(cè)的表面
[0034]18 帶樹脂層的支撐基板
[0035]20 玻璃基板
[0036]20a玻璃基板的第一主面
[0037]20b玻璃基板的第二主面
[0038]22 電子器件用構(gòu)件
[0039]24 帶電子器件用構(gòu)件的層疊體
[0040]26 電子器件
[0041]30 加熱處理裝置
[0042]32 加熱室
[0043]34 支撐銷
[0044]36 支撐臺
[0045]38 加熱板
[0046]40 排氣管
[0047]42 搬入搬出口
[0048]100玻璃層疊體
【具體實施方式】
[0049]以下參照附圖來對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行說明，但本發(fā)明并不受以下實施方式的限制，可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下對以下實施方式施以各種變形和置換。
[0050]本發(fā)明人等針對上述問題進行了研宄，結(jié)果發(fā)現(xiàn)原因之一是在使用配置在固化性有機硅組合物層的上部的加熱板對固化性有機硅組合物層進行干燥時，殘留在固化性有機硅組合物層中的溶劑揮發(fā)，滯留在加熱板與固化性有機硅組合物層之間。推測這種滯留的揮發(fā)溶劑大量存在時，殘留溶劑不容易從固化性有機硅組合物層揮發(fā)，并且在從加熱處理裝置中搬出帶固化性層的支撐基板時，溶劑會再次回到固化性有機硅組合物層上，固化性有機硅組合物層的固化性降低，結(jié)果內(nèi)聚破壞容易進行。
[0051]因此，推測在加熱結(jié)束后使加熱板與固化性有機硅組合物層之間遠離，增大兩者之間的空間，從而促進溶劑的排氣，滯留的溶劑濃度降低，降低對有機硅樹脂層的影響，由此可獲得所期望的效果。
[0052]圖1是示出本發(fā)明的帶樹脂層的支撐基板的制造方法中的制造工序的流程圖。如圖1所示，帶樹脂層的支撐基板的制造方法具備涂布工序S102、搬入工序S104、第I加熱工序S106、移動工序S108、搬出工序SllO和第2加熱工序S112。
[0053]以下對各工序中使用的材料及其步驟進行詳細說明。首先，對涂布工序S102進行詳細說明。
[0054]<涂布工序>
[0055]涂布工序S102是如下的工序:將含有固化性有機硅和溶劑的固化性有機硅組合物涂布在支撐基板上，在支撐基板上形成固化性有機硅組合物層，得到具備支撐基板和固化性有機硅組合物層的帶固化性層的支撐基板。通過實施該工序S102，如圖2的(A)所示，在支撐基板10上形成固化性有機硅組合物層12，得到帶固化性層的支撐基板14。
[0056]以下首先詳細說明本工序S102中使用的材料(支撐基板、固化性有機硅組合物)，然后對該工序S102的步驟進行詳細說明。
[0057](支撐基板)
[0058]支撐基板10具有表面和背面這2個主面，與后述的有機硅樹脂層16共同作用，支撐并增強后述的玻璃基板20，并在后述的構(gòu)件形成工序(電子器件用構(gòu)件的制造工序)中制造電子器件用構(gòu)件時防止玻璃基板20變形、刮傷、破損等。此外，使用支撐基板10的目的之一還在于，使用厚度比以往更薄的玻璃基板時，通過制成與以往的玻璃基板厚度相同的玻璃層疊體，在構(gòu)件形成工序中，也可使用適合于以往厚度的玻璃基板的制造技術(shù)、制造設(shè)備。
[0059]作為支撐基板10，可以使用例如玻璃板、塑料板、SUS板等金屬板、陶瓷板等。在構(gòu)件形成工序伴有熱處理時，支撐基板10優(yōu)選由與玻璃基板20的線膨脹系數(shù)之差小的材料形成，更優(yōu)選由與玻璃基板20相同的材料形成。即，支撐基板10優(yōu)選為玻璃板。支撐基板10特別優(yōu)選為由與玻璃基板20相同的玻璃材料形成的玻璃板。
[0060]支撐基板10的厚度可以比玻璃基板20厚，也可以比其薄。優(yōu)選的是，根據(jù)玻璃基板20的厚度、樹脂層16的厚度以及玻璃層疊體的厚度來選擇支撐基板10的厚度。例如，目前的構(gòu)件形成工序是以對厚度0.5mm的基板進行處理的方式設(shè)計的，玻璃基板20的厚度與樹脂層16的厚度之和為0.1mm時，將支撐基板10的厚度設(shè)定為0.4mm。支撐基板10的厚度在通常的情況下優(yōu)選為0.2?5.0mm。
[0061]支撐基板10為玻璃板時，從易操作、不易碎裂等理由出發(fā)，玻璃板的厚度優(yōu)選為0.08mm以上。此外，出于在電子器件用構(gòu)件形成之后剝離時可期待具有適度撓曲而不會碎裂這樣的剛性的理由，玻璃板的厚度優(yōu)選為1.0mm以下。
[0062]支撐基板10與玻璃基板20在25?300°C下的平均線膨脹系數(shù)(以下簡稱為“平均線膨脹系數(shù)”)之差優(yōu)選為500X 10_7/°C以下，更優(yōu)選為300X 10_7/°C以下，進一步優(yōu)選為200X10_V°C以下。差值過大時，在構(gòu)件形成工序中的加熱冷卻時，有可能玻璃層疊體劇烈翹曲、或玻璃基板20與后述的帶樹脂層的支撐基板18發(fā)生剝離。玻璃基板20的材料與支撐基板10的材料相同時，能夠抑制這種問題的產(chǎn)生。
[0063](固化性有機硅組合物)
[0064]固化性有機硅組合物至少含有固化性有機硅和溶劑。如后所述，通過將該固化性有機硅組合物涂布在支撐基板